【課題】キャビティ形成用の犠牲層の除去を比較的高速に且つ残渣を低減させて行うことができる容量型電気機械変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板４と所定の間隔を保って可動に保持される振動膜３により形成されるキャビティ９と、キャビティに面する表面が露出する電極８と、キャビティに面する表面が絶縁膜で覆われる電極１を有する容量型電気機械変換装置の製造方法である。基板上に犠牲層６を形成し、犠牲層の上に振動膜３を含む層を形成し、外部から犠牲層に通じるエッチング孔１０を形成する。その後、キャビティに面する表面が露出する電極８を電解エッチング用の一方の電極として、外部に設けた電解エッチング液に接している他方の電極１２との間で通電し、犠牲層を電解エッチングしてキャビティ９を形成する。エッチング孔１０から犠牲層除去剤を導入し、電解エッチングによる犠牲層の残渣１７を低減する。 （もっと読む）

【課題】ＰＮ接合部によって容量検出特性が不安定にならないようにすることができる力学量検出装置を提供する。
【解決手段】絶縁層２００の一面２０１に、対向配置された２つのダイヤフラム３４１、３４２を含む中空筒状の第１壁部３４０と第１壁部３４０の開口部３４６を閉じる第１蓋部３２１とを有する第１電極３０１を設ける。また、絶縁層２００の一面２０１に、対向配置された２つのダイヤフラム３５１、３５２を含む中空筒状の第２壁部３５０と第２壁部３５０の開口部３５６を閉じる第２蓋部３２２とを有する第２電極３０２を設ける。そして、第１壁部３４０の一方のダイヤフラム３４１と第２壁部３５０の一方のダイヤフラム３５１とを対向配置させる。これにより、各電極３０１、３０２が絶縁層２００の上で電気的に分離されるので、各壁部３４０、３５０の各ダイヤフラムに電極として機能させるための半導体領域が不要となる。 （もっと読む）

【課題】電界シールド基板と板ばねとの衝突を防止し、素子の歩留りを向上させる。
【解決手段】ＭＥＭＳ素子は、ミラー基板１００と、ミラー基板１００と対向して配置される電極基板２００と、ミラー基板１００に接合される電界シールド基板３００ａと、ミラー基板１００に対して変位可能に形成された可動電極である板ばね１０５ａと、電極基板２００上に形成された固定電極である板ばね駆動電極２０１ａと、電界シールド基板３００ａのミラー基板１００と対向する側の面上に形成され、ミラー基板１００の開口部１０１に嵌挿されるシールド電極３０２とを備える。電界シールド基板３００ａの水平方向の大きさは、開口部１０１の水平方向の大きさよりも大きく、シールド電極３０２の厚さは、開口部１０１の深さと同じかあるいは開口部１０１の深さよりも薄い。 （もっと読む）

【課題】密着膜を備え、配向の揃った圧電体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）Ｓｉ基板１１上方に、酸化シリコンの絶縁膜１２、Ｔｉ層１４、その上にＰｔ層１６を堆積し、（ｂ）Ｔｉ層１４、Ｐｔ層１６を堆積した基板１１をプラズマ気相堆積装置に搬入し、（ｃ）プラズマ気相堆積装置内において、基板１１を不活性ガス雰囲気中で、圧電体膜堆積温度まで加熱し、（ｄ）プラズマ気相堆積装置内において、加熱した基板１１上に、プラズマ気相堆積により、酸化物圧電体膜１８を堆積する。さらに圧電体膜１８上にＰｔ等の上部電極２０が形成される。 （もっと読む）

【課題】高速かつ大振幅動作が可能で、高輝度化に対応でき低コストの偏向マイクロミラー、及び該偏向マイクロミラーの製造方法を提供すること。
【解決手段】アルミニウム反射層を有する可動板１と、前記可動板１を回転振動可能に軸支する一対のトーションバー２と、を備え、前記トーションバー２は、一端が前記可動板１に固定されてなり、前記アルミニウム反射層は、水素雰囲気下で成膜されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高信頼性を実現すると共にアイソレーションを向上させることの可能なシャントスイッチを提供する。
【解決手段】シャントスイッチ１は、伝送線路１１の一部に対応する固定接点１５ａと、グランド線路１７の一部に対応すると共に固定接点１５ａに対向配置され、かつ基板面に平行な方向に沿って変位して固定接点１５ａと接触または乖離可能な可動接点１５ｂとを備える。固定接点１５ａおよび可動接点１５ｂの各表面には、誘電体膜１２，１６が形成されている。固定接点１５ａと可動接点１５ｂとが乖離した状態（開状態）では、伝送線路１１において信号伝送が行われ、接触した状態（閉状態）では、伝送線路１１が可動接点１５ｂを経由してグランドに接地される。容量結合によるシャント回路が形成されると共に、可動接点１５ｂの基板面に沿った変位によって接点接触がなされることにより、シャント回路への電気的干渉が抑制される。 （もっと読む）

【課題】振動膜及び基板の間に介在する介在部材、該振動膜及び該基板の間の固定部分、該振動膜及び該基板の全体にて応力発生が抑制できると共に、犠牲層を形成する工程及び孔をあける工程を省くことができ、ガスエッチングに起因する振動膜の損傷のおそれがなく、高い再現性及び信頼性、かつ簡略化された工程にて製造することが可能な超音波振動子ユニット及び超音波プローブを提供する。
【解決手段】基板の一面側に設けられた基板側電極と、該基板側電極と一面が対向するように配置された振動膜と、該振動膜の他面に設けられた膜側電極とを備える超音波振動子を、基板上に複数設けた超音波振動子ユニットにおいて、基板側電極の一部が該基板の一面に露出するように、該基板側電極を該基板に埋設し、静電引力及び化学結合によって、該振動膜及び該基板の間に、金属性の介在部材を固定する。 （もっと読む）

【課題】基板を振動させた際にミラー部を支持する梁部の位置が変わらずに必要な振幅が得られる光走査装置を提供する。
【解決手段】基板１の梁部３が接続された一対の基板舌部８に当該梁部３の接続部近傍であって基板長手方向の軸線Ｍに対して軸対称となる位置に基板舌部８の剛性を低下させる基板剛性低下部９が各々形成されている。 （もっと読む）

【課題】空間光変調器の特性を長期にわたって安定させる。
【解決手段】電極、静電力により電極に引き付けられて揺動する可動部、および、可動部に支持されて可動部と共に揺動する反射鏡をそれぞれが有する単位素子を複数実装された基板と、反射鏡の間から基板に向かって差し込む光を遮断する遮光層とを備える。上記空間光変調器において、遮光層は、反射鏡および基板の間に配されてもよい。また、上記空間光変調器において、遮光層は、反射鏡および可動部の間に配されてもよい。 （もっと読む）

【課題】従来の光偏向器においては、ミラーの角度検出センサとしての圧電センサがミラーの側辺に固定されていたために、ミラーに分散する応力が比較的大きくてミラーの変形を招き、他方、圧電センサに分散する応力は比較的小さく、従って、圧電センサの変位量は小さく、圧電センサの圧電起電力は小さかった。
【解決手段】ミラー２は円形反射面を有し、支持体１の空洞部１ａ内に位置する。１対のトーションバー３、４はミラー２を揺動可能に支持する。トーションバー３に作用する圧電アクチュエータ５、６を設け、トーションバー４に作用する圧電アクチュエータ７、８を設ける。半環状の圧電センサ９、１０はミラー２の外周側にスリットを介してトーションバー３、４のミラー２側付け根に連結される。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳが搭載される半導体基板と高周波動作で使用される電子部品との電磁的な結合を低減しつつ、そのような電子部品をその半導体基板上に形成する。
【解決手段】可動電極１２を覆うようにして可動電極１２と間隔を空けて配置された絶縁層１３およびキャップ膜１４を層間絶縁層８上に形成し、可動電極１２の周囲には空洞Ｕを形成し、キャップ膜１４上には導電層１５ａを形成するとともに、層間絶縁層８上には再配線１５ｂが形成され、導電層１５ａにて伝送線路を構成する。 （もっと読む）

【課題】電気機械変換器の特性を長期間にわたって安定させる。
【解決手段】電極を有する基板と、基板に対して一端を固定されて弾性変形する基板側捩じり軸部と、基板側捩じり軸部の他端に支持され、静電力により電極に引き付けられて基板に対して揺動する可動部と可動部の一面と交差する面を有して可動部と一体的に配され、可動部に対する曲げ応力に対抗する構造材とを備える。上記電気機械変換器において、捩じり軸部は、可動部と一体をなしてもよい。また、上記電気機械変換器において、捩じり軸部の他端に支持され、静電力により基板上の電極に引き付けられて基板に対して揺動する枠体と、一端を枠体に固定され、他端において可動部を支持する枠側捩じり軸部とを更に備え、可動部は、枠体に対しても揺動してもよい。 （もっと読む）

【課題】従来の領域分割基板と較べて部分領域を引き出し導電領域として利用した場合の抵抗値が小さく、導電性、半導電性または絶縁性の任意の基板材料を用いることができ、適用制限の少ない領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】基板３０の第１表面Ｓ１から第２表面Ｓ２に亘って、当該基板３０を貫通するように形成されたトレンチ３１ａによって、当該基板３０が複数の部分領域Ｃｅに分割され、トレンチ３１ａによって形成された部分領域Ｃｅの側壁に、第１表面Ｓ１の側から第２表面Ｓ２の側に亘って、当該基板３０より高い導電率を有する導電層３５が形成され、導電層３５を介して、トレンチ３１ａ内に絶縁体３１ｂが埋め込まれてなる領域分割基板Ａ１０とする。 （もっと読む）

【課題】空間光変調器の特性を長期間にわたって安定させる。
【解決手段】基板と、基板に対して揺動する反射鏡とを備えた空間光変調器であって、反射鏡は、反射面と、反射面に交差する面を含み反射面の裏面に配されて反射面に対する曲げ応力に対抗する構造材とを有する。上記空間光変調器において、構造材は、面に更に交差する底面を有してもよい。また、上記空間光変調器において、構造材は、反射面と共に包囲した空間と、当該空間の外部との間を連通させる貫通孔を有してもよい。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ、ＮＥＭＳなどの半導体素子を封入する方法、および空隙を形成する方法、および関連した素子を提供する。
【解決手段】半導体素子を製造する方法は、非平坦な立体形状を有し、実質的な地形変動を含む主面を備えた基板を用意することと、上面および下面を有する第１キャップ層を主面の上に形成することとを含む。第１キャップ層の形成の際、第１キャップ層に局所欠陥が導入され、局所欠陥は、実質的な地形変動に対応した場所に位置決めされており、局所欠陥は、所定の流体が通過できるのに適している。 （もっと読む）

【課題】小型化を図りつつ光の走査角度の広角化を図れるＭＥＭＳ光スキャナを提供する。
【解決手段】外側フレーム部１０、ミラー面２１が設けられた可動部２０、一対の捩りばね部３０，３０を有するミラー形成基板１と、ミラー形成基板１に接合された第１のカバー基板２および第２のカバー基板３とを備える。外側フレーム部１０に形成された固定電極１２と可動部２０に形成された可動電極２２とで、可動部２０を駆動する駆動手段を構成している。第１のカバー基板２におけるミラー形成基板１側に、第１のカバー基板２を通して入射し１つのミラー面２１で反射した光を当該ミラー面２１側へ反射する複数の固定ミラー６が並設されている。 （もっと読む）

【課題】捩り撓みヒンジで連結されて相対的に回転する微細加工部材の改良された構造体を提供する。
【解決手段】基準フレームを動的プレート５８に連結し、フレームを捩りバーではなく、折返し捩り撓みヒンジ９６でプレートに連結する。そして、折返し捩り撓みヒンジ９６はプレート５８をフレーム側から支持するもので、３つの基本ヒンジ素子１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃから成り、各基本ヒンジ素子１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃの縦軸９８の向きは、プレート５８の回転軸６２に垂直ではなく、折返し捩り撓みヒンジ９６の中間部１０４が、基本ヒンジ素子１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃの直隣接端１０６を相互連結し、基本ヒンジ素子１０２ｂは、フレームに対して、軸６２を中心とするプレート５８の角回転を測定する捩りセンサ１０８を備えるように構成する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳデバイスを駆動させ、共振周波数の誤差を測定し、製造工程の寸法誤差を評価する方法を実現する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスの評価方法は、基板２０の表面に形成される下部電極５０と、下部電極５０の表面に空間を有し、互いに平行、且つ対向する方向に延在される第１駆動腕６２と第２駆動腕６４を有し、第１駆動腕６２と第２駆動腕６４それぞれの共振周波数を測定する工程と、第１駆動腕６２と第２駆動腕６４それぞれの共振周波数から共振周波数の中央値を計算する工程と、第１駆動腕６２と第２駆動腕６４それぞれの共振周波数と前記中央値との差を計算する工程と、を含み、この共振周波数の差から第１駆動腕６２及び第２駆動腕６４のずれ量を評価する。 （もっと読む）

本発明は、三次元のマイクロ構造体に関する。本発明の構成では、その各マイクロコラム長手方向延在長さに関して互いにほぼ平行でかつ互いに間隔を置いて相並んで配置された多数のマイクロコラムが設けられており、該マイクロコラムが、少なくとも１種の非晶質のマイクロコラム材料を有しており、マイクロコラムが、それぞれ２０〜１０００の範囲から成るアスペクト比およびそれぞれ０.１μｍ〜２００μｍの範囲から成るマイクロコラム直径を有しており、隣接し合ったマイクロコラムの間に配置されたマイクロコラム間隙が設けられており、該マイクロコラム間隙が、隣接し合ったマイクロコラムの間で１μｍ〜１００μｍの範囲から選択されたマイクロコラム間隔を有している。さらに、三次元のマイクロ構造体を製作するための方法において、以下の方法ステップ：ａ）型材料を有する型を用意し、ただし該型は、実質的にマイクロ構造体に対して反転した、複数のコラム状の型キャビティを備えた三次元の型構造体を有しており、ｂ）前記コラム状の型キャビティ内にマイクロコラム材料を配置して、複数のマイクロコラムを形成し、ｃ）型材料を少なくとも部分的に除去する、から成るステップを実施することを特徴とする、三次元のマイクロ構造体を製作するための方法も記載される。型としてはシリコンウェーハが使用されると有利である。型を用意するために、ＰＡＥＣＥ（Photo Assisted Electro- Chemical Etching）法が使用される。本発明によれば、大きな表面積を有するマイクロ構造体が実現可能となる。
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【課題】断線の無い良好な配線パターンを形成することにより安価で信頼性の高い半導体容量式加速度センサ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による半導体容量式加速度センサの製造方法は、ガラス板２の接続孔３の加工をサンドブラスト法で行った上でガラス板２を半導体基板１に接合し、その後、ガラス板２の表面上に金属膜３３を形成して配線する半導体容量式加速度センサの製造方法であって、接続孔３のオーバハング部２８があるガラス板２の第２面２７とは反対側の第１面２６を半導体基板１に接合することを特徴とする。 （もっと読む）