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Fターム[3C081CA14]の内容

マイクロマシン (28,028) | プロセス (6,263) | 加工方法、手段 (4,742) | 除去加工 (2,002) | エッチング (1,585) | ドライエッチング (702)

Fターム[3C081CA14]に分類される特許

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【課題】静電駆動バルブを改良する。
【解決手段】駆動弁孔26をもつ駆動弁20を挟んでその両側に櫛歯形状の一対の駆動電極16〜19を設ける。駆動電極16〜19への印加電極により、駆動弁孔26が出口弁孔25aの軸上の位置にくる全開状態、及び駆動弁20が弁体25から離れ、かつ駆動弁孔26が出口弁孔25aの軸上の位置から外れた位置にくる部分開状態をとりうるように、駆動弁20は支持部21により出口弁孔25aの軸方向とそれに垂直な方向とに移動可能に支持されている。 (もっと読む)


【課題】表面側保護基板を通してデバイス本体のパッドと実装基板の導体パターンとを電気的に接続でき、且つ、デバイス本体に不要な応力がかかるのを抑制しつつ電気的な接続信頼性を高めることが可能なMEMSデバイスを提供する。
【解決手段】SOI基板(半導体基板)100を用いて形成され複数のパッド13を一表面側に備えたミラー形成基板(デバイス本体)1、ミラー形成基板1の一表面側に接合された第1のカバー基板(表面側保護基板)2を有するMEMSチップ4と、MEMSチップ4が実装された実装基板5とを備える。第1のカバー基板2は、ミラー形成基板1の各パッド13それぞれと接合されて電気的に接続されたシリコンからなる複数の導電部202が、第1のカバー基板2の厚み寸法内で設けられている。各導電部202と実装基板5の各導体パターン502とが、両者に跨って形成された半田部6を介して電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】パッケージング応力による基板変形が無く、かつ安価なパッケージングが可能なMEMSデバイスアセンブリを提供する。
【解決手段】MEMSデバイスアセンブリ20は、MEMSダイ22と、集積回路ダイ24とを備える。また、MEMSダイは、基板38に形成されたMEMSデバイス36とキャップ層34とを備える。パッケージング処理は、基板38にMEMSデバイス36を形成することとMEMSデバイスが存在するカンチレバー基板台を形成するためにMEMSデバイスを包囲する基板の一部分を除去することを含み、キャップ層34は基板に接続される。MEMSダイは集積回路ダイに電気接続され、MEMSダイ、集積回路ダイ、およびそれらを電気的に相互接続する相互接続部30を実質的に封止するためにモールド成形化合物32が施される。キャップ層はモールド成形化合物がMEMSデバイスと接触することを防止する。 (もっと読む)


【課題】 静電駆動式の光偏向装置において、可動部を支持する支持部材の剛性を低下させることが可能な技術を提供する。
【解決手段】 本発明は基部に設けられた固定電極と可動部に設けられた可動電極の間に電圧を印加することで可動部を揺動させて、可動部に設けられたミラーを揺動させる光偏向装置として具現化される。可動部は第1支持部材と第2支持部材によって支持されている。第1支持部材は絶縁体のみから構成されている。第2支持部材は導体とその周囲を覆う絶縁体から構成されている。その光偏向装置は、第2支持部材が第1支持部材に比べて長く形成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ドライエッチングを用いてシリコン基板における凹部の底部に垂直な開口を設けることができるシリコン基板の加工方法を提供する。
【解決手段】第1の開口4の底部に、パターン開口10を有するパターニングマスク14’を用いて、プラズマを用いた反応性イオンエッチングにより第2の開口5を形成するシリコン基板の加工方法であって、前記プラズマに対する前記第1の開口内の露出を妨げる遮蔽構造11’を前記シリコン基板内又は上に形成した状態で前記反応性イオンエッチングを行うシリコン基板の加工方法である。これにより、第2の開口の傾きの原因である、プラズマモールディング効果と呼ばれるシースの歪みを緩和することが出来る。 (もっと読む)


【課題】本発明は、する封止型デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の封止型デバイスは、固定部と前記固定部の内側に位置する可動部を有する第1基板と、前記第1基板の前記固定部及び前記可動部の上方を覆う第2基板と、前記第1基板の前記固定部と前記第2基板との間に配置され、前記第1基板と前記第2基板との間を封止する第1封止部材と、前記第1基板の前記固定部と前記第2基板との間に配置され、前記第1封止部材の外周部において前記第1基板と前記第2基板との間を封止する第2封止部材と、を備える。 (もっと読む)


【課題】耐荷重性をより一層向上させることのできる静電容量式センサを得る。
【解決手段】静電容量式センサ1は、絶縁基板2、3と、この絶縁基板2,3に接合されたシリコン基板と、を備えている。このシリコン基板には、絶縁基板2,3に接合されるフレーム部40と、一面に可動電極5a,6aが形成された錘部5,6と、当該錘部5,6を回動自在に支持する1対のビーム部7a,7b、8a,8bと、が形成されている。そして、1対のビーム部7a,7b、8a,8bのうちいずれか一方のビーム部7b,8bが他方のビーム部7a,8aよりも太さが太く長さが長くなるように形成されている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、微小機械デバイスの製造方法に関する。
【解決手段】本発明の微小機械デバイスの製造方法は、基板を提供し、該基板に第一材料層を形成する第一ステップと、前記第一材料層に犠牲層を形成する第二ステップと、前記犠牲層に第二材料層を形成する第三ステップと、犠牲層の一部をドライエッチング方法でエッチングする第四ステップと、残した前記犠牲層をウェットエッチング方法でエッチングし、前記第一材料層と前記第二材料層との間に隙間を形成するとともに、前記第二材料層の前記第一材料層に相対する表面に凸部を形成する第五ステップと、を含む。 (もっと読む)


【課題】拡散のプロセスやウェットエッチング液の性質、状態によらずに振動子を作製するための製造方法を提供する。
【解決手段】基板表面に高濃度不純物層を形成する工程と、高濃度不純物層上にマスクを形成する工程と、マスクを振動子の形状にパターニングする工程と、ドライエッチングによりパターニングした振動子の下方を残して少なくとも基板に達するまで高濃度不純物層を除去する工程と、ウエットエッチングにより高濃度不純物層の下方を除去して梁状の振動子を形成する工程と、高濃度不純物層上に形成したマスクを除去する工程と、
を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】MEMS圧力センサ装置を提供する。
【解決手段】微小電気機械システム(MEMS)圧力センサ装置20、62が、基板構造22、64に形成されたキャビティ32、68を有する基板構造22、64、基板構造24に形成された基準素子36を有する基板構造24を含む。検知素子44は、基板構造22、24の間に配置され、基準素子36から離間されている。検知素子44は、基準素子36及び基準素子36に形成された複数の開口38のうちの一つを介して外部環境48に露出される。検知素子44は、環境48からの圧力刺激54に応答して、基準素子36に対して可動である。製造方法76が、キャビティ32、68を有する基板構造22、64を形成すること78、検知素子44を含む基板構造24を製造すること84、基板構造を結合すること92、次いで、基板構造24に基準素子36を形成すること96を含む。 (もっと読む)


【課題】 SOI層のシリコンウエハで形成された枠体部と対向基板とが金属結合部を介して固定されたMEMSセンサにおいて、金属結合部を覆う保護絶縁層を欠陥無く形成できるようにしたMEMSセンサを提供する。
【解決手段】 対向絶縁層22に第1の金属層31aが形成され、機能層のシリコンウエハから分離された枠体部14に第2の金属層32aが形成され、第1の金属層31aと第2の金属層32aとが共晶接合または拡散接合で結合されている。第1の金属層31aのはみ出し部31cと対向する部分で、枠体部14に凹部18が形成され、はみ出し部31cと凹部18の底表面18bとの間に空隙部19aが形成される。CVD法などで成膜される保護絶縁層41が空隙部19aを経て金属結合部30aの外側部に欠陥なく成膜されるようになり、第1の金属層31aまたは第2の金属層32aの腐食を防止しやすくなる。 (もっと読む)


【課題】電子線照射によるレジストパターンのドライエッチング耐性を向上させる手段において、酸素が存在する雰囲気中でも、レジストパターンの形状劣化を防止し、微細な転写パターンを形成することを可能とするナノインプリント用モールドの製造方法およびレジストパターンの形成方法を提供する
【解決手段】レジストパターン2を形成した後に、前記レジストパターンの上に、オゾンアッシングからレジストを保護する保護膜3を形成し、次に、大気中のように、酸素が存在する雰囲気中において、前記保護膜を介して前記レジストパターンに電子線4を照射し、その後、前記保護膜を除去してドライエッチング耐性が向上した前記レジストパターンを形成する。 (もっと読む)


【課題】周期構造に対応する周期的パターンを有するレジストを形成する必要がなく、周期的パターン及び周期構造を基板表面に直接形成できる、マイクロ流体チップの製造方法、マイクロ流体チップ、及び表面プラズモン共鳴光の発生装置の提供。
【解決手段】基板表面の凹部を設ける領域に、ピコ秒オーダー以下のパルス時間幅を有するレーザー光Lを照射して、該レーザー光Lの集光域Fに、自己組織的に形成される周期的パターン14を有する改質部11を形成する工程Aと、エッチング処理を行い、該改質部11の少なくとも一部を除去して前記凹部を設けると共に、周期的パターン14に基づく表面プロファイルを有する、一方向に沿った複数の溝部を含む周期構造を、該凹部の底面に、形成する工程Bと、前記底面の周期構造を覆う金属層を形成する工程Cと、を含むことを特徴とするマイクロ流体チップの製造方法。 (もっと読む)


【課題】スイッチにおける損失を低減することができるMEMSスイッチの構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】接点金属薄膜21は、第2の配線3と対向する部分のみに設けられている。これにより、高い周波数の信号がその接点金属薄膜21を通過する距離が短くなるので、MEMSスイッチにおける損失を低減させることができる。すなわち、いわゆる表皮効果により、高周波信号の周波数が高いほど信号が導体の表面を流れるようになり、その表面が抵抗率の高い材料で覆われている場合には覆われていない場合に比べてスイッチの損失が増大する。しかしながら、上述したように第2の配線3と対向する部分のみに接点金属薄膜21を設けたので、高い周波数の信号がその接点金属薄膜21を通過する距離が短くなるので、スイッチの損失が増大するのを防ぐことができる。 (もっと読む)


【課題】可動部を正確に揺動させることが可能な光偏向装置および光偏向装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】光偏向装置は、基板と、可動部と、可動部を基板から離反した位置で揺動軸の周りに揺動可能に支持している可撓梁と、可動部の下面に対向する位置において基板に設けられている固定電極と、可動部に設けられている可動電極と、を備えている。可動部の下面には、基板側へ突出している突起部が形成されている。突起部は、可動部の揺動軸を含み可動部に垂直な面の面内に頂点を有している。可動部を揺動させている期間において、突起部が基板に接触している。 (もっと読む)


【課題】支持構造を有するMEMSデバイス、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】MEMSデバイスの実施形態は、導電性の移動可能層を含み、該移動可能層は、ギャップによって導電性の固定層から隔てられ、導電性の移動可能層内のくぼみの上にある剛性の支持構造もしくはリベットによって、または導電性の移動可能層内のくぼみの下にある柱によって支持される。特定の実施形態では、リベット構造の部分は、移動可能層を通って下の層に接触する。他の実施形態では、剛性の支持構造の形成に使用される材料を、MEMSデバイスと電気的に接続する不動態化を経ないと曝されるであろうリードを不動態化して、これらのリードを損傷またはその他の干渉から保護するためにも用いることができる。 (もっと読む)


【課題】半導体ウエハ面内における金属配線の抵抗分布のばらつきを抑え、得られるデバイスの特性や精度を面内で均一化させることが可能なマスクを提供する。
【解決手段】本発明のマスクは、金属配線を有するデバイス10を基板2の一面上に多数形成する際に、該基板の一面に対向配置されて用いられるマスクであって、個々の前記デバイスが配される前記基板上の位置に応じて、それぞれのデバイスが有する前記金属配線に対応する部位の形状を変えたこと、を特徴とする。 (もっと読む)


【課題】可動部を正確に揺動させることが可能な光偏向装置および光偏向装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】光偏向装置は、基板と、平板形状の可動部と、可動部を基板の上方に離反した位置で揺動軸の周りに揺動可能に支持する可撓梁と、可動部を揺動させるアクチュエータと、基板上に設置されているとともに可撓梁の下方から可撓梁に接離可能な下限規制部と、を備えている。揺動軸に垂直な断面における可撓梁の下面の形状が、下限規制部の上方に位置する領域において、曲面を有して下方へ突起している形状とされているか、または、揺動軸に垂直な断面における下限規制部の上面の形状が、曲面を有して上方へ突起している形状とされている。 (もっと読む)


【課題】パッドから取り出す電気信号のS/N比を向上させることが可能なMEMSデバイスを提供する。
【解決手段】SOI基板100を用いて形成されたミラー形成基板(デバイス本体)1を備える。ミラー形成基板1は、第1のシリコン層100aに形成され電気信号を生成する可動電極(機能部)22と、第1のシリコン層100a上に形成され電気信号を取り出すためのパッド13aと、第1のシリコン層100aにおいてパッド13aが形成された島状の導電部11acとを有する。導電部11acと第1のシリコン層100aにおける導電部11acの周辺部位とを絶縁分離するように第1のシリコン層100aに第1の分離部10aaが形成され、第2のシリコン層100bのうち導電部11acおよび絶縁層100cとともに寄生コンデンサを構成する部分の面積を低減するように第2のシリコン層100bに第2の分離部10bが形成されている。 (もっと読む)


【課題】MEMSコンポーネントを収納する密封空洞を備えたMEMSデバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】MEMSデバイス1は、MEMSコンポーネント6を収納した密封空洞5を備え、空洞5は、ある厚さtを有する絶縁体層スタック3の中に形成され、これにより空洞5および絶縁体層6のスタック3は、基板2と、厚さtを有する封止絶縁体層4との間に挟まれており、MEMSコンポーネント6は、絶縁体層スタック3の厚さtおよび封止絶縁体の厚さtに渡って延びた少なくとも1つの溝8によって取り囲まれている。 (もっと読む)


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