【課題】脆性基板を加熱後冷却することで切断する方法において、高速で加工を行えるようにする手段を提供する。
【解決手段】脆性材料からなる基板を切断線に沿って加工手段に対し相対的に移動させながら、前記加工手段により加熱と冷却を行い、このとき発生する熱衝撃力で前記基板を切断する切断方法に用いられる脆性基板切断補助装置として、前記基板を移動テーブルに固定することで生じる切断材料の熱膨張の阻害による切断能力の低下を材料下部に設けた膨張補助材を切断材料に影響しない方法で加熱し、発生した補助材の膨張を固定点から前記切断材料に対し付加することで材料拘束力の開放と膨張補助を行う手段を設ける （もっと読む）

【課題】アナモフィックビーム照射システムを用いて可変非点焦点ビームスポットを形成する。
【解決手段】可変非点焦点ビームスポットは、例えばＬＥＤウェハーのような半導体ウェハーを描画するようなカッティング用途に用いることができる。アナモフィックビーム照射システムは意図的に非点収差を導入して２個の主経線例えば、垂直と水平に分離された焦点を生成する光学コンポーネント群を備える。非点焦点は、尖らされたリーディング・トレーリングエッジから成る非対称だがシャープに合焦されたビームスポットとなる。非点焦点の調整によって、圧縮された焦点ビームスポットのアスペクト比を変え、レーザー出力パワーに影響を与えることなく、ターゲットでのエネルギー密度の調整を可能としている。適当に最適化されたエネルギー及びパワー密度でのウェハーの描画によって、描画速度を増大する一方、過剰な熱及び傍らの材料のダメージを最小にする。 （もっと読む）

本発明は、電気的絶縁性である又は半導体である基板中に、ホール又は凹部又はくぼみを作り出す方法及び、この方法により作り出された、基板中のホール又は凹部又はくぼみに関する。本発明はまた、前記方法により作り出された基板中のホール又は凹部又はくぼみの配列に関する。本発明はまた、本発明に係る方法を実行するためのデバイスに関する。
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【課題】変形により平面度がレーザ光の焦点位置に対して許容範囲を超えた基材について、簡単な構造の装置により、効率的なスクライブ加工或いは分断加工を可能とするレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】照射部２の下方の２ヶ所に突設された脚部７において、ローラＲ１、Ｒ２を回動可能に支持するようにした。このローラＲ１、Ｒ２間の中間位置は、レーザ光５の集光部６と一致するように配置されている。そして、照射部２の移動と共にローラＲ１、Ｒ２を転動させて、ローラＲ１、Ｒ２の間にある基材８を載置面９に押し付けるようにした。 （もっと読む）

【課題】薄い半導体ウェハを比較的短時間で容易に製造することができ、かつ製品率を向上させることのできる基板スライス方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に非接触にレーザ集光手段１６を配置する工程と、レーザ集光手段１６により、基板１０表面にレーザ光を照射し、基板１０内部にレーザ光２６を集光する工程と、レーザ集光手段１６と基板１０を相対的に移動させて、基板１０内部に改質層１２を形成する工程と、基板１０側壁に改質層１２を露出させる工程と、改質層１２をエッチングする工程とを有する基板スライス方法。 （もっと読む）

【課題】無アルカリガラス、パイレックス（登録商標）ガラスまたはＢＫ７ガラスを、割断予定線から外れることなく良好な割断面を得られるように割断する。
【解決手段】
脆性材料１１に想定された割断予定線１２に沿って加熱した後冷却し、加熱および冷却する位置を脆性材料１１に対して相対的に移動させて割断する割断装置であって、脆性材料１１が無アルカリガラス、パイレックス（登録商標）ガラスまたはＢＫ７ガラス基板のいずれかであり、割断予定線１２上に幅広く形成される弱加熱領域６０を形成するＥｒ−ＹＡＧレーザ５０と、割断予定線１２上に弱加熱領域６０よりも狭い幅でかつ強く加熱される強加熱領域１４を形成するＣＯ_２レーザ２５と、割断予定線１２上の位置に冷媒を噴射する冷却装置３０とを備え、冷却装置３０が脆性材料１１との相対移動に伴い弱加熱領域６０と強加熱領域１４による加熱が重ね合わさった重層加熱領域７４、７６を冷却する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成されたデバイス層にダメージを与えることなく基板内部にストリートに沿って変質層を形成することができるウエハの加工方法を提供する。
【解決手段】基板表面にデバイス層が積層され複数のストリートによって区画された領域にデバイスが形成されたウエハ内部にストリートに沿って変質層を形成するウエハの加工方法であって、基板に対して透過性を有する波長のレーザ光線を基板の裏面側から集光点を基板の内部に位置付けて照射し、ストリートに沿って第１の変質層を形成する工程と、レーザ光線を基板の裏面側から集光点を第１の変質層の上側に位置付けて照射し、ストリートに沿って第２の変質層を第１の変質層に積層して形成する第２の変質層形成工程とを含み、第１の変質層形成工程におけるレーザ光線のエネルギ密度は、第２の変質層形成工程におけるエネルギ密度より低く基板に変質層を加工することができる下限付近に設定されている。 （もっと読む）

【課題】パルスレーザービームの照射による改質層形成によりサファイアの分割を行う場合において、パルスレーザービームの条件により輝度がどれだけ低下するかを検査できるようにする。
【解決手段】サファイア基板について、第一の条件及び第二の条件のパルスレーザービームによる改質層の形成をそれぞれ２本の第一の分割予定ラインについて行うとともに、第一の条件及び第二の条件のパルスレーザービームによる改質層の形成をそれぞれ２本の第二の分割予定ラインについて行うことにより、第一の条件のみによって切り出された第一の発光デバイスと第二の条件のみによって切り出された第二の発光デバイスとを取得する。そして、第一、第二の発光デバイスの輝度をそれぞれ測定し、そのそれぞれについて、サファイア基板を分割する前に個々の発光デバイスについて測定した分割前輝度との差を求め、条件の違いによる輝度低下の差を検査する。 （もっと読む）

【課題】加工速度が高く、エネルギー効率の高いレーザ加工方法及びレーザ加工装置を提供すること。
【解決手段】集光レンズ２１の光軸Ｏを被割断部材３の割断予定ラインＳ0に沿って相対的に移動させてレーザ光を被割断部材３に集光照射することにより、割断の起点となる改質領域を被割断部材３の内部に割断予定ラインＳ0に沿うように形成するレーザ加工方法であって、被割断部材３の表面３aから所定の深さ位置で集光レンズ２１の光軸Ｏと直交し表面３aと平行する断面３bの上に複数の断面集光スポットＰ0、Ｐ1・・を同時に形成し、その際、複数の断面集光スポットＰ0、Ｐ1・・のうち少なくとも一つの断面集光スポットを割断予定ラインＳ0の断面３bへの射影線上に形成して所望の形状の前記内部改質領域を一つ或いは複数形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】接合ガラスを所定サイズ毎に切断することで、歩留まりを向上させることができる接合ガラスの切断方法、パッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計を提供する。
【解決手段】ウエハ接合体６０の吸収波長のレーザー光を輪郭線に沿って照射して、リッド用基板ウエハ５０にスクライブラインＭ’を形成するスクライブ工程と、スクライブラインＭ’に沿って切断刃により割断応力を加えることで、スクライブラインＭ’に沿ってウエハ接合体を切断するブレーキング工程とを有し、スクライブ工程では、スクライブラインＭ’の幅寸法Ｗに対する深さ寸法Ｄの倍率が０．８以上６．０以下となるスクライブラインＭ’を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】デブリによる被加工物表面の汚染を防止しつつ、ドロスの生成を十分に低減し、かつ被加工物の表面の上に形成した被膜の除去が簡単なレーザー加工方法を提供する。
【解決手段】被加工物１の加工すべき表面の上に被膜２を形成する工程と、被膜２を通じて被加工物１にレーザー光線を照射して被加工物１を加工する工程と、レーザー光線の照射後に被膜２を除去する工程を含むレーザー加工方法であって、被膜２を、アルカリ可溶性基がアルキルビニルエーテルを用いてブロックされているモノマー単位を有するビニル系重合体（Ａ）、及び、ニグロシン（Ｂ）を含有する組成物から形成することを特徴とするレーザー加工方法。 （もっと読む）

【課題】レーザスクライブ処理により薄膜を加工した後に洗浄を行うときに、粉体の発生の抑制を図ることで、生産性の向上および機構の簡略化を図ることを目的とする。
【解決手段】基板２に積層された薄膜に対して照射する変質用レーザＬ１と変質用レーザＬ１が照射した薄膜の部位を追従して照射する剥離用レーザＬ２とを生成するレーザ処理装置１０と、レーザ処理装置１０と基板２とを相対的に移動させるステージ移動部１２と、を備えている。これにより、レーザスクライブ時に生じる粉体を大幅に或いは完全に削減する。また、粉体が生じたとしても粉体は薄膜から変質しているため、薄膜と癒着ないしは固着することがなく、簡単な洗浄で容易に除去することが可能になる。 （もっと読む）

化学強化ガラス基板(１１０)からガラス品(１７２)を割断する方法はレーザ源(１０６)からパルスレーザビーム(１０８)を発生させる工程を含む。パルスレーザビーム(１０８)は約１０００フェムト秒より短いパルス持続時間及び化学強化ガラス基板(１１０)がパルスレーザビーム(１０８)に対して実質的に透明であるような出力波長を有することができる。パルスレーザビーム(１０８)は化学強化ガラス基板(１１０)の内部伸張領域(１２４)と同じ水平面に配されるビームウエスト(１０９)を形成するように集束させることができる。ビームウエスト(１０９)は割断線(１１６)に沿う第１のパスにおいて平行移動させることができ、ビームウエスト(１０９)は化学強化ガラス基板のエッジ(１１１)を横切る。ビームウエスト(１０９)は次いで割断線(１１６)に沿う第２のパスにおいて、第２のパス中にクラック(１１９)がエッジ(１１３)から割断線(１１６)に沿い、平行移動するビームウエスト(１０９)に先行して伝搬するように、平行移動させることができる。
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ガラス基板に割れ目を形成する方法は、ガラス基板のスクライブライン上に傷を形成するステップを含む。レーザのビームスポットを、この傷上に導きかつスクライブラインに沿って前進させてもよい。冷却ジェットを、ガラス基板の表面が最高温度から冷却されるように、この傷上に導いてもよい。その後、冷却スポットをビームスポットと共にスクライブラインに沿って前進させ、ガラス基板に割れ目を形成してもよい。
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【課題】 基板を吸着テーブルによる簡単な手段で保持させるものでありながら、基板の分断予定ラインを浮き上がらせてレーザビームを照射させることにより効果的に分断することのできる方法並びに装置を提供する。
【解決手段】 多数の小孔を有する支持テーブル１上に脆性材料基板Ｗを載置し、基板の分断予定ライン近傍を除く領域は、小孔３により吸引して基板Ｗを支持テーブル１に密着保持させ、基板Ｗの分断予定ライン近傍の領域は、小孔３により圧縮空気を噴出して基板を浮上させ、この浮上させた分断予定ラインに沿ってレーザビームを移動させながら照射することにより基板を分断する。 （もっと読む）

【課題】 切断対象となる加工対象物の材料に左右されず、その加工対象物を切断予定ラインに沿って精度良く切断することができる加工対象物切断方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板１２の主面が（１００）面となっているため、溶融処理領域１３を起点として発生した亀裂１７は、シリコン基板１２の劈開方向（シリコン基板１２の主面と直交する方向）に伸展する。このとき、加工対象物１Ａの裏面１ｂと分断用加工対象物１０Ａの表面１０ａとが陽極接合によって接合されているため、亀裂１７は、連続的に且つその方向を殆ど変えることなく、加工対象物１Ａの表面１ａに到達する。しかも、分断用加工対象物１０Ａに応力を生じさせる際には、亀裂１７が分断用加工対象物１０Ａの裏面１０ｂに到達しているため、亀裂１７は、加工対象物１Ａ側に容易に伸展する。 （もっと読む）

【課題】 切断対象となる加工対象物の材料に左右されず、その加工対象物を切断予定ラインに沿って精度良く切断することができる加工対象物切断方法を提供する。
【解決手段】 加工対象物１Ａの裏面１ｂと分断用加工対象物１０Ａの表面１０ａとが陽極接合によって接合されているため、溶融処理領域１３を起点として分断用加工対象物１０Ａの厚さ方向に発生した亀裂１７は、連続的に且つその方向を殆ど変えることなく、加工対象物１Ａの表面１ａに到達する。そして、加工対象物１Ａ，１０Ａが切断された後、加工対象物１Ａから加工対象物１０Ａが取り除かれて、チップ１９が得られる。 （もっと読む）

【課題】少ない冷却液量で、基板などの被冷却物を効率的に局部冷却できる冷却ノズル及び冷却方法を提供する。
【解決手段】円環状に形成された気体噴出口６１と、この円環状の気体噴出口６１の略中心から外方に突出した、冷却液が噴出する液管８とを設ける。そして、液管８の突出量を０．５〜１．０ｍｍの範囲とする。また、冷却液量を少なくし且つ冷却スポットを小さくする観点からは、液管８の先端８１から３ｍｍ以上を同一内径の直管部とするのが好ましい。ノズルキャップ６の気体流路６２の内周面の、中心軸Ｏに対する傾斜角度を、気体噴出口６１に向かって段階的に小さくするのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を用いたガラス基板の加工に際し、加工時間を短縮する。
【解決手段】このガラス基板加工装置は、ガラス基板が載置されるワークテーブル２と、レーザ光を出力するレーザ光出力部１５と、入力されたレーザ光を複数の点に集光させるための回折光学素子３４及びｆθレンズ２０と、複数の集光点をそれらの１つの中心軸の回りに回転させるための中空モータ１７と、レーザ光出力部１５からのレーザ光を回折光学素子３４に導く光学系１６と、１つの中心軸の回りに回転する複数の集光点のすべてをガラス基板の表面に沿った平面内で任意の方向に走査するためのｘ方向ガルバノミラー１８及びｙ方向ガルバノミラー１９と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】熱応力の分布を適正化することにより、割断面が割断予定線から外れることなく、良好な割断面を得られるような脆性材料割断装置および脆性材料割断方法を提供する。
【解決手段】
脆性材料に想定された割断予定線に対して、その割断予定線の端部位置に形成された初亀裂の側から前記割断予定線に沿って加熱した後冷却して、その加熱および冷却する位置を前記脆性材料に対して相対的に移動させて割断する脆性材料の割断装置であって、割断予定線に沿って幅広く形成される弱加熱領域を形成する第１レーザビーム照射手段と、割断予定線上に弱加熱領域よりも強く加熱される強加熱領域を形成する第２レーザビーム照射手段と、割断予定線上の位置に冷媒を噴射して局所的に冷却する冷却手段とを備え、冷却手段は、脆性材料の移動に伴い弱加熱領域による加熱と強加熱領域による加熱とが重ね合わされて形成される重層加熱領域を冷却する。 （もっと読む）