【課題】真空の空洞内にＭＥＭＳ構造体が封止されたＭＥＭＳ素子において、封止の気密性が長期間安定に保持されるようにする。
【解決手段】ＭＥＭＳ構造体２０１が、基板３０１および積層構造体１２０により、空洞１１０内に気密封止されているＭＥＭＳ素子５００において、積層構造体１２０を構成する、２つの層の間に界面封止層１０１、１０２、１０３を設けて、気体が基板３０１の表面と平行な方向において、２つの層の界面を通過して空洞１１０内に侵入することを抑制する。 （もっと読む）

【課題】圧電アクチュエータの力を効率よく利用してミラーの回転方向に大きな変位を得るとともに、垂直方向の並進運動を大幅に抑制する。
【解決手段】ミラー部（12）を挟んで両側に一対の圧電アクチュエータ部（14）が配置される。圧電アクチュエータ部（14）の一端（14A）は連結部（16）を介してミラー部（12）の端部（12A）に接続され、圧電アクチュエータ部（14）の他端（14B）は固定部（30）に固定支持される。また、ミラー部（12）は、垂直方向への並進運動する抑制する垂直移動抑制構造(32)を介して固定部（30）に接続されている。回転軸（18）付近に接続されるトーションバー（20）とトーションバー（20）の基端部を支持するトーションバー支持部（22）とにより垂直移動抑制構造（32）を構成できる。 （もっと読む）

【課題】 一般的なＸ線タルボ干渉法を行う撮像装置に用いられる従来の遮蔽格子の透過部よりもＸ線の吸収量の小さい透過部を備える遮蔽格子として用いることができる構造体と、その製造方法とを提供する。
【解決手段】 構造体の製造方法は、基板の第１の面１０に複数の凹部２を形成する工程と、複数の凹部に金属を充填して複数の金属構造体３を形成する工程と、複数の金属構造体が形成された領域の外周部又は、第１の面と対向する基板の第２の面における外周部に対向する部分の少なくともいずれか一方にマスク層４（４ａ，４ｂ）を形成する工程と、マスク層４をマスクとして基板をエッチングする工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造における可動部の形状ばらつきを従来よりも小さくして、可動部の回動時の慣性モーメントを低減することができるアクチュエーター、光スキャナーおよび画像形成装置を提供すること。
【解決手段】光スキャナー１は、所定の回動中心軸まわりに回動可能な板状の可動板２１と、可動板２１に連結し、かつ可動板２１の回動に伴って捩り変形する連結部２３、２４と、連結部２３、２４を支持する支持部２２と、可動板２１の板面上に設けられた永久磁石４１と、永久磁石４１に作用する磁界を発生させて可動板２１を回動させるコイル４２とを有し、可動板２１は、可動板２１の板厚方向からの平面視にて十字状をなす。 （もっと読む）

【課題】導電性が皆無又はほとんど無い活性層を必要とする構造を低コストで製造可能なＭＥＭＳ構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】マイクロシステム又はナノシステム型デバイスは、可動部分１２０を有する第１基板１００と、第２基板２００と、第１基板及び第２基板の間に配置されている第１電極１０２及び誘電層１０１とを備えている。第１基板１００が、第１電極１０２に対して当接している導電性材料により充填されている貫通状態の縦導電経路１１１を有する。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、周波数特性の管理が容易なＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０と、基板１０の上方に配置された第１電極２０と、第１電極２０との間に空隙を有した状態で配置され、基板１０の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部３２、および梁部３２を支持する支持部３４を有する第２電極３０と、を含み、第１電極２０の側面２２は、第１電極２０の上面２１に接続された第１面２２ａと、第１面２２ａおよび基板１０の上面１１に接続された第２面２２ｂと、を有し、第１面２２ａは、基板１０の上面１１に対して傾斜し、基板１０の上面１１に対する第１面２２ａの角度は、第１角度αであり、基板１０の上面１１に対する第２面２２ｂの角度は、第１角度αよりも大きい第２角度βである。 （もっと読む）

【課題】標準的なＣＭＯＳプロセスに適合し、かつゲッタ材料又は反応性ガスに依存しないでキャビティをシールする方法を提供する。
【解決手段】キャビティ９１０は犠牲材料をエッチングにより除去することで形成され、キャビティのシールはキャビティより下側の材料がスパッタエッチングされ、キャビティに通じる通路の上及び中に再堆積されることでシールされる。キャビティに通じる通路の上に堆積された材料９０４も再びスパッタエッチングされ、キャビティに通じる通路内に再堆積される。スパッタエッチングを不活性雰囲気で行うことにより、スパッタエッチングの後にはキャビティ内は不活性ガスで充填される。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧の増大を招くことなく、優れた光学特性を有する波長可変フィルタを提供すること。
【解決手段】第２の基板３は、その厚さ方向での位置が異なる２つの面を可動部２１側に有し、２つの面のうち、一方に駆動電極３３が設けられ、他方に検出電極４０が設けられており、検出電極４０と可動部２１との間の静電容量に基づいて、駆動電極３３と可動部２１の間に電位差を生じさせることにより、これらの間に静電引力を生じさせて、可動部２１を変位させるとともに、固定反射膜３５と可動反射膜２５との間で光反射を繰り返し、干渉を生じさせて、固定反射膜３５と可動反射膜２５との間の距離に応じた波長の光を外部に出射し得るよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】ミラー面の鏡面性と製造歩留りに優れたＭＥＭＳ走査型ミラーの製造方法を提供する。
【解決手段】空洞HOが形成されるハンドル層Hと表面が鏡面仕上げされたデバイス層B、Ｔとがシリコン酸化膜を介して接合されたウエハを準備する工程、デバイス層にＭＥＭＳ走査型ミラーの下層構成要素に対応しかつデバイス層に形成すべき下層構造体を形成する工程、下層構造体形成後のウエハのデバイス層にシリコン酸化膜を介して上層のデバイス層を形成するためのウエハを接合する工程、上層のウエハを加工して所定厚さの上層のデバイス層を形成する工程、上層のデバイス層にＭＥＭＳ走査型ミラーの上層構成要素に対応しかつ上層のデバイス層に形成すべき上層構造体を形成する工程、ハンドル層Hに空洞を形成する工程、下層構造体のシリコン酸化膜を除去してＭＥＭＳ走査型ミラーを完成させる工程とからなる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板と絶縁基板とを接合した時に形成される密閉空間部の圧力を調整することの可能なＭＥＭＳセンサを得る。
【解決手段】シリコン基板４と、シリコン基板４の上下両面４ａ、４ｂに接合される一対の絶縁基板２、３と、シリコン基板４と絶縁基板２、３とを接合した時に形成される密閉空間部６とを備えたＭＥＭＳセンサ１において、絶縁基板２、３またはシリコン基板４の露出した外表面３ｂに、密閉空間部６と連通する貫通孔７を設ける。 （もっと読む）

【課題】マイクロシステムおよび／またはナノシステムタイプの新規作製方法、ならびに新規構造体を提供すること。
【解決手段】下部電極と呼ばれる少なくとも１つの電極（１０２）、および少なくとも１つの誘電体層（１０３）を含む第１の基板（１００）と、
可動部分（２１０）を含めた、デバイスのメイン平面と呼ばれる平面全体に延在する中間基板（２００’）と、
中間基板（２００’）に付着された上部基板（３００）であって、前記可動部分が下部電極と上部基板との間を移動することができる、上部基板と
を含む、マイクロシステムおよび／またはナノシステムタイプのデバイスについて記載されている。 （もっと読む）

【課題】画像品質の改良と、電力消費の削減とのために、高速に、かつ低電圧で駆動されることが可能な、機械的に作動させられるディスプレイを提供する。
【解決手段】シャッタベースの光変調器を組み込んだディスプレイ装置が、そのような装置を製造する方法とともに開示される。本方法は、当業界で周知の薄膜製造プロセスと互換性があり、より低い消費電力を有するディスプレイをもたらす。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳデバイスとの熱膨張の整合がよくとれた基板を有する構造の製造方法を提供する。
【解決手段】ボンディングされたエッチ・バック絶縁体上シリコン（以降は、ＢＥＳＯＩと称する）方法に基づく。ＢＥＳＯＩ方法はＳＯＩウェハ４０を含み、該ＳＯＩウェハ４０は、ハンドル・レイヤ４６、二酸化ケイ素からなる誘電体レイヤ４４、及びデバイスレイヤ４２を有する。ＳＯＩウェハ４０のデバイスレイヤ４２をメサ・エッチングによってパターン形成した後、該ＳＯＩウェハ４０を、パターン形成されたデバイスレイヤを有する別の基板にボンディングする。その後、ＳＯＩウェハ４０のハンドル・レイヤ４６、及び誘電体レイヤ４４をエッチングによって除去される。さらに、デバイスレイヤ４２をエッチングしてＭＥＭＳ装置を形成する。このＢＥＳＯＩ方法では、二酸化ケイ素誘電体レイヤ４４が除去された後に構造エッチングが実行される。 （もっと読む）

【課題】最適化された感度を有するＭＥＭＳおよび／またはＮＥＭＳ圧力測定デバイスを提供する。
【解決手段】基板２上で懸架された変形可能な膜４であって、膜の面の１つが測定される圧力を受けるように意図された膜と、歪みゲージを備え、膜４の変形を検出する手段であって、基板２上に形成される検出手段６と、膜４の変形を増幅された形で検出手段６に伝達する変形不能なアーム１４とを備え、アーム１４が、膜４の面にほぼ平行な軸線Ｙの周りで回転可能に基板２にヒンジ留めされ、膜４の変形を増幅された形で検出手段６に伝達するように膜と一体である。 （もっと読む）

【課題】圧力センサなどのデバイスの製造工程中に空洞内の上下のシリコン面の固着がない半導体基板およびその製造方法を提供する。また、精度良い小型のダイアグラムを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ＳＯＮ構造１０１のダイアフラム１００を有するシリコン基板１およびその製造方法において、ＳＯＮ構造１０１を構成する空洞２内の下側のシリコン面３に凸状の島４を形成する。半導体基板の表面に深さの異なるホール群を形成し、高温アニール処理することにより一つの大きな空洞を形成する。 （もっと読む）

【課題】均一厚み寸法を有する機能膜を備えたＭＥＭＳデバイスを製造するＭＥＭＳデバイスの製造方法、ＭＥＭＳデバイス、及び超音波トランスデューサーを提供する
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスの製造方法は、基板１１の第一面１１Ａに、平坦な先端面と側面部とを有する凸部を形成する凸部形成工程と、第一面１１Ａに側壁部１２１及びメンブレン１２２を有する支持膜１２を形成する成膜工程と、突出先端面と重なる位置に孔部３１を有するマスク層を形成するマスク工程と、孔部から支持膜１２のメンブレン１２２までを、厚み方向に沿ってエッチングした後、メンブレン１２２の表面に沿って側壁部１２１までをサイドエッチングしてキャビティＣを形成するエッチング工程と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】本発明は三次元構造体の製造効率の低下を招くことなく、電極パッドをシリコン基板に形成可能な三次元構造体の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の三次元構造体の製造方法は、シリコン基板T、B、Hを用いて形成された三次元微細構造体の電極パッド１６P３、１６P４の形成領域１６P３’、１６P４’に金Ａｕを堆積させる金属堆積工程と、シリコン基板T、B、Hを熱により酸化させて金Ａｕの形成領域以外の表面にシリコンの酸化膜ＳiO₂を形成する酸化膜形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】低電圧で駆動でき、リップルを抑えて安定した出力が得られる可変インダクタを提供する。
【解決手段】対向配置した薄膜インダクタと磁界遮蔽板、磁界遮蔽板を変位自在に支持する梁部及び薄膜インダクタと磁界遮蔽板の対向間隔を変化させるための駆動電圧が与えられる駆動電極を有し、互いに直列接続された複数のインダクタ素子と、この複数のインダクタ素子の駆動電極に、該素子毎に所定の位相差をもって、交流の駆動電圧を順に印加する駆動制御手段とを備え、複数のインダクタ素子のインダクタンス総和をインダクタンスとする可変インダクタ。 （もっと読む）

【課題】被処理基板における凹凸形状を備えた面と下地基板の表面とを仮接着した後に減圧下において処理する際の、加工精度、処理効率、及び／又は処理の安全性を高める。
【解決手段】本発明の１つの貼り合せ構造体４０の製造方法は、凹部４２Ａ及び凸部４２Ｂが形成された第１表面を備える被処理基板４１の第１表面４２上に、２５℃における粘度が０．０２Ｐａ・ｓ以上０．１Ｐａ・ｓ以下である溶液状仮接着材を供給する溶液状仮接着材供給工程と、その溶液状仮接着材を加熱することにより、第１表面４２の凸部４２Ｂを１０μｍ超２０μｍ以下の厚みの仮接着材４６Ｂによって覆う仮接着材形成工程と、その仮接着材４６Ｂを介して、第１表面４２と平板状の下地基板４８とを一時的に貼り合わせる貼り合せ工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】センサデバイスと基板との間に発生する寄生容量を従来よりも抑制することができるとともに、センサデバイスと基板との電気的な結合を切り離すことによるセンサデバイスと基板との間の電気絶縁性を従来よりも向上することのできる三次元構造体を提供する。
【解決手段】三次元構造体１００は、第１の基板１と、第１の基板１の一方の面に形成された絶縁体からなる多孔層２と、多孔層２において第１の基板１が形成されている側の面と反対側の面に形成された第２の基板３とを備え、多孔層２における各孔２ａの積層方向に対する断面形状が、正六角形状の孔２ａを複数個並べたハニカム形状を有し、多孔層２の厚さは、１μｍよりも大きくなっている。 （もっと読む）