【課題】製造工程が簡便で、製造コストを小さくでき、解像度の低下を抑制する光走査素子を提供する。
【解決手段】アーム部１３ａ，１３ｂは、光を反射する平板状のミラー部１１と同じ水平位置に設けられ、梁部１２ａ，１２ｂを支持し、駆動されることによりミラー部１１を第１の方向に揺動させる。フレーム部１５は、ミラー部１１と異なる水平位置に設けられたそれぞれ一対のワイヤ固定部１７ａ〜１７ｆを有し、アーム部１１を支持する。サスペンションワイヤ１８ａ〜１８ｆは、ワイヤ固定部１７ａ〜１７ｆにおいて、フレーム部１５が第１の方向と直交する第２の方向の揺動可能なように、フレーム部１５を支持する。圧電膜１４ａ〜１４ｄは、アーム部１３ａ，１３ｂに設けられ、変位することによりアーム部１３ａ，１３ｂを駆動して、ミラー部１１を第１の方向に揺動させる。 （もっと読む）

【課題】プロセス数を増大させることなく、応力を緩和できる構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】一方の面に埋め込み酸化層と半導体層がこの順で積層される半導体基板１０を加工して作製され、前記一方の面側で他の基板に接合される半導体装置であって、前記埋め込み酸化層及び前記半導体層を加工して形成される半導体素子２０と、前記埋め込み酸化層及び前記半導体層を加工して形成され、前記半導体素子に接続される配線部と、前記配線部の端部に連続する前記半導体層によって構成され、当該半導体層の下側の埋め込み酸化層が除去されて前記半導体基板との間に空隙が形成されるパッド部４０と、前記パッド部と前記他の基板を接合する接合部とを含む。 （もっと読む）

【課題】櫛歯電極構造を高いアライメント精度で製造する方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１５１の面１５１ａ上に櫛歯電極用マスクパターン１５２ａ，１５２ｂを形成し、これを介してシリコン基板１５３を貼り合わせる。シリコン基板１５１，１５３の面１５１ｂ，１５３ｂに、櫛歯電極用マスクパターン１５２ａ，１５２ｂを内包する粗櫛歯マスクパターン１５４，１５５を形成する。面１５３ｂの側からＤＲＩＥをおこなって、粗櫛歯マスクパターン１５５をマスクにしてシリコン基板１５３を選択的に除去し、さらに櫛歯電極用マスクパターン１５２ａをマスクにしてシリコン基板１５１を選択的に除去する。面１５１ｂの側からＤＲＩＥをおこなって、粗櫛歯マスクパターン１５４をマスクにして残存シリコン基板１５１ｃを選択的に除去し、さらに櫛歯電極用マスクパターン１５２ｂをマスクにして残存シリコン基板１５３ｃを選択的に除去する。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスが簡便で、安定した制御が可能な光走査素子を提供する。
【解決手段】梁部１３ａ，１３ｂは、光を反射するミラー部１４がＸ軸方向の揺動可能なように、ミラー部１４を支持する。アーム部１２ａ，１２ｂは、梁部１３ａ，１３ｂを支持し、駆動されることによりミラー部１４をＸ軸方向に揺動させる。フレーム部１１は、アーム部１２ａ，１２ｂを支持する。駆動用圧電膜２１ａ，２１ｂは、アーム部１２ａ，１２ｂのＸ軸方向における一端側に設けられ、変位することによりアーム部１２ａ，１２ｂを駆動する。検出用圧電膜２２ａ，２２ｂは、アーム部１２ａ，１２ｂのＸ軸方向における他端側に設けられ、変位されることによりアーム部１２ａ，１２ｂの駆動を検出する。駆動によるアーム部１２ａ，１２ｂの他端側の振幅は、一端側の振幅より小さい。 （もっと読む）

【課題】テーパ縁を実現するために、ＭＥＭＳデバイス内に層を形成するための方法が提供される。
【解決手段】特定のＭＥＭＳデバイスは、テーパ縁を有するようにパターン形成された層を含む。テーパ縁を有する層を形成するための１つの方法は、エッチング誘導層を使用することを含む。テーパ縁を有する層を形成するための別の一方法は、上方部分が下方部分よりも速い速度でエッチング可能な層を堆積することを含む。テーパ縁を有する層を形成するための別の一方法は、複数の反復エッチングを使用することを含む。テーパ縁を有する層を形成するための別の一方法は、リフトオフマスクの上に層が堆積され、そのマスク層が除去された後、テーパ縁を有する構造が残されるように、負の角度を含む開口を有するリフトオフマスクを使用することを含む。 （もっと読む）

【課題】 基板に沿った方向に相対的に移動可能な一対の対向電極を有するＭＥＭＳデバイスにおいて、他方の対向電極の下端部を削ることなく、一方の対向電極の下端部を短く削ることが可能な技術を提供する。
【解決手段】 本発明の製造方法は、半導体ウェハを準備する工程と、半導体ウェハの下側表面から第１導電体層と絶縁体層を貫通して第２導電体層に達する第１溝部を形成する工程と、前記第１溝部に導電体からなる保護部を形成する工程と、半導体ウェハの上側表面にレジストパターンを形成する工程と、反応性イオンエッチング法により第２導電体層に一対の対向電極を形成する工程と、反応性イオンエッチング法を継続して一方の対向電極の下端部を削る工程と、絶縁体層を選択的に除去する工程を備えている。その製造方法では、前記第１溝部は一対の対向電極が対向する方向に関して他方の対向電極の両側面の外側に配置されている。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法でありながら狭間隔へもガラスが埋め込まれやすくなるガラス埋込シリコン基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス埋込シリコン基板の製造方法は、シリコン基板１０に凹部１１を形成する工程と、凹部１１に粉末状、ペースト状または前駆体溶液であるガラス材料２０ａを充填する工程と、ガラス材料２０ａを加熱して軟化させる工程と、軟化させたガラス材料２０ａを焼結させる工程と、凹部１１にガラス材料２０ａが充填されたシリコン基板１０の表裏面においてガラス材料２０ａとシリコン基板１０とを露出させる工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】高感度でありながら小型であり、かつ、製造コストも削減できる静電容量型ＭＥＭＳセンサを提供すること。
【解決手段】静電容量型ＭＥＭＳセンサの一例としての静電容量型マイクロフォン１は、互いに対向する第１電極部Ｘおよび第２電極部Ｙを有している。静電容量型マイクロフォン１は、第１電極部Ｘとしての側壁１２を有する凹所９が厚さ方向に掘り込まれた半導体基板２と、凹所９の深さ方向に沿う姿勢で第１電極部Ｘに対向するように凹所９内に配置され、凹所９の底面から離隔した底面２０Ｃを有し、半導体基板２の材料からなる第２電極部Ｙとしての膜２０と、膜２０を半導体基板２に結合する絶縁膜２１とを含む。 （もっと読む）

【課題】外部マニホールドを備えた高密度インクジェット印字ヘッドアセンブリの製造方法。
【解決手段】インクジェット印字ヘッドの形成方法は、ダイアフラム３６に複数の圧電素子２０を付着させるステップと、ダイアフラムと複数の圧電素子との上に誘電性充填層を供給し、圧電素子を封止するステップと、誘電性充填層を硬化させ、隙間層５０を形成するステップと、次に、複数の圧電素子の上面から隙間層をプラズマエッチングによって除去するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】封止基板の接合での気密封止パッケージで発生する内部応力による振動デバイスの共振周波数の変化やばらつきを低減し、安定した特性の機能素子パッケージを提供するものである。
【解決手段】第１の材料基板に対し、支持フレーム２０、梁３３及び振動部３０を含む複数の機能素子１０と、各支持フレーム２０を連結する連結部と、を有する機能素子ウエハを形成し、第２の材料基板に対し機能素子ウエハにおける機能素子１０に対応する凹部を形成し、第３の材料基板に対し、機能素子ウエハを、剛性の低い部材を介して接合し、機能素子ウエハにおける連結部を除去し、第３の材料基板の機能素子ウエハを接合した側の主面に、第２の材料基板の凹部を形成した側の主面を、機能素子が、凹部内に封止されるように接合し、第１の材料基板、第２の材料基板及び第３の材料基板の接合体にダイシングを行う。 （もっと読む）

【課題】
カンチレバーを利用したマイクロスイッチに新たな構造を採用しようと試みたところ、新たな問題が生じた。
【解決手段】
ＭＥＭＳスイッチは、支持Ｓｉ基板上に活性Ｓｉ層がボンディング酸化膜を介して結合されたＳＯＩ基板と、活性Ｓｉ層を貫通するスリットによって活性Ｓｉ層内に画定されたカンチレバー領域と、カンチレバー領域下方のボンディング酸化膜を除去することにより、カンチレバー領域と支持Ｓｉ基板との間に形成されたキャビティと、カンチレバー領域を取り囲む固定部と、カンチレバー領域から固定部に延在する可動コンタクト電極と、キャビティに隣接し、結合領域を除いて活性Ｓｉ層を貫通するスリットによって取り囲まれ、結合領域を介して、固定部の隣接する領域の活性Ｓｉ層に連続する活性Ｓｉ層の第１領域と、活性Ｓｉ層の第１領域に支持され、可動コンタクト電極上方にオーバーハングする部分を有する固定コンタクト電極と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 気液界面でも安定した高い信号雑音比（ＳＮＲ）を得ることができる、気液界面で共振するマイクロカンチレバーセンサを提供する。
【解決手段】 気液界面で共振するマイクロカンチレバーセンサにおいて、シリコン薄膜に数μｍの単位の幅のスリット２Ｂを形成することによって作製されたカンチレバー２Ａを、気体と溶液の気液界面に配置することにより、気体４に面する面における親水性負荷を取り除き高い信号雑音比（ＳＮＲ）が得られるようにし、レーザーを用いて駆動した前記カンチレバー２Ａの共振周波数を前記気体４側に配置した監視装置５によって測定するようにした。 （もっと読む）

【課題】懸架された膜を含む弾性波共振器の製作方法を提供する。
【解決手段】第一の基板表面上にある第一圧電材料の少なくとも１つの層を含む第一の堆積を作るステップと、少なくとも１つの第二の基板を含む第二の堆積を作るステップと、次の接合ステップの前に、堆積のうちの一つの表面を、突き出たナノ構造物が局部的に与えられたままにしている、抑制された大きさの粒子の堆積又は生成により、少なくとも１つの非接合の開始領域を作るステップと、非接合の開始領域の存在に起因する、堆積同士の間に気泡を作り出す、２つの堆積をダイレクトボンディングするステップと、少なくとも第一の基板を除去するための、第一の堆積の薄層化ステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 基板と可動構造体を備えるＭＥＭＳデバイスにおいて、長期間にわたってスティッキングを確実に防止することが可能な技術を提供する。
【解決手段】 本発明は、基板と可動構造体を備えるＭＥＭＳデバイスとして具現化される。その可動構造体は、基板の上方に間隙を隔てて配置される可動部と、絶縁膜を介して基板に固定される固定部と、可動部と固定部を連結する支持梁を備えている。そのＭＥＭＳデバイスは、可動構造体の下面側に、可動構造体から連続的に形成された第１凸部を有している。そのＭＥＭＳデバイスは、基板の上面側に、基板から連続的に形成された第２凸部を有している。そのＭＥＭＳデバイスでは、第１凸部と第２凸部がほぼ同じ大きさで、互いに対向して配置されている。 （もっと読む）

【課題】上部電極の直下に下部電極を簡単に形成でき、上部電極と下部電極との短絡を防止し、センサの検出精度を向上できるＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ベース基板７上に駆動用電極２２を選択的に形成し、駆動用電極２２を被覆するように、ＳｉＯ_２からなる電極被覆膜２３を形成する。次に、電極被覆膜２３上に、犠牲ポリシリコン層５２および犠牲酸化膜５３を順に形成する。次に、犠牲酸化膜５３上に、ポリシリコン層２６を形成し、エッチングにより、固定電極２７、可動電極２８およびコンタクト電極２９の形状に成形する。同時に、それらの間にトレンチ５６を形成する。次に、トレンチ５６の底部をさらに掘り下げて、犠牲酸化膜５３から犠牲ポリシリコン層５２を露出させる。そして、犠牲ポリシリコン層５２を完全に除去することにより、固定電極２７の櫛歯部３２および可動電極２８の櫛歯部３９の直下に空洞３７を形成する。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスとその製造方法において、封止後に電子デバイス内に残留する脱ガスの量を低減すること。
【解決手段】基板２０の上に下地膜２１を形成する工程と、下地膜２１の上に、感光性樹脂を露光及び現像してなる封止体２５ｂを形成する工程と、封止体２５ｂを加熱することにより、該封止体２５ｂをキュアする工程と、基板１に形成されたスイッチ素子１９に封止体２５ｂを貼付することにより、封止体２５ｂでスイッチ素子１９を封止する工程と、封止の後、下地膜２１を境にして封止体２５ｂから基板１を剥離する工程とを有する電子デバイスの製造方法による。 （もっと読む）

【課題】互いに噛み合う櫛歯状の第１電極および第２電極の大きさのばらつきを少なくでき、センサの検出精度を向上できるＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ベース基板７をエッチングすることにより、柱状部２９およびベース部３０を形成する。次に、当該柱状部２９およびベース部３０を熱酸化することにより、これらを絶縁膜に変質させる。これにより、柱状部２９からなる絶縁層８５およびベース部３０の表層部からなるベース絶縁層２１を形成する。次に、ベース絶縁層２１上にポリシリコン層２２を形成し、当該ポリシリコン層２２およびベース絶縁層２１の積層構造をエッチングして、Ｚ固定電極７１およびＺ可動電極７２の形状に成形する。同時に、それらの間にトレンチ５０を形成する。そして、当該トレンチ５０の底部を等方性エッチングすることにより、ベース絶縁層２１直下に凹部２０（空洞２３）を形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコン（Ｓｉ）基板を用い電鋳法で格子の金属部分をより緻密に形成し得る金属格子の製造方法および前記金属格子ならびにこれを用いたＸ線撮像装置を提供する。
【解決手段】金属格子ＤＧは、第１Ｓｉ層１１とこの上に形成され第２Ｓｉ部分１２ａおよび金属部分１２ｂを交互に平行に配設した格子１２とを備え、第２Ｓｉ部分１２ａは、第１Ｓｉ層１１との間に第１絶縁層１２ｃを有し、金属部分１２ｂとの間に第２絶縁層１２ｄを有する。金属格子ＤＧは、第１Ｓｉ層に第１絶縁層を介して付けられた第２Ｓｉ層を備える基板の第２Ｓｉ層上にレジスト層を形成し、これをリソグラフィー法でパターニングして除去し、ドライエッチング法で除去部分に対応する第２Ｓｉ層を第１Ｓｉ層に到達するまでエッチングしてスリット溝を形成し、その側面に陽極酸化法で第２絶縁層を形成し、電鋳法でスリット溝を金属で埋めることで製造される。 （もっと読む）

【課題】サイズが小さく、大量に効果的に生産できる高感度圧力センサを製造するための方法を提供する。
【解決手段】第１のデバイスウエハーをエッチングされた第２のデバイスウエハーに接合して架設された構造を作る、センサー１０を製作するための方法が、開示され、その構造のたわみは、第１のデバイスウエハーのデバイス層１１０に埋め込まれた相互接続部４００を通じてセンサー１０の外面と電気的に連通する埋め込まれた感知素子３１０によって決定される。架設された構造は、封鎖物５００によって封入される。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で高感度の圧力センサを提供する。
【解決手段】圧力センサ１は、半導体基板２を加工してダイヤフラム構造を形成した圧力センサであって、半導体基板２が貫通した貫通部４を１箇所以上ダイヤフラム部３に形成し、半導体基板２が貫通していない薄板部にピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４によるブリッジ回路を形成し、無機または有機材料５ａ〜５ｃにより貫通部４を密閉している。 （もっと読む）