【課題】研磨レートを向上させ、うねり低減やロールオフ低減の目的で添加される中間アルミナにより生じるアルミナ固着を低減することのできる研磨剤組成物および磁気ディスク基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】研磨材、中間アルミナ、酸、酸化剤、および水を含み、さらに、（ｉ）ホスホン酸基を二つ以上有する有機ホスホン酸キレート性化合物、（ｉｉ）分子中に繰り返し単位を有する分子量が５００〜１５００００の高分子陰イオン界面活性剤、（ｉｉｉ）所定の構造のポリオキシアルキレン基を有する有機リン酸エステル型陰イオン界面活性剤、から選ばれる少なくとも一種である、研磨対象へのアルミナ固着を低減するアルミナ固着低減剤を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸化マンガンを研摩粒子として用いた場合、酸化セリウムと同等な研摩特性となる良好な研摩速度と研摩面精度とを実現可能な研摩処理技術を提供する。
【解決手段】本発明は、基材を研摩するための研摩スラリーにおいて、研摩粒子は三酸化二マンガンを主成分とし、研摩粒子の含有量は、研摩スラリーに対して１０重量％未満であり、研摩スラリーのｐＨはｐＨ４以上であることを特徴とする。この研摩スラリーによれば、酸化セリウムと同等以上の研摩速度と研摩面精度を維持できる （もっと読む）

【課題】半導体基板の材料に関係なく使用でき、研磨パッドの劣化を抑制しつつ研磨速度を向上できる研磨剤組成物用の研磨助剤、研磨剤組成物、および半導体基板の研磨方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板の研磨に用いられ、過酸化物を含む研磨剤組成物用の研磨助剤であって、遷移金属を含む水溶性塩（Ａ）と、キレート剤（Ｂ）とを含有し、かつ、前記遷移金属を含む水溶性塩（Ａ）に対する前記キレート剤（Ｂ）のモル比が０．５以上であることを特徴とする研磨助剤。 （もっと読む）

【課題】適用範囲が広く研磨した表面における端面だれを低減できる研磨剤組成物を提供する。
【解決手段】研磨材（但し中間アルミナを除く）、酸、酸化剤を含有する研磨剤組成物であって、研磨材の累積粒度分布のＤ１０およびＤ５０を用いて算出したＤ１０／Ｄ５０の値が０．５５以上である研磨剤組成物。 （もっと読む）

【課題】再現可能で許容できる速度で、金属を有する基材を研磨することができる化学機械的研磨スラリーと、そのスラリーを使用して基材を研磨する方法を提供すること。
【解決手段】酸化剤、錯化剤、研磨材、及び随意の界面活性剤を含有する化学機械的研磨スラリー、並びに化学機械的研磨スラリーを使用して、銅合金、チタン、窒化チタン、タンタル、及び窒化タンタルを含む層を基材から除去する方法。このスラリーは、別個のフィルム形成剤を含有しない。 （もっと読む）

【課題】シリコンの研磨速度を向上させる。
【解決手段】研磨用組成物は、シリカ粒子と、ＮＨ_２（ＣＨ_２ＣＨ_２ＮＨ）_ｎＨ（ｎは２以上の整数）からなるポリエチレンアミンとを含む。シリカ粒子は、シリコンの研磨に用いられる粒子からなり、例えば、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、およびコロイダルシリカとヒュームドシリカとの混合物のいずれかからなる。ポリエチレンアミンは、ジエチレントリアミン（ＮＨ_２（ＣＨ_２ＣＨ_２ＮＨ）_２Ｈ）、トリエチレンテトラミン（ＮＨ_２（ＣＨ_２ＣＨ_２ＮＨ）_３Ｈ）、テトラエチレンペンタミン（ＮＨ_２（ＣＨ_２ＣＨ_２ＮＨ）_４Ｈ）およびペンタエチレンヘキサミン（ＮＨ_２（ＣＨ_２ＣＨ_２ＮＨ）_５Ｈ）のいずれかからなる。 （もっと読む）

【課題】ハードディスクガラス基板の加工において、特に加工レート及び仕上げ面粗さの向上に有効な加工特性に優れた研磨スラリー並びに当該研磨スラリーを調製するための研磨用潤滑液組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）の成分を含むハードディスクガラス基板研磨用潤滑液組成物。
（Ａ）炭素数６〜２５で水酸基を２個以上有する脂肪族モノカルボン酸
（Ｂ）多価アルコール類
（Ｃ）アルカノールアミン
（Ｄ）水 （もっと読む）

【課題】酸化ケイ素膜に対する充分に高い研磨速度を達成できるとともに、従来の研磨液と比較して基板表面の状態に依存しない汎用性の高いＣＭＰ用研磨液及びこれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るＣＭＰ用研磨液は、砥粒と、第１の添加剤と、水とを含有するＣＭＰ用研磨液であって、第１の添加剤が１，２-ベンゾイソチアゾール−３(２Ｈ)−オン又は２−アミノチアゾールの少なくとも一方である。本発明に係る研磨方法は、表面に酸化ケイ素膜を有する基板の研磨方法であって、上記ＣＭＰ用研磨液を酸化ケイ素膜と研磨パッドとの間に供給しながら、研磨パッドによって酸化ケイ素膜の研磨を行う工程を備える。 （もっと読む）

【課題】研削液を周方向及び径方向に対し円滑に流通させることにより、砥石部の目詰りや砥粒の研削熱による磨耗や脱粒を抑制して、ワークの良好な加工精度を実現することが可能な平面ホーニング加工用超砥粒ホイールを提供する。
【解決手段】取付孔４を備えた円盤状の基盤２上に、その内周縁２ａから外周縁２ｂに至る筋条の砥石部３が固着されて成る平面ホーニング加工用超砥粒ホイール１において、上記砥石部３を、複数の短冊状の砥石片５同士を、上記基盤２の回転方向に対し鈍角から成る略等しい連接角度θで一列に連接することにより、上記回転方向に凸を成して曲がる弓形形状に形成した。 （もっと読む）

【課題】基板を製造する方法及び基板を提供する。
【解決手段】研磨部材及び研磨粒子を含む流体を用いて基板を研磨する工程並びに前記基板を研磨する前に前記研磨部材を用いて被研磨板を研磨する工程を含む、基板を製造する方法において、前記被研磨板を研磨する工程は、前記研磨部材及び前記研磨粒子を含む流体を用いて前記被研磨板を研磨するときの前記研磨粒子を含む流体に含まれる前記研磨粒子のＤ９０の値の単位時間当たりの増加率が、前記研磨粒子を含む流体に含まれる前記研磨粒子のＤ９０の値の単位時間当たりの増加率が一定の値であるときの前記一定の値の１．１倍以下となるような時間まで、前記被研磨板を研磨することを含む。基板は、上記の基板を製造する方法によって製造され得るものである。 （もっと読む）

【課題】 酸化ケイ素膜に対する十分に高い研磨速度を達成できるＣＭＰ用研磨液及び研磨方法を提供すること。
【解決手段】 砥粒と、下記一般式（１）で表される３−カルボニル−２Ｈ−ピラン−２，４（３Ｈ）−ジオン系化合物を含む添加剤と、水と、を含有するＣＭＰ用研磨液を用い、酸化ケイ素膜を研磨する。より好ましくは、３−カルボニル−２Ｈ−ピラン−２，４（３Ｈ）−ジオン系化合物は、６−メチル−３−アセチル−２Ｈ−ピラン−２，４（３Ｈ）−ジオンである。
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【課題】ＥＵＶＬ用反射型マスクなどに使用されるガラス基板のように極めて高い表面平滑性と表面精度が要求されるガラス基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】平均一次粒子径が５０ｎｍ以下のコロイダルシリカ、酸および水を含み、ｐＨが０．５〜４の範囲になるように調整してなる研磨スラリーを用いて、ＳｉＯ_２を主成分とするガラス基板の表面を、原子間力顕微鏡で測定した表面粗さＲｍｓが０．１５ｎｍ以下になるように研磨する。 （もっと読む）

【課題】 下記１）〜３）を満足するガラスエッチング組成物、ガラスポリッシング加工用組成物及びガラスポリッシング加工方法の提供。
１）研削性の向上： 研削性を高め表面粗さを低くし、電磁変換特性を向上させる。
２）スクラッチの低減： ハードディスク表面上のスクラッチ（傷）を減らし、収率を向上させる。
３）研削クズ除去性の向上： ハードディスク表面上の研削クズ付着量を減らし、収率を向上させる。
【解決手段】 アルカリ化合物と（１）分子中に３個以上のアルコール性水酸基を有するアルコール、（２）分子中に２個以上のアルコール性水酸基を有するアミン化合物及び（３）リン系キレート剤からなる群より選ばれた少なくとも１種の化合物とを含有する水溶液であることを特徴とするガラスエッチング組成物、これを利用するガラスポリッシング加工用組成物及びガラスポリッシング加工方法。 （もっと読む）

【課題】研磨後の基板表面のうねりの低減を実現できるアルミノシリケートガラス基板用研磨液組成物等を提供する。
【解決手段】本発明のアルミノシリケートガラス基板用研磨液組成物は、シリカ粒子と、スルホン酸基を含有する重合体と、水とを含有し、前記スルホン酸基を含有する重合体のアルミノシリケートガラスに対する吸着定数が１．５〜５．０Ｌ／ｇである。前記スルホン酸基を含有する重合体は、芳香族環を有する重合体であると好ましい。前記スルホン酸基を含有する重合体の重量平均分子量は、３０００〜１０００００であると好ましい。 （もっと読む）

【課題】保管、搬送時における粗大な固形物の発生が抑えられ、十分な研磨速度が維持され、スクラッチが発生しない化学機械研磨用水系分散体を提供する。
【解決手段】研磨粒子、両親媒性化合物及び水を含有する水系分散体とする。この両親媒性化合物は、水系分散体と大気との界面に、水の散逸が抑えられる境界膜を形成し、保管時、或いは搬送時における研磨粒子等からなる固形物の発生が防止される。両親媒性化合物としては、脂肪族アルコール類、脂肪酸、ソルビタン脂肪酸エステル、グリセリン脂肪酸エステル、プロピレングリコール脂肪酸エステル及びポリエチレングリコールと脂肪酸とのエステル等を使用することができる。この両親媒性化合物としては、親水親油バランスを表すＨＬＢ値が０より大きく６以下である化合物が特に好ましい。 （もっと読む）

【課題】金属を選択的且つ比較的ゆっくりと除去して、ディッシングを少なくすることができるＣＭＰプロセス及び生成物を提供する。
【解決手段】粒子表面にシリカコーティングを有し、粒子の少なくとも９０％の一次粒子幅が５０ｎｍ以下で、１０％未満の一次粒子幅が１００ｎｍ超で、かつＢＥＴ表面積が少なくとも５０ｍ²／ｇであり、さらにα−アルミナ含有率が９０重量％のアルミナ粒子を使用したＣＭＰ生成物を用いて基板をＣＭＰする。 （もっと読む）

【課題】 ＣＭＰ用研磨パッド表面の中心線平均表面粗さおよび研磨時の加工圧力を適正化し、半導体基板表面の研磨後の総欠陥数を減らしかつ欠陥に占めるスクラッチの割合を低減して、高い歩留まりを得ることが可能な半導体基板の研磨方法を提供すること。
【解決手段】 表面の中心線平均粗さＲａが１〜３μｍであるＣＭＰ用研磨パッドに、８〜１０ｋＰａの圧力で半導体基板を押し当て加圧し、半導体基板上に形成された薄膜を化学機械的に研磨する。 （もっと読む）

【課題】均一な厚みを有する反りのないウエハを切り出すことが可能な固定砥粒方式のソーワイヤを提供すること。
【解決手段】ソーワイヤは、始端および終端を有するワイヤと、ワイヤの表面に固着された砥粒とを備え、ワイヤは始端から所定の長さにわたって規定される第１部分と、第１部分に続くように第１部分の端から所定の長さにわたって規定される第２部分と、第２部分に続くように第２部分の端から終端までの間に規定される第３部分とからなり、第１および第３部分の表面に固着した砥粒は粒径が第２部分の表面に固着した砥粒の粒径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】研磨時間が短く、表面傷および潜傷の発生を抑制できるガラス製光学素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】レンズ基体の表面を、水に酸化セリウム砥粒を混ぜた第１研磨液を用いて研磨する第１研磨工程と、第１研磨工程で研磨されたレンズ基体の被加工面を、非水系分散媒である第２研磨液を用いて研磨する第２研磨工程と、を施すことにより、第２研磨工程で、第１研磨工程で形成された水和層を除去することができる。したがって、研磨時間の短縮と表面傷および潜傷を防止できる。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、ＳＴＩ膜を平坦化するＣＭＰ技術において、酸化珪素膜等の研磨速度の向上と、研磨傷の低減を容易に行なうことができる研磨方法を提供する。
【解決手段】 研磨の工程を研磨初期の第１研磨工程、主に平坦化を行う第２研磨工程に分け、第１研磨工程では、所定より大きい粒径の酸化セリウム粒子を含有する研磨剤を用い、第２研磨工程では、所定より小さい粒径の酸化セリウム粒子を含有する研磨剤を用いる。さらに好ましくは、研磨剤は、Ｎ−置換ポリオキシエチレン化合物を含む。 （もっと読む）