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Fターム[3C081CA14]の内容

マイクロマシン (28,028) | プロセス (6,263) | 加工方法、手段 (4,742) | 除去加工 (2,002) | エッチング (1,585) | ドライエッチング (702)

Fターム[3C081CA14]に分類される特許

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【課題】反射率の減少が防止されたMEMS素子およびこれを用いた光スイッチ装置およびディスプレイ装置、ならびにMEMS素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】支持層とデバイス層との間に絶縁層が介挿された構造を有し、前記支持層と前記絶縁層とに連通する開口部と、前記開口部に対応した前記デバイス層の領域に前記支持層とは反対側に変位可能に形成されかつ前記支持層側にミラー面を有する複数のマイクロミラー部とを有する本体部と、前記マイクロミラー部を変位させるための電圧を印加する電極が形成された基板と、を備え、前記本体部のデバイス層の表面と前記基板の表面とが接合されており、前記本体部の支持層側の前記開口部から前記マイクロミラー部へ光が入力される。 (もっと読む)


【課題】機械的および電気的機能から分離された光学的機能を備えた微小電気機械デバイスを提供する。
【解決手段】微小電気機械(MEMS)デバイス(800)が、頂部表面(88)を有する基板(20)と、基板(20)の上方の可動エレメント(810)と、駆動電極(82)とを備えている。可動エレメント(810)は、変形可能層(34)および変形可能層(34)に機械的に結合された反射エレメント(814)を備えている。反射エレメント(814)は反射表面(92)を備えている。駆動電極(82)は、反射表面(92)から横方向に配置されている。可動エレメント(810)は、基板(20)の頂部表面(88)に概ね直角の方向に移動することによって、駆動電極(82)と可動エレメント(810)の間に印加される電圧差に応答する。 (もっと読む)


【課題】低コストのマイクロ電気機械システムセンサを提供する。
【解決手段】マイクロ電気機械システムセンサ20は、基板21、基板21に位置するマイクロ電気機械システム部品エリア27、薄膜層29、接着層22、および、複数のSi貫通電極26を備える。基板21は、第一表面211および第二表面212、ならびにマイクロ電気機械システム部品エリア27を有する。薄膜層29は、マイクロ電気機械システム部品エリア27に被さってチャンバを密閉することによって密閉空間を形成する。キャップ24は、接着層22によってマイクロ電気機械システム部品エリア27に固着する。複数のSi貫通電極26は、第二表面212まで伸びるようにマイクロ電気機械システム部品エリア27に電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】機械的および電気的機能から分離された光学的機能を備えた微小電気機械デバイスを提供する。
【解決手段】微小電気機械(MEMS)デバイス(800)が、頂部表面(88)を有する基板(20)と、基板(20)の上方の可動エレメント(810)と、駆動電極(82)とを備えている。可動エレメント(810)は、変形可能層(34)および変形可能層(34)に機械的に結合された反射エレメント(814)を備えている。反射エレメント(814)は反射表面(92)を備えている。駆動電極(82)は、反射表面(92)から横方向に配置されている。可動エレメント(810)は、基板(20)の頂部表面(88)に概ね直角の方向に移動することによって、駆動電極(82)と可動エレメント(810)の間に印加される電圧差に応答する。 (もっと読む)


【課題】出力が大きく、かつ高い周波数で駆動するMEMS振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るMEMS振動子100は、基板10の表面11に固定された第1電極20と、第1電極20の第1面21と対向する第2面31を備えた梁部34、および梁部34を支持し基板10の表面11に固定された支持部32を有する第2電極30と、を含み、梁部34は、梁部34の第1面21の垂線Q方向の長さTが、梁部34の先端35に向かうにつれて単調に減少する第1部分36を有する。 (もっと読む)


【課題】ハードマスクパターンを用いたドライエッチングで基板の表面に凹凸のパターンを形成する場合に、パターンの側面をボーイング形状にしないで垂直面に近づける。
【解決手段】基板上にハードマスク層を形成する第1工程(S2)と、ハードマスク層を覆う状態でレジスト層を形成した後、レジスト層をパターニングしてレジストパターンを形成する第2工程(S3〜S5)と、レジストパターンをマスクに用いてハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する第3工程(S6)と、ハードマスクパターンをマスクに用いて基板をドライエッチングすることにより、基板に凹凸のパターンを形成する第4工程(S8)と、を含み、第4工程(S8)においては、ハードマスクパターンの後退に寄与するガスを添加したエッチングガスを用いて基板をドライエッチングすることにより、基板のエッチングの進行とともにハードマスクパターンを後退させる。 (もっと読む)


【課題】製造における可動部の形状ばらつきを従来よりも小さくして、可動部の回動時の慣性モーメントを低減することができるアクチュエーター、光スキャナーおよび画像形成装置を提供すること。
【解決手段】光スキャナー1は、光反射性を有する光反射部211と、光反射部211を備え、かつ所定の回動中心軸まわりに回動可能な板状の可動部21と、可動部21に連結し、かつ前記可動部21の回動に伴って捩り変形する連結部23、24と、連結部23、24を支持する支持部22と、を有し、可動部21は、可動部21の板厚方向からの平面視にて四角形の四隅の部分をそれぞれ矩形に欠いた形状(十字状)をなす。 (もっと読む)


【課題】高アスペクト比のホールやトレンチの多段構造を高い加工精度で容易に形成することができるシリコン構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンからなる基材1に凹部4の一部である初期凹部4aを形成する初期凹部形成工程と、初期凹部4aの凹部側壁42aに保護膜を形成する保護膜形成工程と、凹部側壁42aの保護膜に隣接した基材1の一部を隔壁12として残存させて、初期凹部4aに隣接する周回領域の基材1を深さ方向に異方性エッチングするエッチング工程と、残存した突起状の隔壁を酸化してシリコン酸化物を形成する突起状隔壁酸化工程と、酸化した突起状の隔壁を除去する突起状隔壁除去工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】高精度にかつ安価に製造することができる振動式トランスデューサを実現する。
【解決手段】真空室33内に設けられ基板31に対して引張の応力が付与され基板面に平行方向より垂直方向の断面厚さが長い断面形状を有し基板に平行に且つ互いに平行に設けられた第1,第2のシリコン単結晶の振動梁32a、32bと、基板面に平行に設けられ第1,第2の振動梁の一端に接続される板状の第1の電極板34aと、基板面に平行に設けられ第1,第2の振動梁の間に設けられた第2の電極板34bと、第1,第2の振動梁の両側に第1,第2の振動梁を挟んで且つ第1,第2の振動梁と第1,第2の電極板と共に基板面に平行な一平面状をなす板状の第3,第4の電極板34c、34dと、振動梁と第2、第3,第4の電極板との対向する側壁部面に設けられ相互の付着を防止する凸凹部37とを具備した。 (もっと読む)


【課題】異方性及び形状復元性を有する複数のCNTからなり、所望の位置に所望の形状で形成することのできる集合体及びそれを備える2端子スイッチを提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に設けられ該基板の表面と平行な一方向に配向する複数のカーボンナノチューブを備えるカーボンナノチューブ層を備え、前記カーボンナノチューブ層は、純度;98質量%以上、本数密度;1.0×1012〜4.0×1013本/cm2を備え、かつ形状復元性を備えることを特徴とするカーボンナノチューブ集合体。前記カーボンナノチューブ集合体を備える2端子スイッチ。 (もっと読む)


【課題】可動電極と固定電極が同一層に形成され、可動部の変位が支持基板の厚さ方向に対して生じるセンサの場合、可動部の変位の大きさを検出することができても、変位の方向を検出することができない。
【解決手段】半導体物理量検出センサに、(1) 可動電極と、前記可動電極と共通の第一の導電層に形成された第一の固定電極とで形成される第一の静電容量と、(2) 可動電極と、前記可動電極とは基板面上からの高さが異なる第二の導電層に形成された第二の固定電極とで形成される第二の静電容量と、(3) 物理量が印加されたときに生じる第一及び第二の静電容量の変化に基づいて物理量を算出する演算回路とを設ける。ここで、第一の静電容量からの電気信号と第二の静電容量からの電気信号が、それぞれ演算回路に入力される。 (もっと読む)


【課題】電子デバイスの製造方法において、封止用のキャビティ内の真空度を高めることを目的とする。
【解決手段】シリコンを含む第1の基板11の一方の主面11a側に可動部14aを形成する工程と、シリコンを含む第2の基板20の一方の主面20c側にキャビティ20bを形成する工程と、第1の基板11と第2の基板20の少なくとも一方の主面に、酸素及び窒素のいずれかの原子を含むプラズマを照射する工程と、プラズマを照射した後、キャビティ20bを可動部14aに対向させた状態で、第1の基板11と第2の基板20の各々の主面同士を真空中で接合することにより、キャビティ20b内を真空に保ちつつ、可動部14aを第2の基板20で封止する工程と、封止の後、シリコンと上記原子とが反応する温度以上の温度に第1の基板11と第2の基板20をアニールする工程とを有する電子デバイスの製造方法による。 (もっと読む)


【課題】入射角が大きな光に対する感度を向上させる。
【解決手段】マイクロ構造の製造方法は、シリコン基板50の被エッチング部に等方性プラズマエッチングを行なうステップと被エッチング部の少なくとも側面に保護膜を形成するステップとを交互に実行する第1エッチング工程と、第1エッチング工程の実行後に、被エッチング部に等方性プラズマエッチングを行なう第2エッチング工程とを含み、シリコン基板50の内部に向かい弧状に膨出する複数の凹部50cから成るマイクロ構造を形成する。 (もっと読む)


【課題】ミラー部を揺動駆動するための圧電アクチュエータを構成する圧電カンチレバーをノコギリ波状の駆動電圧により圧電駆動しつつ、ミラー部の高周波振動の発生が抑制されるように該ミラー部の揺動を行なうことができる光偏向器の駆動装置を提供する。
【解決手段】ミラー部1を揺動軸X2の周りに揺動させる圧電アクチュエータ10a,10bは、複数の圧電カンチレバー3(i)(i=1,2,3,4)を連結して構成され、圧電アクチュエータ10a,10bの一端及び他端のいずれか一方側から偶数番目の圧電カンチレバー3(偶数)を圧電駆動する第1駆動電圧と、奇数数番目の圧電カンチレバー3(奇数)を圧電駆動する第2駆動電圧とを逆位相のノコギリ波状の電圧とする。第1駆動電圧と第2駆動電圧との間の位相差が、ミラー部1の高周波振動が発生するのを抑制するように設定される。 (もっと読む)


【課題】ミラー部の偏向角を直線的に変化させ得る期間が短くなりすぎないようにしつつ、ミラー部の高周波振動の発生が抑制されるように該ミラー部の揺動を行なうことができる光偏向器の駆動装置を提供する
【解決手段】ミラー部1を揺動軸X2の周りに揺動させる圧電アクチュエータ10a,10bは、複数の圧電カンチレバー3(i)(i=1,2,3,4)を連結して構成され、圧電アクチュエータ10a,10bの一端及び他端のいずれか一方側から偶数番目の圧電カンチレバー3(偶数)と、奇数番目の圧電カンチレバー3(奇数)とのいずれか一方を圧電駆動する駆動電圧は、周波数が異なる正弦波Sa,Sbのそれぞれの半周期分の波形を連接して構成される。圧電カンチレバー3(偶数)及び圧電カンチレバー3(奇数)の他方を圧電駆動する駆動電圧は一方を圧電駆動する駆動電圧の逆位相の波形とされる。 (もっと読む)


【課題】 積層構造を有する可動質量体に固定された可動電極における反りの発生を抑制する技術を提供する。
【解決手段】 本明細書が開示するMEMSデバイスは、基板と、第1導電領域に第1絶縁領域を介して第2導電領域が積層されて形成されており、基板に対して相対的に移動可動な可動質量体と、基板と可動質量体を連結する弾性支持部材と、基板に固定された固定電極と、可動質量体に固定されており、固定電極に対向して配置された可動電極と、第1導電補強領域に絶縁補強領域を介して第2導電補強領域が積層されて形成されており、可動質量体に固定されており、可動電極を少なくとも両側から支持する補強部材を備えている。 (もっと読む)


【課題】絶縁体層において基板の一方の面と同じ側の面に電極層を形成した際に基板と電極層との間(絶縁体層)で発生する寄生容量を従来よりも低減できるセンサ用構造体、該センサ構造体を用いたセンサ及びアクチュエータを得る。
【解決手段】基板1は、ケイ素などの半導体からなるものであり、一方の面に形成された矩形状の凹部1aと、他方の面において、絶縁体層2における基板1の一方の面と同じ側の面と反対側の面が露出するように形成された開口部1bと、を有したものである。絶縁体層2は、二酸化ケイ素などの絶縁体からなる層であり、基板1の凹部1aの内部に形成されているものである。また、絶縁体層2の厚さは、2μmより大きい寸法を有したものである。このような構成のセンサ構造体は、センサ及びアクチュエータに用いることができる。 (もっと読む)


【課題】デバイス等を形成する基板に、複数の開口面積と、深さとの異なる貫通穴をエッチングによって同時に形成する貫通穴形成方法を提供する。
【解決手段】第1基板面と当該第1基板面に相対する第2基板面とを有する基板に対し、第1基板面に複数の小穴を連接して形成し、小穴をエッチングによって削成することで第1穴を形成する第1穴形成工程と、小穴と小穴との隔壁となる基板と、小穴の底部となる基板とを熱酸化し基板に熱酸化膜を形成する熱酸化膜形成工程と熱酸化した隔壁および底部と基板に形成した熱酸化膜を除去する除去工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】電子デバイスとその製造方法において、封止による気密性を高めること。
【解決手段】SOI基板1にカンチレバー(可動部分)4xを形成する工程と、カンチレバー4xの上方に、隙間gにより互いに分離された複数の電極膜25A、25B、25C、25G、25を形成する工程と、電極膜25A、25B、25C、25G、25の上に第1の保護膜31を形成する工程と、第1の保護膜31の上に、該第1の保護膜31よりも段差被覆性の良い第2の保護膜32を形成することにより、第2の保護膜32で隙間gを塞ぐ工程とを有する電子デバイスの製造方法による。 (もっと読む)


【課題】高粘度流体や異粘性流体均一に混合でき、酸性溶液等を流通させた場合でも腐食が起こりにくいマイクロミキサーの提供。
【解決手段】第一の微小管状流路を有するプレート5に第二の流体を流通する第二の微小管状流路を有するプレート7が積層した積層部11と、第一の微小管状流路の出口と第二の微小管状流路の出口とに通じ、流体が混合する混合部とを有し、プレートが金属材からなり、第一のプレートと第二のプレートの少なくとも一方が、流体供給路に通ずる微小管状流路の入り口部と、混合部に通ずる微小管状流路の出口部とを有し、該入り口部の微小管状流路が1本の流路で、出口部における微小管状流路内を液密状に流通する流体断面積が、入り口部における1本の微小管状流路内を液密状に流通する流体断面積より小さい断面積を有するプレートで、しかも、微小管状流路及び混合部がフッ素樹脂で被覆されている。 (もっと読む)


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