【課題】 Ｃｕの耐拡散性を持ち、かつ電気特性、熱特性、機械特性および物理特性の全てに優れ、特に誘電率が極めて低く、高耐熱性を有し密着性に優れた絶縁膜およびそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】 ジアミノフェノール化合物および／またはビスアミノフェノール化合物と、ジカルボン酸化合物とより構成されるポリベンゾオキサゾール樹脂膜の製造方法であって、前記ジアミノフェノール化合物および／またはビスアミノフェノール化合物と、ジカルボン酸化合物は、真空中で気化させて基板上に堆積させることにより製膜することを特徴とするポリベンゾオキサゾール樹脂膜の製造方法。前記基板上に堆積させたジアミノフェノール化合物および／またはビスアミノフェノール化合物とジカルボン酸化合物とを、反応させる第（１）項に記載のポリベンゾオキサゾール樹脂膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率かつ高膜強度な絶縁膜及びその効率的な製造方法、該絶縁膜を用いた電子装置の提供。
【解決手段】 中心部に空隙を有する炭素系中空構造体が、Ｓｉ原子及びＯ原子の少なくともいずれかを介して連結されてなる網目状構造物を含むことを特徴とする絶縁膜である。前記炭素系中空構造体がフラーレン及びカーボンナノチューブの少なくともいずれかである態様、連結が化学結合により行われる態様、などが好ましい。前記絶縁膜を少なくとも有してなることを特徴とする電子装置である。該電子装置は、絶縁膜を層間絶縁膜として有する態様が好ましい。 （もっと読む）

【課題】噴霧供給された処理液によって、基板上に良好な塗布膜を形成することができる基板処理装置、基板処理システム、および基板処理方法を提供する。
【解決手段】塗布部１０は、主として、いわゆる二流体ノズルによって構成されるスプレーノズル１２、１５と、ノズル移動部１１と、吸着ステージ２０と、ヒータ２１と、を備える。処理液の噴霧処理では、まず、ヒータ２１によって基板９を加熱しつつ、吸着ステージ２０を回転させた状態で基板９に塗布液を噴霧供給し、基板９に塗布膜を形成する。次に、塗布膜の上に消失液を供給する。これにより、塗布膜上に球形パーティクルが顕在化した場合であっても、この球形パーティクル、および球形パーティクルの発生原因となる球形パーティクル前駆体を消失液によって消失させることができる。そのため、後工程での基板の処理不良を防止できる。 （もっと読む）

【課題】 ビアの乗り換えに伴う信号伝送距離の延長を回避しながら、ビアへの応力を低減させることができ、結果としてビアの接続信頼性の高い多層回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁膜６としてデスミア液によりエッチングされやすい膜を形成し、絶縁膜７としてデスミア液にほとんどエッチングされない膜を形成する。レーザ照射により絶縁膜６及び７にビアホール８を形成する。ビアホール８の断面形状はレーザ照射の影響によりテーパ状となる。デスミア液を用いてビアホール８の形成の際に発生したスミアを除去する際に、絶縁膜６のビアホール８に露出している部分もエッチングされることで、絶縁膜６の側面が後退し、ビアホール８の形状が鼓状となる。その後、無電解めっき法によりＣｕシード層をビアホール８内に形成する。その後、絶縁膜６及び７のキュアを行う。続いて、電解めっき法によりＣｕビア９をビアホール８内に埋め込む。 （もっと読む）

【課題】 より塗布パターンの非塗布表面部への塗布を防止する。
【解決手段】 本発明における塗布液を被塗布材表面に塗布してなる塗布液被塗布材の製造方法は、前記被塗布材表面は、塗布液が被塗布材表面に塗布される塗布表面部と、塗布液が被塗布材表面に塗布されない非塗布表面部とで構成される塗布パターンに塗布され、前記塗布液を塗布する前に、前記塗布表面部の前記塗布液に対する濡れ性を前記非塗布表面部の前記塗布液に対する濡れ性よりも大きくする表面改質処理を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 金属箔と樹脂組成物からなる樹脂組成物層の間の接着力をさらに向上させ、微細配線形成性や電気特性の面で有利な金属箔の製造方法、これを用いた金属箔、樹脂付き金属箔、金属張積層板、プリント配線板およびプリント配線板の製造方法を提供し、尚且つ信頼性が高く、高周波特性が良好なプリント配線板を提供する。
【解決手段】 硬化剤を含む樹脂組成物と積層し接着させる金属箔の製造方法において、金属箔を準備する工程、金属箔の少なくとも片面にカップリング剤処理を施す工程、樹脂組成物、硬化剤、カップリング剤のうちいずれかと反応する成分を含む処理溶液を金属箔に塗布する工程を有する金属箔の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 より塗布パターンの非塗布表面部への塗布を防止する。
【解決手段】 本発明における塗布液を被塗布材表面に塗布してなる塗布液被塗布材の製造方法は、被塗布材表面における前記塗布液の塗布厚までの塗布について、前記塗布液を前記塗布厚以下の所定厚まで塗布する第一の塗布工程と、前記第一の塗布工程後に、前記所定厚まで塗布された前記塗布液を固化させる塗布液固化工程と、前記固化後の塗布液表面に、さらに塗布液を塗布して前記塗布液の塗布厚まで塗布させる第二の塗布工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 弾性表面波素子片の製造に好適な、液滴吐出方式を用いた絶縁膜形成方法を提供する。
【解決手段】 上記課題を解決するための液滴吐出方式を用いた絶縁膜形成方法は、圧電基板に成膜された均等膜厚のパターン電極を覆う絶縁膜を形成する方法であって、液滴吐出方式により圧電基板に形成された金属配線の絶縁膜形成部及び圧電基板に、吐出量を制御した絶縁膜形成材料の液滴を選択的に塗布し、前記金属配線に絶縁膜形成部と非形成部を設けたことを特徴とする。そして、前記絶縁膜形成材料は、無機材料物質を用いて構成することとする。 （もっと読む）

【課題】 ＳＯＧ液等、処理液の跳ね返りによるノズル先端の汚染を防止する待機ポッドを有し、不良発生を抑制する基板塗布装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ノズル待機ポッド１５は、処理液供給ノズル１３が待機位置に移動してきたときに上方でノズル１３の先端部を収納し処理液Ｑ（ここではＳＯＧ液）の溶剤雰囲気にて待機させる。ノズル待機ポッド１５のカップ１５１内において溶剤貯留部１５２と処理液供給ノズル１３先端の間に、防跳部材１６が設けられている。防跳部材１６は、処理液供給ノズル１３からダミー吐出や液垂れで流下された処理液Ｑを大部分通過させて溶剤貯留部１５２に落とすと共に溶剤貯留部１５２からの跳ね返りを阻止するものである。より具体的にはステンレス等の金属製またはフッ素樹脂製で、処理液を通しかつ液跳ねを阻止するための網目またはスリット形状が加工された介在物である。 （もっと読む）

【課題】 パーティクルの発生を抑制できる塗布装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る塗布装置は、シリコンウエハ１１上にＳＯＧの成膜材料を吐出する吐出部８と、前記吐出部に前記成膜材料を供給する材料供給ライン７と、前記材料供給ラインに繋げられた三方弁１７と、前記三方弁に繋げられ、前記成膜材料が収容され、前記材料供給ライン７に前記成膜材料を供給する容器２と、前記容器に繋げられ、前記容器内に加圧ガスが供給され、前記加圧ガスが前記容器内の成膜材料を加圧するガス供給ライン５と、前記ガス供給ラインに繋げられ、前記加圧ガスを前記ガス供給ラインに供給する加圧ライン１６と、前記ガス供給ラインに設けられ、前記ガス供給ラインのガスの流れを停止させるバルブ４とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 液状材料が膜パターン形成領域から流出したり、領域外に濡れ広がることを抑制して、所定のパターン形状及び厚さの膜パターンを形成することができる、膜パターン形成方法、膜パターン、レジスト膜、及び絶縁膜、並びに回路基板、半導体装置、表面弾性波デバイス、表面弾性波発振装置、電気光学装置、及び電子機器を実現する。
【解決手段】 基板１の面を撥液化処理し、液状材料の液滴４を、レジスト膜９を形成する領域２の周縁部に配置し、周縁帯膜７ａを形成する。次に、基板１の面を親液化処理し、周縁帯膜７ａに囲まれた領域内に液状材料を充填して中央膜８を形成し、周縁帯膜７ａと中央膜８とで、レジスト膜９を形成する。絶縁膜も同様に形成する。回路基板、半導体装置、表面弾性波デバイスは、上記方法で形成された膜を備え、電気光学装置は当該半導体装置を備え、電子機器は上記電気光学装置、回路基板、表面弾性波発振装置を備える。 （もっと読む）

【課題】 液状材料が膜パターン形成領域から流出したり、膜パターン形成領域外に濡れ広がったりすることを抑制して、所定のパターン形状及び厚さの膜パターンを形成することができる、膜パターン形成方法、膜パターン、レジスト膜、及び絶縁膜、並びに回路基板、半導体装置、表面弾性波デバイス、表面弾性波発振装置、電気光学装置、及び電子機器を実現する。
【解決手段】 液状材料の液滴４を吐出して、基板１の面上に着弾させ、レジスト膜９を形成する領域２の周縁部に配置し、固化させた周縁帯膜７ａに囲まれた領域内に液状材料を充填する。充填された液状材料を固化して中央膜８を形成し、周縁帯膜７ａと中央膜８とで、レジスト膜９を形成する。絶縁膜も同様にして形成され、回路基板、半導体装置、表面弾性波デバイスは、上記膜を備え、電気光学装置は当該半導体装置を備え、電子機器は上記電気光学装置、回路基板、表面弾性波発振装置を備える。 （もっと読む）

【課題】 絶縁化処理に対して十分な密着強度を有する生産性の高い保護膜を備えた絶縁化処理前基板、および基体表面のうち所望の範囲のみが絶縁化処理された基板の製造方法、弾性表面波振動子の製造方法、さらに当該製造方法によって製造された弾性表面波振動子、弾性表面波装置、電子機器を提供すること。
【解決手段】 基板の製造方法が、表面に導電性を有する部位を含む基体１１を加熱する第１の工程と、基体１１上に前記導電性を有する部位の一部を覆うように機能液３０Ａを付与する第２の工程（図８（ｂ））と、機能液３０Ａを乾燥させて、周状の外縁部が該周状の外縁部以外の領域に比べて相対的に厚い保護膜３０を表面に備えた絶縁化処理前基板１２を形成する第３の工程（図８（ｃ））と、前記絶縁化処理前基板１２の表面に絶縁化処理を施す第４の工程（図８（ｄ））と、前記保護膜３０を剥離する第５の工程（図８（ｅ））とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】その後の加工プロセスとの整合性を有し、絶縁層の表面をより簡便にかつ効率良く疎水化することができ、かつ、絶縁層のより深い領域を疎水化することができる表面疎水化方法、ならびに半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層２０を加熱により活性化する工程と、（Ａ）反応性シラン化合物および（Ｂ）有機溶媒を含む表面疎水化用組成物を前記絶縁層の表面に接触させる工程とにより、前記絶縁層の表面に疎水性膜を形成する疎水化処理方法および前記疎水性膜を含む半導体装置。 （もっと読む）

本明細書には材料中のボイド修復法が記載されている。該方法は、ａ）複数の反応性シラノール基を有する材料を用意し；ｂ）少なくとも一つの反応性表面改質剤を用意し；そしてｃ）前記複数の反応性シラノール基の少なくとも一部を前記少なくとも一つの反応性表面改質剤で化学的にキャッピングすることを含む。材料中の炭素回復法も記載されている。該方法は、ａ）複数の反応性シラノール基を有する炭素欠乏材料を用意し；ｂ）少なくとも一つの反応性表面改質剤を用意し；そしてｃ）前記複数の反応性シラノール基の少なくとも一部を前記少なくとも一つの反応性表面改質剤で化学的にキャッピングすることを含む。さらに、本明細書には膜及び／又は炭素欠乏膜の縮合削減法も記載されている。該方法は、ａ）複数の反応性シラノール基を有する膜を用意し；ｂ）前記膜をプラズマチャンバに置き；ｃ）複数の反応性有機部分含有シランを前記チャンバに導入し；そしてｄ）前記シランを前記反応性シラノール基の少なくとも一部と反応させることを含む。本明細書には誘電体材料及びｌｏｗ−ｋ誘電体材料も記載されている。該誘電体材料は、ａ）複数のケイ素原子を有する無機材料；及びｂ）複数の有機部分含有シラン化合物を含み、前記シラン化合物は、少なくとも一部のケイ素原子を通じて前記無機材料に結合されている。 （もっと読む）

【課題】
膜厚が均一で、クレータの発生がなく、高い透明性を有する誘電体層を容易に形成することができるプラズマディスプレイパネル用誘電体前駆層転写フィルムの製造方法を提供すること。
【解決手段】
走行する透明支持フィルムの表面上に、プラズマディスプレイパネル用誘電体層の前駆層を形成するための塗工液を塗工し、次いで乾燥して誘電体前駆層を形成するプラズマディスプレイパネル用誘電体前駆層転写フィルムの製造方法において、前記誘電体前駆層形成用塗工液を塗工する前に、前記走行する透明支持フィルムを、７５℃以上で接触加熱すること特徴とするプラズマディスプレイパネル用誘電体前駆層転写フィルムの製造方法；特に走行する透明支持フィルムの７５℃以上での加熱を、前記走行する透明支持フィルムに７５℃以上に加熱された回転するロールに接触させることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 電気的絶縁性物質を成膜する場合にも対応でき、対象とする基材上に充分安定的に成膜することができ、且つ、連続的に成膜ができ、安定的に、成膜された基材を得ることができる、圧力勾配型イオンプレーティング方法を用いた真空成膜装置、真空成膜方法を提供する。特には、ロールから巻き出し、ロールに巻き取ることができるフィルムのような基材に対して、電気的絶縁性物質からなる薄膜を、連続的に、安定的、且つ効率的に成膜することができる真空成膜装置、真空成膜方法を提供する。
【解決手段】 蒸着材料が移動するハースから基材の間の位置に、およびまたは、前記位置の近傍に、前記移動する蒸着材料の除電を行うための、アースレベルに設定された、蒸着材料除電部を備えている。 （もっと読む）

【課題】構造誘導体物質として環状シロキサン系モノマーを使用する、誘電率が低く且つ諸般物性に優れた低誘電性メソポーラス薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】環状シロキサン系モノマー、有機溶媒、酸または塩基、および水を混合してコーティング液を準備する第１段階と、前段階で得たコーティング液を基板上に塗布した後、熱硬化させてメソポーラス薄膜を得る第２段階とを含む、低誘電性メソポーラス薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】フレキシブル基板のカールがなく、金属箔エッチング後のポリイミドフィルムのカールがないフレキシブル基板であり、高線膨張率の熱可塑性ポリイミドを有さず、かつ、高い密着力を有するフレキシブル基板を提供する。
【解決手段】金属箔上に形成されるポリイミド層を有するフレキシブル基板であって、ポリイミド層の平均線膨張率が、５×１０^−６以上２５×１０^−６（１／℃）以下であり、フレキシブル基板の断面を光学顕微鏡の透過光モードで確認すると、ポリイミド層内の色相が単一の層として観察され、ラマン分光法を用いて膜厚方向分析すると、配向性パラメータの最大値が、ポリイミド層の金属箔側面とその反対側の表面との中央よりも金属箔面側にあることを特徴とするフレキシブル基板。 （もっと読む）

本発明は、絶縁膜形成用コーティング組成物、その組成物を使用する低誘電絶縁膜の製造方法、その組成物から製造される半導体素子用低誘電絶縁膜およびその絶縁膜からなる半導体素子に関する。とくに、低誘電率を有し、かつ優れた機械的強度（弾性率）を有する絶縁膜を製造することができる絶縁膜形成用コーティング組成物、その組成物を用いる低誘電率絶縁膜の製造方法、その組成物から製造される半導体素子用低誘電絶縁膜およびその絶縁膜からなる半導体素子に関する。本発明のコーティング組成物は、低分子量の有機シロキサン樹脂および水からなり、そして、絶縁膜の低誘電率および機械的強度を顕著に向上させることができる。
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