【課題】耐久性のある定盤修正用砥石を提供する。
【解決手段】定盤修正用砥石材に使用するＪＩＳＫ６２５３に規定されるＤ硬度が６０〜９０度のポリウレタン樹脂を得るためのイソシアヌレート含有ポリウレタン形成性組成物であって、ＭＤＩ（ジフェニルメタンジイソシアネート）系有機イソシアネート（Ａ）、ポリオール（Ｂ）、三量化触媒（Ｃ）からなり、ポリオール（Ｂ）が、ポリテトラメチレンエーテルグリコール（Ｂ１）とポリブタジエンポリオール（Ｂ２）とを９７．０/３．０〜９９．８/０．２の重量比で配合するものであり、ＭＤＩ系有機イソシアネート（Ａ）とポリオール（Ｂ）との配合比おいてイソシアネート基を２．３〜３．６ｍｍｏｌ／ｇ過剰で配合する、定盤修正用砥石材用イソシアヌレート含有ポリウレタン形成性組成物。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板を研削するときにガラス基板の切屑に起因する研削レートの低下を抑制するようにした研削パッド、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】研削パッド１０が上定盤５０及び下定盤６０に貼付される。被研削物としてのガラス基板Ｇが上定盤５０及び下定盤６０で狭持され、ガラス基板Ｇと上定盤５０及び下定盤６０とを相対的に移動させることでガラス基板Ｇが研削パッド１０により研削加工される。研削パッド１０は、円環形状の平板の樹脂成形部と、実質的に中心から前記円環形状の外縁に向かって延びる樹脂成形部の溝部に配置されている砥石と、を備える。 （もっと読む）

【課題】対象物の表面における研磨材の残留を低減できる研磨剤組成物を提供する。
【解決手段】複数種の研磨剤組成物を順次供給されている対象物の表面を同一の研磨パッドで擦る研磨方法において、複数種の研磨剤組成物のうちの一種の研磨剤組成物として用いられて、複数種の研磨剤組成物のうちの研磨材を含む研磨剤組成物の後に対象物の表面に供給され、コロイダルシリカと酸と水とを含み、コロイダルシリカはＨｅｙｗｏｏｄ径で測定された体積基準の粒度分布における粒子径５０ｎｍの累積体積頻度が３５％以上かつ前記粒度分布における粒子径１５ｎｍの累積体積頻度が９０％以下である研磨剤組成物。 （もっと読む）

【課題】基板表面に砥粒の残留がなく凹み欠陥も存在しないハードディスク基板を製造するためのリンス剤、及び該リンス剤を使用したハードディスク基板の製造方法を得ること。
【解決手段】本発明のリンス剤は、砥粒としてコロイダルシリカを含有するリンス液であり、コロイダルシリカ砥粒の濃度をＣ、コロイダルシリカ砥粒の平均粒径をＲとしたときに（Ｃ、Ｒはそれぞれ重量％、nmで表される）、コロイダルシリカ砥粒の濃度Ｃと平均粒径Ｒの関係が下記の式（１）を満足する構成を有している。
Ｒ≧２．２Ｃ＋１８．２・・・・・（１） （もっと読む）

【解決手段】コラーゲン由来の物質及びコロイド溶液を含むことを特徴とする合成石英ガラス基板用研磨剤。
【効果】本発明によれば、フォトマスク、ナノインプリント、磁気ディスクなどに重要な光リソグラフィー法に使用される合成石英ガラス基板等の合成石英ガラスの製造において、基板表面の高感度欠陥検査装置で検出される欠陥の生成が抑制され、製造の歩留まり向上だけではなく、半導体工業の更なる高精細化につながる。 （もっと読む）

【課題】酸化セリウム砥粒を用いる研磨工程に由来する（１）最終研磨での研磨量が多く、材料ロスが大きくなること、（２）洗浄コストが高いこと、（３）砥粒が高価であること、等の問題を解消するとともに、ロールオフが小さく、高研磨レートで研磨できる方法、並びに研磨液を提供する。
【解決手段】磁気ディスク用ガラス基板を製造する際に、最終研磨工程よりも前の研磨工程で使用される研磨液であって、ＢＥＴ粒径が６０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であるコロイダルシリカ砥粒と、ノニオン界面活性剤と、水とを含有し、好ましくは更に１０ミリモル/リットル以上１２０ミリモル/リットル以下の無機電解質を含有し、表面張力が２５ｍＮ／ｍ以上５０ｍＮ／ｍ以下である研磨液を用いて研磨する。 （もっと読む）

【課題】ラッピング面のために所望の表面テクスチャを有する研削工具を構築するための装置および関連の方法を提供する。
【解決手段】研削工具は、外表面およびその外表面と交差するキャビティを規定するプラテンを有する。接着剤がキャビティに配置される。研磨材をその近端においてプラテンに対してキャビティにおいて接着剤によって接着することにより、研磨材はその遠端において外表面を越えて延在しラッピング面を規定する。 （もっと読む）

【課題】非水系分散媒中において、親水性研磨材粒子が凝集するのを低減することができる研磨加工用スラリー組成物を提供する。
【解決手段】非水系分散媒として炭化水素系溶剤、親水性研磨材粒子としてダイヤモンド粒子を含有する組成物に、さらに、エステル基、水酸基、および、カルボニル基を有し、ＧＰＣによるポリスチレン換算重量平均分子量が１０００以上である化合物Ａ、または、化合物Ａとアミンとの反応生成物Ｂ、を添加してなる研磨加工用スラリー組成物であって、ダイヤモンド粒子を水系で分散させたときのメジアン径をｄ^１として、研磨加工用スラリー組成物におけるダイヤモンド粒子のメジアン径をｄ^２としたときに、ｄ^２／ｄ^１が１．０〜２．０となる研磨加工用スラリー組成物とする。 （もっと読む）

【課題】カルコゲナイド相変化合金を含む基板のケミカルメカニカルポリッシング方法を提供する。
【解決手段】カルコゲナイド相変化合金を含む基板に対して、水、砥粒０．１〜３０重量％、ハロゲン化合物０．０５〜５重量％、フタル酸０．０５〜５重量％、および無水フタル酸０．０５〜５重量％とそれらの塩、誘導体及び混合物から選択される少なくとも１種の研磨剤とを含み、２以上７未満のｐＨを有するケミカルメカニカルポリッシング組成物と、ポリッシングパッドを用いて基板を研磨し、基板からカルコゲナイド相変化合金を選択的又は非選択的に除去する。 （もっと読む）

【課題】コロイダルシリカを含む研磨液を光学部品の研磨に用いる場合に、研磨液に含まれるコロイダルシリカを明確に分析できるように工夫した光学部品用研磨液を提供する。
【解決手段】光学部品５０を研磨するときに用いる研磨液５１である。研磨液５１は、シリカ系の砥粒であるコロイダルシリカ５２を含み、コロイダルシリカ５２の表面には、蛍光色素５３が結合されている。蛍光色素５３の表面は、外殻５４で覆われている。コロイダルシリカ５２の平均粒径は、１〜１００ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】バリア層のバリア金属とキャップ層の二酸化珪素に対する良好な研磨速度を維持しつつ、層間絶縁膜層であるｌｏｗ−ｋ膜に対する高い研磨速度を達成できるＣＭＰ用研磨液及び研磨方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）ベタイン構造を有する化合物と、（Ｂ）正電荷を有する砥粒と、（Ｃ）酸化金属溶解剤と、（Ｄ）酸化剤と、を含有するＣＭＰ用研磨液を用いる。また、研磨は、表面に隆起部及び溝部を有する層間絶縁膜と、該層間絶縁膜の表面に追従して設けられたバリア層２と、該バリア層２を被覆するように設けられた導電性物質層と、を有する基板における導電性物質層を研磨して層間絶縁膜の隆起部上に位置するバリア層２を露出させる第１の研磨工程と、第１の研磨工程により露出したバリア層２を上記ＣＭＰ研磨液を用いて研磨して層間絶縁膜の隆起部を露出させる第２の研磨工程と、を備える方法で行う。 （もっと読む）

【課題】高研磨速度と高清浄性の両立を実現でき、循環研磨において長時間高い研磨速度を維持できるガラスハードディスク基板用研磨液組成物の提供。
【解決手段】アミン化合物と、酸と、シリカ粒子と、水とを含有するガラスハードディスク基板用研磨液組成物であって、前記アミン化合物は、アミノアルコール並びにピペラジン及びその誘導体からなる群から選択され、分子内に窒素原子を２個又は３個有し、そのうち少なくとも１個は１級アミンもしくは２級アミンであるガラスハードディスク基板用研磨液組成物。 （もっと読む）

【課題】ガラス等の研磨性を確保しつつ、酸化セリウム量を低減できる研磨材を提供する。
【解決手段】本発明の研磨材は、酸化セリウムよりも比重が小さい無機材からなる基粒子により形成されたコア部と該基粒子よりも粒径が小さく酸化セリウムを含んでなる微粒子が該基粒子の外表面にバインダーにより結合されて形成されたシェル部とを有する複合砥粒を含有することを特徴とする。この複合砥粒は、研磨性に影響するシェル部に酸化セリウムを有し、研磨性に直接影響しないコア部は比重の小さい無機粒子からなる。このため、酸化セリウムによる研磨性の確保と酸化セリウムの低減が両立されることに加えて、複合砥粒のスラリー中における分散安定性も高まり、さらなる研磨性の向上も図られる。 （もっと読む）

【課題】カルコゲナイド相変化合金基板のケミカルメカニカルポリッシングのためのケミカルメカニカルポリッシング組成物を提供する。
【解決手段】ケミカルメカニカルポリッシング組成物は、水と、コロイダルシリカ砥粒０．１〜３０重量％と、ハロゲン化合物０．０５〜５重量％、フタル酸０．０５〜５重量％、無水フタル酸０．０５〜５重量％、ならびにそれらの塩、誘導体及び混合物から選択される少なくとも１種の研磨剤と、を含み、２〜７未満のpHを有する。 （もっと読む）

【課題】精密部品の表面に残存している研磨用のシリカ微粒子を検出すること。
【解決手段】研磨液は、チタン、バナジウム、亜鉛、ガリウム、ゲルマニウム、ルビジウム、ストロンチウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、インジウム、錫、アンチモン、テルル、セシウム、バリウム、ハフニウム、タンタル、タングステン、レニウム、イリジウム、白金、金、鉛、ビスマス、並びに希土類元素のグループのうち、前記精密部品に含まれる元素を除く元素を不純物として何れか一つ以上を組成の中に含有するシリカ微粒子を有する。不純物をマーカーとしてサンプル検査工程１０で検出することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】高速研磨と濃縮液の保存安定性を向上する研磨液組成物を提供する。
【解決手段】式１〜３で表される構成単位ａ１〜ａ３を有し、構成単位ａ３の合計が０．００１〜１．５モル％である高分子化合物、研磨材及び水を含有する。
（もっと読む）

【課題】バリア層のバリア金属とキャップ層の二酸化珪素に対する良好な研磨速度を維持しつつ、層間絶縁膜層であるｌｏｗ−ｋ膜に対する高い研磨速度を達成できるＣＭＰ用研磨液及び研磨方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）アルキルベンゼンスルホン酸構造を有する化合物と、（Ｂ）正電荷を有する砥粒と、（Ｃ）酸化金属溶解剤と、（Ｄ）酸化剤と、を含有するＣＭＰ用研磨液を用いる。研磨は、表面に隆起部及び溝部を有する層間絶縁膜と、この層間絶縁膜の表面に追従して設けられたバリア層２と、このバリア層２を被覆するように設けられた導電性物質層と、を有する基板における導電性物質層を研磨して層間絶縁膜の隆起部上に位置するバリア層２を露出させる第１の研磨工程と、第１の研磨工程により露出したバリア層２を上記ＣＭＰ研磨液を用いて研磨して層間絶縁膜の隆起部を露出させる第２の研磨工程と、を備える方法で行う。 （もっと読む）

【課題】ガラス等の研磨性を確保しつつ、酸化セリウム量を低減できる研磨材を提供する。
【解決手段】本発明の研磨材は、酸化セリウムよりも比重が小さい無機材からなる基粒子により形成されたコア部と合成された酸化セリウムを含み基粒子の外表面に形成されたシェル部とを有する複合砥粒を含有することを特徴とする。この複合砥粒は、研磨性に影響するシェル部に酸化セリウムを有し、研磨性に直接影響しないコア部は比重の小さい無機粒子からなる。このため、酸化セリウムによる研磨性の確保と酸化セリウムの低減が両立されることに加えて、複合砥粒のスラリー中における分散安定性も高まり、さらなる研磨性の向上も図られる。 （もっと読む）

【課題】銅配線を有する半導体基材をケミカルメカニカル研磨するのに有用な水性スラリーを提供する。
【解決手段】スラリーは、酸化剤０〜２５重量％、砥粒０．１〜５０重量％、銅配線の静的エッチングを減らすためのインヒビター０．００１〜１０重量％、式


（式中、ｎは、少なくとも５の値を有する）を有し、水溶性であるポリ（メチルビニルエーテル）０．００１〜５重量％、アミノ酪酸０．００５〜１重量％、リン含有化合物０．０１〜５重量％、銅錯化剤０〜１０重量％及び残余としての水を含む。 （もっと読む）

【課題】研削抵抗をより低減させることができ、且つ、仕上げ面の精度をより向上させることができる砥石を提供することを課題とする。
【解決手段】砥石１４は、母材１１の面１２に、砥粒１０が接着されている。砥粒１０は、所定の角度βの逃げ角を有する逃げ面１６が形成されている。砥粒１０の全てに逃げ面１６が形成されている。
【効果】全ての砥粒に所定の角度の逃げ角を有する逃げ面が形成されているので、研削抵抗をより低減させることができ、仕上げ面の精度をより向上させることができる。 （もっと読む）