【課題】 特に、従来に比べて、簡単な構造にて、センサの薄型化と電気的安定性等とともに質量部の質量を効果的に大きくすることが可能なＭＥＭＳセンサ及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 シリコンで形成され高さ方向にて対向配置された第１の基板１及び第２の基板２を有し、前記第１の基板１には、質量部４及び、前記質量部４と接続されるアンカ部５が形成されており、前記アンカ部５は、前記第２の基板２に固定支持されており、前記質量部４と前記第２の基板２の間には空間６が設けられており、前記質量部４の内部には、前記シリコンよりも比重が大きい金属７が埋め込まれている。 （もっと読む）

【課題】 特に、センサ部と第２の基板（支持基板）間の空間構造を改良したＭＥＭＳセンサを提供することを目的としている。
【解決手段】 第１の基板１と、第２の基板２と、第１の基板１と第２の基板２の間に介在する絶縁層３と、を有する。前記第１の基板１には、可動電極部及び固定電極部を備えて成るセンサ部４と、前記可動電極部及び前記固定電極部の夫々のアンカ部１２，１４，１７，１９が形成されている。前記アンカ部は、第２の基板２の表面に前記絶縁層３を介して固定支持されている。前記センサ部４と対面する前記第２の基板２の表面には凹部５が形成され、前記センサ部４と前記第２の基板２との間に空間が形成されている。 （もっと読む）

【課題】初期駆動に必要な印加電圧を抑えながら、マイクロミラーを容易に傾斜させる。
【解決手段】トーションバー１４Ａ、１４Ｂを介してマイクロミラー１２が揺動可能に支持されるマイクロミラーデバイス１０において、マイクロミラー１２と一体的に形成された櫛歯形状の可動電極部２０Ａ、２０Ｂに、Ｘ軸に沿ってその先端部がマイクロミラー１２に向けて延びる可動電極２６Ａ_１〜２６Ａ_４、２６Ｂ_１〜２６Ｂ_４を設ける。一方、支持フレーム１６と一体的に形成された櫛歯形状の固定電極部３０Ａ_１、３０Ａ_２、３０Ｂ_１、３０Ｂ_２に、Ｘ軸に沿ってその先端部が支持フレーム１６に向けて延び、可動電極２６Ａ_１〜２６Ａ_４、２６Ｂ_１〜２６Ｂ_２とそれぞれ交互にピッチ間隔ｓで近接配置される固定電極３６Ａ_１〜３６Ａ_４、３６Ｂ_１〜３６Ｂ_４を設ける。 （もっと読む）

【課題】デバイス特性に関わらず、マイクロミラーを効果的に大きく傾斜させる。
【解決手段】マイクロミラーデバイス１０において、可動電極２０Ａ、２０Ｂをマイクロミラー１２からＸ軸方向に延ばす一方、固定電極３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃを支持フレーム１６からマイクロミラー１２に向けて延ばし、可動電極２０Ａ、２０Ｂと交互に並んで配置させる。そして、可動電極２０Ａ、２０Ｂ、固定電極３０Ａ〜３０Ｃに、同じ幅の複数の可動電極凸部２２Ａ_１〜２２Ａ_５、固定電極凸部３２Ａ_１〜３２Ａ_５をＸ軸に沿って形成し、固定電極凸部３２Ａ_１〜３２Ａ_５のピッチ間隔を一定にする一方、可動電極凸部２２Ａ_１〜２２Ａ_５のピッチ間隔を、マイクロミラー１２から離れるほど大きくする。 （もっと読む）

【課題】駆動時に回転変位動作する可動部について、非動作方向変位を抑制するのに適し且つ高い共振周波数を得るのに適したマイクロ可動素子、マイクロ可動素子アレイ、及びそのようなマイクロ可動素子を備える光スイッチング装置を提供する。
【解決手段】本発明のマイクロ可動素子Ｘ１は、フレーム２０と、可動部１０と、これらを連結して可動部１０の回転変位動作の軸心Ａ１を規定する一対の連結部３０とを備える。連結部３０は、フレーム２０側から可動部１０側にかけて離隔距離が大きくなるように延びる連結バー３１，３２を含む。連結バー３１は、可動部１０における軸心Ａ１に対して第１の側に接続し、連結バー３２は、可動部１０における軸心Ａ１に対して第２の側に接続する。連結バー３１，３２の離隔方向において、連結バー３１が可動部に接続する箇所Ｃ１の方が、連結バー３２が可動部に接続する箇所Ｃ２よりも軸心Ａ１に近い。 （もっと読む）

【課題】ミラー面の鏡面性と製造歩留りに優れたＭＥＭＳ走査型ミラーおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも１つの段差付き静電櫛歯アクチュエータを有するＭＥＭＳ走査型ミラーであって、ミラーがその最上面ＴＯＰＳよりも下に形成されている。また、少なくとも１つの段差付き静電櫛歯アクチュエータを有するＭＥＭＳ走査型ミラーの製造方法では、絶縁層Ｉを除去することによりミラー板１０Ｂの表面１０ＢＳが露出される。 （もっと読む）

【課題】微小電気機械要素と集積回路との両方の高性能化が可能な微小電気機械デバイスを提供する。
【解決手段】微小電気機械要素であるジャイロセンサと集積回路３とが１つの素子形成基板１に形成されたジャイロセンサ装置であり、素子形成基板１が、シリコン基板（第１の半導体基板）１Ａと、シリコン基板１Ａの厚み方向の一表面側に設けられシリコン基板１Ａよりも抵抗率の大きなシリコン基板（第２の半導体基板）１Ｂとを有した多層基板であり、ジャイロセンサがシリコン基板１Ａとシリコン基板１Ｂとに亙って形成されるとともに、集積回路３がシリコン基板１Ｂに形成されている。シリコン基板１Ａの他表面側に固着された支持基板２を備え、ジャイロセンサの可動部が、シリコン基板Ｂとシリコン基板１Ａの周部と支持基板２とで囲まれた密閉空間内に位置している。 （もっと読む）

【課題】温度変化に対応しながら効率よく静電型アクチュエータを駆動することが可能な静電型アクチュエータ制御装置を得る。
【解決手段】静電型アクチュエータ２００は、バイアス電圧の値が上昇するに従って、共振周波数が上昇する特性を有する。バイアス電圧は、ピークツーピーク電圧を増減することにより増減される。そのため、ピークツーピーク電圧を増減することにより、静電型アクチュエータ２００の共振周波数を制御できる。言い換えると、交流電圧の振動中心値を増減することにより、静電型アクチュエータ２００の共振周波数を制御できる。つまり、ピークツーピーク電圧を増減すると、従来技術における直流バイアス値を増減させたのと同様の効果を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】簡単な製造方法により、横ずれが少ない長寿命のアクチュエータを提供する。
【解決手段】アクチュエータ１は、基体２と、基体２上に固定された微細構造体３とを有する。微細構造体３に、相対向する第１の支持部４と、相対向する第２の支持部５と、Ｖ字状の弾性連結部６を介して第１の支持部４に回動自在に連結され基体２から浮く回動板７と、回動板７の端部に設けられた櫛歯状の可動電極群１１と、ばね部８を介して第２の支持部５に連結され基体２に固定された固定部９と、固定部９の端部に可動電極群１１とかみ合って設けられた櫛歯状の固定電極群１０と、基体２・微細構造体３を位置決めする位置決め部１４とを備える。固定電極群１０を含む固定部９は、第２の支持部５よりも肉薄で、自重とばね部８の変形とにより可動電極群１１を含む回動板７よりも下方に変位して基体２に固定され、可動電極群１１は固定電極群１０よりも上方にずれて位置する。 （もっと読む）

本発明は、マイクロマシニング型の構成素子（Ｓ）を回動軸線（ＤＡ；ＤＡ’；ＤＡ’’；ＤＡ’’’；ＤＡ’’’’）を中心として回動させるためのカスケード接続されたマイクロマシニング型のアクチュエータ構造体に関する。本発明によれば、トーションばね装置が設けられており、該トーションばね装置が、一方で保持体（ＶＳ）に取り付けられていて、他方でマイクロマシニング型の構成素子（Ｓ）に取付け可能であり、トーションばね装置が、複数のトーションばね（ｆ１，ｆ２，ｆ３；ｆ’，ｆ_ｉ’；ｆ１’’，ｆ２’’；ｆ１ａ’’’，ｆ１ｂ’’’，ｆ２’’’；ｆ１ａ’’’’，ｆ１ｂ’’’’，ｆ２’’’’）を有しており、該複数のトーションばねが、回動軸線（ＤＡ；ＤＡ’；ＤＡ’’；ＤＡ’’’；ＤＡ’’’’）に沿って延びているかまたは回動軸線（ＤＡ；ＤＡ’；ＤＡ’’；ＤＡ’’’；ＤＡ’’’’）に対して平行に延びており、回動駆動装置が設けられており、該回動駆動装置が、複数の回動駆動体（Ａ１，Ａ２，Ａ３；Ａ_ｉ’；Ａ１’’，Ａ２’’；Ａ１’’’，Ａ２’’’；Ａ１’’’’，Ａ２’’’’）を備えており、該回動駆動体が、トーションばね装置（ｆ１，ｆ２，ｆ３；ｆ’，ｆ_ｉ’；ｆ１’’，ｆ２’’；ｆ１ａ’’’，ｆ１ｂ’’’，ｆ２’’’；ｆ１ａ’’’’，ｆ１ｂ’’’’，ｆ２’’’’）に結合されており、各回動駆動体（Ａ１，Ａ２，Ａ３；Ａ_ｉ’；Ａ１’’，Ａ２’’；Ａ１’’’，Ａ２’’’；Ａ１’’’’，Ａ２’’’’）が、回動軸線（ＤＡ；ＤＡ’；ＤＡ’’；ＤＡ’’’；ＤＡ’’’’）を中心とした１つのマイクロマシニング型の構成素子（Ｓ）の全回動角に数分の一ずつ寄与するようになっている。
（もっと読む）

【課題】フレームと可動部とを連結する連結部のバネ定数の変動を抑制するのに適したマイクロ可動素子、および、そのようなマイクロ可動素子を備える光スイッチング装置を提供する。
【解決手段】本発明のマイクロ可動素子Ｘ１は、フレーム３０、可動部２０、及びこれらを連結して可動部２０の回転変位の軸心Ａ２を規定する連結部４２，４３が形成されている基板Ｓ１と、基材Ｓ２と、基板Ｓ１のフレーム３０および基材Ｓ２の間に介在してこれらに接合するスペーサ部、並びに、当該スペーサ部を覆ってフレームおよび支持基材に接合する接着剤部、を有する少なくとも一つの強固定部７０Ｃ，７０Ｄとを備える。フレーム３０は、軸心Ａ２の延び方向において可動部２０と対向する第１領域部３０Ａおよび第１領域部３０Ａ外の第２領域部３０Ｂを有する。強固定部７０Ｃ，７０Ｄは、フレーム３０における第２領域部３０Ｂに対して接合している。 （もっと読む）

【課題】静電力が可動部の揺動方向に働く位置関係に容易に電極を配置できる静電型アクチュエータを得る。
【解決手段】鏡面１２４と同じ方向を向く可動部側電極１２３ａの面と、裏面１２５と同じ方向を向く可動部側電極１２３ｂの面には、可動部膜１２７ａ、１２７ｂが蒸着される。可動部膜１２７ａ、１２７ｂはＳｉ_３Ｎ_４から成る。Ｓｉ_３Ｎ_４は所定の条件下で２１０ＭＰａの引張応力を発生する。そのため、可動部側電極１２３ａは、その先端が裏面１２５の方向へ向くように湾曲し、可動部側電極１２３ｂは、その先端が鏡面１２４の方向へ向くように湾曲する。同様に、固定部側電極１１１ａと固定部側電極１１１ｂも固定部膜１１２ａ、１１２ｂが蒸着されて湾曲する。 （もっと読む）

【課題】フレームと可動部とを連結する連結部のバネ定数の変動を抑制するのに適したマイクロ可動素子、および、そのようなマイクロ可動素子を備える光スイッチング装置を提供する。
【解決手段】本発明のマイクロ可動素子Ｘ１は、フレーム３０、可動部２０、及びこれらを連結する連結部４２が形成されているマイクロ可動基板Ｓ１と、支持基材Ｓ２と、マイクロ可動基板Ｓ１のフレーム３０および支持基材Ｓ２の間に介在してフレーム３０および支持基材Ｓ２に接合する複数のスペーサ９０Ａ，９０Ｂと、フレーム３０および支持基材Ｓ２の間に介在してフレーム３０および支持基材Ｓ２に接合するスペーサ部９１Ｃ，９２ならびに当該スペーサ部を覆ってフレーム３０および支持基材Ｓ２に接合する接着剤部９３を有する少なくとも一つの強固定部９０Ｃとを備える。強固定部９０Ｃは、二つのスペーサ９０Ａ，９０Ｂの間に位置する。 （もっと読む）

【課題】可動構造体において、ヒンジの強度や剛性を確保しつつ、可動板の共振周波数を大幅に低くする。
【解決手段】光走査ミラー１は、シリコン層２１０−酸化膜２２０−金属層２３０の３層基板２００から形成されている。シリコン層２１０には、可動板５０が、第１ヒンジ５により固定フレーム４に揺動可能に軸支されるように形成されている。可動板５０の下方には、酸化膜２２０と金属層２３０により構成された金属構造体９が可動板５０と一体に揺動可能に形成されている。金属構造体９が設けられていることにより、金属構造体９を含む可動板５０の第１ヒンジ５回りの慣性モーメントが大きくなっている。従って、第１ヒンジ５の強度や剛性を確保しつつ、可動板５０の共振周波数を大幅に低くすることができる。 （もっと読む）

【課題】共振周波数を高低いずれの方向にも調整することが可能な静電型アクチュエータを得る。
【解決手段】ユーザは、三軸マニピュレータを操作して、切除したい可動部側電極１２３まで切除棒を移動させる。そして、切除棒の先端で、腕部１２２と調整用可動部側電極１２３ａとの接続部を押圧すると、接続部で調整用可動部側電極１２３ａが折れる。これにより、可動部１２０の質量が軽くなり、可動部１２０の共振周波数が高くなる。切除棒の先端で調整用梁１３２と開口部１３１との接続部を押圧すると、接続部で調整用梁１３２が折れる。これにより、支持部１３０の剛性が下がり、可動部１２０の共振周波数が低くなる。 （もっと読む）

【課題】クラックの発生を抑制する電極構造を提供する。
【解決手段】犠牲膜５１、窒化膜４７で覆われた配線４５の表面を開口するアンカーホール５２を形成する。アンカーホール５２は窒化膜４７の有する孔部４７ｃと犠牲膜５１の開口５１ａとで構成される。孔部４７ｃは配線４５の表面の縁部４５ａよりも第１の所定距離ｄ１だけ配線４５の内方へと入り込んで開口する。開口５１ａは孔部４７ｃよりも第２の所定距離ｄ２だけ退いて開口する。第１の所定距離ｄ１の存在により、剥離の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】隣り合う素子における揺動主部について近接配置するのに適したマイクロ揺動素子、そのようなマイクロ揺動素子を含んでなるマイクロ揺動素子アレイ、および、そのようなマイクロ揺動素子を備える光スイッチング装置を提供する。
【解決手段】本発明のマイクロ揺動素子Ｘ１は、フレーム２０と、揺動主部（１１，１１’）を有する揺動部１０と、フレーム２０および揺動部１０を連結して揺動部１０の揺動動作の軸心を規定する捩れ連結部４０とを備える。フレーム２０は、一対の延び部２０Ａを有する。一対の延び部２０Ａは、軸心Ａ１の延び方向に離隔し、且つ、揺動動作の方向において空隙を介して揺動主部（１１，１１’）に対向して当該揺動主部に沿って延びる。 （もっと読む）

【課題】パッケージの薄型化に適したパッケージドマイクロ可動デバイス製造方法とパッケージドマイクロ可動デバイスを提供する。
【解決手段】本発明のパッケージドデバイスＰＤは、デバイス層部（デバイスＤ，外壁部７０）と、これに接合されたパッケージング部材８０，９０とを備える。本発明の製造方法では、第１パッケージングウエハに、分離溝によって囲まれた配線領域８１Ａを形成し、分離溝内に絶縁部８２を形成し、デバイスＤを形成するための複数の区画を含むデバイスウエハの第１面側に、第１パッケージングウエハにおける配線領域８１Ａが形成された側を接合し、第１パッケージングウエハにおいて、配線領域８１Ａを通って当該ウエハを貫通する貫通孔を形成し、貫通孔内に導電材料８５を充填し、第２パッケージングウエハをデバイスウエハの第２面側に接合し、配線領域８１Ａが露出するように第１パッケージングウエハを薄肉化する。 （もっと読む）

【課題】機能素子の可動部分を配置した空間の気密性の低下を抑制しつつ、小型化を実現できる半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】表面１０ａに凹部１５が形成され、その凹部１５内に配置された可動部分を有する機能素子１００を備える変位検出用半導体チップ１０と、変位検出用半導体チップ１０の表面１０ａ上で凹部１５を囲んで環状に配置されたダイアタッチ材を含む結合部２０と、可動部分の変位を検出した機能素子１００が出力する検出信号を処理する処理回路３００を有し、空洞を形成するように凹部１５の上方を覆って結合部２０上に配置された信号処理用半導体チップ３０とを備え、結合部２０によって凹部１５が気密封止されている。 （もっと読む）

【課題】 全体が薄型で可動電極部の支持が安定し、しかも可動電極部の動作余裕を確保できるＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】 機能層１０は、シリコンウエハから分離された固定電極部と可動電極部と枠体層２５を有している。固定電極部の支持導通部１２と可動電極部の支持導通部１７および枠体部２５と、第１の基板１は、第１の絶縁層３ａ，３ｂ，３ｃで固定されている。第２の基板２に第２の絶縁層３０が形成され、その表面に接続電極部３１，３２およびシール電極部３３が形成されており、これらが接続金属層４１，４２およびシール金属層４３と共晶接合または拡散接合されている。その結果、錘部２０の可動領域が金属シール層で封止されている。 （もっと読む）