多層セラミックス基板の分割方法
【課題】複数のモジュール回路チップが分割予定ラインによって区画され焼結された多層セラミックス基板を、分割予定ラインに沿って正確に分割することができる多層セラミックス基板の分割方法を提供する。
【解決手段】マークを検出して多層セラミックス基板１０の表面に分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射し、多層セラミックス基板１０の表面に分割起点となる第１のレーザー加工溝１１０を形成し、多層セラミックス基板１０の表裏を反転して表面に形成された第１のレーザー加工溝１１０を撮像手段によって検出し、第１のレーザー加工溝１１０と対応する裏面にレーザー光線を照射し、多層セラミックス基板１０の裏面に分割起点となる第２のレーザー加工溝１２０を形成し、多層セラミックス基板１０に外力を付与し、第１のレーザー加工溝１１０および第２のレーザー加工溝１２０に沿って破断する。
【解決手段】マークを検出して多層セラミックス基板１０の表面に分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射し、多層セラミックス基板１０の表面に分割起点となる第１のレーザー加工溝１１０を形成し、多層セラミックス基板１０の表裏を反転して表面に形成された第１のレーザー加工溝１１０を撮像手段によって検出し、第１のレーザー加工溝１１０と対応する裏面にレーザー光線を照射し、多層セラミックス基板１０の裏面に分割起点となる第２のレーザー加工溝１２０を形成し、多層セラミックス基板１０に外力を付与し、第１のレーザー加工溝１１０および第２のレーザー加工溝１２０に沿って破断する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のモジュール回路チップが分割予定ラインによって区画され焼結された多層セラミックス基板を、分割予定ラインに沿って分割する多層セラミックス基板の分割方法に関する。
【０００２】
圧電素子やコンデンサー等の多層セラミックス基板は、焼結した後に予め設定された分割予定ラインに沿って分割することにより、個々のデバイスに分割される。しかるに、多層セラミックス基板は焼結によって収縮して歪が生ずるため、焼結前に予め付けておいた分割予定ラインの基準となるマーク（目印）の位置がずれてしまうため、シリコン基板のように１本の分割予定ラインをアライメントしてインデックス送りで切断することが困難である。
【０００３】
上記問題を解消するために、多層セラミックス基板に設けられた分割予定ラインの基準となるマーク（目印）をアライメントしてそのアライメント情報を制御手段のメモリに格納し、このアライメント情報に基づいて分割予定ラインに沿って切削する切削方法が下記特許文献１に開示されている。
【０００４】
また、近年においては、水晶発信器やICチップ等の素子をビルトアップするビルトアップ基板として多層に配線されたバンドパスフィルタ等を内蔵した多層セラミックス基板がLTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics)、HTCC(High Temperature Co-fired Ceramics)等のモジュール回路チップとして実用化されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平９−５２２２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述したLTCCやHTCCは、アルミナ等のセラミックスを積層して０．３〜０．８mmの厚みに形成し、その後に焼結してから分割予定ラインに沿ってモジュール回路チップに分割される。このような多層セラミックス基板も焼結するため、歪が生じ焼結前に予め付けておいた分割予定ラインの基準となるパターン（目印）の位置がずれてしまう。また、アルミナ等のセラミックスを積層した多層セラミックス基板は非常に硬く、切削ブレードによる分割が困難であるという問題がある。
【０００７】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、複数のモジュール回路チップが分割予定ラインによって区画され焼結された多層セラミックス基板を、分割予定ラインに沿って正確に分割することができる多層セラミックス基板の分割方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、複数のモジュール回路チップが分割予定ラインによって区画されるとともに表面に分割予定ラインの位置を示すマークが形成され焼結された多層セラミックス基板を、個々のモジュール回路チップに分割する多層セラミックス基板の分割方法であって、
該マークを検出して多層セラミックス基板の表面に分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射し、多層セラミックス基板の表面に分割起点となる第１のレーザー加工溝を形成する第１のレーザー加工溝形成工程と、
第１のレーザー加工溝形成工程が実施された多層セラミックス基板の表裏を反転して表面に形成された第１のレーザー加工溝を撮像手段によって検出し、第１のレーザー加工溝と対応する裏面にレーザー光線を照射し、多層セラミックス基板の裏面に分割起点となる第２のレーザー加工溝を形成する第２のレーザー加工溝形成工程と、
多層セラミックス基板に外力を付与し、第１のレーザー加工溝および第２のレーザー加工溝に沿って破断する破断工程と、を含む、
ことを特徴とする多層セラミックス基板の分割方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明による多層セラミックス基板の分割方法においては、分割予定ラインの位置を示すマークを検出して多層セラミックス基板の表面に分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射し、多層セラミックス基板の表面に分割起点となる第１のレーザー加工溝を形成する第１のレーザー加工溝形成工程を実施した後に、多層セラミックス基板の表裏を反転して表面に形成された第１のレーザー加工溝を撮像手段によって検出し、第１のレーザー加工溝と対応する裏面にレーザー光線を照射し、多層セラミックス基板の裏面に分割起点となる第２のレーザー加工溝を形成する第２のレーザー加工溝形成工程を実施するので、第２のレーザー加工溝を第１のレーザー加工溝と対応した位置に正確に形成することができる。従って、多層セラミックス基板に外力を付与し、第１のレーザー加工溝および第２のレーザー加工溝に沿って破断する破断工程においては、第１のレーザー加工溝および第２のレーザー加工溝が破断起点となって第１のレーザー加工溝と第２のレーザー加工溝とを結ぶ直線領域に亀裂が生成され、多層セラミックス基板は第１のレーザー加工溝および第２のレーザー加工溝から逸れることなく正確に破断される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明による多層セラミックス基板の分割方法によって分割される多層セラミックス基板の斜視図。
【図２】図１に示す多層セラミックス基板に本発明による多層セラミックス基板の分割方法における第１のレーザー加工溝形成工程および第２のレーザー加工溝形成工程を実施するためのレーザー加工装置の斜視図。
【図３】図２に示すレーザー加工装置に装備される被加工物保持機構の構成部材を分解して示す斜視図。
【図４】図３に示す被加工物保持機構の要部断面図。
【図５】図２に示すレーザー加工装置に装備される制御手段のブロック構成図。
【図６】図１に示す多層セラミックス基板の裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープの上面に貼着した状態を示す斜視図。
【図７】図２に示すレーザー加工装置によって実施する本発明による多層セラミックス基板の分割方法における第１のレーザー加工溝形成工程の説明図。
【図８】本発明による多層セラミックス基板の分割方法における第１のレーザー加工溝形成工程が実施された多層セラミックス基板の斜視図。
【図９】本発明による多層セラミックス基板の分割方法における第１のレーザー加工溝形成工程が実施された多層セラミックス基板の表面を環状のフレームに装着されたダイシングテープの上面に貼着した状態を示す斜視図。
【図１０】本発明による多層セラミックス基板の分割方法における第２のアライメント工程の説明図。
【図１１】本発明による多層セラミックス基板の分割方法における第２のレーザー加工溝形成工程の説明図。
【図１２】本発明による多層セラミックス基板の分割方法における第２のレーザー加工溝形成工程が実施された多層セラミックス基板の斜視図。
【図１３】本発明による多層セラミックス基板の分割方法における破断工程の説明図。
【図１４】本発明による多層セラミックス基板の分割方法によって分割された多層セラミックス基板の斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明による多層セラミックス基板の分割方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１２】
図１には本発明による多層セラミックス基板の分割方法によって分割される多層セラミックス基板の斜視図が示されている。
図１に示す多層セラミックス基板１０は、複数のモジュール回路チップ１０１が分割予定ライン１０２によって区画されるとともに表面１０aに分割予定ライン１０２の位置を示すマーク１０３a1,１０３a2,１０３a3・・・１０３an、１０３b1,１０３b2,１０３b3・・・１０３bn、１０３c1,１０３c2,１０３c3・・・１０３cn、１０３d1,１０３d2,１０３d3・・・１０３ｄnが形成されている。このように構成された多層セラミックス基板１０は、焼結され厚みが０．３〜０．８mm形成されている。このように焼結された多層セラミックス基板１０は、焼結によって歪が生ずるため、上記１０３a1,１０３a2,１０３a3・・・１０３an、１０３b1,１０３b2,１０３b3・・・１０３bn、１０３c1,１０３c2,１０３c3・・・１０３cn、１０３d1,１０３d2,１０３d3・・・１０３ｄnの位置が僅かに変化している。
【００１３】
以下、上記多層セラミックス基板１０を個々のモジュール回路チップ１０１に分割する方法について説明する。
【００１４】
図２には、上記多層セラミックス基板１０にストリート１０２に沿ってレーザー加工溝を形成するためのレーザー加工装置の斜視図が示されている。
図２に示すレーザー加工装置２は、静止基台２０と、該静止基台２０に矢印Ｘで示す加工送り方向(X軸方向)に移動可能に配設され被加工物を保持する被加工物保持機構３と、静止基台２０に加工送り方向(X軸方向)と直交する矢印Ｙで示す割り出し送り方向(Y軸方向)に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット支持機構５と、該レーザー光線照射ユニット支持機構５に矢印Ｚで示す集光点位置調整方向（Ｚ軸方向）に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット６とを具備している。
【００１５】
上記被加工物保持機構３は、静止基台２０上に矢印Ｘで示す加工送り方向（X軸方向）に沿って平行に配設された一対の案内レール２１、２１と、該一対の案内レール２１、２１上にX軸方向に移動可能に配設された移動基台３１と、該移動基台３１上に配設された支持基台３２と、該支持基台３２上に配設された被加工物保持手段４とを含んでいる。移動基台３１は矩形状に形成され、下面には一対の案内レール２１、２１に嵌合する一対の被案内溝３１１、３１１が設けられており、この被案内溝３１１、３１１を案内レール２１、２１に嵌合することにより、移動基台３１は案内レール２１、２１に沿って移動可能に構成される。このようにして案内レール２１、２１上に移動可能に配設された移動基台３１は、加工送り手段３３によって一対の案内レール２１に沿って移動せしめられる。加工送り手段３３は、一対の案内レール２１、２１間に配設され案内レール２１、２１と平行に延びる雄ネジロッド３３１と、該雄ネジロッド３３１を回転駆動するサーボモータ３３２を具備している。雄ネジロッド３３１は、上記移動基台３１に設けられたネジ穴３１２と螺合して、その先端部が軸受部材３３３によって回転自在に支持されている。従って、サーボモータ３３２によって雄ネジロッド３３１を正転および逆転駆動することにより、移動基台３１は案内レール２１、２１に沿ってX軸方向に移動せしめられる。
【００１６】
上記移動基台３１上に配設された支持基台３２は、図３および図４に示すように下板３２１と上板３２２および下板３２１と上板３２２の一端を連結する連結板３２３とからなり、他方が開放されている。支持基台３２を構成する上板３２２には、図４に示すように円形の穴３２２aが設けられている。このように構成された支持基台３２は、図２に示すように開放部がレーザー光線照射ユニット６側に向けて下板３２１が上記移動基台３１上に配設される。
【００１７】
上述した支持基台３２を構成する上板３２２上に被加工物保持手段４が配設される。被加工物保持手段４は、図３に示すように支持部材４１と、該支持部材４１に回転可能に支持される回転筒４２と、該回転筒４２の上端に装着される被加工物保持部材４３とを具備している。支持部材４１は、図４に示すようにベース部４１１と、該ベース部４１１の中心部に上方に突出して形成された円筒状の支持部４１２とからなっている。ベース部４１１は、上記支持基台３２を構成する上板３２２に設けられた円形の穴３２２aと同径の穴を備えた環状に形成されている。このベース部４１１の上面には環状の嵌合凸部４１１bが設けられている。この環状の嵌合凸部４１１bが形成されたベース部４１１には嵌合凸部４１１bの上面に開口する通路４１１cが設けられており、この通路４１１cが支持基台３２を構成する上板３２２に形成された通路３２２bを介して図示しない吸引手段に連通されている。
【００１８】
上記支持部材４１に回転可能に支持される回転筒４２は、下面に支持部材４１を構成するベース部４１１に設けられた環状の嵌合凸部４１１bに嵌合する環状溝４２１が設けられている。また、回転筒４２には、環状溝４２１に開口するとともに上面に開口する吸引通路４２２が形成されている。なお、回転筒４２の下部外周には、環状の歯車４２３が設けられている。このように構成された回転筒４２は円筒状の支持部４１２を囲繞して配設され、環状溝４２１を支持部材４１を構成するベース部４１１に設けられた環状の嵌合凸部４１１bに嵌合するとともに、支持部材４１を構成する支持部４１２に軸受け４４によって回転可能に支持される。このように回転筒４２が支持部材４１を構成する支持部４１２に回転可能に支持された状態で、環状の歯車４２３が支持基台３２を構成する上板３２２に配設されたサーボモータ４５の駆動軸に装着された駆動歯車４６に噛み合うようになっている。以上のように構成された回転筒４２の上端部には、後述する環状のフレームを固定するためのクランプ４７が配設されている。
【００１９】
上記回転筒４２の上端に装着される被加工物保持部材４３は、ガラス板等の透明部材によって円板状に形成されており、回転筒４２の上面に適宜の接着剤によって装着されている。この被加工物保持部材４３の上面には、外周部に環状の吸引溝４３１が形成されている。また、被加工物保持部材４３には、環状の吸引溝４３１と上記回転筒４２に設けられた吸引通路４２２と連通する通路４３２が設けられている。従って、図示しない吸引手段を作動すると、上記支持基台３２を構成する上板３２２に設けられた通路３２２b、支持部材４１を構成するベース部４１１に設けられた通路４１１c、回転筒４２に設けられた環状溝４２１および吸引通路４２２、通路４３２を介して環状の吸引溝４３１に負圧が作用せしめられる。
【００２０】
図２に戻って説明を続けると、上記レーザー光線照射ユニット支持機構５は、静止基台２０上に矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に沿って平行に配設された一対の案内レール５１、５１と、該一対の案内レール５１、５１上に矢印Ｙで示す方向に移動可能に配設された可動支持基台５２を具備している。この可動支持基台５２は、一対の案内レール５１、５１上に移動可能に配設された移動支持部５２１と、該移動支持部５２１に取り付けられた装着部５２２とからなっている。移動支持部５２１の下面には上記一対の案内レール５１、５１と嵌合する一対の被案内溝５２１a、５２１aが形成されており、この一対の被案内溝５２１a、５２１aを一対の案内レール５１、５１に嵌合することにより、可動支持基台５２は一対の案内レール５１、５１に沿って移動可能に構成される。また、装着部５２２は、一側面に被加工物保持手段４を構成する被加工物保持部材４３の上面（保持面）に対して垂直な矢印Zで示す集光点調整方向（Z軸方向）に延びる一対の案内レール５２２a、５２２aが平行に設けられている。図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット支持機構５は、可動支持基台５２を一対の案内レール５１、５１に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動させるための割り出し送り手段５３を具備している。割り出し送り手段５３は、上記一対の案内レール５１、５１の間に平行に配設された雄ネジロッド５３１と、該雄ネジロッド５３１を回転駆動するためのパルスモータ５３２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド５３１は、その一端が上記静止基台２０に固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ５３２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド５３１は、可動支持基台５２を構成する移動支持部５２１の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された雌ネジ穴に螺合されている。このため、パルスモータ５３２によって雄ネジロッド５３１を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台５２は案内レール５１、５１に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動せしめられる。
【００２１】
図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット６は、ユニットホルダ６１と、該ユニットホルダ６１に取り付けられたレーザー光線照射手段６２を具備している。ユニットホルダ６１は、上記装着部５２２に設けられた一対の案内レール５２２a、５２２aに摺動可能に嵌合する一対の被案内溝６１１、６１１が設けられており、この被案内溝６１１、６１１を上記案内レール５２２a、５２２aに嵌合することにより、矢印Ｚで示す集光点位置調整方向（Ｚ軸方向）に移動可能に支持される。
【００２２】
図示のレーザー光線照射ユニット６は、上記ユニットホルダ６１とレーザー光線照射手段６２を含んでいる。レーザー光線照射手段６２はユニットホルダ６１に固定され実質上水平に延出する円筒形状のケーシング６２１と、該ケーシング６２１内に配設されたＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器等のレーザー光線発振手段（図示せず）と、ケーシング６２１の先端に配設されレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光して上記被加工物保持手段４の被加工物保持部材４３上に保持された被加工物に照射する集光器６２２を具備している。
【００２３】
上記レーザー光線照射手段６２を構成するケーシング６２１の前端部には、上記レーザー光線照射手段６２によってレーザー加工すべき加工領域を検出する撮像手段７が配設されている。この撮像手段７は、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子（ＣＣＤ）等を備え、撮像した画像信号を後述する制御手段に送る。なお、第１の撮像手段７は、レーザー光線照射手段６２の集光器６２２と加工送り方向(X軸方向)に対して同一軸線上に配設されている。
【００２４】
図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット６は、ユニットホルダ６１を一対の案内レール５２２a、５２２aに沿って矢印Ｚで示す集光点位置調整方向（Ｚ軸方向）に移動させるための集光点位置調整手段６３を具備している。集光点位置調整手段６３は、一対の案内レール５２２a、５２２aの間に配設された雄ネジロッド（図示せず）と、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ６３２等の駆動源を含んでおり、パルスモータ６３２によって図示しない雄ネジロッドを正転または逆転駆動することにより、ユニットホルダ６１およびレーザー光線照射手段６２を一対の５２２a、５２２aに沿って矢印Ｚで示す集光点位置調整方向（Ｚ軸方向）に移動せしめる。
【００２５】
図２を参照して説明を続けると、上記レーザー光線照射ユニット支持機構５の可動支持基台５２を構成する移動支持部５２１の上面には、後述するレーザー加工溝を検出するための第２の撮像手段８が配設されている。この第２の撮像手段８は、支持手段８１に支持されている。このように支持手段８１によって支持された第２の撮像手段８は、レーザー光線照射手段６２の集光器６２２の直下に位置付けられている。
【００２６】
図示の実施形態におけるレーザー加工機は、図５に示す制御手段９を具備している。制御手段９はマイクロコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置（ＣＰＵ）９１と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ（ＲＯＭ）９２と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）９３と、入力インターフェース９４および出力インターフェース９５とを備えている。このように構成された制御手段９の入力インターフェース９４には、上記第１の撮像手段７、第２の撮像手段８等からの検出信号が入力される。また、出力インターフェース９５からは、上記パルスモータ３３２、パルスモータ５３２、パルスモータ６３２、レーザー光線照射手段６２等に制御信号を出力するとともに、表示手段９６に表示信号を出力する。
【００２７】
次に、上述したレーザー加工装置２を用いて上記多層セラミックス基板１０に分割予定ライン１０２に沿ってレーザー加工溝を形成する方法について説明する。
上述した多層セラミックス基板１０の分割予定ライン１０２に沿ってレーザー加工溝を形成するには、先ず図６に示すように環状のフレームF1に装着されたダイシングテープT1の表面に多層セラミックス基板１０の裏面１０bを貼着する。このようにした環状のフレームF1に装着されたダイシングテープT1の表面に貼着された多層セラミックス基板１０を、図２に示すレーザー加工装置２の被加工物保持手段４を構成する被加工物保持部材４３の上面（保持面）に載置する。そして、環状のフレームF1をクランプ４７によって固定する。次に、図示しない吸引手段を作動することにより、上述したように被加工物保持部材４３に形成された環状の吸引溝４３１に負圧を作用せしめ、被加工物保持部材４３の保持面（上面）上に載置されダイシングテープT1を介して多層セラミックス基板１０を吸引保持する（多層セラミックス基板保持工程）。
【００２８】
上述したように多層セラミックス基板保持工程を実施したならば、加工送り手段３３を作動して多層セラミックス基板１０を吸引保持した被加工物保持手段４を第１の撮像手段７の直下に位置付ける。被加工物保持手段４が第１の撮像手段７の直下に位置付けられると、第１の撮像手段７および制御手段９によって多層セラミックス基板１０の表面１０aに形成されたマーク１０３a1と１０３b1を撮像し、マーク１０３a1と１０３b1を結ぶ分割予定ライン１０２が加工送り方向(X軸方向)と平行であるか否か確認する。もし、マーク１０３a1と１０３b1を結ぶ分割予定ライン１０２が加工送り方向(X軸方向)と平行でない場合には、被加工物保持部材４３を回動してマーク１０３a1と１０３b1を結ぶ分割予定ライン１０２が加工送り方向(X軸方向)と平行となるように調整する（第１のアライメント工程）。
【００２９】
上述した第１のアライメント工程を実施したならば、被加工物保持手段４を移動して図７の（ａ）で示すようにマーク１０３a1と１０３b1を結ぶ分割予定ライン１０２の一端（図において左端）を集光器６２２の直下に位置付ける。そして、制御手段９はレーザー光線照射手段６２に制御信号を出力し、集光器６２２から多層セラミックス基板１０に対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつ被加工物保持手段４を矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図７の(b)で示すように集光器６２２の照射位置がマーク１０３a1と１０３b1を結ぶ分割予定ライン１０２の他端（図７の(b)において右端）に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止する（第１のレーザー加工溝形成工程）。この第１のレーザー加工溝形成工程においては、パルスレーザー光線の集光点Ｐを図７の(a)に示すように多層セラミックス基板１０の表面１０a（上面）付近に合わせる。この結果、図７の(b)および図７の(c)に示すように多層セラミックス基板１０にはマーク１０３a1と１０３b1を結ぶ分割予定ライン１０２に沿って破断起点となる第１のレーザー加工溝１１０が形成される。
【００３０】
上記第１のレーザー加工溝形成工程の加工条件は、次の通りに設定されている。
光源 ：ＹＡＧレーザーまたはＹＶＯ４レーザー
波長 ：３５５ｎｍ（紫外光）
出力 ：５Ｗ
繰り返し周波数：３０ｋＨｚ
集光スポット径：φ２０μｍ
加工送り速度 ：１５０ｍｍ／秒
【００３１】
上記加工条件によって第１のレーザー加工溝形成工程を実施することにより、多層セラミックス基板１０の表面１０aにはマーク１０３a1と１０３b1を結ぶ分割予定ライン１０２に沿って幅が２０μｍで深さが５０μｍの第１のレーザー加工溝１１０が形成される。
【００３２】
上述したように多層セラミックス基板１０の表面１０aにマーク１０３a1と１０３b1を結ぶ分割予定ライン１０２に沿って第１のレーザー加工溝１１０を形成したならば、マーク１０３a2と１０３b2を結ぶ分割予定ライン１０２に対して上記第１のアライメント工程および第１のレーザー加工溝形成工程を実施し、多層セラミックス基板１０にマーク１０３a2と１０３b2を結ぶ分割予定ライン１０２に沿って第１のレーザー加工溝１１０を形成する。以後、マーク１０３a3と１０３b3を結ぶ分割予定ライン１０２からマーク１０３anと１０３bnを結ぶ分割予定ライン１０２まで順次上記第１のアライメント工程および第１のレーザー加工溝形成工程を実施する。この結果、多層セラミックス基板１０の表面１０aには、所定方向に形成された全ての分割予定ライン１０２に沿って第１のレーザー加工溝１１０が形成される。
【００３３】
以上のようにして多層セラミックス基板１０の表面１０aに所定方向に形成された全ての分割予定ライン１０２に沿って第１のレーザー加工溝１１０が形成したならば、被加工物保持手段４、を９０度回動せしめる。そして、上記所定方向と直交する方向に形成されたマーク１０３c1と１０３d1を結ぶ分割予定ライン１０２、マーク１０３c2と１０３d2を結ぶ分割予定ライン１０２、マーク１０３c3と１０３d3を結ぶ分割予定ライン１０２、・・・１０３ｄnと・・・１０３ｄnを結ぶ分割予定ライン１０２に対して上記第１のアライメント工程および第１のレーザー加工溝形成工程を実施する。この結果、図８に示すように多層セラミックス基板１０の表面１０aには、全ての分割予定ライン１０２に沿って破断起点となる第１のレーザー加工溝１１０が形成される。
【００３４】
次に、上述した第１のレーザー加工溝形成工程が実施された多層セラミックス基板１０を環状のフレームF1に装着されたダイシングテープT1から剥離する。そして、図９に示すように環状のフレームF2に装着されたダイシングテープT2の表面に多層セラミックス基板１０の裏面１０bを貼着する。なお、ダイシングテープT2は、半透明性を有する合成樹脂シートからなっている。このようにした環状のフレームF2に装着されたダイシングテープT2の表面に貼着された多層セラミックス基板１０を、図２に示すレーザー加工装置２の被加工物保持手段４を構成する被加工物保持部材４３の上面（保持面）に載置する。そして、環状のフレームF2をクランプ４７によって固定する。次に、図示しない吸引手段を作動することにより、上述したように被加工物保持部材４３に形成された環状の吸引溝４３１に負圧を作用せしめ、被加工物保持部材４３の保持面（上面）上に載置されダイシングテープT2を介して多層セラミックス基板１０を吸引保持する。（多層セラミックス基板保持工程）。
【００３５】
上述したように多層セラミックス基板保持工程を実施したならば、加工送り手段３３を作動して図１０に示すように多層セラミックス基板１０を吸引保持した被加工物保持手段４を第２の撮像手段８の直上、即ち集光器６２２と第２の撮像手段８との間に移動し、多層セラミックス基板１０の表面１０aに所定方向に形成された図において最左端の第１のレーザー加工溝１１０（例えば、上記第１のレーザー加工溝形成工程においてマーク１０３a1と１０３b1を結ぶ分割予定ライン１０２に沿って形成された第１のレーザー加工溝１１０）を第２の撮像手段８の直上に位置付ける。そして、第２の撮像手段８および制御手段９によって多層セラミックス基板１０の表面１０aに形成された第１のレーザー加工溝１１０を撮像し、第１のレーザー加工溝１１０が加工送り方向(X軸方向)と平行であるか否か確認する。このとき、多層セラミックス基板１０の表面１０aはダイシングテープT2に貼着されているが、ダイシングテープT2が半透明性を有する合成樹脂シートからなっているので、第２の撮像手段８はダイシングテープT2を通して多層セラミックス基板１０の表面１０aに形成された第１のレーザー加工溝１１０を撮像することができる。このようにして第２の撮像手段８によって撮像された第１のレーザー加工溝１１０が加工送り方向(X軸方向)と平行ない場合には、被加工物保持部材４３を回動して第１のレーザー加工溝１１０が加工送り方向(X軸方向)と平行となるように調整する（第２のアライメント工程）。
【００３６】
上述した第２のアライメント工程を実施したならば、被加工物保持手段４を移動して図１１の（ａ）で示すように第２のアライメント工程を実施した第１のレーザー加工溝１１０の一端（図において左端）を第２の撮像手段８の直上、即ち集光器６２２の直下に位置付ける。そして、制御手段９はレーザー光線照射手段６２に制御信号を出力し、集光器６２２から多層セラミックス基板１０に対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつ被加工物保持手段４を矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図１１の(b)で示すように集光器６２２の照射位置が分割予定ライン１０２の他端（図１１の(b)において右端）に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止する（第１のレーザー加工溝形成工程）。この第１のレーザー加工溝形成工程においては、パルスレーザー光線の集光点Ｐを図１１の(a)に示すように多層セラミックス基板１０の裏面１０b（上面）付近に合わせる。この結果、図１１の(b)および図１１の(c)に示すように多層セラミックス基板１０の裏面１０bには、表面１０aに形成された第１のレーザー加工溝１１０に沿って破断起点となる第２のレーザー加工溝１２０が形成される。
【００３７】
上述した第２のレーザー加工溝形成工程の加工条件は、上記第１のレーザー加工溝形成工程の加工条件と同一でよい。従って、多層セラミックス基板１０の裏面１０bには、表面１０aに形成された第１のレーザー加工溝１１０に沿って幅が２０μｍで深さが５０μｍの第２のレーザー加工溝１２０が形成される。
【００３８】
上述したように多層セラミックス基板１０の裏面１０bに第１のレーザー加工溝１１０に沿って第２のレーザー加工溝１２０を形成したならば、割り出し送り手段５３を作動して隣接する第１のレーザー加工溝１１０を第２の撮像手段８の直上に位置付け、上記第２のアライメント工程を実施する。そして、第２のアライメント工程が実施された第１のレーザー加工溝１１０に沿って上記第２のレーザー加工溝形成工程を実施することにより、多層セラミックス基板１０の裏面１０bに第１のレーザー加工溝１１０に沿って第２のレーザー加工溝１２０を形成する。以後、順次隣接する第１のレーザー加工溝１１０に沿って上記第２のアライメント工程および第２のレーザー加工溝形成工程を実施する。この結果、多層セラミックス基板１０の裏面１０bには、表面１０aに所定方向に形成された全ての第１のレーザー加工溝１１０に沿って第２のレーザー加工溝１２０が形成される。
【００３９】
以上のように、第２のレーザー加工溝形成工程は、第１のレーザー加工溝形成工程において多層セラミックス基板１０の表面１０aに形成された第１のレーザー加工溝１１０を第２の撮像手段８によって検出し、検出された第１のレーザー加工溝１１０に沿って多層セラミックス基板１０の裏面１０bに第２のレーザー加工溝１２０を形成するので、第２のレーザー加工溝１２０を第１のレーザー加工溝１１０と対応した位置に正確に形成することができる。
【００４０】
以上のようにして多層セラミックス基板１０の裏面１０bに所定方向に形成された第１のレーザー加工溝１１０に沿って第２のレーザー加工溝１２０が形成したならば、被加工物保持手段４を９０度回動せしめる。そして、上記所定方向と直交する方向に形成された第１のレーザー加工溝１１０に沿って上記第２のアライメント工程および第２のレーザー加工溝形成工程を実施する。この結果、図１２に示すように多層セラミックス基板１０の裏面１０bには、表面１０aに形成された全ての第１のレーザー加工溝１１０に沿って破断起点となる第２のレーザー加工溝１２０が形成される。
【００４１】
上述した第１のレーザー加工溝形成工程および第２のレーザー加工溝形成工程を実施したならば、多層セラミックス基板１０に外力を付与し、第１のレーザー加工溝１１０および第２のレーザー加工溝１２０に沿って破断する破断工程を実施する。この破断工程は図１３に示す破断装置を用いて実施する。図１３に示す破断装置１５は、上記環状のフレームF2を保持するフレーム保持手段１５０と、該フレーム保持手段１５０に保持された環状のフレームF2に装着されたダイシングテープT2に貼着されている多層セラミックス基板１０（第１のレーザー加工溝１１０および第２のレーザー加工溝１２０が形成されている）をダイシングテープT2を介して支持する支持台１６０と、ダイシングテープT2に貼着されている第１のレーザー加工溝１１０および第２のレーザー加工溝１２０に沿って押圧する押圧部材１７０を具備している。
【００４２】
上記フレーム保持手段１５０は、環状のフレーム保持部材１５１と、該フレーム保持部材１５１の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ１５２とからなっている。フレーム保持部材１５１の上面は環状のフレームF2を載置する載置面１５１aを形成しており、この載置面１５１a上に環状のフレームF2が載置される。そして、載置面１５１a上に載置された環状のフレームF2は、クランプ１５２によってフレーム保持部材１５１に固定される。上記支持台１６０は、図１３において紙面に垂直な方向に多層セラミックス基板１０の幅より長い長方形状の板状物からなり、上面に長手方向（紙面に垂直な方向）に沿って形成された溝１６１を備えている。上記押圧部材１７０は、図１３において紙面に垂直な方向に多層セラミックス基板１０の幅より長い長方形状の板状物からなり、下端部が鋭角に先細りした押圧部１７１に形成されている。このように構成された押圧部材１７０は、支持台１６０の上方に対向して配設され、図１３において上下方向に移動可能に構成されている。以上のように構成された破断装置１５は、フレーム保持手段１５０が回動可能で且つ支持台１６０および押圧部材１７０に対して図１３において左右方向に移動可能に構成されている。
【００４３】
図示の実施形態における破断装置１５は以上のように構成されており、上述した第１のレーザー加工溝１１０および第２のレーザー加工溝１２０が形成された多層セラミックス基板１０を第１のレーザー加工溝１１０および第２のレーザー加工溝１２０に沿って破断するには、多層セラミックス基板１０をダイシングテープT2を介して支持した環状のフレームF2を、図１３に示すようにフレーム保持手段１５０を構成するフレーム保持部材１５１の載置面１５１a上に載置し、クランプ１５２によってフレーム保持部材１５１に固定する。
【００４４】
上述したように、多層セラミックス基板１０をダイシングテープT2を介して支持した環状のフレームF2を、フレーム保持手段１５０を構成するフレーム保持部材１５１に固定したならば、フレーム保持手段１５０を作動して、多層セラミックス基板１０に形成された最左端の第１のレーザー加工溝１１０および第２のレーザー加工溝１２０を支持台１６０の上面に形成された溝１６１の直上に位置付ける。次に、押圧部材１７０を図１３において実線で示す待機位置から破線で示す位置まで下方に移動して、押圧部１７１の先端を第２のレーザー加工溝１２０に沿って押圧する。この結果、多層セラミックス基板１０は、押圧部材１７０の押圧部１７１によって押圧された第１のレーザー加工溝１１０および第２のレーザー加工溝１２０が破断起点となって第１のレーザー加工溝１１０および第２のレーザー加工溝１２０に沿って破断される（破断工程）。この破断工程においては第１のレーザー加工溝１１０および第２のレーザー加工溝１２０が破断起点となって第１のレーザー加工溝１１０と第２のレーザー加工溝１２０とを結ぶ直線領域に亀裂が生成され、多層セラミックス基板１０は第１のレーザー加工溝１１０および第２のレーザー加工溝１２０から逸れることなく破断される。
【００４５】
上述したように多層セラミックス基板１０に形成された図１３において最左端の第１のレーザー加工溝１１０および第２のレーザー加工溝１２０に沿って破断工程を実施したならば、フレーム保持手段１５０を作動して隣接する第１のレーザー加工溝１１０および第２のレーザー加工溝１２０を支持台１６０の上面に形成された溝１６１の直上に位置付け、押圧部材１７０を作動して上記破断工程を実施する。以後、順次隣接する第１のレーザー加工溝１１０および第２のレーザー加工溝１２０に沿って上記破断工程を実施する。この結果、多層セラミックス基板１０は、所定方向に形成された全ての第１のレーザー加工溝１１０および第２のレーザー加工溝１２０に沿って破断される。
【００４６】
以上のようにして多層セラミックス基板１０を所定方向に形成された全ての第１のレーザー加工溝１１０および第２のレーザー加工溝１２０に沿って破断したならば、フレーム保持手段１５０を９０度回動せしめる。そして、上記所定方向と直交する方向に形成された第１のレーザー加工溝１１０および第２のレーザー加工溝１２０に沿って破断工程を実施する。この結果、多層セラミックス基板１０は、図１４に示すように第１のレーザー加工溝１１０および第２のレーザー加工溝１２０に沿って破断され、個々のモジュール回路チップ１０１に分割される。
【符号の説明】
【００４７】
２：レーザー加工装置
２０：静止基台
３：被加工物保持機構
３１：移動基台
３２：支持基台
３３：加工送り手段
４：被加工物保持手段
４１：支持部材
４２：回転筒
４３：被加工物保持部材
５：レーザー光線照射ユニット支持機構
５２：可動支持基台
５３：割り出し送り手段
６：レーザー光線照射ユニット
６２：レーザー光線照射手段
６２２：集光器
７：第１の撮像手段
８：第２の撮像手段
１０：多層セラミックス基板
１５：破断装置
１５０：フレーム保持手段
１６０：支持台
１７０：押圧部材
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のモジュール回路チップが分割予定ラインによって区画され焼結された多層セラミックス基板を、分割予定ラインに沿って分割する多層セラミックス基板の分割方法に関する。
【０００２】
圧電素子やコンデンサー等の多層セラミックス基板は、焼結した後に予め設定された分割予定ラインに沿って分割することにより、個々のデバイスに分割される。しかるに、多層セラミックス基板は焼結によって収縮して歪が生ずるため、焼結前に予め付けておいた分割予定ラインの基準となるマーク（目印）の位置がずれてしまうため、シリコン基板のように１本の分割予定ラインをアライメントしてインデックス送りで切断することが困難である。
【０００３】
上記問題を解消するために、多層セラミックス基板に設けられた分割予定ラインの基準となるマーク（目印）をアライメントしてそのアライメント情報を制御手段のメモリに格納し、このアライメント情報に基づいて分割予定ラインに沿って切削する切削方法が下記特許文献１に開示されている。
【０００４】
また、近年においては、水晶発信器やICチップ等の素子をビルトアップするビルトアップ基板として多層に配線されたバンドパスフィルタ等を内蔵した多層セラミックス基板がLTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics)、HTCC(High Temperature Co-fired Ceramics)等のモジュール回路チップとして実用化されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平９−５２２２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述したLTCCやHTCCは、アルミナ等のセラミックスを積層して０．３〜０．８mmの厚みに形成し、その後に焼結してから分割予定ラインに沿ってモジュール回路チップに分割される。このような多層セラミックス基板も焼結するため、歪が生じ焼結前に予め付けておいた分割予定ラインの基準となるパターン（目印）の位置がずれてしまう。また、アルミナ等のセラミックスを積層した多層セラミックス基板は非常に硬く、切削ブレードによる分割が困難であるという問題がある。
【０００７】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、複数のモジュール回路チップが分割予定ラインによって区画され焼結された多層セラミックス基板を、分割予定ラインに沿って正確に分割することができる多層セラミックス基板の分割方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、複数のモジュール回路チップが分割予定ラインによって区画されるとともに表面に分割予定ラインの位置を示すマークが形成され焼結された多層セラミックス基板を、個々のモジュール回路チップに分割する多層セラミックス基板の分割方法であって、
該マークを検出して多層セラミックス基板の表面に分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射し、多層セラミックス基板の表面に分割起点となる第１のレーザー加工溝を形成する第１のレーザー加工溝形成工程と、
第１のレーザー加工溝形成工程が実施された多層セラミックス基板の表裏を反転して表面に形成された第１のレーザー加工溝を撮像手段によって検出し、第１のレーザー加工溝と対応する裏面にレーザー光線を照射し、多層セラミックス基板の裏面に分割起点となる第２のレーザー加工溝を形成する第２のレーザー加工溝形成工程と、
多層セラミックス基板に外力を付与し、第１のレーザー加工溝および第２のレーザー加工溝に沿って破断する破断工程と、を含む、
ことを特徴とする多層セラミックス基板の分割方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明による多層セラミックス基板の分割方法においては、分割予定ラインの位置を示すマークを検出して多層セラミックス基板の表面に分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射し、多層セラミックス基板の表面に分割起点となる第１のレーザー加工溝を形成する第１のレーザー加工溝形成工程を実施した後に、多層セラミックス基板の表裏を反転して表面に形成された第１のレーザー加工溝を撮像手段によって検出し、第１のレーザー加工溝と対応する裏面にレーザー光線を照射し、多層セラミックス基板の裏面に分割起点となる第２のレーザー加工溝を形成する第２のレーザー加工溝形成工程を実施するので、第２のレーザー加工溝を第１のレーザー加工溝と対応した位置に正確に形成することができる。従って、多層セラミックス基板に外力を付与し、第１のレーザー加工溝および第２のレーザー加工溝に沿って破断する破断工程においては、第１のレーザー加工溝および第２のレーザー加工溝が破断起点となって第１のレーザー加工溝と第２のレーザー加工溝とを結ぶ直線領域に亀裂が生成され、多層セラミックス基板は第１のレーザー加工溝および第２のレーザー加工溝から逸れることなく正確に破断される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明による多層セラミックス基板の分割方法によって分割される多層セラミックス基板の斜視図。
【図２】図１に示す多層セラミックス基板に本発明による多層セラミックス基板の分割方法における第１のレーザー加工溝形成工程および第２のレーザー加工溝形成工程を実施するためのレーザー加工装置の斜視図。
【図３】図２に示すレーザー加工装置に装備される被加工物保持機構の構成部材を分解して示す斜視図。
【図４】図３に示す被加工物保持機構の要部断面図。
【図５】図２に示すレーザー加工装置に装備される制御手段のブロック構成図。
【図６】図１に示す多層セラミックス基板の裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープの上面に貼着した状態を示す斜視図。
【図７】図２に示すレーザー加工装置によって実施する本発明による多層セラミックス基板の分割方法における第１のレーザー加工溝形成工程の説明図。
【図８】本発明による多層セラミックス基板の分割方法における第１のレーザー加工溝形成工程が実施された多層セラミックス基板の斜視図。
【図９】本発明による多層セラミックス基板の分割方法における第１のレーザー加工溝形成工程が実施された多層セラミックス基板の表面を環状のフレームに装着されたダイシングテープの上面に貼着した状態を示す斜視図。
【図１０】本発明による多層セラミックス基板の分割方法における第２のアライメント工程の説明図。
【図１１】本発明による多層セラミックス基板の分割方法における第２のレーザー加工溝形成工程の説明図。
【図１２】本発明による多層セラミックス基板の分割方法における第２のレーザー加工溝形成工程が実施された多層セラミックス基板の斜視図。
【図１３】本発明による多層セラミックス基板の分割方法における破断工程の説明図。
【図１４】本発明による多層セラミックス基板の分割方法によって分割された多層セラミックス基板の斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明による多層セラミックス基板の分割方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１２】
図１には本発明による多層セラミックス基板の分割方法によって分割される多層セラミックス基板の斜視図が示されている。
図１に示す多層セラミックス基板１０は、複数のモジュール回路チップ１０１が分割予定ライン１０２によって区画されるとともに表面１０aに分割予定ライン１０２の位置を示すマーク１０３a1,１０３a2,１０３a3・・・１０３an、１０３b1,１０３b2,１０３b3・・・１０３bn、１０３c1,１０３c2,１０３c3・・・１０３cn、１０３d1,１０３d2,１０３d3・・・１０３ｄnが形成されている。このように構成された多層セラミックス基板１０は、焼結され厚みが０．３〜０．８mm形成されている。このように焼結された多層セラミックス基板１０は、焼結によって歪が生ずるため、上記１０３a1,１０３a2,１０３a3・・・１０３an、１０３b1,１０３b2,１０３b3・・・１０３bn、１０３c1,１０３c2,１０３c3・・・１０３cn、１０３d1,１０３d2,１０３d3・・・１０３ｄnの位置が僅かに変化している。
【００１３】
以下、上記多層セラミックス基板１０を個々のモジュール回路チップ１０１に分割する方法について説明する。
【００１４】
図２には、上記多層セラミックス基板１０にストリート１０２に沿ってレーザー加工溝を形成するためのレーザー加工装置の斜視図が示されている。
図２に示すレーザー加工装置２は、静止基台２０と、該静止基台２０に矢印Ｘで示す加工送り方向(X軸方向)に移動可能に配設され被加工物を保持する被加工物保持機構３と、静止基台２０に加工送り方向(X軸方向)と直交する矢印Ｙで示す割り出し送り方向(Y軸方向)に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット支持機構５と、該レーザー光線照射ユニット支持機構５に矢印Ｚで示す集光点位置調整方向（Ｚ軸方向）に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット６とを具備している。
【００１５】
上記被加工物保持機構３は、静止基台２０上に矢印Ｘで示す加工送り方向（X軸方向）に沿って平行に配設された一対の案内レール２１、２１と、該一対の案内レール２１、２１上にX軸方向に移動可能に配設された移動基台３１と、該移動基台３１上に配設された支持基台３２と、該支持基台３２上に配設された被加工物保持手段４とを含んでいる。移動基台３１は矩形状に形成され、下面には一対の案内レール２１、２１に嵌合する一対の被案内溝３１１、３１１が設けられており、この被案内溝３１１、３１１を案内レール２１、２１に嵌合することにより、移動基台３１は案内レール２１、２１に沿って移動可能に構成される。このようにして案内レール２１、２１上に移動可能に配設された移動基台３１は、加工送り手段３３によって一対の案内レール２１に沿って移動せしめられる。加工送り手段３３は、一対の案内レール２１、２１間に配設され案内レール２１、２１と平行に延びる雄ネジロッド３３１と、該雄ネジロッド３３１を回転駆動するサーボモータ３３２を具備している。雄ネジロッド３３１は、上記移動基台３１に設けられたネジ穴３１２と螺合して、その先端部が軸受部材３３３によって回転自在に支持されている。従って、サーボモータ３３２によって雄ネジロッド３３１を正転および逆転駆動することにより、移動基台３１は案内レール２１、２１に沿ってX軸方向に移動せしめられる。
【００１６】
上記移動基台３１上に配設された支持基台３２は、図３および図４に示すように下板３２１と上板３２２および下板３２１と上板３２２の一端を連結する連結板３２３とからなり、他方が開放されている。支持基台３２を構成する上板３２２には、図４に示すように円形の穴３２２aが設けられている。このように構成された支持基台３２は、図２に示すように開放部がレーザー光線照射ユニット６側に向けて下板３２１が上記移動基台３１上に配設される。
【００１７】
上述した支持基台３２を構成する上板３２２上に被加工物保持手段４が配設される。被加工物保持手段４は、図３に示すように支持部材４１と、該支持部材４１に回転可能に支持される回転筒４２と、該回転筒４２の上端に装着される被加工物保持部材４３とを具備している。支持部材４１は、図４に示すようにベース部４１１と、該ベース部４１１の中心部に上方に突出して形成された円筒状の支持部４１２とからなっている。ベース部４１１は、上記支持基台３２を構成する上板３２２に設けられた円形の穴３２２aと同径の穴を備えた環状に形成されている。このベース部４１１の上面には環状の嵌合凸部４１１bが設けられている。この環状の嵌合凸部４１１bが形成されたベース部４１１には嵌合凸部４１１bの上面に開口する通路４１１cが設けられており、この通路４１１cが支持基台３２を構成する上板３２２に形成された通路３２２bを介して図示しない吸引手段に連通されている。
【００１８】
上記支持部材４１に回転可能に支持される回転筒４２は、下面に支持部材４１を構成するベース部４１１に設けられた環状の嵌合凸部４１１bに嵌合する環状溝４２１が設けられている。また、回転筒４２には、環状溝４２１に開口するとともに上面に開口する吸引通路４２２が形成されている。なお、回転筒４２の下部外周には、環状の歯車４２３が設けられている。このように構成された回転筒４２は円筒状の支持部４１２を囲繞して配設され、環状溝４２１を支持部材４１を構成するベース部４１１に設けられた環状の嵌合凸部４１１bに嵌合するとともに、支持部材４１を構成する支持部４１２に軸受け４４によって回転可能に支持される。このように回転筒４２が支持部材４１を構成する支持部４１２に回転可能に支持された状態で、環状の歯車４２３が支持基台３２を構成する上板３２２に配設されたサーボモータ４５の駆動軸に装着された駆動歯車４６に噛み合うようになっている。以上のように構成された回転筒４２の上端部には、後述する環状のフレームを固定するためのクランプ４７が配設されている。
【００１９】
上記回転筒４２の上端に装着される被加工物保持部材４３は、ガラス板等の透明部材によって円板状に形成されており、回転筒４２の上面に適宜の接着剤によって装着されている。この被加工物保持部材４３の上面には、外周部に環状の吸引溝４３１が形成されている。また、被加工物保持部材４３には、環状の吸引溝４３１と上記回転筒４２に設けられた吸引通路４２２と連通する通路４３２が設けられている。従って、図示しない吸引手段を作動すると、上記支持基台３２を構成する上板３２２に設けられた通路３２２b、支持部材４１を構成するベース部４１１に設けられた通路４１１c、回転筒４２に設けられた環状溝４２１および吸引通路４２２、通路４３２を介して環状の吸引溝４３１に負圧が作用せしめられる。
【００２０】
図２に戻って説明を続けると、上記レーザー光線照射ユニット支持機構５は、静止基台２０上に矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に沿って平行に配設された一対の案内レール５１、５１と、該一対の案内レール５１、５１上に矢印Ｙで示す方向に移動可能に配設された可動支持基台５２を具備している。この可動支持基台５２は、一対の案内レール５１、５１上に移動可能に配設された移動支持部５２１と、該移動支持部５２１に取り付けられた装着部５２２とからなっている。移動支持部５２１の下面には上記一対の案内レール５１、５１と嵌合する一対の被案内溝５２１a、５２１aが形成されており、この一対の被案内溝５２１a、５２１aを一対の案内レール５１、５１に嵌合することにより、可動支持基台５２は一対の案内レール５１、５１に沿って移動可能に構成される。また、装着部５２２は、一側面に被加工物保持手段４を構成する被加工物保持部材４３の上面（保持面）に対して垂直な矢印Zで示す集光点調整方向（Z軸方向）に延びる一対の案内レール５２２a、５２２aが平行に設けられている。図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット支持機構５は、可動支持基台５２を一対の案内レール５１、５１に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動させるための割り出し送り手段５３を具備している。割り出し送り手段５３は、上記一対の案内レール５１、５１の間に平行に配設された雄ネジロッド５３１と、該雄ネジロッド５３１を回転駆動するためのパルスモータ５３２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド５３１は、その一端が上記静止基台２０に固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ５３２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド５３１は、可動支持基台５２を構成する移動支持部５２１の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された雌ネジ穴に螺合されている。このため、パルスモータ５３２によって雄ネジロッド５３１を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台５２は案内レール５１、５１に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動せしめられる。
【００２１】
図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット６は、ユニットホルダ６１と、該ユニットホルダ６１に取り付けられたレーザー光線照射手段６２を具備している。ユニットホルダ６１は、上記装着部５２２に設けられた一対の案内レール５２２a、５２２aに摺動可能に嵌合する一対の被案内溝６１１、６１１が設けられており、この被案内溝６１１、６１１を上記案内レール５２２a、５２２aに嵌合することにより、矢印Ｚで示す集光点位置調整方向（Ｚ軸方向）に移動可能に支持される。
【００２２】
図示のレーザー光線照射ユニット６は、上記ユニットホルダ６１とレーザー光線照射手段６２を含んでいる。レーザー光線照射手段６２はユニットホルダ６１に固定され実質上水平に延出する円筒形状のケーシング６２１と、該ケーシング６２１内に配設されたＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器等のレーザー光線発振手段（図示せず）と、ケーシング６２１の先端に配設されレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光して上記被加工物保持手段４の被加工物保持部材４３上に保持された被加工物に照射する集光器６２２を具備している。
【００２３】
上記レーザー光線照射手段６２を構成するケーシング６２１の前端部には、上記レーザー光線照射手段６２によってレーザー加工すべき加工領域を検出する撮像手段７が配設されている。この撮像手段７は、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子（ＣＣＤ）等を備え、撮像した画像信号を後述する制御手段に送る。なお、第１の撮像手段７は、レーザー光線照射手段６２の集光器６２２と加工送り方向(X軸方向)に対して同一軸線上に配設されている。
【００２４】
図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット６は、ユニットホルダ６１を一対の案内レール５２２a、５２２aに沿って矢印Ｚで示す集光点位置調整方向（Ｚ軸方向）に移動させるための集光点位置調整手段６３を具備している。集光点位置調整手段６３は、一対の案内レール５２２a、５２２aの間に配設された雄ネジロッド（図示せず）と、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ６３２等の駆動源を含んでおり、パルスモータ６３２によって図示しない雄ネジロッドを正転または逆転駆動することにより、ユニットホルダ６１およびレーザー光線照射手段６２を一対の５２２a、５２２aに沿って矢印Ｚで示す集光点位置調整方向（Ｚ軸方向）に移動せしめる。
【００２５】
図２を参照して説明を続けると、上記レーザー光線照射ユニット支持機構５の可動支持基台５２を構成する移動支持部５２１の上面には、後述するレーザー加工溝を検出するための第２の撮像手段８が配設されている。この第２の撮像手段８は、支持手段８１に支持されている。このように支持手段８１によって支持された第２の撮像手段８は、レーザー光線照射手段６２の集光器６２２の直下に位置付けられている。
【００２６】
図示の実施形態におけるレーザー加工機は、図５に示す制御手段９を具備している。制御手段９はマイクロコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置（ＣＰＵ）９１と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ（ＲＯＭ）９２と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）９３と、入力インターフェース９４および出力インターフェース９５とを備えている。このように構成された制御手段９の入力インターフェース９４には、上記第１の撮像手段７、第２の撮像手段８等からの検出信号が入力される。また、出力インターフェース９５からは、上記パルスモータ３３２、パルスモータ５３２、パルスモータ６３２、レーザー光線照射手段６２等に制御信号を出力するとともに、表示手段９６に表示信号を出力する。
【００２７】
次に、上述したレーザー加工装置２を用いて上記多層セラミックス基板１０に分割予定ライン１０２に沿ってレーザー加工溝を形成する方法について説明する。
上述した多層セラミックス基板１０の分割予定ライン１０２に沿ってレーザー加工溝を形成するには、先ず図６に示すように環状のフレームF1に装着されたダイシングテープT1の表面に多層セラミックス基板１０の裏面１０bを貼着する。このようにした環状のフレームF1に装着されたダイシングテープT1の表面に貼着された多層セラミックス基板１０を、図２に示すレーザー加工装置２の被加工物保持手段４を構成する被加工物保持部材４３の上面（保持面）に載置する。そして、環状のフレームF1をクランプ４７によって固定する。次に、図示しない吸引手段を作動することにより、上述したように被加工物保持部材４３に形成された環状の吸引溝４３１に負圧を作用せしめ、被加工物保持部材４３の保持面（上面）上に載置されダイシングテープT1を介して多層セラミックス基板１０を吸引保持する（多層セラミックス基板保持工程）。
【００２８】
上述したように多層セラミックス基板保持工程を実施したならば、加工送り手段３３を作動して多層セラミックス基板１０を吸引保持した被加工物保持手段４を第１の撮像手段７の直下に位置付ける。被加工物保持手段４が第１の撮像手段７の直下に位置付けられると、第１の撮像手段７および制御手段９によって多層セラミックス基板１０の表面１０aに形成されたマーク１０３a1と１０３b1を撮像し、マーク１０３a1と１０３b1を結ぶ分割予定ライン１０２が加工送り方向(X軸方向)と平行であるか否か確認する。もし、マーク１０３a1と１０３b1を結ぶ分割予定ライン１０２が加工送り方向(X軸方向)と平行でない場合には、被加工物保持部材４３を回動してマーク１０３a1と１０３b1を結ぶ分割予定ライン１０２が加工送り方向(X軸方向)と平行となるように調整する（第１のアライメント工程）。
【００２９】
上述した第１のアライメント工程を実施したならば、被加工物保持手段４を移動して図７の（ａ）で示すようにマーク１０３a1と１０３b1を結ぶ分割予定ライン１０２の一端（図において左端）を集光器６２２の直下に位置付ける。そして、制御手段９はレーザー光線照射手段６２に制御信号を出力し、集光器６２２から多層セラミックス基板１０に対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつ被加工物保持手段４を矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図７の(b)で示すように集光器６２２の照射位置がマーク１０３a1と１０３b1を結ぶ分割予定ライン１０２の他端（図７の(b)において右端）に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止する（第１のレーザー加工溝形成工程）。この第１のレーザー加工溝形成工程においては、パルスレーザー光線の集光点Ｐを図７の(a)に示すように多層セラミックス基板１０の表面１０a（上面）付近に合わせる。この結果、図７の(b)および図７の(c)に示すように多層セラミックス基板１０にはマーク１０３a1と１０３b1を結ぶ分割予定ライン１０２に沿って破断起点となる第１のレーザー加工溝１１０が形成される。
【００３０】
上記第１のレーザー加工溝形成工程の加工条件は、次の通りに設定されている。
光源 ：ＹＡＧレーザーまたはＹＶＯ４レーザー
波長 ：３５５ｎｍ（紫外光）
出力 ：５Ｗ
繰り返し周波数：３０ｋＨｚ
集光スポット径：φ２０μｍ
加工送り速度 ：１５０ｍｍ／秒
【００３１】
上記加工条件によって第１のレーザー加工溝形成工程を実施することにより、多層セラミックス基板１０の表面１０aにはマーク１０３a1と１０３b1を結ぶ分割予定ライン１０２に沿って幅が２０μｍで深さが５０μｍの第１のレーザー加工溝１１０が形成される。
【００３２】
上述したように多層セラミックス基板１０の表面１０aにマーク１０３a1と１０３b1を結ぶ分割予定ライン１０２に沿って第１のレーザー加工溝１１０を形成したならば、マーク１０３a2と１０３b2を結ぶ分割予定ライン１０２に対して上記第１のアライメント工程および第１のレーザー加工溝形成工程を実施し、多層セラミックス基板１０にマーク１０３a2と１０３b2を結ぶ分割予定ライン１０２に沿って第１のレーザー加工溝１１０を形成する。以後、マーク１０３a3と１０３b3を結ぶ分割予定ライン１０２からマーク１０３anと１０３bnを結ぶ分割予定ライン１０２まで順次上記第１のアライメント工程および第１のレーザー加工溝形成工程を実施する。この結果、多層セラミックス基板１０の表面１０aには、所定方向に形成された全ての分割予定ライン１０２に沿って第１のレーザー加工溝１１０が形成される。
【００３３】
以上のようにして多層セラミックス基板１０の表面１０aに所定方向に形成された全ての分割予定ライン１０２に沿って第１のレーザー加工溝１１０が形成したならば、被加工物保持手段４、を９０度回動せしめる。そして、上記所定方向と直交する方向に形成されたマーク１０３c1と１０３d1を結ぶ分割予定ライン１０２、マーク１０３c2と１０３d2を結ぶ分割予定ライン１０２、マーク１０３c3と１０３d3を結ぶ分割予定ライン１０２、・・・１０３ｄnと・・・１０３ｄnを結ぶ分割予定ライン１０２に対して上記第１のアライメント工程および第１のレーザー加工溝形成工程を実施する。この結果、図８に示すように多層セラミックス基板１０の表面１０aには、全ての分割予定ライン１０２に沿って破断起点となる第１のレーザー加工溝１１０が形成される。
【００３４】
次に、上述した第１のレーザー加工溝形成工程が実施された多層セラミックス基板１０を環状のフレームF1に装着されたダイシングテープT1から剥離する。そして、図９に示すように環状のフレームF2に装着されたダイシングテープT2の表面に多層セラミックス基板１０の裏面１０bを貼着する。なお、ダイシングテープT2は、半透明性を有する合成樹脂シートからなっている。このようにした環状のフレームF2に装着されたダイシングテープT2の表面に貼着された多層セラミックス基板１０を、図２に示すレーザー加工装置２の被加工物保持手段４を構成する被加工物保持部材４３の上面（保持面）に載置する。そして、環状のフレームF2をクランプ４７によって固定する。次に、図示しない吸引手段を作動することにより、上述したように被加工物保持部材４３に形成された環状の吸引溝４３１に負圧を作用せしめ、被加工物保持部材４３の保持面（上面）上に載置されダイシングテープT2を介して多層セラミックス基板１０を吸引保持する。（多層セラミックス基板保持工程）。
【００３５】
上述したように多層セラミックス基板保持工程を実施したならば、加工送り手段３３を作動して図１０に示すように多層セラミックス基板１０を吸引保持した被加工物保持手段４を第２の撮像手段８の直上、即ち集光器６２２と第２の撮像手段８との間に移動し、多層セラミックス基板１０の表面１０aに所定方向に形成された図において最左端の第１のレーザー加工溝１１０（例えば、上記第１のレーザー加工溝形成工程においてマーク１０３a1と１０３b1を結ぶ分割予定ライン１０２に沿って形成された第１のレーザー加工溝１１０）を第２の撮像手段８の直上に位置付ける。そして、第２の撮像手段８および制御手段９によって多層セラミックス基板１０の表面１０aに形成された第１のレーザー加工溝１１０を撮像し、第１のレーザー加工溝１１０が加工送り方向(X軸方向)と平行であるか否か確認する。このとき、多層セラミックス基板１０の表面１０aはダイシングテープT2に貼着されているが、ダイシングテープT2が半透明性を有する合成樹脂シートからなっているので、第２の撮像手段８はダイシングテープT2を通して多層セラミックス基板１０の表面１０aに形成された第１のレーザー加工溝１１０を撮像することができる。このようにして第２の撮像手段８によって撮像された第１のレーザー加工溝１１０が加工送り方向(X軸方向)と平行ない場合には、被加工物保持部材４３を回動して第１のレーザー加工溝１１０が加工送り方向(X軸方向)と平行となるように調整する（第２のアライメント工程）。
【００３６】
上述した第２のアライメント工程を実施したならば、被加工物保持手段４を移動して図１１の（ａ）で示すように第２のアライメント工程を実施した第１のレーザー加工溝１１０の一端（図において左端）を第２の撮像手段８の直上、即ち集光器６２２の直下に位置付ける。そして、制御手段９はレーザー光線照射手段６２に制御信号を出力し、集光器６２２から多層セラミックス基板１０に対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつ被加工物保持手段４を矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図１１の(b)で示すように集光器６２２の照射位置が分割予定ライン１０２の他端（図１１の(b)において右端）に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止する（第１のレーザー加工溝形成工程）。この第１のレーザー加工溝形成工程においては、パルスレーザー光線の集光点Ｐを図１１の(a)に示すように多層セラミックス基板１０の裏面１０b（上面）付近に合わせる。この結果、図１１の(b)および図１１の(c)に示すように多層セラミックス基板１０の裏面１０bには、表面１０aに形成された第１のレーザー加工溝１１０に沿って破断起点となる第２のレーザー加工溝１２０が形成される。
【００３７】
上述した第２のレーザー加工溝形成工程の加工条件は、上記第１のレーザー加工溝形成工程の加工条件と同一でよい。従って、多層セラミックス基板１０の裏面１０bには、表面１０aに形成された第１のレーザー加工溝１１０に沿って幅が２０μｍで深さが５０μｍの第２のレーザー加工溝１２０が形成される。
【００３８】
上述したように多層セラミックス基板１０の裏面１０bに第１のレーザー加工溝１１０に沿って第２のレーザー加工溝１２０を形成したならば、割り出し送り手段５３を作動して隣接する第１のレーザー加工溝１１０を第２の撮像手段８の直上に位置付け、上記第２のアライメント工程を実施する。そして、第２のアライメント工程が実施された第１のレーザー加工溝１１０に沿って上記第２のレーザー加工溝形成工程を実施することにより、多層セラミックス基板１０の裏面１０bに第１のレーザー加工溝１１０に沿って第２のレーザー加工溝１２０を形成する。以後、順次隣接する第１のレーザー加工溝１１０に沿って上記第２のアライメント工程および第２のレーザー加工溝形成工程を実施する。この結果、多層セラミックス基板１０の裏面１０bには、表面１０aに所定方向に形成された全ての第１のレーザー加工溝１１０に沿って第２のレーザー加工溝１２０が形成される。
【００３９】
以上のように、第２のレーザー加工溝形成工程は、第１のレーザー加工溝形成工程において多層セラミックス基板１０の表面１０aに形成された第１のレーザー加工溝１１０を第２の撮像手段８によって検出し、検出された第１のレーザー加工溝１１０に沿って多層セラミックス基板１０の裏面１０bに第２のレーザー加工溝１２０を形成するので、第２のレーザー加工溝１２０を第１のレーザー加工溝１１０と対応した位置に正確に形成することができる。
【００４０】
以上のようにして多層セラミックス基板１０の裏面１０bに所定方向に形成された第１のレーザー加工溝１１０に沿って第２のレーザー加工溝１２０が形成したならば、被加工物保持手段４を９０度回動せしめる。そして、上記所定方向と直交する方向に形成された第１のレーザー加工溝１１０に沿って上記第２のアライメント工程および第２のレーザー加工溝形成工程を実施する。この結果、図１２に示すように多層セラミックス基板１０の裏面１０bには、表面１０aに形成された全ての第１のレーザー加工溝１１０に沿って破断起点となる第２のレーザー加工溝１２０が形成される。
【００４１】
上述した第１のレーザー加工溝形成工程および第２のレーザー加工溝形成工程を実施したならば、多層セラミックス基板１０に外力を付与し、第１のレーザー加工溝１１０および第２のレーザー加工溝１２０に沿って破断する破断工程を実施する。この破断工程は図１３に示す破断装置を用いて実施する。図１３に示す破断装置１５は、上記環状のフレームF2を保持するフレーム保持手段１５０と、該フレーム保持手段１５０に保持された環状のフレームF2に装着されたダイシングテープT2に貼着されている多層セラミックス基板１０（第１のレーザー加工溝１１０および第２のレーザー加工溝１２０が形成されている）をダイシングテープT2を介して支持する支持台１６０と、ダイシングテープT2に貼着されている第１のレーザー加工溝１１０および第２のレーザー加工溝１２０に沿って押圧する押圧部材１７０を具備している。
【００４２】
上記フレーム保持手段１５０は、環状のフレーム保持部材１５１と、該フレーム保持部材１５１の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ１５２とからなっている。フレーム保持部材１５１の上面は環状のフレームF2を載置する載置面１５１aを形成しており、この載置面１５１a上に環状のフレームF2が載置される。そして、載置面１５１a上に載置された環状のフレームF2は、クランプ１５２によってフレーム保持部材１５１に固定される。上記支持台１６０は、図１３において紙面に垂直な方向に多層セラミックス基板１０の幅より長い長方形状の板状物からなり、上面に長手方向（紙面に垂直な方向）に沿って形成された溝１６１を備えている。上記押圧部材１７０は、図１３において紙面に垂直な方向に多層セラミックス基板１０の幅より長い長方形状の板状物からなり、下端部が鋭角に先細りした押圧部１７１に形成されている。このように構成された押圧部材１７０は、支持台１６０の上方に対向して配設され、図１３において上下方向に移動可能に構成されている。以上のように構成された破断装置１５は、フレーム保持手段１５０が回動可能で且つ支持台１６０および押圧部材１７０に対して図１３において左右方向に移動可能に構成されている。
【００４３】
図示の実施形態における破断装置１５は以上のように構成されており、上述した第１のレーザー加工溝１１０および第２のレーザー加工溝１２０が形成された多層セラミックス基板１０を第１のレーザー加工溝１１０および第２のレーザー加工溝１２０に沿って破断するには、多層セラミックス基板１０をダイシングテープT2を介して支持した環状のフレームF2を、図１３に示すようにフレーム保持手段１５０を構成するフレーム保持部材１５１の載置面１５１a上に載置し、クランプ１５２によってフレーム保持部材１５１に固定する。
【００４４】
上述したように、多層セラミックス基板１０をダイシングテープT2を介して支持した環状のフレームF2を、フレーム保持手段１５０を構成するフレーム保持部材１５１に固定したならば、フレーム保持手段１５０を作動して、多層セラミックス基板１０に形成された最左端の第１のレーザー加工溝１１０および第２のレーザー加工溝１２０を支持台１６０の上面に形成された溝１６１の直上に位置付ける。次に、押圧部材１７０を図１３において実線で示す待機位置から破線で示す位置まで下方に移動して、押圧部１７１の先端を第２のレーザー加工溝１２０に沿って押圧する。この結果、多層セラミックス基板１０は、押圧部材１７０の押圧部１７１によって押圧された第１のレーザー加工溝１１０および第２のレーザー加工溝１２０が破断起点となって第１のレーザー加工溝１１０および第２のレーザー加工溝１２０に沿って破断される（破断工程）。この破断工程においては第１のレーザー加工溝１１０および第２のレーザー加工溝１２０が破断起点となって第１のレーザー加工溝１１０と第２のレーザー加工溝１２０とを結ぶ直線領域に亀裂が生成され、多層セラミックス基板１０は第１のレーザー加工溝１１０および第２のレーザー加工溝１２０から逸れることなく破断される。
【００４５】
上述したように多層セラミックス基板１０に形成された図１３において最左端の第１のレーザー加工溝１１０および第２のレーザー加工溝１２０に沿って破断工程を実施したならば、フレーム保持手段１５０を作動して隣接する第１のレーザー加工溝１１０および第２のレーザー加工溝１２０を支持台１６０の上面に形成された溝１６１の直上に位置付け、押圧部材１７０を作動して上記破断工程を実施する。以後、順次隣接する第１のレーザー加工溝１１０および第２のレーザー加工溝１２０に沿って上記破断工程を実施する。この結果、多層セラミックス基板１０は、所定方向に形成された全ての第１のレーザー加工溝１１０および第２のレーザー加工溝１２０に沿って破断される。
【００４６】
以上のようにして多層セラミックス基板１０を所定方向に形成された全ての第１のレーザー加工溝１１０および第２のレーザー加工溝１２０に沿って破断したならば、フレーム保持手段１５０を９０度回動せしめる。そして、上記所定方向と直交する方向に形成された第１のレーザー加工溝１１０および第２のレーザー加工溝１２０に沿って破断工程を実施する。この結果、多層セラミックス基板１０は、図１４に示すように第１のレーザー加工溝１１０および第２のレーザー加工溝１２０に沿って破断され、個々のモジュール回路チップ１０１に分割される。
【符号の説明】
【００４７】
２：レーザー加工装置
２０：静止基台
３：被加工物保持機構
３１：移動基台
３２：支持基台
３３：加工送り手段
４：被加工物保持手段
４１：支持部材
４２：回転筒
４３：被加工物保持部材
５：レーザー光線照射ユニット支持機構
５２：可動支持基台
５３：割り出し送り手段
６：レーザー光線照射ユニット
６２：レーザー光線照射手段
６２２：集光器
７：第１の撮像手段
８：第２の撮像手段
１０：多層セラミックス基板
１５：破断装置
１５０：フレーム保持手段
１６０：支持台
１７０：押圧部材
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のモジュール回路チップが分割予定ラインによって区画されるとともに表面に分割予定ラインの位置を示すマークが形成され焼結された多層セラミックス基板を、個々のモジュール回路チップに分割する多層セラミックス基板の分割方法であって、
該マークを検出して多層セラミックス基板の表面に分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射し、多層セラミックス基板の表面に分割起点となる第１のレーザー加工溝を形成する第１のレーザー加工溝形成工程と、
第１のレーザー加工溝形成工程が実施された多層セラミックス基板の表裏を反転して表面に形成された第１のレーザー加工溝を撮像手段によって検出し、第１のレーザー加工溝と対応する裏面にレーザー光線を照射し、多層セラミックス基板の裏面に分割起点となる第２のレーザー加工溝を形成する第２のレーザー加工溝形成工程と、
多層セラミックス基板に外力を付与し、第１のレーザー加工溝および第２のレーザー加工溝に沿って破断する破断工程と、を含む、
ことを特徴とする多層セラミックス基板の分割方法。
【請求項１】
複数のモジュール回路チップが分割予定ラインによって区画されるとともに表面に分割予定ラインの位置を示すマークが形成され焼結された多層セラミックス基板を、個々のモジュール回路チップに分割する多層セラミックス基板の分割方法であって、
該マークを検出して多層セラミックス基板の表面に分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射し、多層セラミックス基板の表面に分割起点となる第１のレーザー加工溝を形成する第１のレーザー加工溝形成工程と、
第１のレーザー加工溝形成工程が実施された多層セラミックス基板の表裏を反転して表面に形成された第１のレーザー加工溝を撮像手段によって検出し、第１のレーザー加工溝と対応する裏面にレーザー光線を照射し、多層セラミックス基板の裏面に分割起点となる第２のレーザー加工溝を形成する第２のレーザー加工溝形成工程と、
多層セラミックス基板に外力を付与し、第１のレーザー加工溝および第２のレーザー加工溝に沿って破断する破断工程と、を含む、
ことを特徴とする多層セラミックス基板の分割方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１２−８４７４６（Ｐ２０１２−８４７４６Ａ）
【公開日】平成２４年４月２６日（２０１２．４．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２３０８７８（Ｐ２０１０−２３０８７８）
【出願日】平成２２年１０月１３日（２０１０．１０．１３）
【出願人】（０００１３４０５１）株式会社ディスコ (2,397)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年４月２６日（２０１２．４．２６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１０月１３日（２０１０．１０．１３）
【出願人】（０００１３４０５１）株式会社ディスコ (2,397)
【Ｆターム（参考）】
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