半導体製造プロセスによって得られる廃棄物流からの少なくとも１つの酸性ガス成分、水素化物ガス成分、又はこれらの副生成物を除去する装置及びプロセスは、酸性ガス成分又は水素化物ガス成分に関して高容量吸収親和力を有する第１の吸収基盤材料と、酸性ガス成分又は水素化物ガス成分に関して高い捕捉速度を有する第２の別個の吸収基盤材料と、廃棄物流が上記吸収基盤材料を通じて流れて酸性ガス成分又は水素化物ガス成分が減少されるように、ガス流を上記吸収基盤材料に通じさせる状態で上記プロセスと接合する流路とを備える。第１の吸収基盤材料は塩基性炭酸銅を含むことが好ましく、第２の吸収基盤は、ＣｕＯ、ＡｇＯ、ＣｏＯ、Ｃｏ_３Ｏ_４、ＺｎＯ、ＭｎＯ_ｘ及びこれらの混合物のうちの少なくとも１つを含むことが好ましい。
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【課題】半導体製造プロセスに由来する流出ストリームからの少なくとも１つの酸性またはハイドライドガス成分、あるいはその副生成物を削減するための装置およびプロセス。
【解決手段】酸性またはハイドライドガス成分に対する高容量吸着親和性を有する第１の吸着ベッド材料と、同ガス成分に対する高捕捉レート吸着親和性を有する第２の離散吸着ベッド材料と、流出が該吸着ベッドを介して流れて該酸性またはハイドライドガス成分を低下させるように該吸着ベッド材料と連通しているガス流における該プロセスにつながる流路と、を備える。該第１の吸着ベッド材料は好ましくは塩基性炭酸銅を備えており、該第２の吸着ベッドは好ましくは、ＣｕＯ、ＡｇＯ、ＣｏＯ、Ｃｏ_３Ｏ_４、ＺｎＯ、ＭｎＯ_２およびこれらの混合物のうちの少なくとも１つを備える。 （もっと読む）

【課題】処理筒の小型化が可能である除害装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、配管１６中に存在する特殊材料ガスを含むパージガスを除害処理する除害装置１０において、配管１６中のパージガスを排出するエジェクタ２２と、エジェクタ２２の排出口に接続されたバッファ容器３４と、バッファ容器３４の出口部に設けられ、又はその出口部に直接接続されたオリフィス４０と、オリフィス４０に接続され、特殊材料ガスを除害処理する薬剤が充填された処理筒２６とを備えることを特徴とする。この構成においては、エジェクタからの高圧のガスをバッファ容器で一旦蓄積し、圧力を下げ、更に、オリフィスでガスの流れを絞って、処理筒に送ることができる。これにより処理筒に対する圧力負荷が緩和され、処理筒内の薬剤を流通するガスの流速を抑えることができ、薬剤の少量化、処理筒の小型化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】還元剤の使用量を低減して、安価なランニングコストで塩素ガスを除害する。
【解決手段】塩素ガスを含むドライエッチング装置１０ａの第１の排ガスと、アルカリ剤及び還元剤が添加された洗浄液とを排ガス処理装置２０で接触させることにより、第１の排ガスを除害処理する排ガスの処理方法であって、排ガス処理装置２０内の洗浄液に対し、二酸化硫黄ガスを含むドライエッチング装置１０ｂの第２の排ガスを接触させる。 （もっと読む）

【課題】 有害成分を含む排ガスを処理しないときの消費電力を小さくすることができるようにした排ガスの除害装置及びその除害方法、電子デバイスの製造システムを提供する。
【解決手段】 半導体処理装置から排出された排ガスを反応筒５１内に導入して当該排ガス中に含まれるＣＦ_４等の有害成分を無害化する除害装置であって、反応筒５１内を加熱するハロゲンランプ５２を有する。反応筒５１内の温度を常時高温に維持する必要がなく、有害成分を含む排ガスを処理しないときの除害装置５０の消費電力を小さくすることができる。除害処理コストを低減することが可能である。 （もっと読む）

【課題】加熱用部材の使用寿命を長くし、装置の製造コストやメンテナンスコストなどの負担を軽減しつつ、ＰＦＣガスなどの所望の排ガスの熱分解処理を適切に行なうことが可能な排ガス処理方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１内に排ガスを導入して加熱用部材３Ａ，３Ｂを用いて加熱する排ガスの熱分解工程を有している、排ガス処理方法であって、加熱用部材３Ａ，Ｂとしては、この加熱用部材３Ａ，３Ｂの素地よりも耐熱性が高い酸化保護層が表面に形成されたものを使用し、上記熱分解工程を中止しているときに、上記排ガスに代えて、チャンバ１内に酸素または酸素を含む気体を導入させるとともに加熱用部材３Ａ，３Ｂを発熱させることにより、加熱用部材３Ａ，３Ｂの表面を酸化させ、上記熱分解工程時に劣化した酸化保護層を再生する保護層再生工程を有している。 （もっと読む）

本発明は、ガスまたはガス混合物、特にフッ素化ガス排出物の変換のための方法に関する。本発明によれば、ガスまたはガス混合物の少なくとも１つの分子の２つの原子間の少なくとも１つの結合を、ガスまたはガス混合物がさらされる電場および／または磁場の影響下で破断する。ガスまたはガス混合物の流れを、電場および／または磁場を通して非線形に注入し、ガス分子が場を通して移動する距離を増加させ、こうしてガスまたはガス混合物分子の変換の効果を増加させる。 （もっと読む）

プロセスツールからの排気流体流を処理するための低コストの装置を開示する。一実施形態では、装置は、緩和装置(12)と、緩和装置(12)を少なくとも部分的に排気する液体リングポンプ(14)とを有している。使用中、緩和装置(12)は、排気流体流の１つ以上の成分、例えばＦ₄又はＰＦＣを、環境に対する有害性の低い１つ以上の液体溶解性成分、例えばＨＦに変換する。液体リングポンプ(14)は、排気流体流及び液体を受入れ、液体と排気ガス流の液体溶解性成分とからなる溶液を排出する。かくして、液体リングポンプ(14)は、ウェットスクラバ及び大気圧真空圧送段の両方の作用を行う。
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【課題】環境に有害な弗化炭素ガスを簡単な処法で完全に且つ経済的に分解し無害化する。
【解決手段】パーフルオロカーボンまたはハイドロフルオロカーボンの気体を、炭素質固体材料とアルカリ土類金属化合物とからなる反応剤に、３００℃以上の温度で且つ２０vol.％以下（０％を含まず）の気体酸素の存在下で接触させることからなる弗化炭素類の分解法。 （もっと読む）

【課題】例えば半導体の製造設備や液晶パネルの製造設備から排気された有害排ガスを処理する処理装置に於いて、燃焼室から排気された燃焼排ガスを冷却し、且つ燃焼排ガスに含まれた粉塵の回収と有害ガスの吸収を効率的に行えるようにする。
【解決手段】処理装置は、主燃焼室１に於いて供給された排ガスを高温にして燃焼或いは分解し排気筒４から排気する燃焼室Ａと、排気された燃焼排ガスを冷却すると共に該燃焼排ガスに含まれた粉塵を排除する水スクラバーＣと、燃焼室Ａと水スクラバーＣを納める筐体Ｄと、燃焼室Ａの排気筒４と水スクラバーＣとを接続して配置された閉鎖容器状の排ガス通路Ｂと、排ガス通路Ｂに配置された冷却媒体の噴射ノズル２３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ぺルフルオロ化合物-含有ガス・ストリーム、例えば、半導体製造処理ツールから排出流動体ストリームを処理する方法を提供する。
【解決手段】一実施形態では、窒素又はアルゴンのような、イオン化ガスからプラズマを生成するためにプラズマ・トーチが用いられる。このプラズマは、水蒸気のストリーム及び排出流動体ストリームの両方を受け容れる、反応室の中に注入される。イオン化ストリームは、ぺルフルオロ化合物との反応のために加熱Ｈ⁺及びＯＨ^-イオンに水蒸気を分解する。ぺルフルオロ化合物-含有ガス・ストリームを処理する装置は、源ガスからプラズマを生成する手段と、反応室の中にプラズマを注入する手段と、反応室へガス・ストリームを運ぶ手段と、及びプラズマにＨ⁺及びＯＨ^-イオンの源を運ぶ手段とを備えている。 （もっと読む）

本発明は、不純物を含有したガスを処理する方法であって、前記ガスを、実質的に大気圧で、高周波誘導プラズマ（ＲＦ−ＩＣＰ）放電に晒す方法に関する。 （もっと読む）

本発明の排ガス処理剤は、粒状で、多孔質であり、その表面の一部が水酸化カルシウムとなっている酸化カルシウムからなる排ガス処理剤である。表面積が１ｍ^２／ｇ以上であり、空間率が１０〜５０体積％であることが好ましい。この酸化カルシウムは、粒状の炭酸カルシウムを焼成して得られたものであり、半導体製造装置から排出される排ガスを気体状のまま、この排ガス処理剤に接触させて有害ガス成分を反応させて除去する。 （もっと読む）

この発明の排ガス処理方法では、半導体装置の製造設備内で励起状態にある排ガスを処理部のプラズマ処理部に減圧下で導入し、プラズマ処理部で発生しているプラズマによって励起状態を維持したまま、反応除去部の反応器に導入し、反応器に充填されている粒状酸化カルシウムからなる反応除去剤と反応させて排ガス中の有害ガス成分を除去する。プラズマ処理部に酸素を供給してプラズマの存在下、有害ガス成分を酸化分解したうえ、反応除去剤と反応させてもよい。 （もっと読む）

【課題】処理対象ガスに窒素が含まれていてもＰＦＣの分解率が高く、ＮＯ_Ｘの生成量が少なく、大気圧下で使用可能な排ガス処理装置を提供する。
【解決手段】ＰＦＣガスと窒素ガスとからなる排ガスを処理し、排ガス中のＰＦＣを分解する排ガス処理装置であって、処理対象の排ガスに炭化水素や水素、アンモニアなど水素原子を有する添加ガスを供給する添加ガス供給装置、および添加ガスを含んだ排ガスをプラズマ処理するプラズマチャンバーを有する。添加ガス供給装置をプラズマチャンバーの下流に設け、プラズマ処理後の排ガスに添加ガスを供給するように構成してもよい。 （もっと読む）

【課題】 真空ポンプを損傷させず整備、点検の容易で且つ燃焼処理を必要としないＰＦＣの処理方法および処理装置を提供する。
【解決手段】 真空室１２の後段には配管１４を介して真空ポンプ１６と反応ガス導入部１７とプラズマ処理部１８と重合体回収部２０とが連続して設置され、処理装置１０を構成する。このように処理装置１０を構成すれば、プラズマ処理後の反応物が真空ポンプを通過することがなく、反応物によって真空ポンプが損傷するのを防止することができる。またプラズマ処理を行う部分については大気圧の環境に設置されるため、プラズマ処理部の整備や点検を容易に行うことができる。また混合ガスをプラズマ処理することによって重合体を生成するので、当該重合体を回収するだけでＰＦＣの処理を済ませることができる。 （もっと読む）