【課題】基板の劈開方向とレーザ光の集光点の移動方向を一致させないことで、内部改質層を形成する際の基板の割れを防止し、製品率を向上させる基板内部加工装置および基板内部加工方法を提供する。
【解決手段】回転ステージ１１０と、回転ステージ上に配置され，基板１０を載置する基板固定手段１３０と、回転ステージの回転数を制御する回転ステージ制御手段３００とを有する基板回転手段２と、レーザ光源２２０と、レーザ集光手段１６と、レーザ集光手段と回転ステージ間の距離を調整する第１の集光手段移動装置２５とを有する照射装置４と、回転ステージの回転軸１４０と、回転ステージの外周との間で、回転ステージとレーザ集光手段を相対的に移動させる第２の集光手段移動装置１５０とを備え、基板は、回転ステージ上に、回転軸に対して対称に、間隔を置いて配置される基板内部加工装置１および基板内部加工方法。 （もっと読む）

【課題】板状物の種類にかかわらず、ＣＯ_２レーザ光の照射により正確にウェーハを分割できるようにする。
【解決手段】板状物Ｗに対して透過性を有する波長のレーザ光３０ａを内部に集光して切断の起点となる変質層１０を形成するか、または、板状物Ｗに対して吸収性を有する波長のレーザ光を表面に集光して起点となるアブレーション溝を形成する誘導起点形成工程と、誘導起点形成工程によって形成された起点に沿ってＣＯ_２レーザ光を照射して加熱するとともに加熱された領域に冷却媒体を吹き付けて板状物Ｗを分割する分割工程とを遂行することにより、結晶方位等の影響を受けずに正確に分割を行い、デバイスＤを損傷させたりその品質を低下させたりするのを防止する。 （もっと読む）

【課題】被加工物の切断予定ライン周囲に生じる歪みや微少な欠陥を生じさせることなくレーザ照射によるスクライブラインを形成させることによって、透明基板を精密かつ効率的に割断できる透明基板の改質領域形成方法を提供する。
【解決手段】レーザ発振器１１から照射されるレーザ光１５を透明基板１０に照射して透明基板内に改質領域を形成する方法であって、前記レーザ光の焦点ｆを前記透明基板の裏面に設定するとともにレーザ光を裏面に集光させたままスキャンして裏側面状改質領域２２を形成させる裏側改質領域形成工程と、前記レーザ光の焦点を前記透明基板の表面に設定するとともにレーザ光を表面に集光させたままスキャンして前記裏側面状改質領域に対向する割断予定ライン１４上に表側面状改質領域２３を形成させる表側改質領域形成工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】優れた割断特性を有するともに、ダイシング速度を変えても安定したダイシンング加工を実現するレーザダイシング装置を提供する。
【解決手段】ステージと、基準クロック発振回路と、パルスレーザビームを出射するレーザ発振器と、パルスレーザビームをクロック信号に同期させるレーザ発振器制御部と、パルスレーザビームの被加工基板への照射と非照射を切り替えるパルスピッカーと、クロック信号に同期して、光パルス単位でパルスレーザビームの通過と遮断を制御するパルスピッカー制御部と、被加工基板とパルスレーザビームとの標準の相対速度に対するダイシング加工データを記述した加工テーブルを記憶する加工テーブル部と、相対速度の新たな設定値を入力する速度入力部と、新たな加工テーブルを演算し加工テーブル部へ記憶させる演算部とを備え、新たな加工テーブルに基づき、パルスピッカー制御部がパルスレーザビームの通過と遮断を制御するレーザダイシング装置。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板等の板状ガラスを、切断予定線に沿って局部加熱と冷却とを行うことによりフルボディ切断するに際して、板状ガラスの支持態様を適正にして、板状ガラスの変形や切断に要する応力の不足に的確に対処する。
【解決手段】支持部材２（８）によって裏面側から支持された板状ガラスＧの切断予定線５上に初期亀裂６ａを形成した後、切断予定線５に沿って局部加熱とその加熱領域に対する冷却とを行うことに起因して発生する応力により、初期亀裂６ａを表面から裏面に亘って貫通させつつ進展させて、板状ガラスＧをフルボディ切断するに際して、板状ガラスＧを、裏面側から、低熱伝導性を有する弾性シートＥを介して支持部材２（８）により支持させる。 （もっと読む）

【課題】III−Ｖ族化合物半導体層を有するウェハを高精度かつ効率よく切断することができる発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１の表面３上にIII−Ｖ族化合物半導体からなるｎ型半導体層１７ａ及びｐ型半導体層１７ｂが積層されたウェハを切断予定ラインに沿って切断する。ここで、切断予定ラインに沿って半導体層１７ａ，１７ｂに基板１まで達しない溝２５を形成し、溝２５に臨む基板１の内部に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを照射することにより多光子吸収による改質領域７を基板１にのみ形成し、基板１に力を印加することのみにより、改質領域７から発生した割れを基板１の厚さ方向に成長させ、切断予定ラインに沿って、基板１と共に、切断予定ライン上に存在する半導体層１７ａ，１７ｂを切断する。 （もっと読む）

レーザ罫書きされた湾曲したガラスリボン（３３）からガラスシート（１３）を分離するための方法および装置が開示される。特定の実施形態においては、レーザ罫書きされた罫書きライン（７）の位置でガラスシート（１３）とリボン（３３）との間の分離が始まる前に、ガラスリボン（３３）を平坦なノージング（５４０）と確実に接触させることにより、エッジ不良の発生を減少させる。他の実施形態において、ノージング（５４０）は、円形の横断面を有し、かつ随意的に回転可能である。さらなる実施形態において、ノージングはシート係合アセンブリ（５３０）と一体化され、さらにノージングがガラスシート（１３）の新たに形成された上部エッジ（６９０）から離れるように移動することにより、続く処理ステーションへの移動のためにシート（１３）の上部を係合可能なものとする。
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【課題】サファイア層内から光線が効率よく出射されて高い輝度性能を発揮する発光デバイスを得ることができる板状材料からのチップ状部品の生産方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板層２Ａと発光層３Ａとを有し、サファイア基板層２Ａに分割予定ライン９によって多数の略正方形状の発光デバイス領域４Ａが区画された発光デバイス素材１に対し、分割予定ライン９に沿ってレーザ光線を蛇行走査させて照射することによりレーザ加工を施し、この後、レーザ加工の加工軌跡に外力を与えて発光デバイス素材１を多数の発光デバイス４に分割する。発光デバイス４はサファイア層２の側面２ｆが断面波形状であるため、サファイア層２内の光線の反射角度が保存されにくく、サファイア層２内から光線が効率よく出射される。 （もっと読む）

【課題】加工痕における光吸収が低減され、しかもサファイアからの光の取り出し効率が高められるとともに高速処理が可能な、被加工物に分割起点を形成する加工方法およびこれを実現するレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】超短パルスのパルスレーザー光の個々の単位パルス光ごとの被照射領域が被加工物において離散的に形成されるようにパルスレーザー光を被加工物に照射し、個々の単位パルス光が被照射位置に照射される際の衝撃もしくは応力によって、被照射領域同士の間で被加工物の劈開もしくは裂開を順次に生じさせることにより、被加工物に分割のための起点を形成する。 （もっと読む）

【課題】接合ガラスの切断時におけるクラッシュやチッピングの発生を抑制して、接合ガラスを所定サイズ毎に切断することができる接合ガラスの切断方法、パッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計を提供する。
【解決手段】ウエハ接合体６０の吸収波長のレーザー光を輪郭線に沿って照射して、リッド基板用ウエハ５０にスクライブラインＭ’を形成するスクライブ工程と、スクライブラインＭ’に沿って割断応力を加えてウエハ接合体６０を切断することで、ウエハ接合体６０を複数の圧電振動子に個片化するブレーキング工程とを有し、切断工程は、ウエハ接合体６０をシリコンラバー７１上に載置し、リッド基板用ウエハ５０の外側端面５０ｂをシリコンラバー７１に向けた状態で行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 脆性材料にベント亀裂を形成する方法において、冷却段階において、一貫性をもたらす。
【解決手段】 脆性材料の表面を所定の経路に沿ってレーザで加熱する。脆性材料の加熱された表面を、ノズル２４により分配された冷却液２２のコヒーレント流２８で冷却する。このコヒーレント流２８は、５０ｍｍ以上のコヒーレント長および約７０マイクロメートルから約２００マイクロメートルまでの範囲の直径を有する。ノズル２４の開口３０と脆性材料の表面との間の作業距離はコヒーレント流２８のコヒーレント長より短い。冷却液２２のコヒーレント流２８は、円対称の開口を有する末広ノズルまたは真っ直ぐな壁の円筒の孔を有するノズルにより形成されてもよい。 （もっと読む）

【課題】レーザ加工におけるタクトタイムを短縮化し、且つ改質領域を精度よく形成することができるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】切断予定ライン５に沿って互いに離れた集光位置Ｐ１〜Ｐ２にレーザ光Ｌ１〜Ｌ３を同時集光させる集光工程を繰り返しながら、レーザ光Ｌ１〜Ｌ３を切断予定ライン５に沿って相対移動させる。これにより、複数の改質スポットＳを切断予定ライン５に沿って形成し、これらの複数の改質スポットＳによって改質領域７を形成する。ここで、繰り返される集光工程における集光位置Ｐ１〜Ｐ３は、互いに重畳せず、また、後段の集光工程における集光位置Ｐ２１〜Ｐ２３のうち少なくとも１つは、前段の集光工程における集光位置Ｐ１１〜Ｐ１３間に位置されている。 （もっと読む）

【課題】材料内部の深さ方向に分布した位置に改質領域を形成するための集光を行う。
【解決手段】
レーザ加工装置１は、材料２００に改質領域を形成するための第１レーザ光Ｌ１を照射する第１照射手段２４と、第２レーザ光Ｌ２を照射する第２照射手段１１と、材料内部に第１レーザ光の集光点である第１集光点Ｆ１を、材料の所定の位置に第２レーザ光の集光点である第２集光点Ｆ２を夫々形成する集光手段１５と、反射される第２レーザ光に基づいて、第２集光点の位置を決定するフォーカス制御手段１７、２０、２３と、材料を移動させる移動手段２８とを備え、集光手段は、フォーカス制御手段により決定される位置に第２集光点を形成し、第２集光点の位置に基づいて決定される位置に第１集光点を形成し、移動手段による材料の移動に応じて少なくとも第１集光点を第１レーザ光の光軸方向に移動させる。 （もっと読む）

【課題】 レーザスクライブで溝を形成する際に溝の内面に付着した堆積物を、効果的に除去することができるスクライブ方法を提供する。
【解決手段】 基板のスクライブラインを、スクライブラインの延在する方向に長いビームスポットを持つ第１のレーザビームで走査することにより、スクライブラインに沿った溝を形成する。この走査時に、ビームスポットの中心近傍の第１の領域が通過するときに溝を形成する。溝が形成された後、第１の領域よりも外側の、パワー密度の低い第２の領域が通過するときに、溝の底部に付着している堆積物を除去する。 （もっと読む）

【課題】 脆性材料に適した切り欠き加工方法を提供する。
【解決手段】 脆性材料１０１の所定面１０２の一部の領域２２２に光ビーム２０１を照射して、スポット２０２を形成する加熱工程と、加熱工程の後、脆性材料１０１の領域２２２を含む部分を冷却することにより、領域２２２を含む脆性材料１０１の一部１１０を脆性材料１０１から剥離して、脆性材料１０１に切り欠き１０９を形成する冷却工程とを有しており、所定面１０２のＸ方向における領域２２２の長さＬｓが、Ｘ方向における所定面１０２の全長Ｌよりも短く、所定面１０２のＹ方向におけるスポット２０２の長さＷｓが、所定面１０２のＹ方向における全長Ｗに等しい。 （もっと読む）

【課題】生産コストを低減し、高精度に基板を分割し得る基板分割装置、及び電子部品の製造方法を提供を提供する。
【解決手段】発明に係る基板分割装置は、第１〜第３の押圧部３１〜３３を備え、張設されたフィルム２に貼着された基板１を、この基板１に形成された分割溝１２に従って、電子部品の個片に分割する。第１の押圧部３１は、分割溝１２に従って基板１を押圧する。また、第２及び第３の押圧部３２，３３は、それぞれ、分割溝１２を挟んだ両側の等距離ｄの位置Ｓ２，Ｓ３において、第１の押圧部３１の押圧方向の反対方向に、分割溝１２に沿って基板１を同時に同一圧力Ｐ２，Ｐ３で押圧する。これにより、分割溝１２を支点として基板１を折り曲げ、分割溝１２を中心とする両側に、バランスの取れた均一な圧力が加わることになる。 （もっと読む）

【課題】加工形状の精度が向上し、加工形状の自由度が向上するレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】被加工物である基板Ｗに凹部を形成する際に、基板Ｗの内部に第１のレーザ光である改質用レーザ光Ｌ１の集光点Ｌ_Ｓ１を走査して、レーザ加工領域Ｒ１の境界となる改質層Ｗｒを凹部の底部に対応する位置に形成する（改質層形成工程）。次いで、基板Ｗの表面Ｗａに第２のレーザ光である加工用レーザ光を集光照射して改質層Ｗｒにより区切られたレーザ加工領域Ｒ１を除去加工することで凹部を形成する（除去加工工程）。 （もっと読む）

【課題】加工痕における光吸収が低減されるレーザー加工を行えるレーザー加工方法を提供する。
【解決手段】光源からのパルスレーザー光の照射状態を変調させることによって被加工物の表面における照射範囲を変調させることにより、第１の方向に連続する部分を有するが、第１の方向に垂直な断面の状態が第１の方向において変化する被加工領域を形成する。具体的には、パルスレーザー光の単位パルスごとのビームスポットが第１の方向に沿って離散する照射条件でパルスレーザー光を走査するか、パルスレーザー光の照射エネルギーを変調させつつパルスレーザー光を第１の方向に走査するか、それぞれに第１の方向に対し所定の角度を有する第２の方向と第３の方向へのパルスレーザー光の走査を交互に繰り返すことによって、被加工物におけるパルスレーザー光の走査軌跡を第１の方向に沿った分割予定線と繰り返し交互に交差させるかのいずれかで実現される。 （もっと読む）

【課題】脆性材料の割断において、予め別工程による初期亀裂の形成が不要であり、加工工程が低減された熱応力割断装置、及び熱応力割断方法を提供する。
【解決手段】本発明の熱応力割断装置１０は、局所熱源１１と、応力発生部材１３ａ、１３ｂと、支持部１５ａ、１５ｂとを有して構成される。局所熱源１１は、第１の主面及び第１の主面に対向して形成された第２の主面を有して構成される被加工物１２の第１の主面側の割断予定線１７に沿って所望の領域を局所的に加熱するためのものである。応力発生部材１３ａ、１３ｂは、被加工物１２の亀裂が初生される予定の位置を含む縁に接触面を有して配置されるものである。支持部１５ａ、１５ｂは、被加工物１２と応力発生部材１３ａ、１３ｂとの接触面に垂直な方向から被加工物及び応力発生部材とを挟み、被加工物１２と応力発生部材１３ａ、１３ｂとを接触面Ｓに垂直な方向に押し付けながら支持するものである。 （もっと読む）

【課題】太陽電池基板として用いられる板厚５ｍｍ程度のガラスにＣＯ２レーザ光照射によって深さ２００μｍ程度の表面スクライブを発生させ、後続の機械ブレークによって割断を実現させる方法及び装置。
【解決手段】ＣＯ２レーザ光を回折格子光学素子によって断面形状をラインビームに変換し、ガラス表面に走査を伴って照射させ、走査レーザビームの背後を同速度にて追従走査する冷却ユニットを伴うガラスの表面スクライバー装置において、ガラス端部のスクライブ開始点から１０−２０ｍｍまでの領域の走査速度を低下させることによって同領域におけるスクライブ深さを３−４ｍｍの深さまで増大させ、同領域における後工程の機械ブレークを容易化し、いったん開始した同ブレークをスクライブ深さが２００μｍとより浅い他領域にわたって進展させ、板厚５ｍｍの厚板ガラスをレーザ出力７０Ｗを用いて速度５０ｍｍ／Ｓで割断することを特徴とするもの。 （もっと読む）