【解決手段】 先ず、シリコンインゴット２の外周面２Ｂにスクライバ４Ａによって円周方向溝２Ｄを形成する。次に、第１のレーザ光Ｌ１と第２のレーザ光Ｌ２を重畳させて端面２Ａ側から円周方向溝２Ｄに照射し、その後、両レーザ光Ｌ１、Ｌ２を割断予定面２Ｅに沿って渦巻状の移動軌跡で相対移動させる。これにより、第１のレーザ光Ｌ１によって割断予定面２Ｅとその隣接箇所は結晶方位のない改質領域２Ｆに改質され、そこに第２のレーザ光Ｌ２が照射される。そのため、円周方向溝２Ｄに生じたクラック２０が半径方向に進展してシリコンウェハ２Ｓが切り出される。
【効果】 内部の結晶方位の影響を受けることなく、シリコンインゴット２から所定厚さｔのシリコンウェハ２Ｓを切り出すことができる。 （もっと読む）

【課題】加工不具合の発生を抑制可能なレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】本実施形態では、レーザ光Ｌを加工対象物１に集光させ、該レーザ光Ｌを加工対象物１に対して切断予定ライン５に沿って移動させることにより、加工対象物１内におけるレーザ光照射面としての表面３から所定距離の位置に、少なくとも２つの互いに異なるピッチを有する複数の改質スポットＳを形成し、これら複数の改質スポットＳにより切断の起点となる改質領域７を形成する。 （もっと読む）

【課題】被加工物の分割がより確実化される被分割体の加工方法を提供する。
【解決手段】パルス幅がｐｓｅｃオーダーのパルスレーザー光を出射する光源からステージに至る光路を途中で第１と第２の光路に部分分岐させ、個々の単位パルス光について、前者を進む第１の半パルス光に対し後者を進む第２の半パルス光が遅延するように第２の光路の光路長を設定し、第１の半パルス光と第２の半パルス光の被照射領域が同一となり、かつ、個々の単位パルス光ごとの被照射領域が被加工面において離散的に形成されるようにパルスレーザー光を照射することによって、被照射領域同士の間で被加工物の劈開もしくは裂開を生じさせることで、被加工物に分割のための起点を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レーザーを用いたガラス基材の異形抜き加工において、採算ベースの加工速度を実現することのできる新規なレーザー加工方法およびレーザー加工装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ガラス基材を所定温度まで昇温した後、当該ガラス基材に対してＮｄ：ＹＡＧレーザーの３倍波を集光照射する。３００〜８００℃まで昇温されたガラス基材は、レーザースクライビングに最適なレーザー光吸収率（１０〜５０％）を示すため、採算の取れる加工速度での異形抜き加工が可能となる。 （もっと読む）

【課題】梨地面を有する保持テープを介してでもワークの内部に改質層を形成して分割をすることができるワークの分割方法を提供すること。
【解決手段】裏面に保持テープＴが貼り付けられた半導体ウェーハ１０において、保持テープＴの梨地形成面Ｔ１上に、保持テープＴの屈折率に近い屈折率を持つ塗布部材１３を塗布して平坦化し、その後、パルスレーザービームＬＢを塗布部材１３側から半導体ウェーハ１０内部の予め設定された集光点Ｐへ集光するように出射させる。これにより、パルスレーザービームを十分に集光させることができ、半導体ウェーハ１０内に改質層１４を形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】複数のモジュール回路チップが分割予定ラインによって区画され焼結された多層セラミックス基板を、分割予定ラインに沿って正確に分割することができる多層セラミックス基板の分割方法を提供する。
【解決手段】マークを検出して多層セラミックス基板１０の表面に分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射し、多層セラミックス基板１０の表面に分割起点となる第１のレーザー加工溝１１０を形成し、多層セラミックス基板１０の表裏を反転して表面に形成された第１のレーザー加工溝１１０を撮像手段によって検出し、第１のレーザー加工溝１１０と対応する裏面にレーザー光線を照射し、多層セラミックス基板１０の裏面に分割起点となる第２のレーザー加工溝１２０を形成し、多層セラミックス基板１０に外力を付与し、第１のレーザー加工溝１１０および第２のレーザー加工溝１２０に沿って破断する。 （もっと読む）

【課題】サファイアウェーハの分割によって形成される発光デバイスの輝度を向上できる分割方法を提供すること。
【解決手段】本発明の分割方法は、表面に発光層４１２が積層されたサファイアウェーハＷの裏面Ｗｂに分割予定ラインに沿う切削溝４０１を形成する切削溝形成工程と、サファイアウェーハＷの内部に分割予定ラインに沿う改質層４０２を形成する改質層形成工程と、改質層４０２を起点としてサファイアウェーハＷを個々の発光デバイス４１１に分割し、各発光デバイス４１１の裏面側の角部を切削溝形成工程で形成された切削溝４０１によって面取りされた状態とする分割工程とを有する構成とした。 （もっと読む）

【課題】加工痕における光吸収が低減され、しかもサファイアからの光の取り出し効率が高められるとともに高速処理が可能な、被加工物に分割起点を形成する加工方法およびこれを実現するレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】超短パルスのパルスレーザー光の個々の単位パルス光ごとの被照射領域が被加工物において離散的に形成されるようにパルスレーザー光を被加工物に照射し、個々の単位パルス光が被照射位置に照射される際の衝撃もしくは応力によって、被照射領域同士の間で被加工物の劈開もしくは裂開を順次に生じさせることにより、被加工物に分割のための起点を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板上に異種材料層が形成されてなる被加工物について、その分割がより確実に実現されるようにする。
【解決手段】被加工物に分割起点を形成するための加工方法が、被加工物を第１の方向と第２の方向とに移動可能なステージに載置する載置工程と、ステージを第１の方向に移動させつつ、所定の光源から出射させた予備加工用レーザー光を照射することにより、被照射領域において下地基板を露出させる予備加工工程と、所定の光源から出射させた、パルス幅がｐｓｅｃオーダーの超短パルス光である本加工用レーザー光の、個々の単位パルス光ごとの被照射領域が、下地基板の露出部分において離散的に形成されるように、ステージを第２の方向に移動させつつ本加工用レーザー光を被加工物に照射することによって、被照射領域同士の間で下地基板の劈開もしくは裂開を生じさせる本加工工程と、を備えるようにする。 （もっと読む）

【課題】 基板分断時に発生した端材を簡単でコンパクトな機構により確実に除去し、定位置に設置したボックスに集積破棄することのできる端材除去機能を備えた分断装置を提供する。
【解決手段】 スクライブ形成手段６によりブレイク予定ラインに沿って亀裂若しくは切溝を生じさせて脆性材料基板Ｍを分断する分断装置であって、基板を載置するテーブルが主テーブル２と回動テーブル３とからなり、回動テーブル３がスクライブ形成手段６の近傍に配置されていて分断時に生じた脆性材料基板Ｍの端材Ｍ１を載置できるように形成され、前記回動テーブル３は、水平な姿勢から端材Ｍ１を付着させたまま傾倒姿勢まで回動できるように形成され、回動テーブル３の傾倒姿勢で回動テーブル３に付着した端材Ｍ１を突き落とす押し出しバー１２が設けられている構成とする。 （もっと読む）

【課題】加工痕における光吸収が低減され、しかもサファイアからの光の取り出し効率が高められるとともに高速処理が可能な、被加工物に分割起点を形成する加工方法およびこれを実現するレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】超短パルスのパルスレーザー光の個々の単位パルス光ごとの被照射領域が被加工物において離散的に形成されるようにパルスレーザー光を被加工物に照射し、個々の単位パルス光が被照射位置に照射される際の衝撃もしくは応力によって、被照射領域同士の間で被加工物の劈開もしくは裂開を順次に生じさせることにより、被加工物に分割のための起点を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板上に異種材料層が形成されてなる被加工物について、その分割がより確実に実現されるようにする。
【解決手段】被加工物に分割起点を形成するための加工方法が、被加工物をステージに載置する載置工程と、第１の光源から第１のレーザー光を被加工物の第１の加工予定線に沿って照射することにより、第１の加工予定線の位置において下地基板を露出させる予備加工工程と、下地基板の露出部分に、個々の単位パルス光ごとの被照射領域が離散的に形成されるように第２の光源からパルス幅がｐｓｅｃオーダーの超短パルス光である第２のレーザー光を照射することによって、被照射領域同士の間で下地基板の劈開もしくは裂開を生じさせる本加工工程と、を備え、予備加工工程と本加工工程とを、ステージを一の方向に移動させつつ行うようにする。 （もっと読む）

【課題】棒状部材で基板を湾曲させるレーザ割断装置において、レーザビームが棒状部材に直接照射されても、棒状部材の温度上昇を抑えて棒状部材が変形したり組成変化するのを抑制する。
【解決手段】棒状部材１２で基板５０を湾曲させた後、基板５０に対してレーザビームＬＢを相対移動させて、レーザビームＬＢを基板５０に照射して溶融温度未満に加熱し、基板５０に生じた熱応力によって垂直クラック５３を形成して基板５０を割断する際、棒状部材１２の、基板５０の端部から露出し、レーザビームＬＢが直接照射された部分を冷却ノズル３７から噴霧する冷却媒体で冷却する。 （もっと読む）

【課題】棒状部材で基板を湾曲させるレーザ割断装置において、レーザビーム照射方向から見て、レーザビーム照射予定ラインと棒状部材とが重なるように迅速且つ正確に基板を位置決めできるようにする。
【解決手段】基板５０の位置を検知するＣＣＤカメラ３８，３９と、固定台１１を回転させる回転機構２５とＸ方向に移動させるスライドテーブル２６とを設け、レーザビーム照射方向から見て、レーザビーム照射予定ライン５１と棒状部材１２とが重なるように、ＣＣＤカメラ３８，３９からの検知情報に基づいて、基板５０を固定した固定台１１の位置を回転機構２５及びスライドテーブル２６によって調整する。 （もっと読む）

【課題】表面に膜が残されている箇所があるワークであっても、分割予定ラインに沿って改質層をワーク内部に均一な状態に形成する。
【解決手段】分割予定ライン２に沿って検出用レーザービーム（反射強度検出用の光）ＬＢ２を照射して分割予定ライン２上の第１の反射領域５と第２の反射領域６との境界部４を検出し、境界部４を、加工用レーザービームＬＢ１の出力条件を切り替える切り替え座標値として記憶する。そして、切り替え座標値に基づき、第２の反射領域６に第１の出力で加工用レーザービームＬＢ１を照射し、第１の反射領域５に第１の出力よりも高い出力である第２の出力で加工用レーザービームＬＢ１を照射し、各反射領域５，６に均一な改質層Ｐを形成する。この後、改質層Ｐに外力を加えワーク１を分割予定ライン２に沿って分割する。 （もっと読む）

【課題】加工痕における光吸収が低減され、しかもサファイアからの光の取り出し効率が高められるとともに高速処理が可能な、被加工物に分割起点を形成する加工方法およびこれを実現するレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】超短パルスのパルスレーザー光の個々の単位パルス光ごとの被照射領域が被加工物において離散的に形成されるようにパルスレーザー光を被加工物に照射し、個々の単位パルス光が被照射位置に照射される際の衝撃もしくは応力によって、被照射領域同士の間で被加工物の劈開もしくは裂開を順次に生じさせることにより、被加工物に分割のための起点を形成する。 （もっと読む）

【課題】加工痕における光吸収が低減され、しかもサファイアからの光の取り出し効率が高められるとともに高速処理が可能な、被加工物に分割起点を形成する加工方法およびこれを実現するレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】超短パルスのパルスレーザー光の個々の単位パルス光ごとの被照射領域が被加工物において離散的に形成されるようにパルスレーザー光を被加工物に照射し、個々の単位パルス光が被照射位置に照射される際の衝撃もしくは応力によって、被照射領域同士の間で被加工物の劈開もしくは裂開を順次に生じさせることにより、被加工物に分割のための起点を形成する。 （もっと読む）

【課題】加工痕における光吸収が低減され、しかもサファイアからの光の取り出し効率が高められるとともに高速処理が可能な、被加工物に分割起点を形成する加工方法およびこれを実現するレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】超短パルスのパルスレーザー光の個々の単位パルス光ごとの被照射領域が被加工物において離散的に形成されるようにパルスレーザー光を被加工物に照射し、個々の単位パルス光が被照射位置に照射される際の衝撃もしくは応力によって、被照射領域同士の間で被加工物の劈開もしくは裂開を順次に生じさせることにより、被加工物に分割のための起点を形成する。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板をレーザ光によってスクライブする際に、簡単な装置構成で、適切な広さの改質領域を形成できるようにする。
【解決手段】このレーザスクライブ方法は、パルスレーザ光をサファイア基板に照射してスクライブする方法であって、第１工程と第２工程とを備えている。第１工程は、ビーム強度の調整されたパルスレーザ光をサファイア基板に照射し、改質領域としてのレーザ加工痕を基板の裏面に形成する工程である。第２工程は、パルスレーザ光をその焦点位置を固定して分断予定ラインに沿って走査し、基板の裏面から表面に到達しない深さまで進行する線状加工痕を分断予定ラインに沿って周期的に形成する工程である。 （もっと読む）

【課題】ガラスフィルムの連続割断を高精度に実行可能とする。
【解決手段】成形装置１０から引き出されて成形された帯状のガラスフィルムＧに初期クラックを形成する初期クラック形成工程と、レーザー照射による局部加熱及び局部加熱後の冷却により発生する熱応力を利用して初期クラックＣを進展させることにより、ガラスフィルムＧを長手方向に沿って割断する割断工程とを含む。初期クラック形成工程では、ガラスフィルムＧの長手方向端部Ｇａに、複数の初期クラックＣを幅方向に集合して配置させてなる初期クラック群Ｃｇを形成する。初期クラック群Ｃｇは、複数の突起３２を有する突起群３３をガラスフィルムＧの長手方向端部Ｇａに押し付けることによって形成する。 （もっと読む）