【課題】単結晶を、コスト効率よく、簡単な形式で操作することができる結晶引上げプロセスを用いて、高い歩止まりで製造し、該単結晶を、欠陥の少ない半導体ウェハを形成するために適当な表面処理により処理することができ、該半導体ウェハが、不純物濃度の変動により制限されない特に高い最終フラットネスを有している方法を提供する。
【解決手段】半導体材料から成る単結晶（３）を引き上げ、該単結晶（３）から半導体ウェハ（９）を切断し、該半導体ウェハ（９）を研磨し、この場合、使用される研磨パッドが、研磨作用を有する固定的に結合された固体材料を含有しており、研磨作用を有する固体材料を含有しない、９．５〜１２．５のｐＨ値を有する研磨剤を、研磨されるべき半導体ウェハの表面と、研磨パッドとの間に形成される作業ギャップに供給するようにした。 （もっと読む）

【課題】研摩処理が困難な炭化珪素を、高い面精度で研摩処理することができる研摩材を提供する。
【解決手段】走査電子顕微鏡により観察された粒子の縦軸と横軸との比が３．０以下である非針状形態を有する二酸化マンガン粒子からなることを特徴とする研摩材である。その観察された粒子の縦軸の平均粒径Ｄ_ＳＥＭが１．０μｍ以下が好ましく、また、レーザ回折・散乱法粒子径分布測定の体積基準の積算分率における５０％径Ｄ_５０が２．０μｍ以下が好ましい。 （もっと読む）

【課題】被加工物を被加工物保持手段に搬送する搬送機構を複雑にすることなく電解研磨を実施することができる研磨装置を提供する。
【解決手段】チャックテーブル８１に保持された被加工物を研磨する研磨手段が回転スピンドル３２２、ホイールマウント４および研磨ホイール５とからなる研磨装置であって、研磨ホイールはホイールマウントの下面に上面が装着されるホイール基台５１と、ホイール基台の下面に装着され複数の電解液流出穴を備えた研磨パッド５２とを具備し、ホイール基台には研磨パッドに設けられた複数の電解液流出穴５２２と連通する複数の連通穴５４１を備えたプラス電極板５３およびマイナス電極板５４が配設されているとともに、複数の連通穴と連通する電解液導入通路５１２が設けられており、ホイールマウントにはホイール基台に設けられた電解液導入通路と回転スピンドルに設けられた電解液供給通路とを連通する連通路が設けられている。 （もっと読む）

【課題】生産性を損なうことなく、研磨後基板の長波長うねりを低減できるハードディスク基板用研磨液組成物及び、該研磨液組成物を用いたハードディスク基板の製造方法の提供。
【解決手段】α化率が８０〜１００％のαアルミナ、α化率が４０〜７０％のαアルミナ、中間アルミナ、酸、酸化剤、及び水を混合して得られるハードディスク基板用研磨液組成物。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ表面のヘイズを向上させ、かつ、特にシリコンウェーハの鏡面加工工程の生産性を悪化させないシリコンウェーハ研磨用の研磨剤と、それを用いたシリコンウェーハの研磨方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、アルカリ性シリカと、水溶性高分子と、環状有機化合物とを含むシリコンウェーハ研磨用研磨剤であって、前記環状有機化合物は、水溶性、分子量が８０以上５００未満、環構造を形成している原子として少なくとも酸素原子を２ケ以上含み、かつ前記アルカリ性シリカの固形分に対して０．１重量％以上５００重量％以下添加されたものであることを特徴とするシリコンウェーハ研磨用研磨剤。 （もっと読む）

【課題】従来よりも短時間でホイール内外面を均一に研磨でき、ディスク部の窓孔も良好に研磨できる車両用ホイールの振動研磨方法及びその装置を提供する。
【解決手段】振動研磨方法は、研磨媒体を収容した有底円筒状の研磨媒体収容槽を首振り揺動させて振動させることにより研磨媒体収容槽内の研磨媒体を渦状に流動させると共に中心部と外周部との間で上下に流動する対流を発生させ、車両用ホイールの裏側から支持シャフトを接続して車両用ホイールをディスク部の裏面を上向きにした横向き姿勢にして、上記対流による研磨媒体の上方への流れと下方への流れの間にリム部が配置されるように車両用ホイールを研磨媒体収容槽内の研磨媒体内に埋没させて研磨媒体をホイール外側及びホイール内側で流動させると共にディスク部の窓孔を通過するように流動させ、支持シャフトを介して車両用ホイールを振動させることにより、車両用ホイールを振動研磨する。 （もっと読む）

【課題】銅膜を高速かつ高平滑に研磨することができ、高性能配線板やＴＳＶ等の厚い金属膜の研磨が必要とされる用途においても短時間の研磨処理が可能であり十分な生産性を確保できる銅用研磨剤、及びその研磨剤を用いる化学的機械的研磨方法を提供することを目的とする。
【解決手段】無機酸、アミノ酸、保護膜形成剤、砥粒、酸化剤、有機酸及び水を含み、無機酸が少なくとも硫酸及びリン酸の両方を含む銅用研磨剤であって、研磨剤のｐＨがアミノ酸及び有機酸のｐＫａより大きく、かつ４．０以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】硬質なウエハを効率的に研磨できる研磨用組成物（研磨スラリー）を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、ダイヤモンドからなる主粒子と、サイアロン粒子かなる副粒子とからなる砥粒を、分散液に混合分散させた研磨スラリーからなることを特徴とする。ダイヤモンド粒子とサイアロン粒子とからなる砥粒を含む研磨スラリーを用いることにより、高価なダイヤモンド粒子の使用量を抑制しつつ、非常に優れた研磨レートで、硬質な被研磨材をも研磨することが可能となった。 （もっと読む）

【課題】硬質な被加工材であっても、効率的に加工できる加工用砥粒を提供する。
【解決手段】本発明の加工用砥粒は、ダイヤモンドからなる主粒子と、サイアロン粒子かなる副粒子とを少なくとも混合した混合砥粒からなることを特徴とする。これにより、高価なダイヤモンド粒子の使用量を抑制しつつも、従来よりも遙かに優れた加工性が得られる。 （もっと読む）

【課題】酸化セリウムの粒子径を大粒径化することなく研磨レートの向上、ひいては生産性の向上を実現する、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】研磨スラリーを研磨布と円形ガラス板の間に供給し、研磨布により円形ガラス板の主表面を研磨する研磨工程と、該研磨スラリーが当該研磨工程で使用された研磨スラリーを含むようにするスラリー循環工程とを有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、該研磨スラリーが、メディアン径が０．３〜３μｍである酸化セリウム粒子とアセチレン系界面活性剤とを含有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路装置（半導体デバイス）の製造に際してシャロートレンチ分離や層間絶縁膜、埋め込み配線の平坦化などに用いる化学的機械的研磨（ＣＭＰ）用の研磨剤や研磨剤セットにおいて、研磨性能に優れかつ保存安定性のよい研磨剤および研磨剤セットを提供する。また、半導体デバイスの製造に際して研磨性能のよい研磨方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイスの製造において被研磨面を研磨するためのＣＭＰ用研磨剤であって、酸化物微粒子とプルランと水と環内に窒素原子および硫黄原子を有する複素環構造を備える防腐剤とを含有する研磨剤。また、本発明の研磨剤を研磨パッドに供給し、半導体デバイスの被研磨面と前記研磨パッドとを接触させて、両者間の相対運動により研磨する半導体デバイスの研磨方法。 （もっと読む）

【課題】研磨傷を低減させることが可能な酸化セリウム粒子を含有する研磨液を提供する。
【解決手段】酸化セリウム粒子及び水を含む研磨液において、研磨液１ｍｌ中の粒子径０．７５μｍ以上の粒子数が３×１０^６個以下である、研磨液。酸化セリウム粒子が、（Ｉ）炭酸セリウムと有機酸とを加熱混合し加熱混合粉体を得る工程、（ＩＩ）該加熱混合粉体を焼成して酸化セリウム粉体を得る工程、（ＩＩＩ）該酸化セリウム粉体を粉砕して、酸化セリウム粒子を得る工程、を有する製造方法により作製された酸化セリウム粒子である前記の研磨液。 （もっと読む）

【課題】優れた研磨速度（研磨レート）を示し、被研磨基材表面での線状痕発生も大幅に抑止可能な研磨用粒子が分散した分散液を提供する。
【解決手段】 動的光散乱法による測定される平均粒子径（Ｄ１）が３〜３００ｎｍ、比表面積（Ｓａ）が１０〜８００ｍ^２／ｇの範囲にある無機酸化物微粒子が分散媒に分散してなる無機酸化物微粒子分散液であって、該無機酸化物微粒子が次の条件を満たすことを特徴とする無機酸化物微粒子分散液。１）顕微鏡により求められる短径／長径比が０．３〜０．８の範囲にある無機酸化物微粒子の個数が、全無機酸化物微粒子個数の２０〜４５％の範囲。２）電子顕微鏡により求められる短径／長径比が０．５以下の範囲にある無機酸化物微粒子の個数が、全無機酸化物微粒子個数の１０％以下。 （もっと読む）

【課題】シャロー・トレンチ分離工程において、酸化ケイ素等から形成される絶縁膜と、窒化ケイ素等から形成されるストッパ膜との段差を極めて小さくすることができる化学的機械的研磨用スラリー、並びに基板の研磨及び製造方法を提供する。
【解決手段】２００〜１，０００，０００の重量平均分子量を有する水溶性包接化合物（ａ）を、０．５質量％を超えて１０質量％以下の範囲で、研磨砥粒（ｂ）、水（ｃ）とともに含有させて化学的機械的研磨用スラリーとする。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、研磨を研磨傷なく、効率的、高速、均一にかつ研磨プロセス管理も容易に、行うことができる研磨剤及び研磨方法を提供する。
【解決手段】酸化セリウム粒子、分散剤、水溶性高分子及び水を含有し、前記水溶性高分子が、カチオン性アゾ化合物及びその塩の少なくとも一方を重合開始剤として用い、不飽和二重結合を有するカルボン酸及びその塩の少なくとも一方を含む単量体が重合してなる重合体であるＣＭＰ研磨剤に関する。 （もっと読む）

【課題】短時間で平坦性高くラップ加工できるラップ定盤及びラップ加工方法を提供することを目的とする。
【解決手段】一面がラップ加工面１ｂとされた円板状のラップ定盤であって、ラップ加工面１ｂには、その周方向に沿う螺旋状または同心円状の溝４が設けられ、溝４に、開口側に向けて溝４の幅を広くするように傾斜して対向配置された一対の内壁面４ｃ、４ｄが少なくとも設けられており、溝４の深さｄが０．１〜１ｍｍであり、隣接する溝４同士のピッチが１〜５ｍｍであるラップ定盤１を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

（Ａ）液体媒体（Ｃ）に分散した少なくとも１種の無機粒子、（Ｂ）液体媒体（Ｃ）に分散した少なくとも１種のポリマー粒子、（Ｃ）液体媒体を含む化学的機械研磨（ＣＭＰ）組成物であって、液体媒体（Ｃ）に分散した少なくとも１種の無機粒子（Ａ）のゼータ電位と液体媒体（Ｃ）に分散した少なくとも１種のポリマー粒子（Ｂ）のゼータ電位とが同じ符号であることを特徴とするＣＭＰ組成物。 （もっと読む）

【課題】 仕上げ研磨後のシリコンウェハの表面特性をさらに向上させることができる研磨組成物を提供する。
【解決手段】 本発明の研磨組成物は、下記一般式（１）で示される２つの窒素を有するアルキレンジアミン構造を含み、該アルキレンジアミン構造の２つの窒素に、少なくとも１つのブロック型ポリエーテルが結合されたジアミン化合物であって、該ブロック型ポリエーテルが、オキシエチレン基とオキシプロピレン基とが結合してなるジアミン化合物と、ポリアルキレングリコール構造を有する化合物と、水溶性高分子化合物と、を含むことを特徴とする研磨組成物である。
【化８】


（式中、ＲはＣ_ｎＨ_２ｎで示されるアルキレン基を示し、ｎは１以上の整数である。） （もっと読む）

【課題】きわめて高度な平滑度および平坦度が求められる高精度の研磨仕上げを行うことはいうまでもなく、大型の工作物にあっても中心部と周辺部で研磨特性の差がなく研磨が行える隙間調整型研磨具を提供する。
【解決手段】工作物との間に研磨材を含有するスラリーを供給しながら前記工作物とを相対的に移動させて工作物を研磨する研磨パッド及びラップ定盤のような隙間調整型研磨具であって、基材に直径０.０５〜０.５ｍｍ程度の硬質粒子が配合されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハを製造するための新規のプロセスシーケンスを提供する。
【解決手段】
（ａ）２０．０〜６０．０μｍの平均粒度を有する研磨材を含む研削ディスクによって半導体ウェハのエッジを丸味づけ、（ｂ）ウェハの同時両面材料除去プロセシングを行い、ウェハは２つの加工ディスクの間において処理され、（ｃ）ウェハの同時両面材料除去プロセシングを行い、ウェハは２つの加工ディスクの間において処理され、（ｄ）１．０〜２０．０μｍの平均粒度を有する研磨材を含む研削ディスクによってエッジの丸味づけを行い、（ｅ）ウェハの面ごとに、エッチング媒体を用いてウェハの両面を処理し、（ｆ）０．１〜１．０μｍの粒度を有する研磨材を含むポリシングパッドを使用してウェハの少なくとも一方の面をポリシングし、（ｇ）ウェハのエッジのポリシングを行い、（ｈ）少なくとも前面の化学機械的ポリシングを行う。 （もっと読む）