【課題】要求される品質に応じて分割力を高めることができるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】半値幅と裾幅とが互いに等しいパルス波形を有するレーザ光Ｌを加工対象物に照射することで、切断予定ラインに沿って改質スポットを加工対象物内に複数形成し、複数の改質スポットによって改質領域を形成する。ここで、レーザ光源１０１は、レーザ光源制御部１０２によって駆動電源５１を制御し、レーザ光ＬのＰＥ値に応じてパルス波形を第１〜第３パルス波形の間で切り替える。低ＰＥ値の場合、その前半側にピーク値が位置し且つ鋸刃状となるよう構成された第１パルス波形をパルス波形として設定すると共に、高ＰＥ値の場合、その後半側にピーク値が位置し且つ鋸刃状となるよう構成された第２パルス波形をパルス波形として設定する。 （もっと読む）

【課題】分割予定ラインの内部に改質層を形成すること。
【解決手段】複屈折性結晶材料から構成されたワーク１の光学軸の方向を検出し、検出された光学軸の方向と分割予定ライン１１の延伸方向とに基づいて、常光線、異常光線、及び常光線と異常光線との複合光線のうちのいずれか１つを分割予定ライン１１に照射するレーザー光線として選択し、選択されたレーザー光線を分割予定ライン１１に照射して走査する。これにより、分割予定ライン１１の内部に改質層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板等の脆性材料基板にレーザ光を照射してスクライブ溝を形成する際に、高い端面強度を維持して深いスクライブ溝を形成する。
【解決手段】このレーザ加工方法は、脆性材料基板表面のスクライブ予定ラインに沿ってレーザ光を照射し、スクライブ溝を形成するレーザ加工方法であって、予備加工工程と、スクライブ工程と、を備えている。予備加工工程は、レーザ光を脆性材料基板のスクライブ予定ラインに沿って照射し、スクライブ予定ラインに対してアブレーションを起こさずに溶融のみを生じさせる。スクライブ工程は、パルスレーザ光をスクライブ予定ラインに沿って照射し、スクライブ溝を形成する。 （もっと読む）

【課題】反射膜が形成されたサファイアウェーハを適切に分割加工できる分割方法を提供すること。
【解決手段】サファイアウェーハ１の裏面側から分割予定ライン１１に沿って反射膜３０が吸収する波長のパルスレーザを集光して照射し、反射膜３０の厚みよりも深い溝３３を分割予定ライン１１上に形成し、その後、溝３３によってサファイア面が露出した分割予定ライン１１に沿ってサファイアを透過する波長のパルスレーザＬ２をサファイアウェーハ１の内部に集光して照射し、内部に改質層３４を形成し、改質層３４に外力を加えることによってサファイアウェーハ１を分割予定ライン１１に沿って分割する。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板を分断する際に、分断面に傷が生じるのを抑え、かつ容易に分断できるようにする。
【解決手段】このレーザ加工方法は、レーザ光を照射して脆性材料基板を分断する加工方法であって、スクライブライン形成工程と、分断工程と、を備えている。スクライブライン形成工程はスクライブ予定ラインに沿って脆性材料基板の第１主面にスクライブラインを形成する。分断工程は、スクライブラインに対して、第１主面とは逆側の第２主面からパルスレーザ光を照射し、脆性材料基板をスクライブラインに沿って分断する。 （もっと読む）

【課題】反射膜が形成されたサファイアウェーハを適切に分割加工できる分割方法を提供すること。
【解決手段】サファイアウェーハ１の裏面側から分割予定ラインに沿ってサファイアを透過する波長のパルスレーザをサファイアウェーハ１の内部に集光して照射し、内部に改質層３０を形成した後、サファイアウェーハ１の裏面側に反射膜３１を形成し、その後、改質層３０に外力を加えることによってサファイアウェーハ１を分割予定ラインに沿って分割する。 （もっと読む）

【課題】高浸透効果を抑えながらガラス表面に対する食いつきのよいスクライビングホイールの製造方法を提供する。
【解決手段】 回転軸を共有する二つの円錐台の底部が交わって円周稜線が形成された外周縁部と、前記円周稜線に沿って円周方向に交互に形成された複数の切り欠きおよび突起とからなり、前記突起は、前記円周稜線が切り欠かれて残った、円周方向に長さを有する前記円周稜線の部分で構成される脆性材料用スクライビングホイールの製造方法であって、レーザ光の照射によって前記円錐台の軸線方向からみた形状がＶ字状となる切り欠きを外周縁部に切り欠いて形成する工程を具備し、前記Ｖ字の中心角度を変えることによって前記切り欠きの円周方向における長さを設定する。 （もっと読む）

【課題】高速性と切断容易性を有すると共に、微粒子飛散を抑制した基板分割方法を提供する。
【解決手段】パルス周期Ｔのレーザ光を照射しつつ走査速度Ｖで走査して、分割基点ラインを形成する走査工程と、分割基点ラインに沿ってライン状の外力を基板に直交して基板の裏面から加えて、基板表面の改質領域を開口させて分割する加圧工程と、を有して構成される。レーザ光のパルス幅τは１０〜３０ｐＳｅｃ、パルス周波数Ｆは１００ＫＨｚ〜５０ＭＨｚであって、パルス周波数Ｆと走査速度Ｖとで特定される走査ピッチＶ／Ｆは、レーザ光のビームスポット径Φに対して、Ｖ／Ｆ≦０．７Φに設定される。 （もっと読む）

【課題】レーザを用いた既存の切断装置で、互いに交差する２方向に脆性材料基板を割断できる方法を提供すること。
【解決手段】脆性材料基板５０に対してレーザビームＬＢを相対移動させながら照射して、基板５０を溶融温度未満に加熱した後、基板５０に対して冷却媒体を吹き付けて冷却し、基板に生じた熱応力によって、垂直クラック５３ａからなる第１スクライブライン５２ａを形成する第１工程と、第１スクライブライン５２ａの、第２スクライブ予定ラインと５１ｂの交差部分を基板５０の溶融温度未満に予備加熱する第２工程と、第１スクライブライン５２ａと交差する第２スクライブライン５２ｂを形成する第３工程と、第１スクライブライン５２ａ及び第２スクライブライン５２ｂに沿って基板５０を割断する第４工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光デバイスの品質を低下させることなく個々の光デバイスに分割することができる加工方法およびレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】光デバイスウエーハ１０の基板１００にアブレーション加工を施すレーザー光線ＬＢをストリートに沿って照射し、基板の表面または裏面に破断起点となるレーザー加工溝１４０を形成するレーザー加工溝形成工程と、光デバイスウエーハに外力を付与し、光デバイスウエーハを破断起点となるレーザー加工溝に沿って破断し、個々の光デバイスに分割するウエーハ分割工程とを含み、レーザー加工溝形成工程を実施する際には、基板にレーザー光線を照射すること（５２）によって生成される変質物質をエッチングするためのエッチングガス雰囲気を生成（７）し、プラズマ化されたエッチングガスが基板にレーザー光線を照射することによって生成される変質物質をエッチング除去する。 （もっと読む）

【課題】 チッピングやクラッキングの発生を防止して、基板を薄型化し且つ基板を分割することのできる切断起点領域形成の制御装置を提供する。
【解決手段】 照射するレーザ光の集光点Ｐが基板１の内部の所定の位置となるように、レーザ光源１０１の集光点Ｐと基板１の載置台１０７との基板厚さ方向の相対位置を設定する手段と、設定された基板厚さ方向の位置を保って、レーザ光源１０１と載置台１０７とを格子状の切断予定ライン５に沿って相対移動させる手段と、集光点Ｐでのピークパワー密度が１×１０^８Ｗ／ｃｍ^２以上となるようにしてレーザ光を基板１に照射して、基板の厚さ方向における中心位置から、基板１のレーザ光照射面側に偏倚した基板内部位置に、改質領域を形成し、改質領域を切断起点領域とする割れを、基板１のレーザ光照射面には到達するが、基板の反対側の面には到達しないように発生させる手段とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 チッピングやクラッキングの発生を防止して、基板を薄型化し且つ基板を分割することのできる切断起点領域の形成方法を提供する。
【解決手段】 基板３の内部に集光点を合わせて、集光点でのピークパワー密度が１×１０^８Ｗ／ｃｍ^２以上となるようにしてレーザ光を照射し、基板３の内部に切断予定ラインに沿った改質領域１３を形成し、この改質領域１３を切断起点領域として、基板３を分割するための当該切断起点領域の形成方法であって、切断予定ラインは格子状に設定されており、切断起点領域を、基板３の厚さ方向における中心位置から基板のレーザ光照射面側に偏倚して形成し、切断起点領域を起点として格子状の切断予定ラインに沿って発生する割れを基板３のレーザ光照射面には到達するが、基板３の反対側面には到達しないようにしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高精度なレーザースクライブが実現可能なレーザースクライブ割段方法
【解決手段】平面矩形状の基板２の互いに直交する第一方向Ｆと第二方向Ｓとにそれぞれ沿ってレーザーを複数列照射して格子状にスクライブ２１，２２を形成して基板２を割段するレーザースクライブ割段方法であって、前記基板２を複数列にレーザーを照射してスクライブ２１，２２を形成する前に、第一列２１１を形成する位置の近傍側縁に補強保持部材３を密着配置するスクライブ前処理工程と、前記補強保持部材３から近い順番に前記第一方向Ｆと平行な第一列２１１〜第ｎ列にレーザーを照射してスクライブ２１を形成する第一スクライブ工程と、この第一スクライブ工程でスクライブ２１が形成された第一列２１１から第ｎ列にかけて前記第二方向Ｓと平行な第一列２２１〜第ｍ列にレーザーを照射してスクライブ２２を形成する第二スクライブ工程と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】脆性材料基板を分断する際に、条件設定幅の自由度が大きく、プロセスウィンドウが広くなり、しかも端面品質が優れたレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】
（ａ）基板の第一面上で、第一回目のレーザ照射を行う第一ビームスポットを分断予定ラインに沿って相対移動させて前記基板を局所加熱するとともに、第一ビームスポットが通過した直後の部位に冷媒を相対移動させつつ噴射して局所冷却し、前記基板にスクライブラインを形成するレーザスクライブ工程と、（ｂ）第二回目のレーザ照射を行う第二ビームスポットを、スクライブラインに沿って前記基板の第一基板とは反対面となる第二面側から相対移動させて前記基板を加熱するとともに、第二ビームスポットが通過した直後の部位に冷媒を相対移動させつつ噴射して冷却し、前記基板を完全に分断するレーザブレイク工程とからなる。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板等の脆性材料基板を分断する際に、飛散物なしに、かつ比較的厚みが厚い基板においても走査数を少なくして容易に分断できるようにする。
【解決手段】このレーザ加工方法は、パルスレーザ光線を照射して脆性材料基板を分断するレーザ加工方法であって、第１及び第２工程を含んでいる。第１工程は、所定の繰り返し周波数のパルスレーザ光を、集光点が脆性材料基板の内部に位置するように照射し、脆性材料基板の内部に改質層を形成する。第２工程はパルスレーザ光を分断予定ラインに沿って走査する。そして、以上の工程によって、脆性材料基板の厚みｔに対して、厚みｔの１５％以上５５％以下の長さで改質層から基板の表面に向かって亀裂を進展させる。 （もっと読む）

【課題】 板厚が０．１ｍｍ以下の薄い基板上に、製品となる単位要素が形成されている場合に、単位要素に影響が及ばないように分断する方法を提供する。
【解決手段】 薄い脆性材料基板の片側面の端縁で分断予定ラインの基端部にトリガを形成し、このトリガを設けた面の反対側の面から、トリガに相対する位置を起点としてレーザビームを分断予定ラインに沿って走査させ、これに追従して冷媒を加熱部分に噴射させることにより基板を分断予定ラインから分断する。 （もっと読む）

【課題】分断予定ラインに沿って精度よく基板を分断することのできる基板の分断方法を提供する。
【解決手段】 基板Ｗの分断予定ラインＬに沿って移動させながらレーザ照射することによって基板Ｗに局所的な圧縮応力を生じさせる加熱工程と、加熱された領域を冷却することによって引張応力を生じさせて亀裂１０を分断予定ラインＬに沿って進展させる冷却工程と、引張応力が残留して亀裂１０の開口部が開いている間に、この亀裂の開口部が生じている領域に対して外力を印加して亀裂を厚さ方向浸透させるブレイク工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】品質を低下させることなくマイクロマシンデバイスを製造することができるマイクロマシンデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】マイクロマシンデバイスの製造方法であって、複数のマイクロマシンデバイスが形成される前の基板に対して格子状に設定されたストリートに対応する領域に基板の破断起点となる加工を施す破断起点形成工程と、破断起点形成工程が実施された基板の表面における該ストリートに対応する領域によって区画された複数の領域にマイクロマシンデバイスを形成するデバイス形成工程と、デバイス形成工程が実施された基板に外力を付与して基板を破断起点が形成されたストリートに対応する領域に沿って破断し、個々のマイクロマシンデバイスに分割する基板破断工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】偏光板フィルム付きのガラス基板を、強度を低下させることなく容易に分断する。
【解決手段】この分断方法は、ガラス基板を分断予定ラインに沿って分断するための方法であって、準備工程と、偏光板フィルム除去工程と、分断工程と、を含んでいる。準備工程は、レーザ光を反射可能なレーザ反射膜が少なくとも分断予定ラインに沿って形成されるとともに、レーザ反射膜を挟んで表面に偏光板フィルムが形成されたガラス基板を準備する。偏光板フィルム除去工程は、偏光板フィルムが形成された側から、分断予定ラインに沿ってレーザ光を照射し、分断予定ライン上の偏光板フィルムを除去する。分断工程は、偏光板フィルムが除去された分断予定ラインに沿ってメカニカルツールによりガラス基板を分断する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハを適正位置で複数の半導体チップに分断するために好適な技術を提供する。
【解決手段】一方主面およびその反対側の他方主面を有し、多光子吸収により形成され該一方主面に平行な所定方向に延びる改質領域３が内部に存するとともに、該改質領域３から該一方主面に達する亀裂が該所定方向と平行に形成された半導体ウェハ１１を、該改質領域３を利用して分断する。 （もっと読む）