【課題】低コストで簡単な方法により、固定電極および可動電極を保護する層を形成できるＭＥＭＳセンサの製造方法およびこの製造方法で得られるＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】センサ領域１０およびパッド領域を有するベース基板９をエッチングすることにより、露出空間３８を形成し、同時にＺ固定電極８１およびＺ可動電極８２を形成する。次に、センサ領域１０を覆うように第１犠牲層３９および第２犠牲層４０を形成する。次に、底部がパッド領域に対して接着するように、かつ頂部１８が第２犠牲層４０を覆うようにＳｉＯ_２からなる保護層１６を形成する。次に、保護層１６の直下の犠牲層３９，４０を除去して、保護層１６とセンサ領域１０との間に空間を形成する。犠牲層３９，４０の除去後、等方性エッチングにより、Ｚ固定電極８１およびＺ可動電極８２の下方部を連続させて空洞を形成する。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で高感度の圧力センサを提供する。
【解決手段】圧力センサ１は、半導体基板２を加工してダイヤフラム構造を形成した圧力センサであって、半導体基板２が貫通した貫通部４を１箇所以上ダイヤフラム部３に形成し、半導体基板２が貫通していない薄板部にピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４によるブリッジ回路を形成し、無機または有機材料５ａ〜５ｃにより貫通部４を密閉している。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ素子の耐衝撃性、気密性、信頼性を向上させ、低背化することができるＭＥＭＳデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】固定部、固定部に対して変位する可動部、及び固定部に配置された端子を有するＭＥＭＳ素子と、可動部に対向して配置され、貫通電極を有する貫通電極基板と、端子及び貫通電極との間に配置され、端子及び貫通電極を電気的に接続する導電性部材と、少なくとも導電性部材の配置位置の周囲の一部に導電性部材と接して配置された樹脂層、を備え、導電性部材及び樹脂層の高さは、それぞれ、可動部の変位を貫通電極基板で規制する高さであり、導電性部材及び／又は樹脂層は、可動部と前記貫通電極基板とを封止することを特徴とするＭＥＭＳデバイス。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、迷光が被投影面に照射されるのを防止することのできる光スキャナーおよび画像形成装置を提供すること。
【解決手段】光スキャナー１は、光反射性を有する光反射部を備える可動板と、支持部と、可動板を支持部に対して回動可能に連結する１対の連結部とを有し、各連結部は、１対の梁部材で構成され、１対の梁部材間の距離は、可動板の回動中心軸（軸線ａ）に平行な方向からみたときに、可動板の一方の面側から他方の面側に向けて幅が漸増しており、１対の梁部材の前記一方の面側の端同士の間の距離をＷ_１とし、１対の梁部材の可動板の厚さ方向での厚さをｔとしたとき、下記式（１）を満たす。
【数１】
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【課題】ＭＥＭＳデバイスを構成する絶縁構造体において応力による強度低下を回避する技術を提供する。
【解決手段】母材１００（ａ）に設けた絶縁部形成領域に平行配列する複数の溝を形成する（ｂ）。この溝は、絶縁部形成領域の上端側では溝２００が溝２０１よりも上端側に突出し、下端側では溝２０１が溝２００よりも下端側に突出する。溝を形成した絶縁部形成領域を熱酸化処理する。熱酸化処理で母材表面に成長した酸化膜により溝が完全に埋められた場合（ｃ）、酸化領域３００は、接続する導電性領域１０１，１０２に対して十分な幅を持つ板状の支持構造になり、構造体にかかる応力に対して高い強度をもつ。熱酸化処理で溝が完全に埋められなかった場合（ｄ）、酸化領域３０１の両側に接続する導電性領域１０１，１０２は、つづら折れ形状の梁からなるばねにより支持される状態となる。ばね形状の構造による緩衝作用により構造体にかかる応力を緩和する。 （もっと読む）

【課題】 外部からの電気エネルギーの供給なしに自律的に動作するマイクロポンプを提供する。
【解決手段】 マイクロポンプは、熱源側に位置する高温側部材と、放熱側に位置する低温側部材と、前記高温側部材と前記低温側部材の間に位置する中間層と、前記中間層と前記低温側部材の間で流路の一部を形成するチャンバーと、を備え、前記中間層は、ダイアフラムと、前記高温側部材からの吸熱及び前記低温側部材からの放熱により前記ダイアフラムを変位させる変位手段と、を含み、前記ダイアフラムは、変位前の第１位置と、前記変位により前記低温側部材と接する第２位置との間を変位することにより、前記チャンバー内への流体の取り込みと排出を行なう。 （もっと読む）

【課題】静電容量型トランスデューサーの製造コストを抑制しつつ感度を高める。
【解決手段】基板層（１０１）と、基板層に積層された絶縁層（１０２）と、絶縁層に積層されたシリコン層（１０３）とを含むダイを備え、支持部１１ａと、支持部に少なくとも一辺が結合し基板層の主面と垂直である厚さ１μｍ未満のシート状の可撓電極１１ｂと、基板層の主面と平行な方向において可撓電極と対向し基板層の主面と垂直な側面を有する固定電極１０ａ、１０ｂとがシリコン層によって形成され、支持部と固定電極とが絶縁層によって前記基板層に結合され、可撓電極と基板層との間には絶縁層に対応する空隙（Ｇ）が形成されている、ナノシートトランスデューサ。 （もっと読む）

【課題】簡単な製造プロセスで作製する。
【解決手段】マイクロミラー３２は、ヒンジ２５ａをミラー１４の下に隠した構成になっている。ミラー１４の下面中央には、支持柱１６の一端１６ａが接続されている。支持柱１６の他端１６ｂには、支持柱１６の径方向に長い形状をしたヒンジ２５ａが力点コネクタ２６ａを介して接続されている。一端１６ａと他端１６ｂとの間には、支点部材２８ｂが支点コネクタ２９ａを介して接続されている。支持柱１６は、ヒンジ２５ａの熱膨張を利用して、他端１６ｂが力点コネクタ２６ａにより径方向に押圧され、支点コネクタ２９ａを支点として一端１６ａでミラー１４を傾斜させる。 （もっと読む）

【課題】可動電極構造体に安定した状態で接点電極が形成できるようにする。
【解決手段】第２電極１０３の上部の後述する接点部が形成される接点部形成領域において、第２開口部１０５ａを有する密着膜１０５を犠牲膜１０４の上に形成し、次に、第２開口部１０５ａを覆って密着膜１０５の上に接点電極膜１０６を形成する。密着膜１０５は、例えば、チタン、クロム、ジルコニウム、タンタルなどの遷移金属、およびこれらの酸化物から構成することができる。接点電極膜１０６は、例えば、ルテニウム，ロジウム，パラジウム，オスミウム，イリジウム，および白金などの白金属の金属および金などから構成することができる。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で、かつ検出感度に優れる静電容量型加速度センサを提供すること。
【解決手段】内部に空洞１０を有する半導体基板２の表面部（上壁１１）に、互いに間隔を空けて噛み合うＺ固定電極６１とＺ可動電極６２とを形成する。そして、各Ｚ可動電極６２の電極部６６において、半導体基板２の表面から空洞１０へ向かう厚さ方向途中部まで、誘電層７０を埋め込む。これにより、Ｚ固定電極６１の電極部６４とＺ可動電極６２の電極部６６とが対向することによって構成されるキャパシタに、電極間距離ｄ１に基づく容量と、電極間距離ｄ２に基づく容量とを付与することによって、同一キャパシタ内において、静電容量の差を設けることができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、安定した振動特性を有するＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成された第１電極２０と、基板１０の上方に形成された支持部３０ａ、および支持部３０ａから延出し第１電極２０と対向配置された梁部３０ｂを有する第２電極３０と、を含み、第１電極２０は、平面視において第２電極３０の外縁の外側に形成された第１側面２２ａと、平面視において第２電極３０の外縁の内側に形成された第２側面２２ｂと、を有し、第１側面２２ａは、基板１０の上面１０ａに対して傾斜し、第２側面２２ｂと第１電極２０の上面２２ｃとは、角部２３を構成している。 （もっと読む）

【課題】エアダンピング効果の影響を低減でき、さらに効率よく製造することができるＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】表面２１および裏面２２を有し、振動膜７と、当該振動膜７を支持し、当該振動膜７の直下に空間６を区画するフレーム部８と、振動膜７に保持された錘９とを有するＳＯＩ基板２において、フレーム部８の底面（底壁）８３に、そのフレーム部８の内側面８２から外側面８１に至る溝１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】可動部を低い駆動力で揺動させることが可能な光偏向装置を提供すること。
【解決手段】光偏向装置は、基板と、平板形状の可動部２２０と、可動部２２０の端部２４２ａに接続されている突出部２４１ａと、突出部２４１ａと同一の中心軸２４０を有するように、可動部２２０の端部２４２ｂに接続されている突出部２４１ｂと、基板上に設置されており、突出部２４１ａの中心軸２４０の周囲を取り囲んでいる規制部２５０ａと、基板上に設置されており、突出部２４１ｂの中心軸２４０の周囲を取り囲んでいる規制部２５０ｂと、可動部２２０を揺動させる固定電極２０４ａ、２０４ｂと、を備える。規制部２５０ａで突出部２４１ａが支持されており、規制部２５０ｂで突出部２４１ｂが支持されていることで、可動部２２０が基板の上方に離反した位置で中心軸２４０の周りに揺動可能に支持されている。 （もっと読む）

【課題】ダイヤフラムの厚さのばらつきを抑制することのできる圧力センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】異方性エッチングによって第１凹部１３が形成された一面１１を有する第１基板１０と、第１凹部１３が密閉空間となるように第１基板１０の一面１１に接合された一面２１を有する第２基板２０と、を備え、第１凹部１３を測定媒体の圧力に応じて変形可能な側面を有するものとする。そして、第１基板１０に、側面の変形に応じて抵抗値が変化するゲージ抵抗４０を設ける。 （もっと読む）

【課題】複数の段差を備えた微細な３次元構造パターンの形成に好適なパターン形成方法及びパターン形成体を提供する。
【解決手段】パターン形成方法は、基板上に第１層目のハードマスク層１２、エッチストッパ層１３、第２層目のハードマスク層２２を形成し、該ハードマスク層及びエッチストッパ層をパターニングし、該ハードマスク層をエッチングマスクとして基板１１に異方性エッチングを行う。複数の段差を備えた微細な３次元構造パターン形成方法及びパターン形成体。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶材料を用いる機械構造部品は、強度を補うために結晶方位の異なる単結晶材料を積層した、複合基板が用いられるが、積層面の接合部にシリコン酸化膜を用いるため、高精度の加工が困難であるという課題があった。
【解決手段】本発明の機械構造部品は、積層するシリコン単結晶の接合面に、高融点金属シリサイド膜を用いる。高融点金属シリサイド膜は、従来用いられるシリコン単結晶のエッチング加工と同様のドライエッチングによって、シリコン単結晶と共に連続的に加工することができ、部品の加工精度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】トランスデューサーの製造コストを低減する。
【解決手段】ナノシートトランスデューサ（１）は、溝（１００ａ）と前記溝によって互いに隔てられた電極支持部（１０１）と厚さ１μｍ未満のシート状の可撓電極（１０４）とが形成されたシリコンからなる基板（１００）と、前記電極支持部上に形成された導電膜からなる固定電極（１０３）と、前記固定電極と前記電極支持部との間に形成された絶縁層（１０２）と、を備え、前記可撓電極は前記基板の主面に対して垂直である。 （もっと読む）

【課題】高能率・高品質な微細穴加工を実現するための加工用工具、その作製方法および高分子フィルムの加工方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコンの基板に、ドライエッチング技術によって形成した微小貫通孔を形成し、少なくとも該微小貫通孔の内壁に一種もしくは二種類以上の金属膜を積層して金属製の中空状ニードルを形成する微細穴加工用工具を提供し、さらに、該微細穴加工用工具を用いることで、高分子フィルムに、最小寸法が数μｍ〜数十μｍ程度の微細な貫通穴を高精度、高品質かつ高能率に加工する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】金属粒子を使用した微小サイズの半導体スイッチ素子を提供する。
【解決手段】半導体スイッチ素子は、所定の深さの孔１０５が設けられた第１絶縁膜１０１と、前記第１絶縁膜上に前記孔を挟んで互いに対向して設けられた第１配線１０３ａ及び第２配線１０３ｂと、前記孔内に前記第１配線及び前記第２配線との間に間隔を空けて配置された金属粒子１０６と、前記第１配線及び前記第２配線上に設けられた第２絶縁膜１０４と、前記金属粒子の上方に設けられた第３配線２０１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】圧電体薄膜を微細加工するとともに制御性良く加工を停止させることを可能とした圧電体薄膜ウェハの製造方法、及び圧電体薄膜ウェハの加工方法、並びに圧電体薄膜素子、圧電体薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】基板２上に組成式（Ｋ_1-xＮａ_x）ＮｂＯ₃（０．７＜ｘ≦１．０）で表される下地層４を形成する工程と、下地層４上に組成式（Ｋ_1-xＮａ_x）ＮｂＯ₃（０．４≦ｘ≦０．７）で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電体薄膜５を形成する工程と、基板２上に形成された下地層４及び圧電体薄膜５に、Ａｒを含むガスを用いてドライエッチングを行う工程と、ドライエッチングにおいて放出されるイオンプラズマ中のＮａの発光ピーク強度の変化を検出してエッチング速度を変更する工程とを有する。 （もっと読む）