【課題】 集積ＭＥＭＳスイッチ、設計構造体、及びそうしたスイッチの製造方法を提供する。
【解決手段】 本方法は、犠牲材料（３６）の少なくとも１つのタブ（３２ａ）を、犠牲材料内に埋め込まれたスイッチング・デバイス（３４）の側部に形成することを含む。本方法は、スイッチング・デバイスの側部にある少なくとも１つのタブの上に形成された少なくとも１つの開口部（４０）を通って犠牲材料を剥離することと、少なくとも１つの開口部をキャッピング材料（４２）で密封することとをさらに含む。 （もっと読む）

【課題】大型電気機械スイッチおよびソリッドステートスイッチの代替手段で実現したデバイスを提供する。
【解決手段】スイッチ構造１００などのデバイスが実現され、このデバイスは、接点１０２および導体素子の片持ち梁１０４を備える。導体素子の片持ち梁１０４は、導体素子の片持ち梁１０４が接点１０２からいくつかの場合において、約４μｍ以下の距離、他の場合には約１μｍ以下の距離だけ隔てられている非接触位置と、導体素子の片持ち梁１０４が接点１０２と接触し、接点１０２との電気的連通を確立する接触位置との間で選択的に移動可能なように構成される。導体素子の片持ち梁１０４が非接触位置に配置されたとき、接点１０２および導体素子の片持ち梁１０４は、それらの間で３２０Ｖμｍ−１を超える大きさを有する、および／または約３３０Ｖ以上の電位差のある電界を維持するように構成される。 （もっと読む）

【課題】高い感度で外力を検出することができるＭＥＭＳ装置を提供する。
【解決手段】基板５０と、基板５０上に配置された第１の支持部５１及び第２の支持部５２と、第１可動電極１１を有し、第１可動電極１１から離間した位置において第１の支持部５１に固定され、外力により変位する第１の可動部１０と、第１可動電極１１と対向して配置された第２可動電極２１を有し、第２可動電極２１から離間した位置において第２の支持部５２に固定され、外力により変位する第２の可動部２０とを備え、第１可動電極１１と第２可動電極２１との対向位置Ａと第１の可動部１０の重心位置Ｃ１との間において第１の可動部１０が第１の支持部５１に固定され、第２の可動部２０の重心位置Ｃ２を挟んで対向位置Ａと対向する位置において第２の可動部２０が第２の支持部５２に固定されている。 （もっと読む）

【課題】回動するミラーを有するマイクロミラー装置において、ミラー部の慣性モーメントに大きく影響を与える重量の増加を最低限に抑えつつ、ミラー部の剛性を向上させて往復振動時の反りや変形を極力低減させることができるように、ミラー部の構成について工夫すること。
【解決手段】トーションバー(52)を介してミラー部がフレーム(53)に対して回動可能に連結されたマイクロミラー装置を前提として、
上記ミラー部は、引張り応力を有する層(12a)と圧縮応力を有する層(12b)を備え、この二つの層の屈折率を異ならせて交互に積層した積層構造から構成される応力制御反射層(12)を含んで成ることである。 （もっと読む）

赤外線放射マイクロデバイス、このようなデバイス用の被覆材、及びその製造方法であって、該デバイスが、基板及び被覆材及び赤外線放射線検出、放射または反射赤外線マイクロユニットを有し、赤外線マイクロユニットが、基板と被覆材との間に画定されたキャビティ内に配置され、被覆材が、赤外線放射線の透過率を高める反射防止表面テクスチャを有し、付加的なプロセスにおいて、被覆材の基板側及び／または基板の被覆材側上に形成された分離フレームが、基板と被覆材との間に配置される。
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【課題】構造体の機械的な特性を保持しながら電気的な抵抗値を軽減し、優れた動作特性を有するＭＥＭＳデバイス、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１上に形成された多結晶シリコンからなる固定電極１０と、シリコン基板１上に形成された窒化膜３と隙間を設けて機械的に可動な状態で配置された多結晶シリコンからなる可動電極２０と、可動電極２０の周囲に形成され且つ固定電極１０の一部を覆うように形成された第１層間絶縁膜１３、第１配線層２３、第２層間絶縁膜１４、第２配線層２４、および保護膜１９がこの順に積層された配線積層部と、を有し、固定電極１０の前記配線積層部に覆われた部分がシリサイド化されてシリサイド部分２５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】可動錘部の質量を効率的に増大させることができ、多層配線を使用するＣＭＯＳプロセスを用いて、自在かつ容易に製造することが可能なＭＥＭＳセンサー（例えば静電容量型加速度センサー）を提供すること。
【解決手段】連結部１３０Ａを介して支持部１１０に連結され、周囲に第１，第２空隙部１１１，１１２が形成されてＺ方向に移動する可動錘部１２０Ａを有するＭＥＭＳセンサー１００Ａは、可動錘部１２０Ａが、複数の導電層と、複数の導電層間に配置された層間絶縁層と、層間絶縁層に貫通形成された埋め込み溝パターンに充填され、層間絶縁膜よりも比重が大きいプラグと、を含む積層構造体を有する。プラグは、層間絶縁層と平行な二次元平面の少なくとも一軸方向に沿って壁状に形成された壁部を含む。複数の導電層の一つが可動電極面を有する可動電極部１４０Ａとなり、これと対向する固定電極部１５０Ａが設けられる。 （もっと読む）

ＭＥＭＳデバイス等のためのシステムおよび方法は、親水性官能基を含む層を片側に含む、接触部分を有する構成要素と、層上に形成される被覆とを含むことができる。被覆は、層の親水性官能基と相互作用するように適合される親水性官能基を含むことができる。被覆はまた、被覆の親水性官能基の反対側に疎水性官能基を含むこともできる。層は、構成要素に結合することができ、被覆は、層に結合することができる。被覆は、蒸気形態である間に層上に形成されるように適合することができ、かつ潤滑剤を含むことができる。層は、酸化アルミニウム等の単原子層または多層であり得、被覆は、パーフルオロデカン酸等のフッ酸を含むことができる。
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【課題】 従来の欠陥及び制限を克服する、垂直型集積ＭＥＭＳスイッチ、設計構造体、及びそのような垂直型スイッチの製造方法を提供する。
【解決手段】 ＭＥＭＳスイッチを製造する方法は、ウェハ内に少なくとも２つの垂直方向に延びるビアを形成することと、少なくとも２つの垂直方向に延びるビアを金属で充填して少なくとも２つの垂直方向に延びるワイヤを形成することとを含む。この方法は、垂直方向に延びるワイヤの少なくとも１つがボイド内で移動可能であるように、下部側からウェハ内にボイドを開口することをさらに含む。 （もっと読む）

【課題】薄膜圧電アクチュエータを備えるＭＥＭＳ（微小電子機械システム）デバイスを提供する。
【解決手段】第１の面を有する基板１０２が、第１の面上において第１の接着促進導電層１０４と、結晶配向促進層１０６と、第２の導電１０８と、誘電層１１０と、第３の接着促進導電層１１４と、導電性電極１１６を有する。圧電部１１２は、この結晶配向促進層１０６と接触し、結晶配向促進層１０６の配向に対応する配向を有する。誘電材料１１０が圧電部１１２を囲む。この誘電材料１１０は、無機材料から形成される。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧の増大を招くことなく、優れた光学特性を有する波長可変フィルタを提
供すること。
【解決手段】第２の基板３は、その厚さ方向での位置が異なる２つの面を可動部２１側に
有し、２つの面のうち、一方に駆動電極３３が設けられ、他方に検出電極４０が設けられ
ており、検出電極４０と可動部２１との間の静電容量に基づいて、駆動電極３３と可動部
２１の間に電位差を生じさせることにより、これらの間に静電引力を生じさせて、可動部
２１を変位させるとともに、固定反射膜３５と可動反射膜２５との間で光反射を繰り返し
、干渉を生じさせて、固定反射膜３５と可動反射膜２５との間の距離に応じた波長の光を
外部に出射し得るよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧の増大を招くことなく、優れた光学特性を有する波長可変フィルタを提供すること。
【解決手段】第２の基板３は、その厚さ方向での位置が異なる２つの面を可動部２１側に有し、２つの面のうち、一方に駆動電極３３が設けられ、他方に検出電極４０が設けられており、検出電極４０と可動部２１との間の静電容量に基づいて、駆動電極３３と可動部２１の間に電位差を生じさせることにより、これらの間に静電引力を生じさせて、可動部２１を変位させるとともに、固定反射膜３５と可動反射膜２５との間で光反射を繰り返し、干渉を生じさせて、固定反射膜３５と可動反射膜２５との間の距離に応じた波長の光を外部に出射し得るよう構成されている。 （もっと読む）

半導体基板（２１０）上に形成されたマイクロまたはナノ電気機械トランスデューサデバイス（２００）は、作動構造の作動に応答して運動可能に構成された可動構造（２０３）を有する。可動構造（２０３）は、第１熱応答特性を有する少なくとも１層の機械層を備えた機械構造（２０４）と、第１熱応答特性とは異なる第２熱応答特性を有する作動構造（２０２）の少なくとも１層と、少なくとも１層の熱補償層を備えた熱補償構造（２０６）とを含んでいる。熱補償構造（２０６）は、少なくとも１層の作動構造（２０２）とは異なり、可動構造（２０３）の運動が実質的に温度変化には依存しないように、機械層（２０４）と作動構造（２０２）とによって生み出される熱効果を補償するように構成されている。
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ＭＥＭＳまたはＮＥＭＳデバイス（２００）の可動構造（２０３）は、第１熱応答特性と第１機械応力応答特性とを有する機械層（２０４）を備えた機械構造と；第２熱応答特性と第２機械応力応答特性とを有する作動構造（２０２）と；第３熱応答特性と第３機械応力応答特性とを有する第１補償層（２０６）と；第４熱応答特性と第４機械応力応答特性とを有する第２補償層（２０７）とを有する。第１補償層（２０６）と第２補償層（２０７）とは、可動構造（２０３）の運動が温度変動に依存しないように、機械構造（２０４）と作動構造（２０２）とによる熱効果を補償するように構成される。かつ第１補償層（２０６）と第２補償層（２０７）とは、ＭＥＭＳまたはＮＥＭＳデバイスが非アクティブ状態のとき可動構造が所定量だけ歪むように、機械構造（２０４）と作動構造（２０２）とによる応力効果を調整するように構成される。
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本発明は、基板上に微小表面構造を形成するための方法、特に微小電気機械部材の製造方法と、そのような微小表面構造と、そのような微小表面構造を有する微小電気機械部材の製造方法と、そのような微小電気機械部材とに関する。本発明は、特にマイクロシステム技術（ＭＳＴ、微小電気機械システムＭＥＭＳ）の部材にとって、ならびに、好ましくはゲッタ材料を用いた、微小部材の密閉ハウジングのための構造および接合技術にとって重要である。
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本発明は、多数の小型のＭＥＭＳデバイスを用いて相対的に大型の１つのＭＥＭＳデバイス又はディジタル可変キャパシタの機能を置き換えることを含む。相対的に小型の多数のＭＥＭＳデバイスは、相対的に大型のデバイスと同じ機能を実行するが、これらは、その相対的に小型のサイズに起因して、ＣＭＯＳ互換のプロセスを用いてキャビティ内に封止可能である。相対的に小型の多数のデバイスにわたる信号の平均をとることにより、相対的に小型の複数のデバイスからなるアレーの精度は、相対的に大型のデバイスのものと等価になる。第１のプロセスでは、ＭＥＭＳに基づく複数の加速度計スイッチからなるアレーを使用する。この場合、アレーには、慣性応答のアナログ／ディジタル変換が一体化されている。第２のプロセスでは、複数のＭＥＭＳデバイスがディジタル可変キャパシタとして並列動作する、ＭＥＭＳに基づくデバイス構造を使用する。
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【課題】本発明は、凹凸パターン部へのチッピング等の付着や腐食の少ないパターン形成体の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、表面に凹凸パターン部を有する被加工体を用意し、少なくとも上記凹凸パターン部上に、窒化クロムを含むクロム系材料を主成分とする保護層を形成する保護層形成工程と、上記保護層により保護された凹凸パターン部以外の、上記被加工体の部分を加工する加工工程と、を有することを特徴とするパターン形成体の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】静電力が可動部の揺動方向に働く位置関係に容易に電極を配置できる静電型アクチュエータを得る。
【解決手段】鏡面１２４と同じ方向を向く可動部側電極１２３ａの面と、裏面１２５と同じ方向を向く可動部側電極１２３ｂの面には、可動部膜１２７ａ、１２７ｂが蒸着される。可動部膜１２７ａ、１２７ｂはＳｉ_３Ｎ_４から成る。Ｓｉ_３Ｎ_４は所定の条件下で２１０ＭＰａの引張応力を発生する。そのため、可動部側電極１２３ａは、その先端が裏面１２５の方向へ向くように湾曲し、可動部側電極１２３ｂは、その先端が鏡面１２４の方向へ向くように湾曲する。同様に、固定部側電極１１１ａと固定部側電極１１１ｂも固定部膜１１２ａ、１１２ｂが蒸着されて湾曲する。 （もっと読む）

【課題】光反射部の変形を低減することのできる光学デバイス、光スキャナ及び画像形成装置を提供する。
【解決手段】板状の可動板２１１と、可動板２１１を回動可能に支持する一対の軸部材２１２、２１３と、一対の軸部材２１２、２１３を捩り変形させ、可動板２１１を回動させる駆動手段６とを備え、可動板２１１は、光を反射する光反射部２１１ａと、光反射部２１１ａと一対の軸部材２１２，２１３との間に配置される接続部２１１ｂ、２１１ｃとを有する。 （もっと読む）

【課題】基板上の空洞部内に機能素子を配置した電子装置において、基板のダイシング工程による帯電の影響を低減することのできる構造及び製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の電子装置１０は、基板１１と、該基板上に配置された機能素子１０Ｘと、前記基板上に設けられ、前記機能素子が配置された空洞部１０Ｃを包囲し画成する素子周囲構造１０Ｐとを備えた電子機器において、前記素子周囲構造の少なくとも一部が導電体１７、１９で構成され、該導電体を電気的に接続するための配線構造１７、１９が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）