【課題】加工痕の形成が抑制されるとともに、被加工物の分割がより確実に実現される分割起点の形成が可能となる、被分割体の加工方法を提供する。
【解決手段】被加工物に分割起点を形成するための加工方法が、被加工物をステージに載置する載置工程と、ステージに載置された被加工物の被加工面の上に、被加工物の加工に用いるパルスレーザー光に対して透明である液体によって液層を形成する液層形成工程と、ステージと光源とを連続的に相対移動させながら、パルスレーザー光を、液層を透過させつつ、かつ、個々の単位パルス光ごとの被照射領域が被加工面において離散的に形成されるように被加工物に照射することによって、被照射領域同士の間で被加工物の劈開もしくは裂開を順次に生じさせることで、被加工物に分割のための起点を形成する照射工程とを備えるようにする。 （もっと読む）

【課題】加工痕の形成が抑制されるとともに、被加工物の分割がより確実に実現される分割起点の形成が可能となる、レーザー加工装置を提供する。
【解決手段】パルスレーザー光を発する光源と、被加工物が載置されるステージと、を備えるレーザー加工装置が、ステージに載置された被加工物の載置面を冷却するための冷却機構をさらに備え、ステージに被加工物を載置し、かつ、冷却機構によって載置面を冷却した状態で、パルスレーザー光の個々の単位パルス光ごとの被照射領域が載置面と対向する被加工面において離散的に形成されるようにステージと光源とを連続的に相対移動させつつパルスレーザー光を被加工物に照射することによって、被照射領域同士の間で被加工物の劈開もしくは裂開を順次に生じさせることにより、被加工物に分割のための起点を形成する。 （もっと読む）

【課題】加工痕の形成が抑制されるとともに、被加工物の分割がより確実に実現される分割起点の形成が可能となる、レーザー加工装置を提供する。
【解決手段】パルスレーザー光を発する光源と、被加工物が載置される載置部と、を備えるレーザー加工装置が、載置部に載置された被加工物に対して３点曲げにて力を加えることにより、被加工物の加工対象位置に対して引張応力を作用させる応力印加手段、をさらに備え、載置部に載置した被加工物に対し、応力印加手段によって加工対象位置に対して引張応力を作用させた状態で、パルスレーザー光の個々の単位パルス光ごとの被照射領域が被加工面において離散的に形成されるように載置部と光源とを連続的に相対移動させつつパルスレーザー光を被加工物に照射することによって、被照射領域同士の間で被加工物の劈開もしくは裂開を順次に生じさせることにより、被加工物に分割のための起点を形成する。 （もっと読む）

【課題】レーザー光線発信器から発振されたレーザー光線の出力を高速制御することができるレーザー光線照射機構およびレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】レーザー光線発振器と集光レンズとの間に配設された出力調整手段６３とを具備するレーザー光線照射機構であって、出力調整手段は、１／２波長板と、直線偏光のレーザー光線を入光してS偏光成分を反射させP偏光成分を透過せしめる第１の偏光ビームスプリッター面および第２の偏光ビームスプリッター面を備えたプリズム６３２と、S偏光成分とP偏光成分との間に位相差(α)を生成する光路長調整手段６３３と、偏光成分合成手段６３６と、偏光成分合成手段で合成されたレーザー光線を分光する偏光ビームスプリッター面を備え、偏光成分合成手段で合成されたレーザー光線のS偏光成分とP偏光成分との位相差(α＋β)を０度から１８０度の間で制御する制御手段とを具備している。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板等をレーザ光によってスクライブする際に、簡単な装置構成で、適切な広さの改質領域を形成できるようにし、また、基板に形成された素子へのダメージを抑える。
【解決手段】この方法は、パルスレーザ光を脆性材料基板に照射して分断予定ラインに沿ってスクライブする方法であって、第１工程と第２工程とを備えている。第１工程は、パルスレーザ光を基板に照射するとともに、分断予定ラインに沿って走査し、基板の表面及び裏面から離れた内部に、分断予定ラインに沿った改質層を形成する工程である。第２工程は、ビーム強度の調整されたパルスレーザ光を基板に照射するとともに、パルスレーザ光の焦点位置を固定して分断予定ラインに沿って走査し、改質層を起点として基板の表面に到達しない深さまで進行する複数の線状加工痕を分断予定ラインに沿って周期的に形成する工程である。 （もっと読む）

【課題】基板上の薄膜をレーザによりスクライブ加工する場合に、大型の集塵機、大量の洗浄液を必要とせず、正確に微細なスクライブ加工を行うレーザ加工方法および装置を提供することを目的とすること。
【解決手段】レーザ光の光軸１０３を加工対象物表面に対し概略垂直に配置し、レーザ光の照射点の領域より大きい液柱状の洗浄液をノズルから噴射して加工を行うレーザ加工方法において、レーザ光の光軸１０３が、ノズル１１３の噴出口１１５の開口中心に対して、加工の進行方向Ｌと反対側の方向に偏心している。あるいは加工の進行方向Ｌに直交する方向の位置に偏心している。 （もっと読む）

【課題】
レーザを用いた薄膜のスクライブにおいて、加工スポット間の重畳部でエネルギが過剰になることを防ぎ、下地へのダメージを発生させないようにすると共に、膜残りが発生しないようにスクライブ領域を加工することを可能にする。
【解決手段】
試料の表面に形成された薄膜にパルスレーザ光を試料の表面に対して相対的に走査しながら照射することで試料の表面から薄膜を部分的に除去加工する薄膜レーザパターニング方法及び装置において、パルスレーザを相対的に走査する方向に対して非対称なトップハット形状の強度分布を有するように成形し、この成形したパルスレーザの照射領域を一部重複させながら照射して相対的に走査することによりこの相対的に走査して照射した領域の薄膜を除去加工するようにした。 （もっと読む）

【課題】シリコンカーバイドの表面にアスペクト比の大きい損傷を高速に形成することができるレーザ加工方法を提供すること。
【解決手段】無偏光でかつ波長５００ｎｍ以上のレーザ光を照射して、シリコンカーバイドの表面にアスペクト比の大きい損傷を形成する。レーザ光は、パルス幅が１００ナノ秒以上のパルスレーザ光または連続発振レーザ光が好ましい。レーザ光の集光点の位置は、シリコンカーバイドの表面から上方１００μｍ〜表面から内部１００μｍの範囲内となるように調整される。 （もっと読む）

【課題】ガラスなどのワーク表面にレーザビームを走査しながら照射して同表面を加熱し、その背後を同じく走査しながら冷却しワークに表面スクライブを実現する方法及び装置において、所要レーザ出力を低減することと薄板ワークに対する安定した表面スクライブを行うことを目的とする。
【解決手段】加熱用レーザビームのエネルギー密度分布と冷却液分布を所要の熱応力スクライブ生成に最適化させることによって所要レーザ出力の低減とプロセス安定化を実現した。この実現のために前者では回折格子型光学素子を使用してスクライブ線方向の両側で対称性を持つ時間的にも空間的にも一様で過剰なエネルギー密度を避けた分布を実現した。また後者では冷却液が加熱領域の後方にスクライブ線の両側で対称性を有する分布を実現する冷却ノズルを使用した。 （もっと読む）

【課題】ガラスなどのワーク表面にレーザビームを走査しながら照射してワークに表面スクライブを実現する方法及び装置において、レーザ出力の不安定性を消去する方法及び装置を提供する
【解決手段】ガラスなどのワーク１表面にレーザビームを走査しながら照射して同表面を加熱し、その背後を同じく走査しながら冷却しワーク１に表面スクライブ４を実現する際に、ワーク１表面のレーザビーム照射直位置を吹き飛ばしてノズルからの噴射気体によって清純化し、ワーク１表面のレーザビーム照射位置に存在する冷却液などの液体あるいは不純物によるＣＯ_２レーザビーム吸収を防止することにより、所要レーザ出力の低減とプロセス安定化を実現する。 （もっと読む）

【課題】大きなガラスシートを小さく分割するガラス切断システムにおいて、切断速度を向上する。
【解決手段】３０ｍｍ以上の最大寸法を有する細長いビームスポット形状を有するレーザビームを、部分的なクラック切り込みラインを生成するためガラスシートを横断して移送させ、そのガラスシートを、その後、部分的なクラックの領域に曲げモーメントを付加することにより、器切り込みラインに沿って分割する。 （もっと読む）

【課題】レーザーが接着テープに照射されたり、板状物に完全切断溝が形成されてレーザーが接着テープに照射されても、板状物が貼着された接着テープに貫通穴が形成されない板状物の加工方法を提供する。
【解決手段】板状物２の分割予定ライン２１に沿ってレーザーを照射し分割溝を形成する板状物の加工方法であって、ポリオレフィンフイルムを基材とし表面に接着層が敷設された３００〜４００ｎｍの波長域での全光線透過率が５０％以上であるとともにヘーズが７０％以上の接着テープ４を開口部に設けた環状フレームの接着テープに板状物を貼着する工程と、該板状物をレーザー加工装置のチャックテーブル５１に接着テープを介して保持し、３００〜４００ｎｍの波長のレーザーを照射しつつ加工送りし、板状物に設定された分割予定ラインに沿ってレーザーを照射し、レーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 レーザー光により被加工物を加工する場合に、分解物による被加工物表面の汚染を効果的に低減して、生産効率よくかつ容易にレーザー加工を行うことが可能なレーザー加工方法を提供する。
【解決手段】 本発明のレーザー加工方法は、被加工物に対しレーザー光を照射して加工するレーザー加工方法であって、前記レーザー光の照射の際に発生する分解物を、照射部分の近傍で吸引除去しながら、前記レーザー加工することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】個別素子の大きさが小さくなると、印加する力すなわち分離力が増加し、分離の瞬間に素子が大きく振動して、隣のチップと激しくぶつかり合い、素子が欠けてしまう問題が発生するようになった。この問題は、レーザスクライブを素子全長近くまで行うとともに、より深い溝とすることで低減されるが、今度は溝を形成する際除去される材料が増加するため、デブリ（レーザ照射によって表面に飛び散るゴミ）が増加し、素子端面や素子表面が汚染される問題が発生してしまう。そこで、レーザスクライブ溝を深くせず、かつ少ない分離力で確実に素子を分離できる方法を得る必要が生じた。
【解決手段】半導体基板を個片化する際、レーザ照射により素子端面近傍より他の端面近傍までスクライブを行い、かつ、その途中で一旦表面近傍まで溝深さを浅くした凸部を形成するようにした。 （もっと読む）

【課題】加工不具合の発生を抑制可能なレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】レーザ加工装置３００は、レーザ光Ｌをパルス発振するレーザ光源２０２と、レーザ光Ｌを支持台上の加工対象物１の内部に集光させる集光光学系２０４と、支持台を移動させるためのステージ１１１と、レーザ光源２０２及びステージ１１１を制御する制御部２５０と、を備えている。この制御部２５０は、レーザ光Ｌを加工対象物１に集光させ、該レーザ光Ｌを加工対象物１に対して切断予定ライン５に沿って移動させることにより、加工対象物１内におけるレーザ光照射面としての表面３から所定距離の位置に、少なくとも２つの互いに異なるピッチを有する複数の改質スポットを形成させ、これら複数の改質スポットにより改質領域７を形成させる。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ基板のレーザ切削加工において、冷却時にウェーハ基板の表面に付着した切削屑をその表面から除去する。
【解決手段】レーザ切削加工される加工物１２の表面に界面活性剤膜１１を施し、レーザビームを用いる切削加工の間に生み出される切削屑１５が、その表面に付着するのを減らす。また、この界面活性剤膜１１は、好ましくは後で、この界面活性剤膜１１上に被着した切削屑１５１といっしょに除去される。 （もっと読む）

【課題】デバイスの抗折強度が低下することを抑制すること。
【解決手段】ワークＷをワークＷの露出面に直交する方向を回転軸として回転させながら、圧力が６．０[ＭＰａ]以上１４．０[ＭＰａ]以下、より好ましくは圧力が８．０[ＭＰａ]以上１２．０[ＭＰａ]以下の水をワークＷの露出面に供給することによって、スクライブ工程においてワークＷの切断面付近に付着したデブリを除去する。これにより、ワークＷの切断面付近に付着したデブリを効果的に除去することができるので、デバイスの抗折強度が低下することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】安定した品質のチップを効率よく得ることができる。
【解決手段】レーザー光をウェハＷ内部に照射して、ウェハＷの表面から略６０μｍ〜略８０μｍの深さに切断ラインＬに沿って予備改質領域Ｐ１を形成し、その後予備改質領域から略２０μｍ〜略４０μｍだけウェハＷ裏面側の位置にレーザー光を照射して本改質領域Ｐ２を形成する（ステップＳ１０）。これにより予備改質領域Ｐ１内のクラックＫ１が基準面とウェハＷ表面との間に進展される。基準面までウェハＷを裏面から研削され（ステップＳ１２）、加工変質層が除去されてウェハＷ裏面が鏡面加工され（ステップＳ１４）、ウェハＷ裏面にエキスパンドテープが貼付され（ステップＳ１６）、エキスパンドテープが外側へ拡張されると、ウェハＷが切断ラインで破断されてチップＴに分割される（ステップＳ１８）。 （もっと読む）

【課題】光デバイスを損傷することのない光デバイスユニットの加工方法を提供することである。
【解決手段】光デバイスユニットを、分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射して分割溝を形成し個々の光デバイスに分割する光デバイスユニットの加工方法であって、光デバイスユニットの温度と伸び率との関係を規定した相関データを取得するデータ取得工程と、光デバイスユニットの温度を計測する温度計測工程と、分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射して分割溝を形成する分割溝形成工程と、該温度計測工程で計測した光デバイスユニットの温度と該データ取得工程で取得した温度に対応する伸び率とに基づいて、分割予定ラインの間隔の伸び量を算出する伸び量算出工程と、該伸び量算出工程によって算出された伸び量に基づいて、レーザビームを照射すべき分割予定ラインの割り出し量を補正する分割予定ライン補正工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】安定した品質のチップを効率よく得ることができる。
【解決手段】レーザー光をウェハＷ内部に照射して、ウェハＷの表面から略６０μｍ〜略８０μｍの深さに切断ラインＬに沿って改質領域を形成し（ステップＳ１０）、ウェハＷの表面から略５０μｍの基準面までウェハＷを裏面から研削する（ステップＳ１２）。このとき、改質領域内のクラックが、基準面とウェハＷ表面との間に進展される。その後、研削によりウェハＷの裏面に形成された加工変質層が除去され、ウェハＷ裏面が鏡面加工され（ステップＳ１４）、ウェハＷ裏面にエキスパンドテープが貼付され（ステップＳ１６）、エキスパンドテープが外側へ拡張されると、ウェハＷが切断ラインで破断されてチップＴに分割される（ステップＳ１８）。 （もっと読む）