Fターム[4C071CC24]の内容
O、S系縮合複素環 (26,554) | 縮合環系中の異種原子の数 (3,760) | 硫黄原子4個 (66)
Fターム[4C071CC24]に分類される特許
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有機トランジスタ
【課題】高い移動度、大きな電流オン/オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式(1)で表される化合物を少なくとも1種含有してなる有機トランジスタ。
(X1〜X6はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいはアリール基を表し、環Aはのベンゾ[b]チオフェン環、チエノチオフェン環、あるいはチエノベンゾチオフェン環を表し、環Bはベンゼン環、チオフェン環、ベンゾ[b]チオフェン環、チエノチオフェン環、あるいはチエノベンゾチオフェン環を表す)
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ヘテロアセン誘導体、(テトラハロ)ジアリールチエノチオフェン誘導体及びそれらの製造方法
【課題】優れた耐酸化性を有し、塗布法による半導体活性相形成が可能な、ヘテロアセン誘導体、及びそれを用いた耐酸化性有機半導体材料並びに有機薄膜の提供。
【解決手段】一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体。
(ここで、置換基R1〜R18は同一又は異なって、水素原子、フッ素原子、炭素数1〜30のアルキル基、炭素数4〜30のアリール基、炭素数2〜30のアルケニル基、炭素数2〜30のアルキニル基を示し、T1及びT2は同一又は異なって、硫黄、セレン、リン、ホウ素、アルミニウムを示し、l及びmは、各々0又は1の整数であり、n及びoは、各々0〜2の整数を示す。)
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紫外線吸収剤
【課題】UV−AおよびUV−B領域における紫外線吸収能に優れ、かつ、可視域に吸収がない低揮発性の紫外線吸収剤を提供する。
【解決手段】下記一般式(UL)で表される紫外線吸収剤。
(式中、Aは、極大吸収波長が360nm以上400nm以下であり、半値幅が55nm以下であり、極大吸収波長におけるモル吸光係数が20000以上である少なくとも1種の紫外線吸収性残基を表す。Bは、320nmにおける吸光度が極大吸収波長における吸光度の30%以上であり、極大吸収波長が360nm以下である少なくとも1種の紫外線吸収性残基を表す。Laは連結基を表す。yは1以上の整数を表す。)
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ヘテロ環化合物の製造方法
【課題】機能性材料およびその合成中間体として有用な新規ヘテロ環化合物の製造方法の提供。
【解決手段】化合物(2)と化合物(3)とを反応させて、続いて化合物(4)を反応させる、化合物(1)の製造方法。
[式中、R1、R2、R3、R4、R5及びR6は、R31、R32、R41、R42、R25及びR26と同義であり、互いに独立して水素原子または1価の置換基を表す。X1、X2、X3及びX4は、X31、X32、X41及びX42と同義であり、互いに独立してヘテロ原子を表す。Y21、Y22、Y23及びY24は、互いに独立してフッ素原子等を表す。M3及びM4はカチオンを表す。m及びnは0、1又は2を表す。]
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紫外線安定剤
【課題】紫外線安定剤の析出や長期使用によるブリードアウトの生じることがなく、長波紫外線吸収能に優れかつこの吸収能を長期間維持して耐光性に優れる紫外線安定剤を提供する。
【解決手段】下記一般式(UL)で表される紫外線安定剤。
[一般式(UL)中、Aは、特定の紫外線吸収性残基を表す。Bは、特定の光安定性残基を表す。Lは連結基を表す。x及びzは1以上の整数を表し、yは0以上の整数を表す。]
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チオフェン誘導体を用いたフォトクロミック材料および光記録媒体
【課題】熱安定性に優れ、高量子収率で光環化反応を起こすチオフェン誘導体を提供すること。
【解決手段】式〔1〕または〔2〕で表されるチオフェン誘導体。
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ヘテロ環化合物および紫外線吸収剤
【課題】医薬、農薬、染料、顔料、紫外線吸収剤、液晶、非線形光学材料などの機能性材料およびその合成中間体として有用な新規なヘテロ環化合物を提供する。また、該ヘテロ環化合物からなる紫外線吸収剤を提供する。
【解決手段】下記一般式(1)で表される化合物からなる紫外線吸収剤。
(R1、R2、R3及びR4は、互いに独立して水素原子または1価の置換基を表す。R1とR2及びR3とR4は互いに結合して環を形成しても良い。R5及びR6は、互いに独立して水素原子または1価の置換基を表す。R5とR6とは互いに結合して環を形成しても良い。X1、X2、X3及びX4は、互いに独立してヘテロ原子を表す。)
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有機トランジスタ
【課題】
高い移動度、大きな電流オン/オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式(1)で表される化合物を少なくとも1種含有してなる有機トランジスタ。
(式中、X1〜X4はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Aは置換または未置換のチエノチオフェン環、置換または未置換のジチエノチオフェン環、あるいは置換または未置換のベンゾジチオフェン環を表し、環Bは置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のチオフェン環、置換または未置換のベンゾ[b]チオフェン環、あるいは置換または未置換のナフタレン環を表す)
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ハイドロキノン誘導体の製造方法
【課題】1,3−ジチオール環が縮合した1,4−ハイドロキノン誘導体の新規な製造方法の提供。
【解決手段】化合物(I)、(II)、(IV)とを非酸性条件下で反応させることを含む(III)、(V)の製造方法。(R1〜R5は水素原子又は特定の置換基)
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オリゴヌクレオチドの合成および精製に使用する方法および反応試薬
【課題】オリゴヌクレオチドの合成および精製に用いる方法および反応試薬を提供する。
【解決手段】硫黄転移反応試薬に関する。好ましい実施態様においては、硫黄転移反応試薬は3−アミノ−1,2,4−ジチアゾリジン−5−オンである。別の側面から見ると、本発明に従う硫黄転移反応試薬を用いてホスファイトを処理することにより、ホスホロチオエートを調製する方法に関する。好ましい実施態様においては、硫黄転移反応試薬は3−アミノ−1,2,4−ジチアゾリジン−5−オンである。
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縮合チオフェン、縮合チオフェンの製造方法およびその使用方法
縮合チオフェン化合物などの複素環式有機化合物を含む組成物、それらの製造方法およびその使用方法がここに開示されている。 (もっと読む)
含フッ素化合物及びその製造方法、含フッ素重合体、有機薄膜、並びに、有機薄膜素子
【課題】 電子輸送性の優れた有機n型半導体として利用可能な新規化合物を提供すること。
【解決手段】 下記一般式(I)で表される含フッ素化合物。
[式(I)中、Ar1及びAr2は各々独立に、炭素数10以上の芳香族炭化水素基又は炭素数4以上の複素環基を示し、R1は、水素原子又は1価の置換基を示し、R2及びR3は各々独立に、1価の置換基を示し、s1及びt1は各々独立に、0以上の整数を示す。但し、s1が2以上の場合、複数存在するR2は同一でも異なっていてもよく、t1が2以上の場合、複数存在するR3は同一でも異なっていてもよい。]
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有機半導体化合物、有機半導体薄膜、有機半導体塗布液、有機薄膜トランジスタ、ビス(ベンゾ[4,5]チエノ)[2,3−b:3’2’−e][1,4]ジチインの製造方法、およびビス(ベンゾ[4,5]チエノ)[2,3−b:2’3’−e][1,4]ジチインの製造方法
【課題】移動度および溶媒溶解性の高い新規な低分子系の有機半導体化合物、当該有機半導体化合物を含む有機半導体薄膜並びに有機半導体塗布液を提供する。また、新規な有機半導体化合物を活性層として利用した有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体化合物は、一般式
により表される有機半導体化合物である。 (式中、A、Bは電子共役系芳香環であり、X、Yは、それぞれDR2、ER、Gである。DはC、Si、Ge、Snのいずれかであり、EはN、P、As、Biのいずれかであり、GはO、S、Se、Teのいずれかである。Rは、H、アルキル基、アリール基のいずれかである。)
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テトラチアフルバレン誘導体、および、それを用いた電子デバイス
【課題】トランジスタ、太陽光の電気変換素子、電界発光素子等の有機電子デバイスの応用に適した有機材料及びデバイスを提供する。
【解決手段】テトラチアフルバレン(TTF)分子を中心骨格として、2位と3位が同じ電子受容基で置換され、6位と7位が同じ電子供与基で置換された、TTF誘導体が提供され、それは、トランジスタ、太陽光の電気変換素子、電界発光素子等の有機電子デバイスの応用に適している。
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ヘテロアセン誘導体、テトラハロターフェニル誘導体及びそれらの製造方法
【課題】優れた耐酸化性を有し、塗布法による半導体活性相形成が可能な、ヘテロアセン誘導体、及び耐酸化性有機半導体材料並びに有機薄膜を提供する。
【解決手段】一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体を、テトラハロターフェニル誘導体をメタル化剤を用いてテトラメタル化し、反応剤で処理する。
(ここで、置換基R1〜R4は同一又は異なって、水素原子、フッ素原子、塩素原子、炭素数4〜30のアリール基、炭素数3〜20のアルキル基、炭素数1〜20のハロゲン化アルキル基を示し、T1及びT2は同一又は異なって、硫黄、セレン、テルル、酸素、リン、ホウ素、アルミニウムを示し、l及びmは、各々0又は1の整数である。)
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有機半導体材料、有機半導体膜、有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜トランジスタの製造方法
【課題】簡便なウェットプロセスで製造でき、トランジスタ特性に優れ、大気中あるいは高温、高湿度下においても経時安定性に優れた有機半導体材料、該有機半導体材料を含む有機半導体膜、該有機半導体膜を用いた有機薄膜トランジスタ、及び該有機薄膜トランジスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも一つのベンゼン環とこれに隣接した少なくとも2つの環からなる芳香族複素環が縮合した少なくとも3環以上の芳香族縮合環を部分構造として有し、且つ該芳香族縮合環にアルキル基またはアルキル基を有する置換基を有する化合物であることを特徴とする有機半導体材料。
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電界発光素子用材料、及びそれを用いた電界発光素子
【課題】従来のバッファー層に用いた高分子系材料とは異なり、水を溶媒とせずにバッファー層を形成することが可能な電界発光素子用材料、及びそれを用いた電界発光素子を提供する。
【解決手段】図1(A)に示すような第1の電極101、バッファー層102、電界発光膜103、及び第2の電極を有する電界発光素子であって、第1の電極101上に形成されるバッファー層102を形成する材料として、有機溶媒に可溶な高分子系材料として、主鎖または側鎖に共役を含む高分子化合物と、有機溶媒に可溶で、なおかつ前記高分子化合物に対してドナー性を有する化合物とを含む導電性の材料を用いる。
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有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタ
【課題】薄膜トランジスタ用途に有用な有機半導体材料を分子設計し、得られた有機半導体材料を用いて、高いキャリア移動度を示し、ON/OFF比が高く、且つ、高耐久性(酸化安定性及び経時安定性向上)を併せ持つ、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】2環以上の芳香環が共役をもって直接または間接的に連結した部分構造または2環以上の芳香環が縮合した部分構造を有する化合物を含有する有機半導体材料において、該化合物が、下記一般式(a)で表される置換基を少なくとも1つ有することを特徴とする有機半導体材料。
【化1】
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有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体素子及び有機薄膜トランジスタ
【課題】 移動度の高い経時安定性に優れた有機半導体材料を提供することであり、また、該有機半導体材料を用いた有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】 芳香族炭化水素環に少なくとも2つの芳香族複素環が縮合した縮合複素環を部分構造としてして有する有機半導体材料において、前記縮合複素環を構成する芳香族炭化水素環に少なくとも1つの置換基を有することを特徴とする有機半導体材料。
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チオフェン誘導体を用いたフォトクロミック材料並びに光記録媒体
【課題】 熱安定性に優れ、高量子収率で光環化反応を起こすチオフェン誘導体を提供する。
【解決手段】 式〔1〕または式〔2〕で表されるチオフェン誘導体。
{式中、Aは、Ph又はS含有五員環を表し、Eは、−(CH2)n−(nは、0または1を表す。)、−O−、−S−等を表し、R1,R2,R3,R4は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基等を表す}
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