【課題】高い移動度を有し、酸素および水分に対して耐性があり、しかも薄膜形成が容易で成膜性に優れた化合物を提供すること。特にボトムコンタクト型の有機トランジスタの製造において、溶液塗布法により安定した薄膜形成が可能な化合物を提供すること。また、オンオフ比が大きく、閾値電圧が低く、しかも大気中で安定に動作して経時劣化が小さい有機トランジスタ、特に有機ＦＥＴを提供すること。
【解決手段】下記式（Ｉ）で表される化合物による。
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縮合チオフェン（ＦＴ）化合物、ＦＴポリマー、ＦＴ含有物品、およびここに定義された式のＦＴ化合物およびそのポリマーを製造する方法と使用する方法が開示されている。 （もっと読む）

【課題】熱安定性、電荷移動性、電流On/Off比の良好な縮合多環材料と、これを用いた有機電子デバイス、有機薄膜トランジスタ及びディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）［式（１）中、R₁及びR₂は水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換のアルキル基又はアルコシキ基若しくはチオアルコキシ基から選択される基を示す。Ａｒはナフタレン環を示す。］で表される新規なジチエノナフトジチオフェン誘導体を用いて、有機電子デバイス(例えば、前記誘導体を主成分とする有機半導体層(1)を備えた有機薄膜トランジスタ)を構成する。
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【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｙ_１〜Ｙ_４はそれぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、またはメチレン基を表し、ｌ、ｍおよびｎはそれぞれ独立に０または１を表し、ｒおよびｓはそれぞれ独立に１または２を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１およびＸ_２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、置換または未置換のアリール基、あるいは置換エチニル基を表し、Ｙ_１〜Ｙ_４はそれぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、またはメチレン基を表し、ｍおよびｎはそれぞれ独立に０または１を表し、ｒおよびｓはそれぞれ独立に１または２を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


［式中、Ｘ_１〜Ｘ_８は独立に、Ｈ、ハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アリール基、あるいは置換エチニル基を表し、Ｘ_１〜Ｘ_３の組み合わせ及び／又はＸ_５〜Ｘ_７の組み合わせより選ばれる隣接する２個の置換基が互いに結合して置換又は未置換のベンゼン環、あるいは置換又は未置換のチオフェン環を形成していてもよく、Ｚ_１およびＺ_２は独立に、Ｏ、Ｓ、あるいはＮ−Ｒ（ＲはＨ、アルキル基、アルコキシアルキル基、あるいはアリール基を表す）を表す］ （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａはチエノチオフェン環を表し、環Ｂおよび環Ｃはそれぞれ独立に、置換または未置換のチオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】優れた耐酸化性を有し、塗布法による半導体活性相形成が可能な、ヘテロアセン誘導体、及びそれを用いた耐酸化性有機半導体材料並びに有機薄膜を提供する。
【解決手段】一般式（１）で示されるヘテロアセン誘導体。


（ここで、置換基Ｒ^１〜Ｒ^４は同一又は異なって、水素原子、フッ素原子、塩素原子、炭素数４〜３０のアリール基、炭素数６〜２０のアルキル基、を示し、Ｔ^１及びＴ^２は同一又は異なって、硫黄、セレン、テルル、リン、ホウ素を示し、ｌ及びｍは、各々０又は１の整数） （もっと読む）

式（Ｉ）の構造を含む有機半導性化合物（式中、Ａｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃およびＡｒ₄は独立に単環式芳香族環を含み、Ａｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃およびＡｒ₄の少なくとも１つは少なくとも１つの置換基Ｘで置換されており、その置換基Ｘは出現するたびに同一または異なっていてもよく、（ｉ）１〜２０個の炭素原子、アルコキシ、アミノ、アミド、シリルまたはアルケニルを有する任意に置換された直鎖状、分岐状または環状アルキル鎖、または（ｉｉ）ハロゲン、ボロン酸、ジボロン酸ならびにボロン酸およびジボロン酸のエステル、アルキレン基ならびにスタンニル基からなる群から選択される重合性または反応性基からなる群から選択され、またＡｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃およびＡｒ₄はそれぞれ１個または複数のさらなる環と任意に縮合していてもよい）。有機半導性化合物は薄膜トランジスタ等の有機半導性デバイスにおける活性層として用いられる。
【化１】

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【課題】高屈折率でかつ耐熱性と耐衝撃性を両立させた材料を提供すること。
【解決手段】下記（１）式、（２）式等で表されるテトラチアスピロ化合物、（１）〜（２）式等の化合物を含む組成物および硬化させてなる光学材料、並びに光学材料の製造法。


（１）


（２） （もっと読む）

一般式（Ｉ）のジチエノベンゾジチオフェン：
【化１】


式中、
Ｒ¹〜Ｒ⁶は、各々の独立して、ａ）Ｈ、ｂ）ハロゲン、ｃ）−ＣＮ、ｄ）−ＮＯ₂、ｅ）−ＯＨ、ｆ）Ｃ_1-20アルキル基、ｇ）Ｃ_2-20アルケニル基、ｈ）Ｃ_2-20アルキニル基、ｉ）Ｃ_1-20アルコキシ基、ｊ）Ｃ_1-20アルキルチオ基、ｋ）Ｃ_1-20ハロアルキル基、Ｉ）−Ｙ−Ｃ_3-10シクロアルキル基、ｍ）−Ｙ−Ｃ_6-14アリール基、ｎ）−Ｙ−３−１２員環のシクロヘテロアルキル基、またはｏ）−Ｙ−５−１４員環のヘテロアリール基、
［式中、各々のＣ_1-20アルキル基、Ｃ_2-20アルケニル基、Ｃ_2-20アルキニル基、Ｃ_3-10シクロアルキル基、Ｃ_6-14アリール基、３−１２員環シクロヘテロアルキル基、および５−１４員環のヘテロアリール基は、１〜４個のＲ⁷基で置換されていてもよく、
式中、Ｒ¹とＲ³とＲ²とＲ⁴は、一緒になって脂肪族の環状基を形成していてもよい］」
から選ばれ、
Ｙは、独立して、２価のＣ_1-6アルキル基、２価のＣ_1-6ハロアルキル基、または共有結合から選ばれ、
ｍは、独立して０、１、または２から選ばれる。
本発明はまた、請求項１〜４のいずれか一項に記載のジチエノベンゾジチオフェンの半導体または電荷輸送材としての、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）としての、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）用の半導体部品内での、光発電部品用の、センサー内での電池の電極材料としての、光学導波路としての、あるいは電子写真用途での利用に関する。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは置換または未置換のチエノチオフェン環を表し、環Ｂは置換または未置換のチオフェン環、置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環、あるいは置換または未置換のチエノチオフェン環を表し、ｍは０または１を表す） （もっと読む）

【課題】安全かつ安価な原料を用いて、有機電子材料、紫外線吸収剤およびその合成中間体として有用なビスベンゾジチオール化合物を簡便に収率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】１，４−ベンゾキノン又は１，２−ベンゾキノンと下記一般式（２）で表されるジチオカルバメート化合物とを反応させる、下記一般式（１）で表される化合物の製造方法。


［式中、Ｒ¹及びＲ²は、各々独立に水素原子、アルキル基、アリール基又はヘテロ環基を表し、Ｒ¹及びＲ²は同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。Ｘは電荷を中和するイオンを表す。ｍは１又は２の整数を表し、ｎは１又は２の整数を表す。Ｍは水素原子、金属原子または塩基の共役酸を表す。ｐは１〜４の整数を表し、ｑは１〜４の整数を表す。］ （もっと読む）

【課題】可溶性でありながら安定性を有する有機半導体材料を用いることで簡便な手法での製造が可能でかつ特性が良好で信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極３、ゲート絶縁膜５、ソース７ｓ、ドレイン７ｄ、およびソース７ｓ−ドレイン７ｄ間のチャネル層を構成する半導体薄膜９を有し、下記一般式（１）に示す有機半導体材料を用いてソース７ｓ−ドレイン７ｄ間のチャネル層を構成してなる有機薄膜トランジスタ（半導体装置）１である。


ただし、一般式（1）中において、Ｘ１〜Ｘ４は硫黄（Ｓ）であり、Ｒ１およびＲ２の少なくとも一方は溶解性を得るためのアルキル基を有する置換基であり、互いに連結して環を形成していても良い。 （もっと読む）

【課題】優れた耐酸化性を有し、塗布法による半導体活性相形成が可能な、ヘテロアセン誘導体の製造方法及びヘテロアセン誘導体の前駆体であるテトラハロターフェニル誘導体を提供する。
【解決手段】 一般式（１ａ）で示されるヘテロアセン誘導体の製造方法であり、一般式（２ａ）で示されるテトラハロターフェニル誘導体をメタル化剤を用いてジメタル化し、硫黄、セレン、あるいはテルルと反応させた後、環化することを特徴とするヘテロアセン誘導体の製造方法；一般式（１ｂ）で示されるヘテロアセン誘導体の製造方法であり、一般式（２ｂ）で示されるテトラハロターフェニル誘導体をメタル化剤を用いてジメタル化し、硫黄、セレン、あるいはテルルと反応させた後、環化することを特徴とするヘテロアセン誘導体の製造方法及び新規なテトラハロターフェニル誘導体。 （もっと読む）

【課題】医薬、農薬、染料、顔料、紫外線吸収剤、液晶などの機能性材料及びその合成中間体として有用なヘテロ環化合物の提供。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表される化合物。


［式虫、Ｒ¹〜Ｒ⁴は各々独立に水素原子又は１価の置換基を表す。但し、Ｒ¹〜Ｒ⁴がすべて同時にアルキルチオ基であることはない。Ｒ¹とＲ²及びＲ³とＲ⁴がそれぞれ互いに結合して環を形成しても良いが形成する環はジチオール環又はジチオラン環ではない。Ｒ⁵及びＲ⁶は各々独立に水素原子又は１価の置換基を表す。Ｘ¹〜Ｘ⁴は各々独立にヘテロ原子を表す。］ （もっと読む）

【課題】重金属を含有せず、光堅牢性に優れた着色組成物を提供する。
【解決手段】媒体と、少なくとも1種の下記一般式（Ｉ）で表される色素化合物と、を含む着色組成物である。
【化１】


［Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６は、互いに独立して水素原子または１価の置換基を表し、Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^３とＲ^４は互いに連結して環を形成してもよい。Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３及びＸ^４は、互いに独立して置換基を有していてもよいヘテロ原子を表す］ （もっと読む）

【課題】優れた耐酸化性を有し、塗布法による半導体活性相形成が可能な、ヘテロアセン誘導体の製造方法を提供する。
【解決手段】一般式（１ａ）で示されるヘテロアセン誘導体の製造方法であり、一般式（２ａ）で示されるテトラハロターフェニル誘導体をジアルキルエーテル中でメタル化剤を用いてテトラメタル化した後、一般式（３ａ）及び一般式（４ａ）で示される反応剤と反応させることを特徴とするヘテロアセン誘導体の製造方法；一般式（１ｂ）で示されるヘテロアセン誘導体の製造方法であり、一般式（２ｂ）で示されるテトラハロターフェニル誘導体をジアルキルエーテル中でメタル化剤を用いてテトラメタル化した後、一般式（３ｂ）及び一般式（４ｂ）で示される反応剤と反応させることを特徴とするヘテロアセン誘導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】分子長軸が長いことから高性能であり、優れた耐酸化性を有し、さらに塗布法による半導体活性相形成が可能な、ヘテロアセン誘導体、及びそれを用いた耐酸化性有機半導体材料並びに有機薄膜を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で示されることを特徴とするヘテロアセン誘導体。


（ここで、Ｔ^１及びＴ^２は同一又は異なって、硫黄原子、セレン原子、テルル原子を示し、環Ａ及びＢは同一又は異なって、下記一般式（Ａ−１）等で示される構造を有する。）
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【課題】十分な電荷輸送性を発揮し得るとともに、溶媒に対する優れた溶解性を有する縮合環化合物の提供。
【解決手段】下記一般式（１）で表される縮合環化合物。


［式中、Ｒ^１１及びＲ^１２は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルアミノ基、アルキル部分の炭素数が３以上のアルコキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい１価の複素環基又はシアノ基を示し、Ｒ^１１及びＲ^１２の少なくとも一方は水素原子ではない。Ｒ^１３及びＲ^１４は、１価の基を示し、ｍ及びｎは、０〜２の整数。Ｙ^１１、Ｙ^１２、Ｙ^１３及びＹ^１４は、Ｓ、Ｏ、Ｎ、Ｓｅ、Ｔｅ又は二重結合を含む所定の２価の基であり、Ｙ^１１及びＹ^１２はこれを含む環が５員環、Ｙ^１３及びＹ^１４は、これを含む環が５又は６員環。］ （もっと読む）