【課題】加工痕の形成が抑制されるとともに、被加工物の分割がより確実に実現される分割起点の形成が可能となる、レーザー加工装置を提供する。
【解決手段】パルスレーザー光を発する光源と、被加工物が載置されるステージと、を備えるレーザー加工装置が、ステージに載置された被加工物の載置面を冷却するための冷却機構をさらに備え、ステージに被加工物を載置し、かつ、冷却機構によって載置面を冷却した状態で、パルスレーザー光の個々の単位パルス光ごとの被照射領域が載置面と対向する被加工面において離散的に形成されるようにステージと光源とを連続的に相対移動させつつパルスレーザー光を被加工物に照射することによって、被照射領域同士の間で被加工物の劈開もしくは裂開を順次に生じさせることにより、被加工物に分割のための起点を形成する。 （もっと読む）

【課題】加工痕の形成が抑制されるとともに、被加工物の分割がより確実に実現される分割起点の形成が可能となる、レーザー加工装置を提供する。
【解決手段】パルスレーザー光を発する光源と、被加工物が載置される載置部と、を備えるレーザー加工装置が、載置部に載置された被加工物に対して３点曲げにて力を加えることにより、被加工物の加工対象位置に対して引張応力を作用させる応力印加手段、をさらに備え、載置部に載置した被加工物に対し、応力印加手段によって加工対象位置に対して引張応力を作用させた状態で、パルスレーザー光の個々の単位パルス光ごとの被照射領域が被加工面において離散的に形成されるように載置部と光源とを連続的に相対移動させつつパルスレーザー光を被加工物に照射することによって、被照射領域同士の間で被加工物の劈開もしくは裂開を順次に生じさせることにより、被加工物に分割のための起点を形成する。 （もっと読む）

【課題】被穿孔物を穿孔する際に生ずる騒音や振動を軽減させつつ、作業効率を向上させる穿孔ユニット及び穿孔装置を提供する。
【解決手段】本発明にかかる穿孔ユニットは、回転軸を中心として回転可能な主軸部と、前記主軸部を回転駆動させる駆動部と、前記主軸部と一体となって前記回転軸周りに回転し、被穿孔物を穿孔する穿孔工具であって、前記回転軸から径方向に偏心された仮想直線に沿って設けられ、前記被穿孔物を照射するレーザー光が通る光路となる偏心孔を内部に有する穿孔工具と、を備える。 （もっと読む）

【課題】薄いシリコン基板を製品率を確保して提供する。
【解決手段】レーザ光源１６０、集光レンズ１７０、収差調整板１８０から基板１０にレーザ光１９０を集光し、レーザ光１９０と基板１０を相対的に移動させて、基板１０の表面から所定の深さの範囲において基板の表面に水平方向に形成した、多結晶シリコンの多結晶粒を有してなる内部改質層１４を形成する工程と、基板１０を内部改質層１４又は内部改質層１４近傍において割断する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】被穿孔物を穿孔する際に生ずる騒音や振動を軽減させつつ、作業効率を向上させる偏心回転機構及び穿孔装置を提供する。また、光ファイバーを用いて光の進行方向を変えてレーザー光を照射しても破断が発生しにくい偏心回転機構及び穿孔装置を実現する。
【解決手段】本発明にかかる偏心回転機構は、ハウジングと、回転軸を中心として回転可能な主軸部と、前記主軸部を回転駆動させる駆動部と、前記主軸部に設けられ、前記回転軸から径方向に離れた偏心軸を中心として回転可能な偏心回転部と、ある部位が前記ハウジングに固着されると他の部位が前記偏心回転部の前記偏心軸上に固着され、前記ある部位から前記他の部位へ向ってレーザー光を伝送する光ファイバーと、を備える。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板等をレーザ光によってスクライブする際に、簡単な装置構成で、適切な広さの改質領域を形成できるようにし、また、基板に形成された素子へのダメージを抑える。
【解決手段】この方法は、パルスレーザ光を脆性材料基板に照射して分断予定ラインに沿ってスクライブする方法であって、第１工程と第２工程とを備えている。第１工程は、パルスレーザ光を基板に照射するとともに、分断予定ラインに沿って走査し、基板の表面及び裏面から離れた内部に、分断予定ラインに沿った改質層を形成する工程である。第２工程は、ビーム強度の調整されたパルスレーザ光を基板に照射するとともに、パルスレーザ光の焦点位置を固定して分断予定ラインに沿って走査し、改質層を起点として基板の表面に到達しない深さまで進行する複数の線状加工痕を分断予定ラインに沿って周期的に形成する工程である。 （もっと読む）

【課題】レーザー加工方法及び装置を提供する。
【解決手段】本発明のレーザー加工方法によれば、スキャナー又はポリゴンミラーを用いてレーザービームを動くようにスキャンし、斜角方向に対象物へ照射することにより、対象物を効率よくスクライビング又は切断することができる。 （もっと読む）

【課題】 ｃ面とオフ角分の角度を成す主面を有する六方晶系ＳｉＣ基板を備える板状の加工対象物を切断予定ラインに沿って精度良く切断することができるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 ｃ面とオフ角分の角度を成す表面１２ａを有する六方晶系ＳｉＣ基板１２を備える板状の加工対象物１を準備する。続いて、レーザ光Ｌの照射によって、切断予定ライン５ａ，５ｍに沿って改質領域７ａ，７ｍをＳｉＣ基板１２の内部に形成する。表面１２ａ及びａ面に平行な切断予定ライン５ａに沿っては、第１の列数の改質領域７ａを形成する。表面１２ａ及びｍ面に平行な切断予定ライン５ｍに沿っては、第１の列数よりも少ない第２の列数の改質領域７ｍを形成する。 （もっと読む）

【課題】 ｃ面とオフ角分の角度を成す主面を有する六方晶系ＳｉＣ基板を備える板状の加工対象物を切断予定ラインに沿って精度良く切断することができるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 ｃ面とオフ角分の角度を成す表面１２ａを有する六方晶系ＳｉＣ基板１２を備える板状の加工対象物１を準備する。続いて、レーザ光Ｌの照射によって、切断予定ライン５ａの両側に設定された２本の予備ライン５ｐのそれぞれに沿って、予備改質領域７ｐをＳｉＣ基板１２の内部に形成する。このとき、切断の起点となる改質領域７ａに比べて予備改質領域７ｐからＳｉＣ基板１２に亀裂が発生し難くなるようにする。予備ライン５ｐに沿って予備改質領域７ｐを形成した後に、レーザ光Ｌの照射によって、表面１２ａ及びａ面に平行な切断予定ライン５ａに沿って改質領域７ａをＳｉＣ基板１２の内部に形成する。 （もっと読む）

【課題】 ｃ面とオフ角分の角度を成す主面を有する六方晶系ＳｉＣ基板を備える板状の加工対象物を切断予定ラインに沿って精度良く切断することができるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 ｃ面とオフ角分の角度を成す表面１２ａを有する六方晶系ＳｉＣ基板１２を備える板状の加工対象物１を準備する。続いて、レーザ光Ｌの照射によって、切断予定ライン５ａ，５ｍに沿って改質領域７ａ，７ｍをＳｉＣ基板１２の内部に形成する。表面１２ａ及びａ面に平行な切断予定ライン５ａに沿っては、レーザ光入射面に２番目に近い改質領域７ａが、レーザ光入射面に最も近い改質領域７ａよりも小さくなるようにする。表面１２ａ及びｍ面に平行な切断予定ライン５ｍに沿っては、レーザ光入射面に最も近い改質領域７ｍが、レーザ光入射面に２番目に近い改質領域７ｍよりも小さくなるようにする。 （もっと読む）

【課題】 ｃ面とオフ角分の角度を成す主面を有する六方晶系ＳｉＣ基板を備える板状の加工対象物を切断予定ラインに沿って精度良く切断することができるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 ｃ面とオフ角分の角度を成す表面１２ａを有する六方晶系ＳｉＣ基板１２を備える板状の加工対象物１を準備する。続いて、レーザ光Ｌの照射によって、表面１２ａ及びａ面に平行な切断予定ライン５ａに沿って改質領域７ａをＳｉＣ基板１２の内部に形成する。切断予定ライン５ａに沿って改質領域７ａを形成した後に、レーザ光Ｌの照射によって、表面１２ａ及びｍ面に平行な切断予定ライン５ｍに沿って改質領域７ｍをＳｉＣ基板１２の内部に形成する。 （もっと読む）

【課題】 ｃ面とオフ角分の角度を成す主面を有する六方晶系ＳｉＣ基板を備える板状の加工対象物を切断予定ラインに沿って精度良く切断することができるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 ｃ面とオフ角分の角度を成す表面１２ａを有する六方晶系ＳｉＣ基板１２を備える板状の加工対象物１を準備する。続いて、パルス発振されたレーザ光Ｌの集光点ＰをＳｉＣ基板１２の内部に合わせて、パルスピッチが１０μｍ〜１８μｍとなるように切断予定ライン５ａ，５ｍに沿ってレーザ光Ｌを加工対象物１に照射する。これにより、切断予定ライン５ａ，５ｍに沿って、切断の起点となる改質領域７ａ，７ｍをＳｉＣ基板１２の内部に形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコンカーバイドの表面にアスペクト比の大きい損傷を高速に形成することができるレーザ加工方法を提供すること。
【解決手段】無偏光でかつ波長５００ｎｍ以上のレーザ光を照射して、シリコンカーバイドの表面にアスペクト比の大きい損傷を形成する。レーザ光は、パルス幅が１００ナノ秒以上のパルスレーザ光または連続発振レーザ光が好ましい。レーザ光の集光点の位置は、シリコンカーバイドの表面から上方１００μｍ〜表面から内部１００μｍの範囲内となるように調整される。 （もっと読む）

【課題】ガラスなどのワーク表面にレーザビームを走査しながら照射して同表面を加熱し、その背後を同じく走査しながら冷却しワークに表面スクライブを実現する方法及び装置において、所要レーザ出力を低減することと薄板ワークに対する安定した表面スクライブを行うことを目的とする。
【解決手段】加熱用レーザビームのエネルギー密度分布と冷却液分布を所要の熱応力スクライブ生成に最適化させることによって所要レーザ出力の低減とプロセス安定化を実現した。この実現のために前者では回折格子型光学素子を使用してスクライブ線方向の両側で対称性を持つ時間的にも空間的にも一様で過剰なエネルギー密度を避けた分布を実現した。また後者では冷却液が加熱領域の後方にスクライブ線の両側で対称性を有する分布を実現する冷却ノズルを使用した。 （もっと読む）

【課題】ガラスなどのワーク表面にレーザビームを走査しながら照射してワークに表面スクライブを実現する方法及び装置において、レーザ出力の不安定性を消去する方法及び装置を提供する
【解決手段】ガラスなどのワーク１表面にレーザビームを走査しながら照射して同表面を加熱し、その背後を同じく走査しながら冷却しワーク１に表面スクライブ４を実現する際に、ワーク１表面のレーザビーム照射直位置を吹き飛ばしてノズルからの噴射気体によって清純化し、ワーク１表面のレーザビーム照射位置に存在する冷却液などの液体あるいは不純物によるＣＯ_２レーザビーム吸収を防止することにより、所要レーザ出力の低減とプロセス安定化を実現する。 （もっと読む）

【課題】大きなガラスシートを小さく分割するガラス切断システムにおいて、切断速度を向上する。
【解決手段】３０ｍｍ以上の最大寸法を有する細長いビームスポット形状を有するレーザビームを、部分的なクラック切り込みラインを生成するためガラスシートを横断して移送させ、そのガラスシートを、その後、部分的なクラックの領域に曲げモーメントを付加することにより、器切り込みラインに沿って分割する。 （もっと読む）

【課題】切断予定ラインに沿った加工対象物の高精度な切断が可能となるレーザ加工方法の使用により得られるチップを提供する。
【解決手段】厚さ方向に略平行な側面２５ａを有するチップ２５であって、側面２５ａには、厚さ方向に並ぶ溶融処理領域１３_１，１３_２と、これら溶融処理領域１３_１，１３_２間に位置し厚さ方向の長さが溶融処理領域１３_１，１３_２より短い溶融処理領域１３_３と、が形成されている。また、側面２５ａには、少なくとも溶融処理領域１３_１，１３_２間に連続するように渡り、厚さ方向に対して同じ側に傾斜し延在する複数のウォルナーライン２４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】加工痕における光吸収が低減されるレーザー加工を行えるレーザー加工方法を提供する。
【解決手段】光源からのパルスレーザー光の照射状態を変調させることによって被加工物の表面における照射範囲を変調させることにより、第１の方向に連続する部分を有するが、第１の方向に垂直な断面の状態が第１の方向において変化する被加工領域を形成する。具体的には、パルスレーザー光の単位パルスごとのビームスポットが第１の方向に沿って離散する照射条件でパルスレーザー光を走査するか、パルスレーザー光の照射エネルギーを変調させつつパルスレーザー光を第１の方向に走査するか、それぞれに第１の方向に対し所定の角度を有する第２の方向と第３の方向へのパルスレーザー光の走査を交互に繰り返すことによって、被加工物におけるパルスレーザー光の走査軌跡を第１の方向に沿った分割予定線と繰り返し交互に交差させるかのいずれかで実現される。 （もっと読む）

【課題】加工不具合の発生を抑制可能なレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】レーザ加工装置３００は、レーザ光Ｌをパルス発振するレーザ光源２０２と、レーザ光Ｌを支持台上の加工対象物１の内部に集光させる集光光学系２０４と、支持台を移動させるためのステージ１１１と、レーザ光源２０２及びステージ１１１を制御する制御部２５０と、を備えている。この制御部２５０は、レーザ光Ｌを加工対象物１に集光させ、該レーザ光Ｌを加工対象物１に対して切断予定ライン５に沿って移動させることにより、加工対象物１内におけるレーザ光照射面としての表面３から所定距離の位置に、少なくとも２つの互いに異なるピッチを有する複数の改質スポットを形成させ、これら複数の改質スポットにより改質領域７を形成させる。 （もっと読む）

【解決手段】 先ず、シリコンインゴット２の外周面２Ｂにスクライバ４Ａによって円周方向溝２Ｄを形成する。次に、第１のレーザ光Ｌ１と第２のレーザ光Ｌ２を重畳させて端面２Ａ側から円周方向溝２Ｄに照射し、その後、両レーザ光Ｌ１、Ｌ２を割断予定面２Ｅに沿って渦巻状の移動軌跡で相対移動させる。これにより、第１のレーザ光Ｌ１によって割断予定面２Ｅとその隣接箇所は結晶方位のない改質領域２Ｆに改質され、そこに第２のレーザ光Ｌ２が照射される。そのため、円周方向溝２Ｄに生じたクラック２０が半径方向に進展してシリコンウェハ２Ｓが切り出される。
【効果】 内部の結晶方位の影響を受けることなく、シリコンインゴット２から所定厚さｔのシリコンウェハ２Ｓを切り出すことができる。 （もっと読む）