【課題】高感度を維持しつつエアダンピング効果を低減することのできる物理量センサを提供する。
【解決手段】加速度センサは、外部から与えられた物理量に応じて可動する可動電極４と、可動電極４の上面に対向して配置された上部固定板２ａと、可動電極４の下面に対向して配置された下部固定板２ｂとを備え、可動電極４の下面に形成された凹部１１ｂ，１１ｄ，１２を塞いだことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体リソグラフィにおいて、シリコンウェハに同一パターンを複数形成するときに破断を起こしにくいパターン配置方法及びパターニングされたシリコンウェハを提供すること。また、そのパターン配置方法が用いられた半導体デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明によると、シリコンウェハに、第１の方向及び前記第１の方向に直交する第２の方向に平行に配置された複数のチップパターンを有し、前記複数のチップパターンは、前記第１の方向及び前記第２の方向に配置され、直線状に配置された一つ以上のパターンを含み、前記シリコンウェハのへき開面と前記シリコンウェハの前記パターンを配置する面とが直交する軸と、前記第１の方向とが、異なるように前記複数のチップパターンを配置することを特徴とするシリコンウェハが提供される。 （もっと読む）

【課題】光を走査する際の高速性を損なわずにミラー部の温度上昇を抑制することが可能な光走査素子を提供する。
【解決手段】光を反射する反射面１ａを有するミラー部１と、ミラー部１の両端部に設けられ、ミラー部１を、反射面１ａに平行に延びてミラー部１の両端部と交差する軸を中心として回転方向に往復振動可能に支持する複数対の捻りバネ５６と、複数対の捻りバネ５６を同時に駆動してミラー部１の往復振動を生じさせる駆動部４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】梁部に高い振動疲労特性と揺動部に高剛性を持たせつつ小型化された振動素子を提供する。
【解決手段】振動素子は、基体３と、前記基体３から梁状に設けられた梁部２と、前記梁部２の前記基体３側とは反対の側に設けられたミラー部４とを備え、前記揺動部４の少なくとも一部及び前記梁部２は金属ガラスで一体に形成される。次に、真空中でＹＡＧレーザ１０を振動素子のミラー部４に照射して局所的な構造緩和を行う。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ素子の耐衝撃性、気密性、信頼性を向上させ、低背化することができるＭＥＭＳデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】固定部、固定部に対して変位する可動部、及び固定部に配置された端子を有するＭＥＭＳ素子と、可動部に対向して配置され、貫通電極を有する貫通電極基板と、端子及び貫通電極との間に配置され、端子及び貫通電極を電気的に接続する導電性部材と、少なくとも導電性部材の配置位置の周囲の一部に導電性部材と接して配置された樹脂層、を備え、導電性部材及び樹脂層の高さは、それぞれ、可動部の変位を貫通電極基板で規制する高さであり、導電性部材及び／又は樹脂層は、可動部と前記貫通電極基板とを封止することを特徴とするＭＥＭＳデバイス。 （もっと読む）

【課題】可動板を互いに直交する２つの軸のそれぞれの軸まわりに安定して回動させることのできるアクチュエーター、光スキャナーおよび画像形成装置を提供すること。
【解決手段】光スキャナー１は、支持部３と、光反射部２２を備える可動板２と、支持部３に対して変位可能に設けられた駆動部４１、５１、６１、７１と、駆動部４１、５１、６１、７１と可動板２とを連結する第１の軸部４２、５２、６２、７２とを備える４つの連結部４、５、６、７と、可動板２を支持部３に対して変位させる変位手段８とを有し、各連結部４、５、６、７は、駆動部４１、５１、６１、７１をＺ軸方向に変位させるとともに第１の軸部４２、５２、６２、７２の延在方向およびＺ軸の双方に直交する方向に延びる軸線まわりに回動させることにより、第１の軸部４２、５２、６２、７２をＺ軸方向に屈曲変形させ、可動板２を変位させる。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ共振器において、差動動作を可能とする構成を有して、ノイズの低減を図ることができ、小型で高出力の捩り振動を用いたＭＥＭＳ共振器を提供すること。
【解決手段】ＭＥＭＳ共振器は、両端が捩り振動の節となり、中央が捩り振動の腹となる振動部（５ａ）を有する振動子（５）と、前記振動部（５ａ）の外周面を構成する少なくとも２つの側面に対向し、前記振動部（５ａ）の中央に配置された少なくとも３つの電極（２，３，７）と、を備えており、前記少なくとも３つの電極における２つの電極に対して、互いに位相が１８０度異なる交流信号が入力または出力されるよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、迷光が被投影面に照射されるのを防止することのできる光スキャナーおよび画像形成装置を提供すること。
【解決手段】光スキャナー１は、光反射性を有する光反射部を備える可動板と、支持部と、可動板を支持部に対して回動可能に連結する１対の連結部とを有し、各連結部は、１対の梁部材で構成され、１対の梁部材間の距離は、可動板の回動中心軸（軸線ａ）に平行な方向からみたときに、可動板の一方の面側から他方の面側に向けて幅が漸増しており、１対の梁部材の前記一方の面側の端同士の間の距離をＷ_１とし、１対の梁部材の可動板の厚さ方向での厚さをｔとしたとき、下記式（１）を満たす。
【数１】
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【課題】可動板を互いに直交する２つの軸のそれぞれの軸まわりに安定して回動させることのできる光スキャナーおよび画像形成装置を提供すること。
【解決手段】光スキャナー１は、支持部３と、光反射部２２を備える可動板２と、支持部３に対して変位可能に設けられた駆動部４１、５１、６１、７１と、駆動部４１、５１、６１、７１と可動板２とを連結する第１の軸部４２、５２、６２、７２とを備える４つの連結部４、５、６、７と、可動板２を支持部３に対して変位させる変位手段８とを有し、各連結部４、５、６、７は、各駆動部４１、５１、６１、７１は、Ｚ軸方向に変位可能に設けられ、各第１の軸部４２、５２、６２、７２は、駆動部４１、５１、６１、７１の変位に伴って、Ｚ軸方向に屈曲変形するように構成され、変位手段８は、各駆動部４１、５１、６１、７１をＺ軸方向に変位させる。 （もっと読む）

【課題】往復振動するミラー基板を有するマイクロミラー装置において、ミラー基板の重畳増加を最小限に抑えつつ剛性を向上させて、ミラー基板を高速で往復振動させた場合でも、該ミラー基板の動的変形を確実に防止する。
【解決手段】ミラー基板１０３は、一対の捻り梁１０２で揺動可能に支持され、該捻り梁１０２をねじり回転軸として往復振動する。このミラー基板１０３の光反射面とは反対側の裏面に、該ミラー基板１０３の動的変形を抑えるための構造補強部材１０４を設け、これを三次元規則配列多孔体で構成する。三次元規則配列多孔体は、多数の微粒子による最密充填構造体を形成した後に、前記微粒子とは異なる材料からなる物質を空隙に充填して固化し、その後、微粒子を選択的に除去することによって、該微粒子の占めていた領域が空隙として残された構造のいわゆるインバースオパール構造体である。 （もっと読む）

【課題】振動させたＭＥＭＳの多数の箇所に同時にレーザ光を照射して、ＭＥＭＳの多数の測定点における所定時点の振動状態を同様に測定できると共に、ＭＥＭＳに対する起振部側の影響を排除して、ＭＥＭＳ各部の振動状態を正確に把握できるＭＥＭＳ測定方法を提供する。
【解決手段】それぞれ周波数の異なる多数のレーザ光を、振動しているＭＥＭＳ８０の可動部８１と固定部８２に対し同時に照射し、ＭＥＭＳ８０の各照射位置からの反射光を干渉光として光検出部で検出し、検出信号より取出せる情報から、ＭＥＭＳ８０の各照射位置での振動状態を求め、さらに可動部８１における振動状態の固定部振動状態に対する差分を求めることから、起振部の不要な振動成分が合成された結果から可動部８１の振動成分のみを取出して、正しい可動部８１の振動特性を取得でき、ＭＥＭＳ８０の構造に基づいてあらわれる振動の特徴を確実に把握できる。 （もっと読む）

【課題】高感度化、製造効率の改善、低コスト化、高信頼性化の少なくとも１つを実現した機能素子、機能素子の製造方法、物理量センサー、および、この物理量センサーを備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の機能素子１は、絶縁基板２と、可動部３３と、可動部３３に設けられた可動電極指３６１〜３６５と、絶縁基板２上に設けられ、且つ、可動電極指３６１〜３６５に対向して配置された固定電極指３８１〜３８８と、を含み、固定電極指３８１〜３８８は、可動電極指３６１〜３６５の一方の側に配置された第１固定電極指３８２、３８４、３８６、３８８と、他方の側に配置された第２固定電極指３８１、３８３、３８５、３８７と、を含み、第１固定電極指と第２固定電極指とは、互いに離間して配置されている。 （もっと読む）

【課題】複数の光変調器（９１）及び該複数の光変調器の反射面上の複数のフィルター素子（９５）を含む表示装置（９０）が提供される。
【解決手段】複数の光変調器（９１）が、第１の組の光変調器（９２）及び第２の組の光変調器（９４）を含む。複数の光変調器（９１）の各光変調器が、少なくとも第１状態、第２状態、及び第３状態の間で選択的に切り替えられるように構成される。各状態が、異なるスペクトル反射を有する。複数のフィルター素子（９５）が、第１の組の光変調器（９２）に対応する第１の組のフィルター素子（９６）及び第２の組の光変調器（９４）に対応する第２の組のフィルター素子（９８）を含む。第１の組のフィルター素子（９６）が、第２の組のフィルター素子（９８）と異なる分光透過率を有する。 （もっと読む）

【課題】静電容量型トランスデューサーの製造コストを抑制しつつ感度を高める。
【解決手段】基板層（１０１）と、基板層に積層された絶縁層（１０２）と、絶縁層に積層されたシリコン層（１０３）とを含むダイを備え、支持部１１ａと、支持部に少なくとも一辺が結合し基板層の主面と垂直である厚さ１μｍ未満のシート状の可撓電極１１ｂと、基板層の主面と平行な方向において可撓電極と対向し基板層の主面と垂直な側面を有する固定電極１０ａ、１０ｂとがシリコン層によって形成され、支持部と固定電極とが絶縁層によって前記基板層に結合され、可撓電極と基板層との間には絶縁層に対応する空隙（Ｇ）が形成されている、ナノシートトランスデューサ。 （もっと読む）

【課題】マイクロミラー構成の光偏向器において、ミラー部にレーザ光等の光が照射された時の、該ミラー部を回転可能に支持している捻りバネ部に熱が伝達されることによる特性の変動を抑制する。
【解決手段】ミラー部１０を固定ベース３０に対して揺動可能に支持する弾性支持部２０の表面上、さらには固定ベース３０の表面上に、該弾性支持部材２０及び固定ベース３０を構成している母材よりも熱伝導率の高い高熱伝導部材４０を積層・形成する。さらに、ミラー部１０の反射面に形成される反射膜も、該高熱伝導部材４０で一体的に形成する。 （もっと読む）

【課題】可変容量装置において容量可変域を従来よりも広げる。
【解決手段】可変容量装置１は、支持板２、可動板３、駆動電極４，５、可変容量電極７Ａ，８Ａ、および可変容量電極７Ｂ，８Ｂ、を備える。可動板３は支持板２と平行に支持される。駆動電極４，５、可変容量電極７Ａ，８Ａ、および可変容量電極７Ｂ，８Ｂはそれぞれ可動板３と支持板２との間に設けられる。駆動電極４，５は駆動電圧が印加されて可動板３と支持板２との間隔を変化させる静電引力を形成する。可変容量電極７Ａ，８Ａ、および可変容量電極７Ｂ，８Ｂは、可動板３と支持板２との間隔に応じて変化する可変容量を形成する。駆動電圧に対して可変容量が線形性を持って変化する容量可変域では、駆動電圧の変化に対する駆動電極４，５の電極間隔の変化と可変容量電極７Ａ，８Ａ、および可変容量電極７Ｂ，８Ｂの電極間隔の変化とが互いに逆になることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＭＥＭＳ素子をパッケージ化する際、パッケージ全体の厚さを小さくし、ＭＥＭＳ素子に及ぼされる基板とＩＣとの熱膨張係数の違いによる反りによって生じる応力の影響を緩和するＭＥＭＳデバイス及びその製造方法を提供する。
【手段】本発明のＭＥＭＳデバイスは、開口を有する配線基板と、配線基板の前記開口内に配置された制御素子と、制御素子の一方の面上に配置された少なくとも１つのＭＥＭＳ素子と、を具備し、制御素子は、他方の面が露出するとともに、樹脂を介して配線基板に固定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高感度化を図ることができる物理量センサー素子および物理量センサー、および、この物理量センサーを備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の物理量センサー素子１は、支持基板３と、支持基板３上に互いに離間して設けられた第１固定電極４１および第２固定電極４２と、第１固定電極４１に対して第１間隙を介して対向するとともに、第２固定電極４２に対して第２間隙を介して対向する可動電極２２と、支持基板３に対して固定的に設けられた固定部２１と、固定部２１に対して可動電極２２を回動可能に連結する連結部２３、２４とを有し、可動電極２２には、可動電極２２の回動に際し第１間隙および第２間隙のうちの少なくとも一方の間隙に存在する気体の流動抵抗を低減する複数の流路が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ素子への応力を緩和しながらＭＥＭＳデバイスのパッケージ全体の厚さを低背化できるＭＥＭＳデバイス、その製造方法、及びそれを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】少なくとも一方の面側に第１電極部を有する基板１０２と、基板の第１電極部１０８ａが配置された側に配置された制御素子であるＩＣ１１０と、可動部１３３と、基板の第１電極部に対向し、可動部の変位を検出又は制御するための電極パッド１３６とを備え、電極パッドを露出させて制御素子上に配置されたＭＥＭＳ素子と、基板の第１電極部とＭＥＭＳ素子の電極パッドとを電気的に接続する接続部材１４２と、を具備し、可動部は、制御素子に覆われたＭＥＭＳデバイス。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で、かつ検出感度に優れる静電容量型加速度センサを提供すること。
【解決手段】内部に空洞１０を有する半導体基板２の表面部（上壁１１）に、互いに間隔を空けて噛み合うＺ固定電極６１とＺ可動電極６２とを形成する。そして、各Ｚ可動電極６２の電極部６６において、半導体基板２の表面から空洞１０へ向かう厚さ方向途中部まで、誘電層７０を埋め込む。これにより、Ｚ固定電極６１の電極部６４とＺ可動電極６２の電極部６６とが対向することによって構成されるキャパシタに、電極間距離ｄ１に基づく容量と、電極間距離ｄ２に基づく容量とを付与することによって、同一キャパシタ内において、静電容量の差を設けることができる。 （もっと読む）