【課題】トーションバー加工時のばらつきを抑制する光偏向器、光偏向器の製造方法、光学装置及び表示装置を提供する。
【解決手段】光偏向器Ａは、光を反射する可動板１と、一端が可動板に固定され、他端が支持体に固定され、可動板を回転振動可能に軸支する一対のトーションバー２ａ、２ｂと、可動板を回転振動させる駆動機構と、を備えている。このトーションバー２ａ、２ｂは、単結晶シリコンを含んでおり、また、トーションバー２ａ、２ｂの可動板１表面に垂直であってトーションバー軸支方向の断面における形状は、断面の可動板表面垂直方向の略中央部を中心線とし、略相同である２つの略等脚台形が上底及び下底の何れか短い方同士を中心線で接合した形状である。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成され、空洞部３２を有する層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃと、空洞部３２に収容された機能素子２０と、空洞部３２の上方に形成された第１被覆層４０と、空洞部３２の上方を避けて層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃの上方に形成された樹脂層５０と、第１被覆層４０の上方に形成された第２被覆層６０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】封止基板の接合での気密封止パッケージで発生する内部応力による振動デバイスの共振周波数の変化やばらつきを低減し安定した特性の共振振動デバイスを提供する。
【解決手段】共振振動デバイスは、振動部が形成されている基板と、該基板に接合されて気密封止する封止基板とによって構成され、振動部が形成されている基板に封止基板に接合する接合フレーム１０１とは別に振動部を支持する支持フレーム１０３が設けられていて、接合フレーム１０１と支持フレーム１０３とがそれぞれのフレームよりも剛性の小さい部材によって結合されている。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳデバイスの製造方法において、陽極接合の際の空気の逃げ道を確保しつつ、陽極接合に必要な電圧を小さく抑える。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスの製造方法は、ＳＯＩ基板を用意する工程Ｓ１と、第１シリコン層を、複数の基本パターンに分割されつつ全てがブリッジ部によって接続されて全体が一体物となった形状にパターニングする工程Ｓ２と、中間絶縁層をエッチング除去することによって上記ブリッジ部の各両側の空間を連通させる工程Ｓ３と、基材と上記ＳＯＩ基板とを貼り合わせる工程Ｓ４と、電圧を印加することによって陽極接合させる工程Ｓ５と、第２シリコン層をパターニングして高架シリコン層を形成するとともに上記ブリッジ部を露出させる工程Ｓ６と、上記高架シリコン層をマスクとして上記第１シリコン層から基礎シリコン層を形成しつつ上記ブリッジ部を除去する工程Ｓ７とを含む。 （もっと読む）

【課題】複数の段差を備えた微細な３次元構造パターンの形成に好適なパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明によれば、ハードマスク層は基板に対してエッチング選択比が高い材料であるため、形成する３次元構造パターンに対応するハードマスク層の段差は、所望する３次元構造パターンよりも、深さを小さくすることが出来る。また、ハードマスク層に段差を形成するにあたり、ハードマスク層を基板表面を覆うように残存させることにより、複数段のパターン形成において、基板の帯電（チャージアップ）を抑制することが出来る。 （もっと読む）

【課題】空間光変調器の特性を長期にわたって安定させる。
【解決手段】電極、静電力により電極に引き付けられて揺動する可動部、および、可動部に支持されて可動部と共に揺動する反射鏡をそれぞれが有する単位素子を複数実装された基板と、反射鏡の間から基板に向かって差し込む光を遮断する遮光層とを備える。上記空間光変調器において、遮光層は、反射鏡および基板の間に配されてもよい。また、上記空間光変調器において、遮光層は、反射鏡および可動部の間に配されてもよい。 （もっと読む）

【課題】点光源のＸ線源を用いても、Ｘ線吸収の効率を低下させることのない湾曲したマイクロ構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】表側に微細構造とメッキ層を有し、裏側に弯曲した面を有するモールドからなるマイクロ構造体の製造方法であって、異方性エッチングにて深さ方向にエッチングされて形成された微細構造を有し、前記微細構造の連続した隙間の底部に導電性が付与されたモールドを用意する工程と、前記微細構造の底部からメッキして前記微細構造の連続した隙間に第１のメッキ層を形成する工程と、前記第１のメッキ層の上に、応力を発生する第２のメッキ層を形成し、前記第２のメッキ層の応力によりモールドを湾曲させる工程とを少なくとも有するマイクロ構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】光の反射効率が高く、製造プロセスが簡便な空間光変調素子を提供する。
【解決手段】空間光変調素子の製造方法であって、電極が形成された電極側基板を準備するステップと、電極との間の静電力により可動する可動部、可動部の動きに連れて傾斜する反射鏡および可動部を支持する支持部を有する可動側基板を準備するステップと、可動側基板の支持部を電極側基板に貼り合わせるステップとを備える製造方法が提供される。可動側基板を準備するステップは、基板本体を準備するステップと、基板本体の一面をエッチングすることにより可動部を形成するステップと、可動部上に反射鏡を成膜するステップと、基板本体に他面をエッチングすることにより支持部を形成するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】 圧電素子の形成位置の精度を高め、モーションセンサの歩留まりを向上させる。
【解決手段】 単結晶シリコンからなる基板の上面に絶縁層を形成し、前記絶縁層の上面に前記下電極層を形成し、前記下電極層の上面に前記圧電層を形成し、前記圧電層の上面に前記上電極層を形成し、平面視において前記可撓部の対向する二辺と重なる二辺を有し前記二つの縁領域を覆い前記二つの縁領域の間の領域を露出させた第一保護膜を前記上電極層の上面に形成し、前記第一保護膜を用いて前記上電極層と前記圧電層と前記下電極層とをエッチングし、前記第一保護膜を除去し、平面視において前記可撓部の前記二つの縁領域の間の領域を覆う第二保護膜を形成し、前記第二保護膜と前記上電極層とを用いて前記絶縁層をエッチングし、前記第二保護膜を除去し、前記絶縁層と前記上電極層とを用いて前記基板を異方性エッチングする。 （もっと読む）

【課題】第１の貫通口と連通する複数の第２の貫通口が形状精度よく形成された構造体を歩留まりよく得ることが可能なシリコン基板の加工方法を提供する。
【解決手段】第１のシリコン基板１０２と、第２のシリコン基板１０１と、第１のシリコン基板１０２と、第２のシリコン基板１０１との間に設けられ、複数の凹部１０９が設けられた中間層１０３と、の組を用意し、第１のシリコン基板１０２の中間層１０３との接合面の裏の面側から、第１のマスクを使用して第１のシリコン基板１０２をエッチングして第１の貫通口１０７を形成し、中間層１０３の複数の凹部１０９に対応する部分を露出させ、凹部１０９の底部部分を除去して中間層に複数の開口を形成し、開口が形成された中間層をマスクとして第２のシリコン基板１０１に第２のエッチングを行うことにより第２の貫通口１０８を形成する。 （もっと読む）

【課題】所望の周波数帯域で良好な感度を有する二次元容量型電気機械変換装置などの電気機械変換装置を無欠陥ないし歩留まり良く作製することを可能とする技術を提供する。
【解決手段】電気機械変換装置は少なくとも１つのセルを含むエレメント１、２、３を複数個有する。複数のエレメントト１、２、３は、複数の処理回路が形成された集積回路基板５上のそれぞれ対応する処理回路に対して、互いに分離して独立的に配置され、各エレメント毎に信号の入出力ができる様に、対応する複数の処理回路とそれぞれ機械的及び電気的に結合されている。 （もっと読む）

【課題】第２シリコン基板の第１シリコン基板と対向する面で、凹部と対向する部位と第１シリコン基板と接合された部位との境界における応力集中を緩和することにより、破壊耐圧を向上させることができる半導体圧力センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】一方の面３に凹部８ａが形成された第１シリコン基板２と、凹部８ａを封止するように第１シリコン基板２に一方の面７が接合された第２シリコン基板６と、第２シリコン基板６の他方の面１２に形成された歪検出素子１３と、第２シリコン基板６の一方の面７で凹部８ａと対向する部位に、少なくとも凹部８ａと対向する部位と第１シリコン基板２の一方の面３と接合された部位との境界を覆うように形成された第１酸化シリコン膜１８と、を備える。 （もっと読む）

隙間閉止アクチュエータ（GCA）装置（200）が提供される。GCA装置は、少なくとも一つの装置駆動櫛状構造（202a、202b）、GCA装置の出力を定める少なくとも一つの入力／出力（I／O）櫛構造（216a、216b）、ならびに装置駆動櫛状構造およびI／O櫛状構造と相互嵌合する少なくとも一つの装置トラス櫛状構造（204）を有し、トラス櫛状構造は、トラス櫛状構造と装置駆動櫛状構造の間に印加される第1のバイアス電圧（V_BIAS）に基づいて、第1の移動軸（205）に沿って、複数の相互嵌合位置の間を移動するように構成される。また、GCA装置は、ブレーキ部（203）を有し、これは、装置トラス櫛状構造と選択的物理的に嵌合するように構成され、第1の移動軸に沿った装置トラス櫛状構造の位置が固定される。

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【課題】 高アスペクト比な金属微細構造体を高精度で容易に得ることができる微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 微細構造体の製造方法は、Ｓｉ基板に第１の絶縁膜を形成する第１工程と、第１の絶縁膜の一部を除去してＳｉ表面を露出する第２工程と、露出されたＳｉ表面からＳｉ基板をエッチングして凹部を形成する第３工程と、凹部の側壁及び底部に第２の絶縁膜を形成する第４工程と、凹部の底部に形成された第２の絶縁膜の少なくとも一部を除去してＳｉの露出面を形成する第５工程と、Ｓｉの露出面より凹部に金属を電解めっきにより充填する第６工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】機能上有効な部位の加工精度を高めることのできるＭＥＭＳ構造体を得る。
【解決手段】支持基板２に接合した半導体基板３をエッチング加工することで形成される可動部４０および固定部５０を備え、当該可動部４０および固定部５０は、第１の間隙６２をもって対向配置される可動電極４１および固定電極５１をそれぞれ有し、当該固定電極５１に対する可動電極４１の相対変位に基づいて物理量を検出するＭＥＭＳ構造体１において、半導体基板３の支持基板２と当接する領域に、網目状溝部１０を形成した。 （もっと読む）

【課題】 熱コンダクタンスを低減させる連結構造または支持構造の加工に最適なＭＥＭＳの製造方法等を低起用すること。
【解決手段】 固定部６０上に形成された、第１空洞部３０を有する被エッチング層２２を加工するＭＥＭＳの製造方法は、被エッチング層２２の露出面のうち、被エッチング層２２が第１空洞部３０に臨む少なくとも側壁２２Ａに、マスク層２４を形成する第１工程と、マスク層２４の表面２４Ａ側の第１空洞部３０内に供給されたエッチャントを、マスク層２４の裏面２４Ｂ側に導いて被エッチング層２２を等方性エッチングして、第１空洞部３０に連通する第２空洞部３２をマスク層２４の裏面２４Ｂ側に形成して被エッチング層２２を加工する第２工程とを有する。被エッチング層２２はアンダーカット形状またはアーチ形状に加工される。 （もっと読む）

【課題】可動部および固定部が基板上の層の積層体によって形成されたアクティブ構造を備え、であって、可動部および固定部は対向する表面を備え、これらの表面は、システムの適用に応じて、たとえば停止部、検出または作動電極を形成し得るＭＥＭＳまたはＮＥＭＳシステムの簡略化された製造プロセスを提供する。
【解決手段】基板ならびに基板上に配列された少なくとも２つの層の積層体と、積層体内に形成された可動部および積層体内に形成された基板に対する固定部と、固定部と可動部との間に形成された対向する表面とを備える微小機械構造を製造し、たとえば、積層体に実質的に垂直な方向への可動部の変位を制限する停止手段を形成するプロセスであって、基板と、積層体の材料に対して選択的にエッチングされるのに適した材料からなる積層体との間に少なくとも１つの犠牲層を使用するプロセス。 （もっと読む）

【課題】本発明は、陽極接合時に可動部がガラス基板へ張り付くことを防止し、製造コストを抑制し、且つ接合不良を防止するＭＥＭＳデバイスの製造方法及びＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】本発明の一実施の形態に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法は、半導体基板に固定部と前記固定部の内側あるいは外側に位置する可動部を形成し、ガラス基板の一方の面上に前記半導体基板と対向させたときに前記可動部の周囲に位置する領域に導電部材を配置し、前記ガラス基板の他方の面を前記可動部と対向させた状態で前記半導体基板と前記導電部材の間に電圧を印加して前記半導体基板と前記ガラス基板の陽極接合を行う、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁溝と絶縁部材とで構成された絶縁部を有する半導体基板において、反りの発生を抑制する。
【解決手段】ミラーアレイデバイス１は、電極基板４を備えている。電極基板４は、その厚み方向に導通し且つ絶縁部５で囲まれることによって周辺の部分から絶縁された駆動電極４１を有している。絶縁部５は、電極基板４の表面４ａから形成された絶縁溝５１と、電極基板の裏面４ｂから埋め込まれて絶縁溝５１内に突出する絶縁部材５２とで構成されている。電極基板４には、電極基板４の応力を緩和するための応力緩和溝６が絶縁部材５２が埋め込まれた裏面４ｂ側から形成されている。 （もっと読む）

【課題】引き出し電極の抵抗値が小さく、引き出し電極の周りで寄生容量が形成され難い半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンからなるベース基板Ｂ４であって、絶縁分離された複数個のベース半導体領域Ｂｓが上面の表層部の所定領域Ｒ１に形成されてなるベース基板Ｂ４と、シリコンからなるキャップ基板Ｃ４であって、ベース基板Ｂ４の所定領域Ｒ１において、下面がベース基板Ｂ４の上面に貼り合わされるキャップ基板Ｃ４とを有してなる半導体装置１００において、下面が所定のベース半導体領域Ｂｓに接続し、キャップ基板Ｃ４を貫通するようにして、上面がキャップ基板Ｃ４の上面まで伸びる、金属４０で構成された引き出し電極Ｄｅ１が、当該引き出し電極Ｄｅ１の周りにおいて、キャップ基板Ｃ４との間に溝３５を有するように形成されてなる半導体装置１００とする。 （もっと読む）