【課題】ガラスなどの非晶質体が付着した酸化セリウム系研磨剤から、高い研磨速度で研磨可能な酸化セリウム系研磨剤を製造できる方法を提供する。
【解決手段】非晶質体が表面に付着した酸化セリウム系研磨剤の懸濁液に第１のアルカリ成分を添加することにより酸化セリウム系研磨剤の表面に付着した非晶質体を溶解させる。溶解工程の後に、懸濁液に第２のアルカリ成分を添加し、酸化セリウム系研磨剤を沈殿させる。 （もっと読む）

【課題】金属材料の表面が硬化することを抑えつつ、金属材料の表面から変質層を効率良く破砕することができる。
【解決手段】表面に変質層６を有する斜板２２に摺動する摺動面を有し、この摺動面に直交する軸線の周りに回転する摺動工具１から成り、摺動工具１と斜板２２とを相対的に摺動させることによって斜板２２の変質層６を破砕する金属表面変質層破砕工具において、摺動工具１は、摺動面のうち軸線Ａの周りに設けられ、縦断面が回転方向Ｂへ傾くように形成された空孔３と、この空孔３内に包含され、摺動工具１の回転に伴って摺動面と斜板２２の表面に介在することによって斜板２２の変質層６を破砕する硬質粉体７と、この硬質粉体７を空孔３内に供給する粉体供給孔４とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板表面の濡れ性を向上させ、パーティクルの付着等の微小な欠陥を著しく低減させることができる半導体用濡れ剤および研磨用組成物を提供する。
【解決手段】低粘度の水溶性高分子化合物と水を含む半導体用濡れ剤、コロイダルシリカ、およびアルカリ化合物から校正される研磨用組成物せあって、この水溶性高分子化合物の０．３重量％水溶液の２５℃における粘度が１０ｍＰａ・ｓ未満である。 （もっと読む）

【課題】研磨後の被研磨物の表面粗さ及びパーティクルを低減できる研磨液組成物の製造方法。
【解決手段】一次粒子の平均粒子径が１〜１００ｎｍのコロイダルシリカを含有する被処理シリカ分散液を、ろ過助剤を含むフィルターでろ過処理する工程を有する研磨液組成物の製造方法であって、前記ろ過助剤は水銀圧入法による平均細孔径が０．１〜３．５μｍである、研磨液組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い研磨速度で銅を研磨するために有効な、化学的機械的平滑化のための新規な水性酸化モリブデン研磨スラリーを提供する。
【解決手段】半導体基板上の銅層の化学的機械的平滑化のための水性研磨スラリーは、脱イオン水と酸化剤の溶液中に目視で溶解している10000nm以下の平均粒子径を有するMoO₃の粒子と酸化剤とを含み、MoO₃の該粒子は0.1重量%〜10重量%の量で存在する。また、酸化剤、錯形成剤、界面活性剤を含む。 （もっと読む）

【課題】酸化シリコン系絶縁膜等の被研磨膜のＣＭＰにおいて、研磨傷を抑制しつつ被研磨膜を高平坦に研磨できる研磨剤、この研磨剤を得るための濃縮１液式及び２液式研磨剤、ならびにこの研磨剤を用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】４価の金属水酸化物粒子と、カチオン化ポリビニルアルコールと、アミノ糖、当該アミノ糖の誘導体、アミノ糖を持つ多糖類及び当該多糖類の誘導体からなる群より選ばれる少なくとも一種の糖類と、酸成分と、水と、を含有する研磨剤であって、該研磨剤をシリコン基板１上に形成された酸化シリコン膜（被研磨膜）２と研磨パッドとの間に供給して酸化シリコン膜２を研磨する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】ＩＴ向け液晶パネル、ハードディスク、光学機器向け周波数カット用フィルター等に使用されるガラス基板や医療機器産業に用いられるガラスや次世代パワーデバイス向け半導体基板材料であるＳｉＣ基板やＬＥＤ照明用基板として用いられているサファイア基板、発信器基板の水晶基板など多くの高脆性材料を、高品位に高速に仕上げることができ、更にはレアアースの一種である酸化セリウム等の使用量を抑制することも可能な平面トライボ研磨方法、およびその装置を提供する。
【解決手段】本発明は、自転運動しつつ摺動又は楕円運動を行う複数の上定盤を、それぞれの下面を同一面状上に並設して上定盤群を構成し、前記上定盤群に対向間隔を隔てて回転運動可能に下定盤を構成し、前記上定盤群及び下定盤をそれぞれ独立に回転させながら、その対向間隔に上方から電界を印加しつつキャリアに保持した被加工物を臨ませ、誘電性砥粒を水に分散させたスラリーを供給することにより被加工物の表面を研磨することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本願発明は、半導体ウェーハの研磨において、ウェーハ表面の５０ｎｍ以下の大きさのＬＰＤを効果的に低減可能な研磨液組成物の提供を課題とする。
【解決手段】 水、シリカ粒子、アルカリ化合物、水溶性高分子化合物及びポリエチレングリコールを含み、下記（ａ）〜（ｃ）の条件を満たす半導体ウェーハ用研磨液組成物。
（ａ）：前記シリカ粒子の形状係数ＳＦ１が１．００〜１．２０であること
（ｂ）：前記シリカ粒子の窒素吸着法により求められる平均一次粒子径が５〜１００ｎｍであって、且つ透過型電子顕微鏡写真の画像解析から求められる粒子径変動係数ＣＶ値が０〜１５％であること
（ｃ）：前記ポリエチレングリコールは、数平均分子量が２００〜１５０００であること （もっと読む）

【課題】半導体デバイスにおけるタングステンプラグ又はタングステン配線を形成するプロセス、特に同プロセスにおけるバフ工程において好適に使用することが可能な研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物には、砥粒、鉄イオン源、及び鉄イオンをキレートする酸（好ましくはクエン酸又は１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸）が配合されている一方、過酸化水素は含まれていない。研磨用組成物に配合される鉄イオン源の量は、鉄イオン濃度に換算して１０ｐｐｍ以上２０００ｐｐｍ未満である。 （もっと読む）

【課題】被研磨物の表面を研磨することにより表面を精度よく凹面または凸面として形成するための被研磨物の被研磨物の研磨方法、及び研磨パッドを提供する。
【解決手段】表面上に径方向の中心側の領域と外側の領域とで異なる溝状態が形成され、中心側または外側のいずれか一方の領域が溝が形成された第一研磨領域１１、他方の領域が第一研磨領域１１と異なる溝状態とされた第二研磨領域１２である研磨パッド１０に、第一研磨領域１１と第二研磨領域１２との境界をまたいだ状態で被研磨物２０を配し、研磨パッド１０及び被研磨物２０を回転させて被研磨物２０を研磨する。 （もっと読む）

【課題】平坦化性能に優れ、シャロー・トレンチ分離領域を形成する工程において、ストッパ膜と絶縁膜との間の段差を極めて小さくすることができる化学的機械的研磨用スラリーを提供すること。
【解決手段】３個以上８個以下の酸性基を有し、最も離れた酸性基の間にある原子数が４〜１２であるキレート剤（ａ）、オリゴ糖および／またはその誘導体（ｂ）、酸化セリウム砥粒（ｃ）並びに水（ｄ）を含有し、前記キレート剤（ａ）の含有量が、スラリー全量中、０．０２〜２．０質量％であり、前記オリゴ糖および／またはその誘導体（ｂ）の含有量が、スラリー全量中、０．０２〜２．０質量％である、化学的機械的研磨用スラリー。 （もっと読む）

【課題】表面粗さＲａが低減され、落下衝撃に強く、さらにヘッドクラッシュを起こしにくい情報記録媒体用ガラス基板を製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】酸化セリウムを０．０２〜１質量％含むアルミノシリケートガラス素材を研磨して情報記録媒体用ガラス基板を製造する方法であって、前記アルミノシリケートガラス素材を粗研磨する粗研磨工程、及び粗研磨工程後の前記ガラス素材を精密研磨する精密研磨工程を含み、前記粗研磨工程において、（Ａ）酸化セリウムと、（Ｂ）ケイ酸ジルコニウム、酸化ジルコニウム、酸化マンガン、酸化鉄、酸化アルミニウム、炭化ケイ素及び二酸化ケイ素からなる群より選択される少なくとも１つと、（Ｃ）ウレタンとを含み、前記（Ａ）酸化セリウムの配合量が１〜５０質量％である研磨剤を用いて粗研磨を行うことを特徴とする、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は砥材（abrasive)、ハロゲン化物塩、及び水を含む化学−機械研磨組成物を提供すること。本発明は基材を化学−機械研磨組成物及び研磨パッドで化学−機械研磨する方法をさらに提供すること。
【解決手段】化学−機械研磨組成物であって：
（ａ）アルミナ、セリア、ジルコニア、及びそれらの組合せからなる群から選択した０．０１質量％〜１質量％の砥材
（ｂ）Ｃｌ⁻、Ｂｒ⁻、及びＩ⁻からなる群から選択したアニオンを含む０．０５ｍＭ〜３０ｍＭのハロゲン化物塩、並びに
（ｃ）水、を含んでなり、
ここで９未満のｐＨを有する研磨組成物。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の研磨後の平坦性を向上させることが可能なガラス基板の研磨方法を提供する。また、上記研磨方法をガラス基板の洗浄方法に応用する。
【解決手段】ガラス基板の研磨方法は、ガラス基板４の主表面の延在方向に沿って、ガラス基板４よりも硬い粒子を含む流体と上記主表面とを高速で相対移動させることにより上記主表面を研磨するものである。ガラス基板の洗浄方法は、ガラス基板４の主表面の延在方向に沿って、ガラス基板４よりも軟らかい粒子を含む流体と上記主表面とを高速で相対移動させることによりガラス基板４を洗浄するものである。 （もっと読む）

【課題】高速においてタングステンを洗浄し、また同時に不必要なタングステンプラグのくぼみを形成しないような新しい化学機械的ポリシング組成物の提供。
【解決手段】本発明は、タングステンを蝕刻できる成分及び少なくとも一つのタングステンの蝕刻抑制剤を含む化学機械的ポリシング組成物並びにスラリーに関する。また、本発明はこの組成物及びスラリーを使用してタングステンを含む基板を洗浄する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】研摩速度が大きく、研摩傷の発生を極力低減した研摩面を実現できるセリウム系研摩材を提供する。
【解決手段】本発明は、Ｆを含有し、希土類元素Ｃｅと、Ｃｅ以外の希土類元素Ｙ、Ｌａ・・・の１４種から選択される一種の希土類元素（ＲＥ^＊）とを含有するセリウム系研摩材において、研摩材中のＦの含有量は５．０〜１５．０質量％であり、全希土類酸化物換算質量に占める酸化セリウムの質量の割合は４８質量％〜９０質量％で、全希土類酸化物換算質量に占める、ＲＥ^＊の酸化物の質量の割合は８質量％〜５０質量％で、全希土類酸化物換算質量に占める、ＣｅＯ_２とＲＥ^＊の酸化物との合計の質量の割合は９８質量％以上で、Ｙ、Ｌａ・・・の１４種から希土類元素ＲＥ^＊を除いた１３種から選択される希土類元素は、全希土類酸化物換算質量に占める、前記１３種のＯＲＥにおける各酸化物の質量の割合が０．５質量％以下の含有量であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】研磨後の洗浄における粒子除去性能を向上させ、研磨傷を低減することのできる研磨剤及びこの研磨剤を使用した基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】余分の酸化珪素膜を除くためのＣＭＰ研磨剤であって、酸化セリウム粒子、水溶性高分子、β−ジケトンから選択されるセリウムとの錯形成剤及び水を含み、セリウムとの錯形成剤濃度が０．１重量％以上１０．０重量％以下であるＣＭＰ研磨剤。 （もっと読む）

【課題】被切断材料の切断溝からのチップの高い掻き出し効率を確保することができるとともに、固定砥粒の磨滅に伴う切断効率の低下を抑制することができる電着固定砥粒ワイヤを提供する。
【解決手段】ワイヤ基材の外周面に、所定の粒度を有する第１の固定砥粒が線状に電着された第１の線状電着部と、第１の固定砥粒より粒度が小さい第２の固定砥粒が線状に電着された第２の線状電着部とを離間して形成したので、被切断材料の切断溝からのチップの高い掻き出し効率を確保でき、固定砥粒の磨滅に伴う切断効率の低下を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】ウェハの粗研磨に用いられる研磨組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）平均粒径が５〜１５０ｎｍである研磨粒子と、（Ｂ）ｐＫａ値が９〜１０であり、且つ含有量が前記研磨粒子に対して７〜２８ｗｔ％であるｐＨ安定剤と、（Ｃ）研磨促進剤と、（Ｄ）水とを含む、ウェハの粗研磨に用いられる研磨組成物を提供する。本発明に係る研磨組成物は、研磨粒子と研磨プロセスにおける副生成物のゲル化を効果的に低減し、研磨速度を向上すると同時に研磨品質の安定性を維持し、研磨パッドの性能及び寿命を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体材料から構成された基板に対して改善された研磨法を規定することであり、この方法は、殊に微小荒さに関連して特に低い値をもたらす。
【解決手段】研磨パッド中に結合された研磨材を含有する研磨パッド上で基板を研磨し、研磨剤溶液が研磨工程中に基板と研磨パッドとの間に導入される、タイプＡの少なくとも１つの研磨工程；および研磨パッド中に結合された研磨材を含有する研磨パッド上で基板を研磨し、結合されていない研磨材を含有する研磨剤スラリーが研磨工程中に基板と研磨パッドとの間に導入される、タイプＢの少なくとも１つの研磨工程を有する。
【効果】著しく低い"ヘイズ"およびＲＭＳ荒さ値を予想することができる。 （もっと読む）