【課題】透明導電膜のスクラッチ等を抑制する。
【解決手段】研磨材は、ＩＴＯやＦＴＯ等の透明導電膜を加水分解可能な官能基を有する有機高分子化合物の微粒子で構成されている。官能基としては、アミノ基等のカチオン性基やカルボキシル基等のアニオン性基を採用でき、有機高分子化合物としては、ポリアクリル酸エステル、ポリアクリルアミドやポリスチレン等が好適である。研磨材は、少なくとも水を含む分散媒に分散して、遊離砥粒法による透明導電膜の化学機械研磨に用いられる。 （もっと読む）

【課題】半導体材料から構成された基板に対して改善された研磨法を規定することであり、この方法は、殊に微小荒さに関連して特に低い値をもたらす。
【解決手段】研磨パッド中に結合された研磨材を含有する研磨パッド上で基板を研磨し、研磨剤溶液が研磨工程中に基板と研磨パッドとの間に導入される、タイプＡの少なくとも１つの研磨工程；および研磨パッド中に結合された研磨材を含有する研磨パッド上で基板を研磨し、結合されていない研磨材を含有する研磨剤スラリーが研磨工程中に基板と研磨パッドとの間に導入される、タイプＢの少なくとも１つの研磨工程を有する。
【効果】著しく低い"ヘイズ"およびＲＭＳ荒さ値を予想することができる。 （もっと読む）

【課題】ラッピング処理能率を向上することのできる球体のラッピング加工方法および加工装置を提供する。
【解決手段】ラッピング加工方法は、窒化ケイ素セラミックスやサイアロンセラミックスよりなる球状の加工サンプル７の表面を砥石２ａ、３ａによりラッピング加工する球体のラッピング加工方法であって、砥石２ａ、３ａは加工サンプル７よりも高硬度の砥粒を含んでいる。加工サンプル７にトライボケミカル反応を起こさせるような粒子を含む加工液を加工サンプル７と砥石２ａ、３ａとの間に供給してラッピング加工する。 （もっと読む）

【課題】研磨速度の低下を抑制しつつ研磨傷の発生を抑制することが可能なＣＭＰ研磨液の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るＣＭＰ研磨液の製造方法は、酸化セリウム粒子と分散剤と水とを含む分散液を７５Ｌ／ｍｉｎ・ｍ^２以下のろ過速度でフィルタを用いてろ過するろ過工程を備える。 （もっと読む）

【課題】研磨時に被研磨面に発生するスクラッチが少ないセリウム系研磨剤を提供する。
【解決手段】酸化セリウム粒子を含むセリウム系研磨剤であって、該セリウム系研磨剤を乾燥させて得られる、前記酸化セリウム粒子を含む乾燥物は、６規定の硝酸１２．５ｇと３０％の過酸化水素水１２．５ｇとの混合液に２０ｇ溶解した場合に溶液中に存在する不溶成分の濃度が質量比で１ｐｐｍ以下である、セリウム系研磨剤。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス用の基板として好ましく用いられ得るように結晶を破壊することなく直接かつ確実に評価された結晶表面層を有する窒化物結晶およびエピ層付窒化物結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物結晶１の機械加工後の化学機械的研磨により、機械加工により悪化した窒化物結晶の表面層１ａの結晶性を化学機械的研磨により向上させる窒化物結晶の製造方法であって、化学機械的研磨においてｐＨが６以下または８以上のスラリーを用いて、窒化物結晶１の表面層１ａの結晶性の向上は、結晶の任意の特定結晶格子面のＸ線回折条件を満たしながら結晶の表面からのＸ線侵入深さを変化させるＸ線回折測定から得られる結晶の表面層の均一歪みが２．１×１０^-3以下である。 （もっと読む）

【課題】優れた研磨速度と沈降安定性を両立したコロイダルシリカを含んだ研磨用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物はコロイダルシリカを含有する。コロイダルシリカの平均アスペクト比をＡ（無次元）、コロイダルシリカの平均粒子径をＤ（単位：ｎｍ）、コロイダルシリカの粒子径の標準偏差をＥ（単位：ｎｍ）、コロイダルシリカ中に占める粒子径が１〜３００ｎｍである粒子の体積割合をＦ（単位：％）としたときに、式：Ａ×Ｄ×Ｅ×Ｆで求められる値は３５０，０００以上である。また、コロイダルシリカ中に占める粒子径が１〜３００ｎｍである粒子の体積割合は９０％以上である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、特別な酸化剤又は化学エッチャントの使用を必要とせず、従来の化学機械研磨組成物と比べて、貴金属含有基板のより効率的な研磨を可能にする化学機械研磨組成物、及び基板を研磨するためにそれを用いる方法を提供する。
【解決手段】本発明は、（ａ）α−アルミナを含む研磨材、（ｂ）研磨組成物の総質量に対して、カルシウムのイオン０．０５〜５０ｍｍｏｌ／ｋｇ、及び（ｃ）水を含む液体キャリアを含んでなる、化学機械研磨組成物である。また本発明は、（ａ）α−アルミナを含む研磨材、（ｂ）研磨組成物の総質量に対して、カルシウムのイオン０．０５〜３．５ｍｍｏｌ／ｋｇ、及び（ｃ）水を含む液体キャリアを含んでなる、化学機械研磨組成物を提供する。さらに本発明は、上述の化学機械研磨組成物のそれぞれを用いた、基板の研磨方法である。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体ウエハの研磨において、研磨レートに優れるとともに研磨傷を発生させにくい研磨方法を提供する。
【解決手段】研磨材と、砥粒を含有するスラリーを用いて化合物半導体ウエハを研磨する研磨方法であって、前記研磨材が、平均断面積が０．０１μｍ²〜３０μｍ²である極細単繊維からなる不織布及び高分子弾性体を、不織布／高分子弾性体の質量比が９０／１０〜５５／４５となる範囲で含み、かつ、０．７０ｇ／ｃｍ³〜１．２ｇ／ｃｍ³の見掛け密度及び４５Ｄ〜７５ＤのＪＩＳ硬度を有し、前記砥粒は、０．０１μｍ〜２０μｍの平均粒径を有する、研磨方法。 （もっと読む）

【課題】半導体製造方法において、ポリシリコン膜上の酸化ケイ素膜を高速で研磨でき、かつ、ポリシリコン膜の露出時にポリシリコン膜の研磨の進行を抑えることができる酸化ケイ素用研磨剤とそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】ポリシリコン上の酸化ケイ素膜を研磨するための研磨剤であり、砥粒、ポリシリコン研磨抑制剤及び水を含む。前記研磨抑制剤として、（１）アクリルアミド、メタアクリルアミドおよびそのα―置換体からなる群のいずれかの、Ｎ−モノ置換体またはＮ，Ｎ−ジ置換体の骨格を有する水溶性高分子、（２）ポリエチレングリコール（３）アセチレン系ジオールのオキシエチレン付加体、（４）アセチレン結合を有する水溶性有機化合物、（５）アルコキシル化直鎖脂肪族アルコールのいずれか、または（６）ポリビニルピロリドンまたはビニルピロリドンを含む共重合体を用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面にＮｉＰめっき被膜を形成した磁気記録媒体用基板を研磨する際に、前段の研磨工程で突き刺さったアルミナ砥粒を後段の研磨工程で効率良く除去可能な磁気記録媒体用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウム合金基板の表面にＮｉＰめっき被膜を形成した磁気記録媒体用基板の表面を研磨する際に、第１の研磨盤を用いてアルミナ砥粒を含む研磨液を供給しながら研磨する粗研磨工程と、磁気記録媒体用基板を洗浄した後に、第２の研磨盤を用いてコロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を供給しながら研磨する仕上げ研磨工程と、を含み、粗研磨工程の最後に、アルミナ砥粒を含む研磨液の供給を停止し、代わりに砥粒を含まない洗浄液を供給して研磨盤からアルミナ砥粒を除去し、その後、第１の研磨盤を用いてコロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を供給しながら磁気記録媒体用基板の表面を研磨する中間研磨工程を設ける。 （もっと読む）

【課題】窒化ケイ素を高速度で研磨することが可能な研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、スルホン酸やカルボン酸のような有機酸を固定化したコロイダルシリカを含有し、ｐＨが６以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来と比較して粗大粒子を効果的に低減し、研磨後の被研磨面におけるスクラッチの発生を抑制することが可能なＣＭＰ研磨液の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るＣＭＰ研磨液の製造方法は、砥粒と水とを含有する混合液をフィルタ１で濾過してＣＭＰ研磨液を得る工程を備え、フィルタ１は、円筒状の濾材積層体５を有し、濾材積層体５は、外周側から内周側に向かって複数枚の不織布状の濾材５ａが配置されてなると共にプリーツ加工されており、濾材５ａを構成するフィルタ繊維の平均繊維径及びフィルタ繊維間の孔が外周側から内周側に向かって小さくなっており、濾材の枚数を数えて外周側の濾材と内周側の濾材との間の中央に位置する中間層について所定の工程により算出されるフィルタ繊維の５％トリム平均繊維長が５０〜５５μｍである。 （もっと読む）

【課題】表面の平滑性が高く、表面のうねりが少ない磁気記録媒体用ガラス基板を高い生産性で製造することができる磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】１次、２次及び３次ラップ加工には、それぞれダイヤモンドパッド２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃを用い、ダイヤモンドパッド２０Ａは、ダイヤモンド砥粒の平均粒径が４μｍ〜１２μｍ、ダイヤモンド砥粒の含有量が５〜７０体積％であり、ダイヤモンドパッド２０Ｂは、ダイヤモンド砥粒の平均粒径が１μｍ〜５μｍ、ダイヤモンド砥粒の含有量が５〜８０体積％であり、ダイヤモンドパッド２０Ｃは、ダイヤモンド砥粒の平均粒径が０．２μｍ以上２μｍ未満、ダイヤモンド砥粒の含有量が５〜８０体積％であり、１次ポリッシュ加工には、研磨剤として酸化セリウムを用いずに酸化ケイ素を用いる。 （もっと読む）

【課題】フッ素を実質的に含有せず、ハードディスク基板に用いられる加工性の悪いガラス基板に対しても、高い研磨速度で表面粗さを小さくし、かつ研磨傷の発生を抑制することが可能な酸化セリウム系研磨剤、及びガラス製ハードディスク基板の製造方法を提供する。
【解決手段】下記（１）〜（５）を満たすガラス製ハードディスク基板製造用酸化セリウム系研磨剤、及び該研磨剤も用いたガラス製ハードディスク基板の製造方法である。（１）総酸化希土類量（ＴＲＥＯ）が９５質量％以上であり、かつ当該ＴＲＥＯに対する酸化セリウム量が９９質量％以上である。（２）フッ素の含有量が０．０５質量％以下である。（３）粉末Ｘ線回折から算出される前記酸化セリウムの結晶子径が７００〜１０００Åである。（４）平均粒子径（Ｄ₅₀）が０．４〜０．８μｍである。（５）前記ガラス製ハードディスク基板のビッカース硬度が５７０Ｈｖ以上である。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの配線を形成するための研磨で好適に使用することができる研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、水溶性ポリマー、研磨促進剤および酸化剤を含有する。水溶性ポリマーは、１５０ｍｇＫＯＨ／１ｇ・ｓｏｌｉｄ以上のアミン価を有するポリアミドポリアミンポリマーである。 （もっと読む）

【課題】 非接触での磁気研磨を行う際に使用する磁気ペーストを構成する適切な溶媒をみつけること
【解決手段】 研磨バイト２には先端に永久磁石２０を設けて磁場発生源とし、研磨対象１に対して研磨バイト２が非接触に対面する配置とし、砥粒を混合してある磁気ペースト４を周辺に存在させ、駆動手段を起動することで研磨バイト２には所定の運動動作を行わせ、磁気ペースト４に生成した磁気クラスタにより流体研磨を行う。磁気ペースト４が、磁性粒子と、フェライト粒子と、研磨粒子と、樹脂粒子の４成分のうちの少なくとも１つの成分からなる砥粒と、溶媒を有し、溶媒は、研磨対象１との接触角が４０°未満（鏡面仕上げのためには２０°以下）とした。 （もっと読む）

【課題】改善された絶縁層除去速度及び、改善された貯蔵安定性を示す、ＩＬＤ及びＳＴＩプロセスにおいて絶縁層を研磨する組成物及び方法を提供する。
【解決手段】初期成分として、水；平均粒径５〜１５０nmを有する砥粒０．１〜４０重量％；特定式で示されるアダマンチル物質０．００１〜１重量％；式（Ｉ）で示される二価第四級物質０〜１重量％；及び第四級アンモニウム化合物０〜１重量％、を含むケミカルメカニカルポリッシング組成物。そのケミカルメカニカルポリッシング組成物を用いたケミカルメカニカルポリッシングの方法。


（式中、各Ｘは独立してＮ又はＰ、Ｒ^１はＣ_１−Ｃ_１５アルキル基等、Ｒ^２〜Ｒ^７はそれぞれ独立してＨ等、アニオンはカチオンの＋電荷と釣り合う任意の１つ以上のアニオン） （もっと読む）

【課題】シームの発生を低減しつつ有機残渣の発生を低減することが可能なＣＭＰ研磨液及び研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るＣＭＰ研磨液は、（Ａ）１，２，３−トリアゾロ［４，５−ｂ］ピリジン骨格を有する化合物を含む金属防食剤と、（Ｂ）ＣＭＰ研磨液中で正のゼータ電位を有する砥粒と、（Ｃ）酸化金属溶解剤と、（Ｄ）酸化剤と、を含有する。本発明に係る研磨方法は、表面に隆起部及び溝部を有する層間絶縁膜と、該層間絶縁膜の表面に追従して設けられたバリア層と、該バリア層を被覆するように設けられた導電性物質層と、を有する基板における導電性物質層を研磨して層間絶縁膜の隆起部上に位置するバリア層を露出させる第１の研磨工程と、第１の研磨工程により露出したバリア層を上記ＣＭＰ研磨液を用いて研磨して層間絶縁膜の隆起部を露出させる第２の研磨工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】耐久性のある定盤修正用砥石を提供する。
【解決手段】定盤修正用砥石材に使用するＪＩＳＫ６２５３に規定されるＤ硬度が６０〜９０度のポリウレタン樹脂を得るためのイソシアヌレート含有ポリウレタン形成性組成物であって、ＭＤＩ（ジフェニルメタンジイソシアネート）系有機イソシアネート（Ａ）、ポリオール（Ｂ）、三量化触媒（Ｃ）からなり、ポリオール（Ｂ）が、ポリテトラメチレンエーテルグリコール（Ｂ１）とポリブタジエンポリオール（Ｂ２）とを９７．０/３．０〜９９．８/０．２の重量比で配合するものであり、ＭＤＩ系有機イソシアネート（Ａ）とポリオール（Ｂ）との配合比おいてイソシアネート基を２．３〜３．６ｍｍｏｌ／ｇ過剰で配合する、定盤修正用砥石材用イソシアヌレート含有ポリウレタン形成性組成物。 （もっと読む）