【課題】実働構造体を容易に気密封止することが可能なマイクロ電子機械部品の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の基板２の表面の少なくとも一部を覆う第１の絶縁体層３とを含む第１の複合体層を形成する工程と、第２の基板１２の表面の少なくとも一部を覆う第２の絶縁体層１４とを含む第２の複合体層を形成する工程と、少なくとも部分的に導電性の構造体層７を前記第１の絶縁体層３に取り付ける工程と、部品の実動構造を含む前記構造体層７の少なくとも一部を、前記第１および第２の複合体層によって気密に封止するように、前記第１および第２の複合体層、ならびに前記構造体層７を配置し、前記第２の絶縁体層１４が前記構造体層７に隣接するように、前記第２の複合体層を前記構造体層７に取り付ける工程と、前記構造体層７の導電性を有する領域と接触するための接触孔を、前記第１および／または第２の基板内に形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】流体を封入する膜を備える装置の製造方法を提供する。
【解決手段】空洞内に収容される流体を封入するために使用される膜を備える装置の製造方法であって、２つの基板を提供する段階と、膜を基板上に配置する段階と、空洞を横方向に画定するように作用する１つまたは複数の壁を形成する段階と、空洞を完成させるように、互いに重ね合わせることによって２つの基板を一体に組立てる段階と、流体を基板の間の空洞内に封入し、流体によって膜を浸す段階と、基板に膜が設けられている場合に、少なくとも膜の中心部を解放するために、基板の少なくとも一部を除去する段階と、を含む方法に関する。 （もっと読む）

【課題】低コストで量産性に優れたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、パターン形成方法は、第１のパターン転写層に第１の凹凸パターンを形成する工程を備える。さらに、前記パターン形成方法は、エネルギー線に対して透過性を有する第２のレプリカ基板上に、前記エネルギー線に対して透過性を有する第２のパターン転写層を形成する工程を備える。さらに、前記パターン形成方法は、前記第２のレプリカ基板における前記第２のパターン転写層が形成された面の反対面側から、インプリント材料に対して前記エネルギー線を照射して、前記インプリント材料を硬化させる工程を備える。さらに、前記パターン形成方法は、前記インプリント材料をマスクにして前記第２のパターン転写層を加工し、前記第２のパターン転写層に第２の凹凸パターンを形成する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】エッチングパターンの形状または大きさによらずに、正確に制御された深さの凹部を形成することができる半導体基板のエッチング方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板３をエッチングするに際し、まず、それぞれ独立に区画されたエッチング領域８７に対向する位置に同一パターンの開口８８を多数有するレジスト５９をマスクとして、異方性の深掘り反応性イオンエッチングする。これにより、半導体基板３の表面部に、深さがほぼ等しく揃った凹部８９が多数形成される。次いで、多数の凹部８９を区画する半導体基板３の側壁９０を、半導体基板３の表面に平行な横方向にエッチングして除去する。 （もっと読む）

【解決手段】(i)基板上への犠牲膜パターン形成段階、(ii)犠牲膜パターン上への無機材料膜形成段階、(iii)犠牲膜パターンの形状を持つ空間を形成する段階を含むマイクロ構造体の製造方法において、(i)段階は、(A)クレゾールノボラック系樹脂と1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物のいずれかと、架橋剤を含む光パターン形成性犠牲膜形成用組成物で犠牲膜を成膜する工程、(B)該犠牲膜に第1の高エネルギー線照射を行う工程(C)現像でポジ型犠牲膜パターン形成工程(D)該犠牲膜パターンに第2の高エネルギー線照射を行う操作及び加熱操作を含み、クレゾールノボラック樹脂間に架橋を形成する工程、を含む。
【効果】高精度な平面形状及び適切な側壁形状を有し、熱耐性に優れる犠牲膜パターンが得られる。 （もっと読む）

【課題】エッチングの異方性と、エッチングレートとを高めることができるエッチング方法を提供する。
【解決手段】
エッチング方法では、接地された真空槽１１内に処理対象物である基板Ｓを搬入する以前に、真空槽１１に供給される成膜ガスを下部電極１３への高周波電力の供給によってプラズマ化して、該真空槽１１の内壁１１ｂに絶縁膜Ｉを形成する絶縁膜形成工程を実施する。その後、真空槽１１内に供給されるエッチングガスを真空槽１１内に配設された下部電極１３への高周波電力の供給によってプラズマ化して真空槽１１内に搬入された基板Ｓを該プラズマによってエッチングするエッチング工程を実施する。 （もっと読む）

【課題】 帯電による特性悪化を抑制し、信頼度の高い加速度センサを提供する。
【解決手段】 シリコン活性層、埋め込み絶縁層、支持基板からなるＳＯＩ基板から形成され、ＳＯＩ基板の上面から下面へ貫通する窓部１０を有するフレーム部１１と、ＳＯＩ基板から形成され、窓部１０の内部に配置される可動電極４と、フレーム部１１のシリコン活性層と可動電極４のシリコン活性層とを連結し、フレーム部１１に対して可動電極を揺動可能に支持するビーム部４１，４２と、可動電極４と対向する面に可動電極４と離間して配置される固定電極２１，２２とを備え、可動電極４及びフレーム部１１が、それぞれシリコン活性層と支持基板とを電気的に接続するコンタクト部６１〜６３を備える。 （もっと読む）

【課題】基板に形成されるアライメントマークと台座の相対的な位置ずれを低減する。
【解決手段】台座付き基板を作製する方法として、アライメントマーク５が形成された台座形成領域１ａと台座非形成領域１ｂを覆う状態でネガ型のレジスト層６を形成する第１工程と、均し基板１０の平坦面１０ａをレジスト層６の表面に密着させて均す第２工程と、均し基板１０側から露光光を照射してレジスト層６を露光する第３工程と、露光後のレジスト層６を現像して得られるレジストパターンをマスクに用いて基板１をエッチングすることにより台座を形成する第４工程とを有する。そして、第２工程でレジスト層６を均すことにより、台座形成領域１ａ上のレジスト層６と台座非形成領域１ｂ上のレジスト層６との間に、不溶化するのに必要な露光量の差を生じさせ、第４工程にて台座形成領域１ａにレジストパターンが形成されるように、第３工程にて露光光の露光条件を設定する。 （もっと読む）

【課題】高精度で、しかも、高い量産性、高い歩留りにて、補強部が備えられたミラー本体部を有するミラー構造体を提供する。
【解決手段】ミラー構造体１０は、（Ａ）ミラー本体部２２、及び、該ミラー本体部２２の表面に設けられた光反射層２１を備えたミラー２０、（Ｂ）ミラー２０を支持するミラー支持部２７、並びに、（Ｃ）ミラー支持部２７を保持する保持部４０から成り、ミラー本体部２２の裏面には、貼合せ層１０４を介して補強部３０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】耐用寿命を短縮しかねない機械的磨耗を受けにくい、ソレノイド駆動空気圧弁によって得られる機能が制限されにくい、さらに、ソレノイド駆動空気圧弁が、電力の損失の場合に通電位置を維持することができる弁アセンブリを提供する。
【解決手段】弁チップは、第１および第２の面および第１および第２の面との間にある開口１１９を有する基板１０１と、開口の少なくとも１つに関連付けられた、基板の面の一方にある複数の可撓性弁フラップ１１７とを含みうる。弁チップは、開口を有するフレームを形成し、フレームの開口に弁チップを固定することによってパッケージングされていてもよい。特に、弁チップは、基板の第１および第２の面の中央部分が、フレームにある開口を通って露出され、フレームと基板の縁部との間に流体シールが設けられるように、開口に固定されていてもよい。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、ＭＥＭＳ素子を固体撮像装置と同一のチップ上に設けて装置の実装面積を縮小して装置の小型化を実現する。
【解決手段】画素ごとに区分されたフォトダイオードがマトリクス状に配置された受光面を有する固体撮像素子部（Ｒ５）を有するデバイス基板１０上に、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子（１６ａ，１６ｂ，１７ａ，１７ｂ，ＤＦ）を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧の増大を招くことなく、優れた光学特性を有する波長可変フィルタを提供すること。
【解決手段】第２の基板３は、その厚さ方向での位置が異なる２つの面を可動部２１側に有し、２つの面のうち、一方に駆動電極３３が設けられ、他方に検出電極４０が設けられており、検出電極４０と可動部２１との間の静電容量に基づいて、駆動電極３３と可動部２１の間に電位差を生じさせることにより、これらの間に静電引力を生じさせて、可動部２１を変位させるとともに、固定反射膜３５と可動反射膜２５との間で光反射を繰り返し、干渉を生じさせて、固定反射膜３５と可動反射膜２５との間の距離に応じた波長の光を外部に出射し得るよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】実装時の素子の破損を回避し、素子の歩留りを向上させる。
【解決手段】マイクロミラー素子は、ミラー基板１００と、ミラー基板１００と対向して配置される電極基板２００と、ミラー基板１００に変位可能に形成された可動電極である板ばね１０３ｂと、電極基板２００上に、板ばね１０３ｂとの間に空隙を設けた状態で対向して配置された断面略Ｕ字形状の駆動用固定電極２０１ｂと、駆動用固定電極２０１ｂの壁電極部の上に形成された絶縁層２０５ｂと、絶縁層２０５ｂの上に形成されたシールド電極２０６ｂとを備える。板ばね１０３ｂは、駆動用固定電極２０１ｂの底部と壁電極部と絶縁層２０５ｂとシールド電極２０６ｂとによって囲まれる空間の中に入るように配置される。 （もっと読む）

【課題】キャビティ形成用の犠牲層の除去を比較的高速に且つ残渣を低減させて行うことができる容量型電気機械変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板４と所定の間隔を保って可動に保持される振動膜３により形成されるキャビティ９と、キャビティに面する表面が露出する電極８と、キャビティに面する表面が絶縁膜で覆われる電極１を有する容量型電気機械変換装置の製造方法である。基板上に犠牲層６を形成し、犠牲層の上に振動膜３を含む層を形成し、外部から犠牲層に通じるエッチング孔１０を形成する。その後、キャビティに面する表面が露出する電極８を電解エッチング用の一方の電極として、外部に設けた電解エッチング液に接している他方の電極１２との間で通電し、犠牲層を電解エッチングしてキャビティ９を形成する。エッチング孔１０から犠牲層除去剤を導入し、電解エッチングによる犠牲層の残渣１７を低減する。 （もっと読む）

【課題】気密性の高い貫通電極及びこれを用いた微小構造体、並びにそれらの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】導電性を有する基板１０の所定領域１１を貫通トレンチ２０で囲み、周囲から絶縁分離した貫通電極１００において、
前記貫通トレンチ内の深さ方向における所定部分を塞ぐように充填された第１の成長膜４０と、
前記貫通トレンチの両側面の間を横断する横断部５５を含み、該横断部の底面部が前記第１の成長膜の内側に接触するように充填された第２の成長膜５０と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳキャパシタとその制御用集積回路を反りの抑えられた１枚の基板上に有する半導体装置を提供する。
【解決手段】貫通孔を含む貫通孔領域を有する基板と、前記基板の上方のＭＥＭＳキャパシタと、前記ＭＥＭＳキャパシタの下方の前記ＭＥＭＳキャパシタの制御用集積回路とを有する半導体装置を提供する。前記制御用集積回路は、前記基板上のトランジスタを含む。前記ＭＥＭＳキャパシタの真下の前記基板上の領域と前記貫通孔領域とは、少なくとも一部において重なる。 （もっと読む）

【課題】可動電極と固定電極の間隙部が形成される部位の加工精度を高めることのできるＭＥＭＳ構造体を得る。
【解決手段】半導体基板３の一方の面を少なくとも一部が当接しない状態で支持基板３に接合するとともに、当該半導体基板３の支持基板２と当接しない部位にエッチングにより複数の異なる幅の間隙部δ１〜δ５を形成することで、物理量の入力により相対変位する可動部５と固定部６とを形成する。前記可動部５および固定部６は、第１の間隙部δ１、δ２をもって対向配置される可動電極（櫛歯状可動電極）５１および固定電極（櫛歯状固定電極）６１を備えており、半導体基板３の一方の面（図２中下面）に、第１の間隙部δ１、δ２が形成される通常面３０よりも支持基板２側に突出する段差面１０を設ける。 （もっと読む）

【課題】動作部位へのダストの混入を防止しつつ、アライメント等の問題点を少なくとも部分的に解消すること。
【解決手段】本発明は、ＭＥＭＳ素子を搭載した素子基板にキャップ基板が接合されたＭＥＭＳデバイスの製造方法であって、キャップ基板５０の原料基板に素子基板の切断パターンに沿って非貫通のトレンチ３００を形成する工程と、素子基板の原料基板に、トレンチが形成されたキャップ基板の原料基板を接合する接合工程と、少なくとも非貫通のトレンチが貫通するまで、接合されたキャップ基板の原料基板をエッチングするエッチング工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】有機樹脂からなる犠牲層をより効率よく除去するとともに、微細構造体にいたずらにダメージを与えてしまうことを抑制することを可能とした微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】試料をチャンバ１２内に装填した後、真空ポンプ１４を用いてチャンバ１２の内部を真空引きする。続いて、バルブ１８ａ〜１８ｃを調整することによって、酸化ガス、フッ素系ガス、還元性ガスを、チャンバ１２内に供給する。この後、電源装置２０を作動させ、チャンバ１２内に高周波交流電力を印可し、プラズマを発生させる。この状態のまま、所定の時間にわたって待ち、試料の犠牲層１１０をプラズマに暴露させることによって、試料の犠牲層１１０を除去する。このように、酸化ガスおよびフッ素系ガスに加え、還元性ガスを供給することによって、残渣１１６を生成することなく、効率よく犠牲層１１０を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜を厚くすることなく、放電耐圧を向上させ、デバイスの特性の安定化や性能の向上を図る。
【解決手段】高耐圧配線は、Ｓｉ基板１０１上に形成された配線層１０３と、絶縁膜１０４と、上層配線１０５，１０６と、絶縁膜１０４に形成された溝１０７とを有する。配線層１０３上の絶縁膜１０４の厚さＴは、上層配線１０５と１０６間の距離ｄよりも小さく、溝の幅Ｗは、距離ｄよりも小さい。絶縁膜１０４の厚さＴは、配線層１０３と上層配線１０５，１０６との間に与えられる最大の電位差Ｖ_maxよりも絶縁膜１０４の耐圧が大きくなるように設定され、絶縁膜１０４の露出量Ｘは、溝の幅Ｗと距離ｄとが等しいときの絶縁膜１０４に沿った沿面放電開始電圧をＶ₀（Ｖ₀＝ｂ×ｌｎＴ＋ｃ、ｂ，ｃは定数）としたとき、Ｖ_max＜ａＸ＋Ｖ₀（ａは定数）となるように設定される。 （もっと読む）