【課題】酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタの電気特性のしきい値電圧をプラスにすることができ、所謂ノーマリーオフのスイッチング素子を実現するトランジスタ構造を提供する。
【解決手段】異なるエネルギーギャップを有する、少なくとも第１の酸化物半導体層及び第２の酸化物半導体層を積層させた酸化物半導体積層であって、化学量論的組成比よりも過剰に酸素を含む領域を有する酸化物半導体積層を用いてトランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】安価で高精細なＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】 電流制御用ＴＦＴ１０４に接続された画素電極１０５を陰極とするＥＬ素
子を含む画素１０２が基板上に配列され、対向基板１１０には画素１０２の縁に対応した
位置に遮光膜１１２が、画素１０２に対応した位置にカラーフィルター１１３が形成され
る。この遮光膜１１２により画素の輪郭が明瞭なものとなり、高精細な画像表示が可能と
なる。また、本願発明のＥＬ表示装置は液晶表示装置の製造ラインの殆どを転用すること
ができるため、設備投資の負担が少なく、総合的な製造コストが低い。 （もっと読む）

【課題】寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを課題の一とする。また、駆動回路に用いる薄膜トランジスタの動作速度の高速化を図ることを課題の一とする。
【解決手段】酸化物絶縁層がチャネル形成領域において酸化物半導体層と接したボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ソース電極層及びドレイン電極層がゲート電極層と重ならないように形成することにより、ソース電極層及びドレイン電極層とゲート電極層との間の距離を大きくし、寄生容量の低減を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】高いオン特性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを提供する。高速応答及び高速駆動の可能なトランジスタを有する高性能の半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域を含む酸化物半導体膜を有するトランジスタの作製工程において、該酸化物半導体膜に、金属元素を含む膜と接した状態で加熱処理することにより導入された金属元素と、注入法により該金属元素を含む膜を通過して導入されたドーパントとを含む低抵抗領域を形成する。低抵抗領域はチャネル長方向においてチャネル形成領域を挟んで形成する。 （もっと読む）

【課題】内部空間の厚みむらが小さい発光デバイス用セルを高い生産効率で好適に製造できる方法を提供する。
【解決手段】間隔をおいて互いに対向して配された一対のガラス板母材２１，２４の間にガラス製の融着部構成部材２５を格子状に設ける。融着部構成部材２５と一対のガラス板母材２１，２４のそれぞれとを融着させることにより、格子状の融着部２６を有するセル母材３０を作製する。格子状の融着部２６の行方向及び列方向のそれぞれに沿ってセル母材３０を切断することにより、発光デバイス１を複数作製する。格子状の融着部構成部材２５の第１の方向に沿って延びる部分をガラスリボン２２により構成し、第２の方向に沿って延びる部分をガラスペーストにより構成する。 （もっと読む）

【課題】プロセス技術が比較的簡単、且つ、少ない素子数で多値情報を記憶することがでるメモリを提供する。
【解決手段】メモリ素子４２６において、第１の記憶素子における第１の電極４１７の形状の一部を、第２の記憶素子における第１の電極４１７の形状と異ならせることで、第１の電極４１７と第２の電極４２０の間の電気抵抗が変化する電圧値を異ならせて、１ビットを越える多値の情報の記憶を一つのメモリセルで行う。第１の電極４１７を部分的に加工することで単位面積当たりの記憶容量を増大することができる。 （もっと読む）

【課題】高い封止性能を備えた電気光学装置を提供する。
【解決手段】本発明の電気光学装置１は、基板１０と、基板１０上に形成された第１電極１２と、第１電極１２と対向して形成された第２電極１３と、第２電極１３を覆って形成された第１無機封止層１４と、第１無機封止層１４上に形成された有機中間層１５と、有機中間層１５の端部に接して形成された封止層１６と、有機中間層１５上に形成された第２無機封止層１７と、を有し、封止層１６は無機材料を含み、第２無機封止層１７は有機中間層１５と接しており、第２無機封止層１７の端部は封止層１６と接している。 （もっと読む）

【課題】高い作業効率および高い検査精度で欠けもしくはクラックを検査可能な表示装置を提供することである。
【解決手段】本発明に係る表示装置１は、第１主面22aに表示領域Ｅ_Ｄを有する第２基
板22と、第２基板22の第１主面22ａ上に集中的に設けられた外部接続用の複数の電極端子WCPと、第２基板22上に第２基板22の外周に沿って１ヶ所で切れた環状に設けられた検査
用配線Ｔと、検査用配線Ｔの一方端側に接続された第１検査用電極TP1と、検査用配線Ｔ
の他方端側に接続された第２検査用電極TP2とを備えており、第１検査用電極TP1および第２検査用電極TP2は、複数の電極端子WCPとともに集中的に配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ホログラムラベルは、被貼着体に貼付後、その被貼着体の真正性を証明するものであるため、不正に剥離されて、真正でない他の被貼着体へ再貼付して使用されることが可能であると、その証明性を維持することができなくなるという課題を有していた。
【解決手段】ホログラムラベルを構成する透明基材の一方の面にパターン状に表面活性化処理を施すことにより、ホログラムラベルを剥そうとすると、透明基材のみが容易に剥離して、その後にその「パターン」が浮き上がるという効果を持ち、さらに、所定の電界の印加により、その「パターン」状の欠けを含むホログラム再生像が出現して、その真正性を容易に判定可能なホログラムラベルを提供する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜に酸素ドープ処理を行って、第１の絶
縁膜に酸素原子を供給し、第１の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極、ならびに
、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し、酸化物半
導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が除去された
酸化物半導体膜上に、第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上の酸化物半導体膜と重畳す
る領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部（画素部ともいう）とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用チャネルエッチ型薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体によって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用チャネル保護型薄膜トランジスタと、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する半導体装置である。半導体装置に設けられる該薄膜トランジスタは多階調マスクによって形成されたレジストマスクを用いて作製する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、電気的特性の変動が小さく、信頼
性の高い半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】チャネルを形成する酸化物半導体層に接する絶縁層に、シリコン過酸化ラジ
カルを含む絶縁層を用いる。絶縁層から酸素が放出されることにより、酸化物半導体層中
の酸素欠損及び絶縁層と酸化物半導体層の界面準位を低減することができ、電気的特性の
変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】発光素子を用いた発光装置において、外部より侵入する水の影響を抑制し、十分
な信頼性を有する封止構造を提供する。
【解決手段】発光装置は隔壁を有し、隔壁には発光素子が設けられる第１の開口部と、第
２の開口部が設けられ、第２の開口部は画素部の外周を囲んでいる。第２の開口部では、
隔壁が厚さ方向に貫通し、第２の開口部には発光素子の陰極が設けられ、さらには第２の
開口部の底部では、陰極と接する導電膜が設けられている。このような構成により、外部
より侵入してきた水が画素部の発光素子へ到達する経路を遮断し、その影響を抑えること
ができる。 （もっと読む）

【課題】映像信号の輝度制御に関して、１フレーム相当の時間よりも短い周期での制御を可能にした映像信号処理回路、映像信号処理方法、当該映像信号処理回路を備える表示装置、及び、当該表示装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】入力される映像信号に基づいて輝度積算値を算出し、この算出した輝度積算値に基づいて前記映像信号の輝度制御を行う映像信号処理回路において、１フレーム相当の時間よりも短い周期で輝度積算値の算出を行うようにする。 （もっと読む）

【課題】透明導電性高分子層に相当する層の損傷防止と保存経時による発光不良の防止とを実現する。
【解決手段】本発明にかかる透明電極２は、基板４と、基板４上にパターン状に形成された金属材料からなる第１導電層６と、導電性ポリマーを含有する第２導電層８とを、有する。第２導電層８には繰り返し単位中に水酸基を有する水溶性樹脂が含有され、かつ、第２導電層８中の水酸基濃度が０．５〜５．０ｍｍｏｌ／ｇである。 （もっと読む）

【課題】ソース線へのデータ書き込み期間を確保して、ＩＣチップの使用数を削減する。
【解決手段】ｎ個の映像データ（例えば、ＲＧＢの３つの映像データ）が１つの入力端子に順次入力される。入力端子にはそれぞれ、３つのスイッチ、３つの第１メモリ素子、３つの転送用スイッチ、３つの第２メモリ素子および３つのバッファが並列に接続されている。３つのスイッチは異なるタイミングでオン状態になり、ＲＧＢの映像データはそれぞれ３つの第１メモリ素子に蓄積される。第ｍ−１行のゲート線選択期間では、第１メモリ素子には第ｍ行の映像データが書き込まれる。そして、第ｍ行のゲート線選択期間で３つの転送用スイッチがオン状態なると、第１メモリ素子で保持されている第ｍ行の映像データが第２メモリ素子に転送され、保持される。そして、第２メモリ素子に保持されている映像データはバッファを介してソース線に出力される。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサを有する半導体装置において、外光のノイズを軽減し、且つトランジスタのオフ電流によるリークが原因となるノイズも低減する。
【解決手段】マトリクス状に配置された複数のフォトセンサを有する。複数のフォトセンサはそれぞれ、光電変換素子と増幅回路とを有する。バックライトを点灯して被検出物に光を照射して第ｐ行目のフォトセンサでリセット動作及び蓄積動作を行った後、バックライトを非点灯として第（ｐ＋１）行目のフォトセンサでリセット動作及び蓄積動作を行い、その後全行のフォトセンサの選択動作を順次行う。隣接する行のフォトセンサで得られた出力信号の差分を取得し、差分を用いて被検出物の撮像画像の生成や被検出物の存在する領域の検出を行う。増幅回路は蓄積された電荷を保持するトランジスタを有し、当該トランジスタはチャネルが酸化物半導体層に形成される。 （もっと読む）

【課題】画素部と同じ絶縁基板上において、大きな電流供給能力が得られるトランジスタで構成される電源線駆動回路を備えたＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に複数の画素と複数の信号線、複数の走査線、及び複数の電源線を有するアクティブマトリクス型表示装置において、前記絶縁基板上に電界効果移動度が少なくとも８０ｃｍ^２／Ｖｓ以上、好ましくは１２０ｃｍ^２／Ｖｓ以上を有する酸化物半導体のトランジスタを有し、トランジスタを１つの構成要素とする電源線駆動回路を有するＥＬ表示装置である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
る。信頼性の高い半導体装置を歩留まり良く作製する。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するトップゲート構造のスタガ型トランジスタにおいて
、酸化物半導体膜と接する第１のゲート絶縁膜を、プラズマＣＶＤ法によりフッ化珪素及
び酸素を含む成膜ガスを用いた酸化シリコン膜で形成し、該第１のゲート絶縁膜上に積層
する第２のゲート絶縁膜を、プラズマＣＶＤ法により水素化珪素及び酸素を含む成膜ガス
を用いた酸化シリコン膜で形成する。 （もっと読む）

【課題】ガラス板主表面が所望の強度を備え、かつカッターホイールを用いた切断方法など、機械的手法による切断が可能な化学強化ガラス板を提供する。
【解決手段】酸化物基準のモル百分率表示で、ＳｉＯ_２を６０％以上、Ａｌ_２Ｏ_３を３％以上含有し、イオン交換によって主表面に圧縮応力層が形成された化学強化ガラス板であって、厚さが０．４〜２．０ｍｍ、前記圧縮応力層の最表面の圧縮応力σ_Ｃが４００ＭＰａ〜１ＧＰａ、前記圧縮応力層の深さＤ_Ｃが１５〜３０μｍであることを特徴とする化学強化ガラス板。 （もっと読む）