【課題】アルカリアルミノシリケートガラスからなるガラス円板を、コロイダルシリカ砥粒を含むスラリーを用いる研磨工程を経て情報記録媒体用ガラス基板を製造する方法において、Ｒａの小さい情報記録媒体用ガラス基板を提供する。
【解決手段】ガラス円板の主表面をラッピングするラッピング工程と、その後に、酸化セリウム砥粒を含むスラリーを用いて研磨する酸化セリウム研磨工程と、前記酸化セリウム研磨工程後に行われ、コロイダルシリカ砥粒を含むスラリーを用いて研磨するコロイダルシリカ研磨工程とを含む情報記録媒体用ガラス基板の製造方法に使われるコロイダルシリカスラリーにおいて、コロイダルシリカ砥粒が、ＢＥＴ比表面測定法により求められるＢＥＴ粒子径が４０ｎｍ以下であり、ＢＥＴ粒子径（ｎｍ）／円形度で表される平滑度指数が５０ｎｍ以下であるコロイダルシリカスラリー、及び前記コロイダルシリカスラリーを用いて製造された情報記録媒体用ガラス基板、並びに前記情報記録媒体用ガラス基板の主表面に磁気記録層が設けられた磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】高い砥粒の保持力を維持しつつ、切屑の排出性も高く、しかも高張力での長時間の切断が可能な固定砥粒ワイヤーソーを提供する。
【解決手段】導電性を有する単線のワイヤー２の外周面に、有機接着剤により螺旋状の接着剤層５を形成し、この接着剤層５に砥粒４を付着させることにより該砥粒４をワイヤー２の外周面に一次固着すると共に、その上からさらに電着による金属メッキ層６で二次固着することにより、上記ワイヤー２の外周面に砥粒層３を螺旋状に形成する。 （もっと読む）

【課題】 適切な研磨速度を維持しつつ、スクラッチの発生を低減し、半導体表面を精密に研磨可能な、酸化セリウム研磨剤及びこの研磨剤を用いた基板の研磨法を提供する。
【解決手段】 炭酸セリウムとマロン酸との混合物を焼成して得られる酸化セリウムを粉砕した酸化セリウム粒子、及び、水を含み、前記酸化セリウムの二次粒子径の中央値が、０．１〜１μｍである、酸化セリウム研磨剤。また、マロン酸の混合比が、炭酸セリウム１モルに対して、０．５〜６ｍｏｌである酸化セリウム研磨剤。更に、二次粒径３μｍ以上の酸化セリウム粒子含有量が、固体中の５００ｐｐｍ以下である酸化セリウム研磨剤。 （もっと読む）

【課題】ＬＳＩなどに用いられるアルミニウム表面を平滑にかつ高速に研磨することができる研磨液及びこの研磨液を用いたアルミニウム膜の研磨方法を提供する。
【解決手段】２５℃における第一段の酸解離指数が３以下である多価カルボン酸、コロイダルシリカ及び水を含有し、ｐＨが２〜４であるアルミニウム膜研磨用研磨液およびこの研磨液を用いてアルミニウム膜を研磨する研磨方法。およびこの研磨液を用いてアルミニウム膜を研磨する研磨方法。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの配線を形成するための研磨で好適に使用することができる研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、研磨促進剤と、ジシアンジアミドなどのグアニジン構造を有する重合性化合物に由来する構成単位を含んだ水溶性ポリマーと、酸化剤とを含有する。水溶性ポリマーは、ジシアンジアミドに由来する構成単位と、ホルムアルデヒド、ジアミン又はポリアミンに由来する構成単位とを含むものであってもよい。 （もっと読む）

【課題】廃棄する砥粒の量を低減するとともに、研磨処理の質を向上できるようにする。
【解決手段】新品砥粒群の切断処理による粒度分布変化を低減するための粒度分布を有する追加用砥粒群を用意し、切断処理に使用した砥粒群に、追加用砥粒群を所定量加えて混合し（ステップＳ４）、混合した砥粒群について砥粒の大きさが第１砥粒径以上かつ第２砥粒径以下となるよう分級処理を行うようにする（ステップＳ５）。これにより、混合された砥粒群の粒度分布を新品砥粒群の粒度分布又はそれに近い粒度分布にすることができ、これにより、混合した砥粒群を用いて、新品の砥粒群と同様な質の研磨処理を施すことができ、従来に比して研磨処理の質を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造方法において、ポリシリコン膜上の酸化ケイ素膜を高速で研磨でき、かつ、ポリシリコン膜の露出時にポリシリコン膜の研磨の進行を抑えることができる酸化ケイ素用研磨剤とそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】ポリシリコン上の酸化ケイ素膜を研磨するための研磨剤であり、砥粒、ポリシリコン研磨抑制剤及び水を含む。前記研磨抑制剤として、（１）アクリルアミド、メタアクリルアミドおよびそのα―置換体からなる群のいずれかの、Ｎ−モノ置換体またはＮ，Ｎ−ジ置換体の骨格を有する水溶性高分子、（２）ポリエチレングリコール（３）アセチレン系ジオールのオキシエチレン付加体、（４）アセチレン結合を有する水溶性有機化合物、（５）アルコキシル化直鎖脂肪族アルコールのいずれか、または（６）ポリビニルピロリドンまたはビニルピロリドンを含む共重合体を用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】銅又は銅合金面とシリコン面が露出したウェーハの研磨時に起こりうるウェーハの銅汚染を抑えることが可能な研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の研磨方法では、０．０２〜０．６質量％の過酸化水素を含有した研磨用組成物を用いて、銅又は銅合金面とシリコン面が露出したウェーハを研磨する。研磨用組成物は、錯化剤、無機電解質及び砥粒の少なくともいずれかをさらに含有することが好ましい。研磨用組成物のｐＨは１０以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、研摩処理が困難な炭化珪素を、高効率かつ高い面精度で研摩処理することができる研摩技術を提供する。
【解決手段】本発明は、基材を研摩するための研摩スラリーにおいて、研摩粒子は酸化マンガンを主成分とし、研摩粒子の含有量が、研摩スラリーに対して１０重量％未満であることを特徴とする。本発明の研摩スラリーは、ｐＨがｐＨ７以上であることが好ましく、その研摩粒子としては二酸化マンガンを用いることが特に好ましい。 （もっと読む）

【課題】設計ニーズの変更に適合する研磨特性の望まれるバランスを提供する。
【解決手段】酸化ケイ素を含む基体を提供し；水、研磨剤および式Ｉ


（式中、Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３はそれぞれ独立してＣ_１−４アルキル基から選択される）の物質を当初成分として含む化学機械研磨組成物を提供し；化学機械研磨パッドに研磨面を提供し；基体に対して研磨面を動かし；化学機械研磨組成物を研磨面上に分配し；基体の少なくとも一部分を摩耗させて、基体を研磨し；化学機械研磨組成物に含まれる式Ｉの物質は増大した酸化ケイ素除去速度および改善した研磨ディフェクト性能を提供し；並びに、酸化ケイ素の少なくとも幾分かが基体から除去される；ことを含む、基体の化学機械研磨方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン又は変性ポリシリコンを含む層を有する被研磨体の化学的機械的研磨において、ポリシリコン以外のケイ素系材料を含む層の研磨速度が迅速であり、ポリシリコンを含む層の研磨を選択的に抑制しうる研磨液を提供する。
【解決手段】（Ａ）〜（Ｃ）で示される成分を含有し、ｐＨが１．５〜７．０であり、且つ、前記第１層に対して前記第２層を選択的に研磨しうる研磨液。
（Ａ）負のζ電位を有するコロイダルシリカ粒子
（Ｂ）リン酸又は下記一般式（１）又は(２)で表される有機ホスホン酸化合物
（Ｃ）下記式（Ｉ）〜（III）で表される基のうち少なくとも一つを有するアニオン性界面活性剤
Ｒ^２−Ｃ（Ｒ^３）−(ＰＯ_３Ｈ_２)_２ （１）
Ｒ^４−Ｎ（Ｒ^５）ｍ−(ＣＨ_２−ＰＯ_３Ｈ_２)ｎ （２）
−ＰＯ_３Ｘ_２ （Ｉ）
−ＯＰＯ_３Ｘ_２ （II）
−ＣＯＯＸ （III） （もっと読む）

【課題】
磁気ヘッドの浮上面の研磨には砥粒が埋め込まれた研磨定盤が使用され、平滑な浮上面表面を得るためには砥粒の切れ刃高さのばらつきを小さくしなければならない反面、研磨速度の極端な低下という製造上の大きな問題点を抱えている。
【解決手段】
上記の問題を解決するために、研磨定盤の押し込まれた従来方法の砥粒に対して、新たに砥粒周辺の定盤表面を選択的に研磨する砥粒掘り起こし処理を行い、更に掘り起こされた砥粒に対してその切れ刃高さを揃えるための均一化処理を行うようにした。
このふたつの処理によって、研磨定盤に埋め込まれた砥粒は定盤表面からの突き出し高さが大きく、しかもその高さばらつきの少ない状態にすることが可能になった。その結果、従来の一般的な研磨定盤を用いて研磨する場合に比較して高速で、かつ平坦性に優れた浮上面を得ることが出来た。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の作製において、ポリシリコン又は変性ポリシリコンを含む層を有する被研磨体に対する化学的機械的研磨に用いることができ、ポリシリコン又は変性ポリシリコン以外のケイ素系材料を含む層の研磨速度が迅速であり、且つ、ポリシリコン又は変性ポリシリコンを含む層の研磨を選択的に抑制しうる研磨方法を提供する。
【解決手段】正のζ電位を有するコロイダルシリカ粒子と、アニオン性界面活性剤とを含み、且つｐＨが１．５〜７．０の範囲である研磨液を用いて、ポリシリコン又は変性ポリシリコンを含む第１層と、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、炭窒化ケイ素、酸化炭化ケイ素、及び酸窒化ケイ素からなる群より選択される少なくとも１種を含む第２層とを少なくとも有して構成される被研磨体を研磨する化学的機械的研磨方法。 （もっと読む）

【課題】 近年、精密研磨分野では、研磨精度の他にパッドの耐久性や研磨速度の高速化が要求されることから、より硬度が高く、耐久性の高いポリウレタン研磨パッドを提供することを目的とする。
【解決手段】 ＴＤＩ系イソシアネート基末端プレポリマーから、２，４’−ジフェニルメタンジイソシアネートを主たる成分として用いたイソシアネート基末端プレポリマーに変更することにより、従来よりも硬度が高く、硬質なポリウレタン研磨が得られ、研磨精度が高く、耐久性と研磨速度の両立を可能なポリウレタン研磨パッドとすることにより、解決する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、主平面の平滑性と端部形状に優れる磁気記録媒体用ガラス基板を生産性高く研磨するガラス基板の研磨方法、及び該研磨方法を用いた研磨工程を有する磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、平均粒子直径が１００ｎｍ以下の砥粒を含有する研磨液を用いて、ガラス基板の両主平面を仕上げ研磨する仕上げ研磨工程を有する磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法において、同一ロット内で研磨されるガラス基板間の板厚偏差を１．５μｍ以下としてガラス基板の主平面を研磨する。 （もっと読む）

【課題】光学デバイス用基板材料、パワーデバイス用基板材料又は化合物半導体材料からなる研磨対象物を高い研磨速度で研磨することができる研磨用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、少なくとも砥粒及び水を含有し、光学デバイス用基板材料、パワーデバイス用基板材料又は化合物半導体材料からなる研磨対象物を研磨する用途で使用される。研磨用組成物中の砥粒のゼータ電位をＸ［ｍＶ］、研磨用組成物を用いて研磨中の研磨対象物のゼータ電位をＹ［ｍＶ］としたときにＸ×Ｙ≦０の関係が成り立つようなゼータ電位を砥粒は有している。砥粒は、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、ダイヤモンド又は炭化ケイ素からなることが好ましい。また、研磨対象物は、サファイア、窒化ガリウム、炭化ケイ素、ヒ化ガリウム、ヒ化インジウム又はリン化インジウムからなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】窒化ケイ素に対する酸化ケイ素の研磨選択比を改善する研磨液組成並びにそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】ポリシリコン、酸化ケイ素および窒化ケイ素を含む基体に対して、アリール環に結合したアルキル基を有する疎水性部分と４〜１００個の炭素原子を有する非イオン性非環式親水性部分とを有するアルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物、水、研磨剤、並びにジエチレントリアミンペンタキスを含む化学機械研磨組成物で研磨する。 （もっと読む）

【課題】高い加工レートを実現できると共に、表面の平滑化が可能な加工方法を提供する。
【解決手段】過酸化水素水を含んだ水酸化カリウム溶液２中にＳｉＣ基板８を配置し、ＳｉＣ基板８の表面に紫外光を照射する。紫外光の照射によってＳｉＣ基板８の表面に形成されたＳｉＯ_２層９を水酸化カリウム溶液によって化学的に除去すると共に、合成石英定盤３ａによってもＳｉＯ_２層９を除去する。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコンに対する酸化ケイ素あるいは窒化ケイ素の研磨選択比を改善できる化学機械研磨組成物並びにそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】酸化ケイ素および窒化ケイ素の少なくとも１種とポリシリコンとを含む基体に対して、アリール環に結合したアルキル基を有する疎水性部分と４〜１００個の炭素原子を有する非イオン性非環式親水性部分とを有するアルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物、水、並びに研磨剤を当初成分として含む化学機械研磨組成物と研磨パッドを用い化学機械研磨する。 （もっと読む）

【課題】被処理面にスクラッチや繊維かすを発生させず、かつ、異物および余剰油分を除去できる機能を持つワイピングフィルムを提供すること。
【解決手段】柔軟なフィルム状基材と、該基材の一表面上に被覆されたワイピング層とを有するワイピングフィルムにおいて、該ワイピング層が結合剤とその中に分散されたプラスチック製微粒子とを有するワイピングフィルム。 （もっと読む）