【課題】耐衝撃性に優れた加速度センサーを得ること。
【解決手段】固定電極４１と可動電極２１との間の距離が変化するＸ軸方向の加速度印加時において、固定電極４１と可動電極２１との間隙７０に存在する気体の流れは、対向面に形成された一方向に向かって延びる凸部４３によって一方向への流れが発生する。この気体の流れによるスクイーズフィルムダンピングにより、大きな減衰定数ｃを得ることができる。したがって、可動部２０と支持体１０との間隔を狭くすることなく、固定電極４１と可動電極２１との間隙７０の構造によって減衰定数ｃの調節を可能にでき、可動部２０と支持体１０との衝突破壊が低減した耐衝撃性の優れた加速度センサー１００を得ることができる。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つのビーム型エレメント（２１０）を有するマイクロメカニカルシステム（２００）に関しており、このビーム型エレメントは、自由端部（２１１）を有しており、またその他方の端部（２１２）がマイクロメカニカルシステム（２００）の別のエレメントに連結されている。本発明ではマイクロメカニカルシステム（２００）の機械的な特性を最適化するため、ビーム型エレメント（２１０）に凹部（２１３）を設けて、このビーム型エレメント（２１０）の質量を自由端部（２１１）に向かって減少させる。さらに本発明には、少なくとも１つのビーム型エレメント（２１０）を有するマイクロメカニカルシステム（２００）を作製する方法が含まれている。
（もっと読む）

【課題】製造プロセスが容易で小型化可能、かつ、高い信頼性を有する中空封止構造を備えたＭＥＭＳデバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１と、基板１上に、この基板１と空隙９を介して形成され、穴１６が設けられた可動部１２と、基板１上に形成され、穴１６の内側を可動部１２に非接触に貫通する支柱１３と、支柱１３によって支持され、可動部１２上に可動部１２と空隙９を介して形成されたキャップ部７、８を有することを特徴とするＭＥＭＳデバイスおよびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】光学的作用を生じさせるレンズ等の光学部品を不要とすることにより、光学系の構成を簡素化し、コストダウンを図ることができるマイクロミラー素子を提供する。
【解決手段】可動板１０のベースとなる基板層１５の外面側に、中間層１６が蒸着により形成され、中間層１６の外面側に、ミラー層１７が蒸着により形成される。基板層１５及びミラー層１７とは異なる熱膨張係数の材料から成る中間層１６によって、可動板１０を凹状又は凸状に変形させて、可動板１０のミラー面１２を光学的に凸面状又は凹面状に形成する。 （もっと読む）

【課題】小型化されたアクチュエーターを提供する。
【解決手段】本発明のアクチュエーター２００は、基板１８上に、いずれも櫛歯状を成し、互いの開放端側で対向する第１固定電極１１及び第２固定電極１２と、第１固定電極１１と第２固定電極１２との間に配置され、第１固定電極１１と第２固定電極１２との間を移動可能とされた平面視蛇行形状の可動電極１３と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 可動部と支持基板の固着が長期に亘って防止されるマイクロデバイスを提供する。
【解決手段】 マイクロデバイスは、支持基板と、支持基板に隙間を介して対向しているとともに、支持基板に対して相対変位可能に支持された可動部を備えている。支持基板と可動部の互いに対向する表面の少なくとも一方には、少なくとも一つの突起が設けられている。そして、各々の突起には、その突起が設けられた支持基板又は可動部の内部へ伸びる基礎部が、一体に設けられている。 （もっと読む）

【課題】捩れ連結部の捩れ抵抗が低く設定されつつミラー面の法線まわりの回転などのミラー形成部の不適切な動作が制御されたマイクロミラー素子を提供すること。
【解決手段】マイクロミラー素子１００において、フレーム１１３と、ミラー平面１１４を有するミラー形成部１１１と、フレーム１１３およびミラー形成部１１１を連結するように延びるとともに、ミラー形成部１１１をフレーム１１３に対して回転させるための回転軸心Ｘ１を規定し、さらにミラー平面１１４に対して平行する捩れ連結部１１２と、を備え、捩れ連結部１１２は２本のトーションバー１１２ａからなるとともに当該２本のトーションバー１１２ａは捩れ連結部１１２の幅を規定し、この幅は、ミラー形成部１１１に接続される部分では相対的に広く、フレーム１１３に至るまでは、ミラー形成部１１１から遠ざかるにつれて徐々に狭くなることとした。 （もっと読む）

【課題】電圧の印加によって可動電極と固定電極との距離が変動しにくいＭＥＭＳチューナブルキャパシタを提供する。
【解決手段】デバイス１０は、基板の表面Ｐ上に形成された信号ライン１２と、これを挟む位置に２対またはそれ以上立設された柱状のアンカー２０と、信号ライン１２を挟む位置に立設された板状の固定電極１４と、アンカー２０から延設されたバネ１８で信号ライン１２上の空間に固定電極１４に挟まれるように懸架された板状の可動電極１６とからなる。アンカー２０は信号ライン１２の長手方向両端近傍で固定電極１４の外側位置に固定され、先端部には信号ライン１２を跨ぐようにバネ１８が設けられる。対になったアンカー２０から信号ライン１２を跨いで延設された一対のバネ１８は信号ライン１２の上の空間で信号ライン１２の長手方向に沿って設けられた可動電極１６を懸架し、可動電極１６は固定電極１４の中間に、これと平行に位置する。 （もっと読む）

【課題】駆動時に並進変位動作する可動部について回転変位を抑制するのに適したマイクロ可動素子、および、そのようなマイクロ可動素子を含んでなる光干渉計を提供する。
【解決手段】本発明のマイクロ可動素子Ｘ１は、可動部１０、固定部２０、および連結部３１〜３４を備える。可動部１０は、一対の電極部１２，１３を有する。固定部２０は、電極部１２，１３の離隔方向に交差する方向における可動部１０の並進変位の駆動力を電極部１２，１３と協働して発生させるための一対の電極部２２，２３を有する。複数の連結部３１〜３４のそれぞれは、可動部１０に接続し且つ固定部２０に接続する。連結部３１および可動部１０が接続する接続部Ｐ１と、連結部３３および可動部１０が接続する接続部Ｐ３との離隔方向における、接続部Ｐ１，Ｐ３の間以内に、電極部１２，１３は位置する。 （もっと読む）

【課題】壁電極を用いるミラーアレイを備えるＭＥＭＳ素子が、より容易に製造できるようにする。
【解決手段】第１電極パターン１１３に溝部１１３ａを形成する。同様に、第２電極パターン（不図示）にも溝部を形成する。例えば、公知の技術となっているＳｉの深堀加工技術であるＤＲｌＥエッチング技術で、ＳＦ₆をエッチングガスとして用いることで、上述したエッチングが行える。ここで、溝部１１３を形成するエッチングでは、形成した溝部１１３ａの底部に、第１電極パターン１１３（シリコン層１０３）が残るようにエッチング時間を制御する。例えば、実験などにより、予めエッチングレートを測定しておき、このエッチングレートより、溝部１１３ａの底部に、第１電極パターン１１３（シリコン層１０３）が残る処理時間を算出し、この算出結果を上記エッチングに適用させればよい。 （もっと読む）

【構成】本発明は、周囲環境および真空環境内でμｍサイズの物体およびｎｍサイズの物体を掴みこれを能動的にリリースできる素子を形成する設計および製造方法に関する。掴む動作は一つかそれ以上のマイクロアクチュエーターによって行い、迅速かつ正確な上に、再現性の高い能動的なリリースは、密着している物体に高速プランジ作用構造体による衝撃を与えることによって行う。本発明の新規なマイクログリップ作用素子およびナノグリップ作用素子を製造する２つの製造方法も本発明の範囲内に含まれる。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＢ装置に組み込んだ微小マニピュレータ部をその場でエッチング加工することで、従来困難であった１μｍ以下の微小物のハンドリングの確実性を高めるとともに、マニピュレータの再利用により作業効率やメンテナンス性を向上する。
【解決手段】微小マニピュレータ部を位置および向きを変えることのできる移動機構で保持することにより、マニピュレーション作業前にマニピュレータ先端部をＦＩＢ加工するとともに、作業中のマニピュレータ先端の汚染や破損があった場合でも、加工により再度使用可能な形状に再生する。 （もっと読む）

【課題】光利用効率を向上させた光制御装置を提供すること。
【解決手段】基板５０と、基板５０の一面側に形成された第１の櫛歯電極１０と、第１の櫛歯電極１０に対して噛み合うように進退可能に形成された第２の櫛歯電極２０と、基板５０に形成され、少なくとも第２の櫛歯電極２０の移動領域に開口する貫通孔５５と、を有する光制御装置１００とした。 （もっと読む）

【課題】プロセスが簡便で小型化・薄化も容易な、ＭＥＭＳデバイスと半導体デバイスが混載された半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の半導体基板上に、可動構造体形成層の少なくとも一部をエッチングし可動構造体がリリースされない限度で加工された複数のＭＥＭＳデバイスを形成し、ＭＥＭＳデバイス形成した後に、第１の半導体基板を切断することにより複数のＭＥＭＳデバイスを個々に分割し、複数のＭＥＭＳチップを形成し、第２の半導体基板上に、複数の半導体デバイスを形成し、第２の半導体基板を切断することにより複数の半導体デバイスを個々に分割し、複数の半導体チップを形成し、ＭＥＭＳチップと半導体チップを樹脂により略同一平面状に接着し、ＭＥＭＳチップと半導体チップとを電気的に接続する配線層を形成し、その後に、可動構造体をリリースすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板を用いずに製造することができ、かつ、分離層を必要としない、ＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】シリコン基板２に凹部４が形成されており、その凹部４内に固定電極５および可動電極６が配置されている。固定電極５および可動電極６は、シリコン基板２の材料であるシリコン材料ではなく、タングステンからなり、シリコン基板２のパターニングにより形成されるものではない。そのため、シリコン基板２が高導電性を有している必要がない。したがって、高導電性のシリコン層を備えるＳＯＩ基板を用いなくても、低導電性のシリコン基板２を用いて、加速度センサ１を製造することができる。シリコン基板２が高導電性を有していないので、固定電極５および可動電極６が形成される領域をその周囲から絶縁分離する必要がない。そのため、その絶縁分離のための分離層を必要としない。 （もっと読む）

【課題】それ自体の平面に位置する軸の周りにおける検出を遂行することを可能にする、新規なタイプのジャイロメータータイプの装置を提案することを目的とする。
【解決手段】本発明は、基板に含まれ、−使用されていない平面を画定する少なくとも１つの塊（３、３’、３１、３２、３３）であって、この平面に含まれる回転の第２の軸（Ｚ、Ｈ、Ｈ’）から所定の距離に配置され、前記回転の軸（Ｚ）に垂直なこの平面において振動することが引き起こされることができる塊と、−前記回転の軸に前記塊を接続するための少なくとも２つの接続アームと、−前記アームの少なくとも１つのために、前記回転の軸の周りにおける回転のための前記基板との少なくとも１つの接続部を形成する手段と、−前記回転運動を検出するための少なくとも１つの歪みゲージと、を含むことを特徴とするジャイロメータータイプの装置である。 （もっと読む）

微細構造を有する微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス２０は、ポリシリコン構造層に形成され、基板２２上に担持され、可動の微細構造を有するポリシリコン構造層４６を含む。微細構造２８が分離トレンチ５６に横方向に固定されるように、分離トレンチ５６は層４６を貫通して延びる。犠牲層２２は基板上に形成され、構造層４６は犠牲層２２上に形成される。ポリシリコン構造層４６を貫通してエッチングし、シリコンリッチ窒化物なような窒化物７２をトレンチ５６に堆積することによって、分離トレンチ５６が形成される。そして、微細構造２８は構造層４６に形成され、分離トレンチ５６の上方に電気接続部３０が形成される。基板２２から相隔たった分離した微細構造２８を有するＭＥＭＳデバイス２０を形成するために、犠牲層２２をその後除去する。
（もっと読む）

【課題】 電極を形成した後に可動部を形成し、その後に電極を保護する保護膜を除去する場合において、既に形成されている可動部が損傷を受けることを抑制する技術を提供する。
【解決手段】 ベース層１４の上方に配置されている半導体層１０に、ベース層１４に対して移動不能に固定されている固定部と、ベース層１４に対して移動可能な可動部が形成されている半導体装置の製造方法において、固定部と可動部となる領域以外の半導体層１０を除去する半導体層除去工程を実施し、除去された半導体層１０に対応する位置の絶縁体層１２（中間層）と、可動部となる領域とベース層１４の間にある絶縁体層１２とを除去する中間層除去工程を実施し、半導体層除去工程によって半導体層１０に形成された空間内にレジストＰ１を充填するレジスト充填工程を実施する。その後に、電極８０を被覆している保護膜７を除去し、レジストＰ１を除去する。 （もっと読む）

本発明は、電極層間に絶縁層を有する少なくとも３つの他の電気的な電極層を備える層状マイクロエレクトロニック及び／又はマイクロメカニック構造に関する。第１の外側層内にビアが提供され、前記ビアは前記層を介してウェハ固有の材料で作られる絶縁された電極、前記層を通して導電性を提供するために他の層を介して前記第１の外側層内の前記ビアに延びる電気的導電性のプラグと、前記選択された層にあって前記材料から前記プラグを絶縁するための前記他の層の少なくとも一つの選択層における前記導電性プラグを囲む絶縁エンクロージャとを備える。さらに、少なくとも一方向にて可動されるような、窪みのうえに提供された可動部材を備えるマイクロエレクトロニック及び／又はマイクロメカニックデバイスに関する。前記デバイスは、本発明に係る層状構造を有する。そのような層状ＭＥＭＳ構造を形成する方法も提供される。
（もっと読む）

【課題】デバイス特性に関わらず、マイクロミラーを効果的に大きく傾斜させる。
【解決手段】トーションバー１４Ａ、１４Ｂを介してマイクロミラー１２が揺動可能に支持されるマイクロミラーデバイス１０において、櫛歯状の可動電極部２０Ａ、２０Ｂ、固定電極部３０Ａ_１、３０Ａ_２、３０Ｂ_１、３０Ｂ_２をそれぞれマイクロミラー１２、支持フレーム１６に形成する。そして、可動電極２６Ａ_１〜２６Ａ_６、２６Ｂ_１〜２６Ｂ_６、固定電極３６Ａ_１〜３６Ａ_６、３６Ｂ_１〜３６Ｂ_６をＸ軸に沿って交互に配置する。このとき、各可動電極はマイクロミラー側に隣接する固定電極に近接配置する。 （もっと読む）