【課題】ガラスフィルムの連続割断を高精度に実行可能とする。
【解決手段】成形装置１０から引き出されて成形された帯状のガラスフィルムＧに初期クラックを形成する初期クラック形成工程と、レーザー照射による局部加熱及び局部加熱後の冷却により発生する熱応力を利用して初期クラックＣを進展させることにより、ガラスフィルムＧを長手方向に沿って割断する割断工程とを含む。初期クラック形成工程では、ガラスフィルムＧの長手方向端部Ｇａに、複数の初期クラックＣを幅方向に集合して配置させてなる初期クラック群Ｃｇを形成する。初期クラック群Ｃｇは、複数の突起３２を有する突起群３３をガラスフィルムＧの長手方向端部Ｇａに押し付けることによって形成する。 （もっと読む）

【課題】穴開け加工が施された後に焼結が行われたセラミック基板に対して、穴の中心間を高精度に繋ぐように切断して分割することができる分割方法を提供する。
【解決手段】穴開け加工されたセラミック基板１の表面に保護膜１０を形成してから、撮像手段３０で表面側を撮像して各穴３の座標位置を検出して穴位置情報として記憶し、さらに穴位置情報に基づいて穴３の中心座標３Ａを求めて記憶する。そして、隣り合う穴３の中心座標３Ａを直線で結ぶ一次関数を算出し、該一次関数に基づいて隣り合う穴３の中心座標３Ａを次々と繋ぐようにレーザビームＬＢを照射してアブレーション加工を施し、セラミック基板１をチップ７に分割する。 （もっと読む）

【課題】反射膜が形成されたサファイアウェーハを適切に分割加工できる分割方法を提供すること。
【解決手段】サファイアウェーハ１の裏面側から分割予定ライン１１に沿って切削ブレードによって、反射膜３０の厚みよりも深い溝３３を形成し、その後、溝３３によってサファイア面が露出した分割予定ライン１１に沿ってサファイアを透過する波長のパルスレーザーＬをサファイアウェーハ１の内部に集光して照射し、内部に改質層３４を形成し、改質層３４に外力を加えることによってサファイアウェーハ１を分割予定ライン１１に沿って分割する。 （もっと読む）

【課題】 分割端面の平滑性に優れ歩留まりの優れた窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、基板上に窒化物半導体が形成された半導体ウエハーを窒化物半導体素子に分割する窒化物半導体素子の製造方法であって、前記窒化物半導体の一部を除去して、前記半導体ウエハーの厚みが部分的に薄い分離部を形成する工程と、前記分離部内にレーザーを照射して、前記基板の内部にブレイク・ラインを形成する工程と、前記ブレイク・ラインに沿って前記半導体ウエハーを分離する工程と、を有する窒化物半導体素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】脆性材料基板にレーザビームを照射して、互いに交差する２方向に沿って脆性材料基板を割断する方法において、レーザ出力や送り速度を途中で変化させることなく、交点における欠けやソゲの発生を防止する。
【解決手段】脆性材料基板５０の、第１スクライブ予定ライン５１ａと第２スクライブ予定ライン５１ｂとが交わって形成される４つ角部のそれぞれに反射部材７ａを設ける。そして、第１スクライブ予定ライン５１ａ及び第２スクライブ予定ライン５１ｂに沿ってレーザビームＬＢを相対移動させながら照射して、基板５０を溶融温度未満に加熱した後、基板５０に対して冷却媒体を吹き付けて冷却し、基板５０に生じた熱応力によって、第１スクライブライン５２ａ及び第２スクライブライン５２ｂを形成する。次いで、第１スクライブライン５２ａ及び第２スクライブライン５２ｂに沿って基板５０を割断する。 （もっと読む）

【課題】加工送り速度を向上させること。
【解決手段】レーザービームＬＢを照射して第一の溝を形成する分割起点領域Ｒ１と、レーザービームＬＢを照射しない又は第一の溝よりも浅い第二の溝を形成する非分割起点領域Ｒ２とを分割予定ライン上に交互に設定し、移動手段によって保持手段を一定の速度で加工送りして集光器４１の下に非分割起点領域Ｒ２が位置付けられた際に、走査部４０によってレーザービームＬＢの照射位置を分割起点領域Ｒ１に位置付けてアブレーション加工を施す。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板等の脆性材料基板を、飛散物なしに、かつ比較的厚みが厚い基板においても容易に分断できるようにするとともに、取扱いが容易であり、しかもこの基板に形成された素子の特性を損なわないようにする。
【解決手段】このレーザ加工方法は、パルスレーザ光線を照射して脆性材料基板を分断する加工方法であって、第１工程及び第２工程を含んでいる。第１工程では、所定の繰り返し周波数のパルスレーザ光を、集光点が脆性材料基板の内部に位置するように照射して脆性材料基板の内部に改質層１２を形成するとともに、パルスレーザ光を分断予定ラインに沿って走査し、改質層１２から脆性材料基板の第１主面に向かって第１主面に到達しない長さの亀裂を進展させる。第２工程では亀裂を残して脆性材料基板の第２主面側を研磨し、改質層１２を除去する。 （もっと読む）

【課題】割断面同士の干渉を避けつつも、安定したガラスフィルムの割断作業を連続的に行うことのできるガラスフィルムの割断方法を提供する。
【解決手段】このガラスフィルムＧの割断方法は、ガラスフィルムＧを所定の方向に送りながら、送り方向ａに伸びる割断予定線８に沿って局部加熱しかつ局部加熱領域Ｈを冷却することで発生する熱応力により、割断予定線８に沿ってガラスフィルムＧを連続的に割断して、ガラスフィルムＧを幅方向に分割すると共に、分割後に隣り合う各分割ガラスフィルム１０をその表裏方向に離反するように方向変換させるに際し、ガラスフィルムＧの分割後でかつ各分割ガラスフィルム１０の方向変換前に、各分割ガラスフィルム１０の相互間に所定の幅方向隙間を形成する。 （もっと読む）

【課題】割断不良を生じることなく、熱応力によりガラスフィルムを効率よく割断する。
【解決手段】ガラスフィルムの割断装置１は、ガラスフィルムＧの割断予定線７に沿う局部加熱及びその加熱領域の冷却により生じる熱応力で、割断予定線７の先端部に形成した初期亀裂１０を割断予定線７に沿って進展させる。この際、ガラスフィルムＧよりも柔軟な樹脂シートＲを割断領域に配置し、この樹脂シートＲの下面に対して浮上手段３から気体を吹き付けて浮上させる。そして、浮上させた樹脂シートＲでガラスフィルムＧの割断予定線７を含む割断予定部を下方から覆いながら持ち上げ支持し、この状態でガラスフィルムＧを割断する。 （もっと読む）

【課題】加工痕の形成が抑制されるとともに、被加工物の分割がより確実に実現される分割起点の形成が可能となる、レーザー加工装置を提供する。
【解決手段】パルスレーザー光を発する光源と、被加工物が載置される載置部と、を備えるレーザー加工装置が、載置部に載置された被加工物に対して３点曲げにて力を加えることにより、被加工物の加工対象位置に対して引張応力を作用させる応力印加手段、をさらに備え、載置部に載置した被加工物に対し、応力印加手段によって加工対象位置に対して引張応力を作用させた状態で、パルスレーザー光の個々の単位パルス光ごとの被照射領域が被加工面において離散的に形成されるように載置部を移動させつつパルスレーザー光を被加工物に照射することによって、被照射領域同士の間で被加工物の劈開もしくは裂開を順次に生じさせることにより、被加工物に分割のための起点を形成する。 （もっと読む）

【解決手段】 割断予定線Ｓｐに沿って脆性材料１の表面に複数のディンプルＤを形成するディンプル形成手段と、脆性材料１の表面にスクライブ線Ｓを形成するカッター３１とを備え、
割断予定線Ｓｐに沿って脆性材料１の表面に複数のディンプルＤを形成し、その後、該ディンプルＤの形成された割断予定線Ｓｐに沿って脆性材料とカッター３１とを相対移動させて、脆性材料１の表面にスクライブ線Ｓを形成する。
【効果】 カレットや水平クラックの発生を抑えるとともに、スクライブ線Ｓからの亀裂を深く進展させることができる。 （もっと読む）

【課題】加工痕の形成が抑制されるとともに、被加工物の分割がより確実に実現される分割起点の形成が可能となる、レーザー加工装置を提供する。
【解決手段】パルスレーザー光を発する光源と、被加工物が載置されるステージと、を備えるレーザー加工装置が、ステージに載置された被加工物の載置面を冷却するための冷却機構をさらに備え、ステージに被加工物を載置し、かつ、冷却機構によって載置面を冷却した状態で、パルスレーザー光の個々の単位パルス光ごとの被照射領域が載置面と対向する被加工面において離散的に形成されるようにステージを移動させつつパルスレーザー光を被加工物に照射することによって、被照射領域同士の間で被加工物の劈開もしくは裂開を順次に生じさせることにより、被加工物に分割のための起点を形成する。 （もっと読む）

【課題】光デバイスウェーハの分割性の向上と、発光デバイスの電気特性の低下の抑制を同時に達成できるレーザー加工装置およびレーザー加工方法を提供すること。
【解決手段】レーザー加工ユニット２６は、発振器４１が発振するレーザービームを、加工進行方向に対して偏光方向が直交する分離光４７ａと加工進行方向に対して偏光方向が平行な分離光４７ｂとに分離し、ウェーハＷの厚さ方向に変位させて２箇所の集光点に集光する集光器４４を備える。このとき、分離光４７ａは、発光デバイスが形成されているウェーハＷの表面Ｗｂから遠い集光点４８ａに集光され、分離光４７ｂは、ウェーハＷの表面Ｗｂに近い集光点４８ｂに集光される。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳミラーに損傷を与えずにＭＥＭＳミラーを基板から分離する方法を提供する。
【解決手段】ミラーデバイス体が支持部４ｂに支持された基板２０の支持部４ｂにレーザー光７４を集光して照射し、支持部４ｂに改質部７５を形成する改質部形成工程と、支持部４ｂに力を加えて支持部４ｂを切断しミラーデバイス体２と基板２０とを分離する分離工程と、を有し、支持部４ｂの断面形状は台形に形成され、改質部形成工程では台形の平行な２辺のうち長い方の辺の側からレーザー光７４を照射する。 （もっと読む）

【課題】高浸透効果を抑えながらガラス表面に対する食いつきのよいスクライビングホイールの製造方法を提供する。
【解決手段】回転軸を共有する二つの円錐台の底部が交わって円周稜線７１が形成された外周縁部と、前記円周稜線７１に沿って円周方向に交互に形成された複数の切り欠き７５および突起７６とからなり、前記突起７６は、前記円周稜線７１が切り欠かれて残った、円周方向に長さを有する前記円周稜線７１の部分で構成される脆性材料用スクライビングホイール７０の製造方法であって、レーザ光の照射によって前記円錐台の軸線方向からみた形状が台形となる切り欠きを外周縁部に切り欠いて形成する工程を具備し、台形の底辺の長さａ’を変えることによって前記切り欠き７５の円周方向における長さａを設定する。 （もっと読む）

【課題】レーザを用いて互いに交差する２方向に脆性材料基板を割断する場合に、交点部分における欠けの発生を抑制する。
【解決手段】レーザビームＬＢの照射と、冷却ノズル３７からの冷却媒体の吹き付けによって、垂直クラック５３ａからなる第１スクライブライン５２ａと、垂直クラック５３ｂからなる第２スクライブライン５２ｂとを形成する。そして第２スクライブライン５２ｂにレーザビームＬＢを再度照射して垂直クラック５３ｂを伸展させて、第２スクライブライン５２ｂで基板５０を割断する。次いで、割断ライン５４と第１スクライブライン５２ａとの交点領域をガラス板６１や水滴６２で覆う。そして、交点領域を除いて第１スクライブライン５２ａにレーザビームＬＢを再度照射して垂直クラック５３ａを伸展させて、第１スクライブライン５２ａで基板５０を割断する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を用い、基板内において交差する方向に複数の改質領域を形成する場合に、基板に形成された電子素子の劣化を抑制する。
【解決手段】ウエハ状の基板１１の基板表面１１ａに複数の半導体発光素子２１を構成する積層半導体層１２が形成された素子群形成基板２０に対し、基板裏面１１ｂ側からレーザ光６４を照射し、基板１１の内部に、基板１１の面に沿うｙ方向に向かう第１改質領域Ｌ１、第３改質領域Ｌ３と、基板１１の面に沿い且つｙ方向とは異なるｘ方向に向かう第２改質領域Ｌ２、第４改質領域Ｌ４とを形成する改質領域形成工程において、基板１１の基板表面１１ａに近い側から遠い側（基板裏面１１ｂに遠い側から近い側）に向けて順番に、第１改質領域Ｌ１、第２改質領域Ｌ２、第３改質領域Ｌ３および第４改質領域Ｌ４の順で形成する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を用い、基板内において交差する方向に複数の改質領域を形成する場合に、基板に形成された電子素子の劣化を抑制する。
【解決手段】ウエハ状の基板１１の基板表面１１ａに複数の半導体発光素子２１が形成された素子群形成基板２０に対し、基板１１の基板裏面１１ｂ側からレーザ光６４を照射することで、基板１１の内部に、基板１１の面に沿うｙ方向（第１方向に対応）に向かう第１改質領域Ｌ１および第３改質領域Ｌ３と、基板１１の面に沿い且つｙ方向とは異なるｘ方向（第２方向に対応）に向かう第２改質領域Ｌ２および第４改質領域Ｌ４とを形成する改質領域形成工程において、基板の基板裏面１１ｂからの深さを異ならせて、第１改質領域Ｌ１、第２改質領域Ｌ２、第３改質領域Ｌ３および第４改質領域Ｌ４を形成する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を用い、基板内において交差する方向に３以上の改質領域を形成し、且つ、これらのうち２つの改質領域を同じ方向に沿って形成する場合に、基板に形成される改質領域の位置ずれを抑制する
【解決手段】ウエハ状の基板１１の基板表面１１ａに複数の半導体発光素子２１を構成する積層半導体層１２が形成された素子群形成基板２０に対し、基板裏面１１ｂ側からレーザ光６４を照射することで、基板１１の内部に、基板１１の面に沿うｙ方向に向かう第１改質領域Ｌ１、基板１１の面に沿い且つｙ方向とは異なるｘ方向に向かう第２改質領域Ｌ２、ｙ方向に向かう第３改質領域Ｌ３、ｘ方向に向かう第４改質領域Ｌ４を、第１改質領域Ｌ１〜第４改質領域Ｌ４の順で形成する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を用い、基板内において交差する方向に３以上の改質領域を形成し、且つ、これらのうち２つの改質領域を同じ方向に沿って形成する場合に、基板に形成された電子素子の劣化を抑制する。
【解決手段】ウエハ状の基板１１の基板表面１１ａに複数の半導体発光素子２１が形成された素子群形成基板２０に対し、基板１１の基板裏面１１ｂ側からレーザ光６４を照射することで、基板１１の内部に、基板１１の面に沿うｙ方向（第１方向に対応）に向かう第１改質領域Ｌ１および第３改質領域Ｌ３と、基板１１の面に沿い且つｙ方向とは異なるｘ方向（第２方向に対応）に向かう第２改質領域Ｌ２および第４改質領域Ｌ４とを形成する改質領域形成工程において、基板の基板裏面１１ｂからの深さを異ならせて、改質領域群を構成する第１改質領域Ｌ１、第２改質領域Ｌ２、第３改質領域Ｌ３および第４改質領域Ｌ４を形成する。 （もっと読む）