【課題】容易に製造することができながらも、絶縁性基板と配線導体とを接合する金属層の、薬液に触れることによる腐食の可能性を低減する配線基板を提供する。
【解決手段】金属接合層５及び配線導体７よりも耐腐食性の高い真空成膜層である真空成膜層９により、金属接合層５及び配線導体７が被覆されている。このように、メッキ液などの薬液に対しては、真空成膜層９のみが触れるため、真空成膜層９と、金属接合層５及び配線導体７との間の電位差に起因する金属接合層５及び配線導体７のガルバニック腐食の発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】高い接合強度を有するとともに、高耐熱サイクル性を有し、電子機器としての動作信頼性を向上させたセラミックス回路基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板に金属回路板を接合して成るセラミックス回路基板において、窒化アルミニウム，窒化けい素および酸化アルミニウムの少なくとも１種からなるセラミックス基板と、このセラミックス基板に一体に形成されたＡｌを主成分とするろう材からなる接合層と、この接合層に一体に形成され、上記ろう材と金属回路板との合金化を防止する隔離層と、この隔離層を介して接合される金属回路板とを備えることを特徴とするセラミックス回路基板である。また、金属回路板の周縁部に薄肉部，孔，溝を形成することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 特性の優れた受動素子が組み込まれた高集積密度化及び小型化が可能な回路基板及び電子装置を提供することである。
【解決手段】 樹脂材料よりなるベース基板１１と、ベース基板１１表面に選択的に形成された第１電極層１２と、ベース基板１１及び第１電極層１２を覆う誘電体膜１３と、誘電体膜１３上に第１の電極層と対向するように形成された第２電極層１４などから構成され、第１電極層１２と第２電極層により誘電体膜１３を挟んでなるキャパシタ１５を形成する。誘電体膜は酸化物セラミックスの誘電体微粒子材料を用いてエアロゾルデポジション法により形成する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、電気回路が構成されるセラミック基板上に、電気回路の耐圧より低い電圧で放電が起こる放電電極を形成可能にし、電気回路の信頼性を高めることにある。
【解決手段】
セラミック基板１００上に抵抗体ペーストを印刷することにより形成された印刷抵抗体を有する電気回路において、第１の導体配線１１と第２の導体配線１２との間に跨って形成された印刷抵抗体にスリット１５を設け、印刷抵抗体を第１の導体側部分１３と第２の導体側部分１４とに電気的に開放（分割）し、第１の導体側部分１３と第２の導体側部分１４とで第１の導体側部分１３と第２の導体側部分１４とが対向する部分に放電ギャップを有する放電電極を構成する。 （もっと読む）

【課題】衝撃や振動を減衰し、抵抗体とセラミック基板との接合信頼性を向上させ、高信頼性の配線基板を提供する。
【解決手段】第１ガラス成分を有するガラスセラミック基板２と、ガラスセラミック基板２上に形成された抵抗体５と、抵抗体５を覆うオーバーコートガラス８とを有する。抵抗体５は、第２ガラス成分を有する第１層７と、該第１層７上に形成された、第３ガラス成分および導体成分を有する第２層６とを備えている。また、第２ガラス成分は、軟化温度が第３ガラス成分よりも高い。 （もっと読む）

【課題】配線導体の抵抗値が低く、かつ配線導体の絶縁基板からの剥離を抑制できる配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板１は、ガラス成分を有するセラミックスを含む絶縁基板２と、絶縁基板２に設けられた配線導体３とを有する。配線導体３は、その厚み方向おいて外側に位置する第１導体部３ａと、第１導体部３ａの間に位置する第２導体部３ｂとを有する。第２導体部３ｂは、導体成分を有し、第１導体部３ａは、導体成分とガラス成分を有する。 （もっと読む）

【課題】配線途中に抵抗体を介在させて配線抵抗を所望の値となるように構成した、いわゆる電気特性測定用配線基板において、前記抵抗体及び前記配線の形成工程に起因した、前記配線抵抗の変化（増大）を防止する。
【解決手段】厚さ方向に貫通孔が形成されてなる絶縁基板の少なくとも一方の主面上において、前記貫通孔の開口部を覆うようにして形成されてなるビアパッドと、前記絶縁基板の前記少なくとも一方の主面上において、前記ビアパッドと離隔して配置された接続パッドと、前記ビアパッドと前記接続パッドとを電気的に接続する配線と、前記ビアパッドと前記接続パッドとの間において、前記配線と電気的に接続するようにして配置され、前記配線の幅よりも大きな幅を有する抵抗体と、前記抵抗体の、前記配線との接触面に前記抵抗体を構成する材料の抵抗値以下の抵抗値を有する材料からなる低抵抗層とを具えるようにして配線基板を構成する。 （もっと読む）

【課題】 表面にＡｇからなる微細な配線パターンを有する配線基板においては、Ａｇマイグレーションがが課題であり、これには耐マイグレーション性能の高い金属をめっきにより被覆することが有効であるものの、耐マイグレーション性能がまだまだ不足であった。
【解決手段】 Ａｇを主成分とする金属膜が表面に形成された基材を用意する工程と、前記Ａｇを主成分とする金属膜の表面に、Ｐｄめっき膜を形成する工程と、熱処理により前記Ａｇの少なくとも一部と前記Ｐｄの少なくとも一部とを合金化させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】貫通孔付焼成済みセラミック基板における貫通孔内のボイドを抑えるための導体ペースト及びそれを用いたセラミック基板の製造方法を提供する。
【解決手段】貫通孔を備えた焼成済みセラミック基板の前記貫通孔に導体ペーストを充填し焼成処理を行うセラミック基板の製造方法において、導電性を持つ金属粉末と前記金属粉末同士を前記有機成分にて結合させた平均粒径２０〜５２μｍである金属凝集物と有機成分と溶剤とを含有する導体ペーストを用いるセラミック基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】機械的強度に優れていて変形も少ないセラミック基体を有するとともに、セラミック基体との接着強度及び同時焼結性に優れた低抵抗かつ好適形状の導体を有するセラミック部品を提供すること。
【解決手段】本発明のセラミック配線基板１０は、銅の融点よりも高い温度で焼結するセラミックを主体とするセラミック基体１１に導体１８，１９，２３，２７，２８が形成されたものである。導体１８，１９，２３，２７，２８は、無機化合物フィラーと銅との混合相からなる。フィラーは、チタン−アルミニウム系金属化合物、チタン酸化物及びアルミニウム酸化物のうちから選択される少なくとも２種の無機化合物を主体とする。フィラー中のチタン酸化物及びアルミニウム酸化物としては、チタン−アルミニウム系金属化合物が熱分解して酸化することにより生じたものが好適である。 （もっと読む）

【課題】レベリング性と垂れの両方に優れた特性を有する厚膜形成用ペーストを提供する。
【解決手段】温度２５℃において、ペーストに３０ｓ^−１のせん断速度で、ペーストの損失弾性率Ｇ”と貯蔵弾性率Ｇ’の比（Ｇ”／Ｇ’＝ｔａｎδ）が一定になるまでせん断を与える。そして、この状態でせん断を与える応力を除いて応力緩和状態にしたときに、ｔａｎδが１に変化するまでの時間が３分以上で、且つｔａｎδが２に変化するまでの時間が１０分以下である粘弾性特性を有するペーストを、本発明の厚膜形成用ペーストとして用いる。 （もっと読む）

【課題】実装強度に優れるとともに導体部分の電気抵抗が低く、しかも同時焼成により反りや剥がれ等を起こすことなく製造可能なセラミック配線基板を提供すること。
【解決手段】本発明のセラミック配線基板１０は、銅の融点よりも高い温度で焼結するセラミックを主体とするセラミック基体１１に導体１８，１９，２３，２７，２８が形成されたものである。導体１８，１９，２３，２７，２８は、フィラーと銅との混合相からなる。フィラーは、銅よりも高融点であるクロム系の無機金属酸化物を主体とする。無機金属酸化物の含有量は１０体積％以上６０体積％以下である。フィラー中の無機金属酸化物としては、例えば酸化クロムまたは銅クロム複合酸化物が好適である。 （もっと読む）

【課題】レーザでトリミングする際に、レーザがチップに入射するのを防ぐことができる回路基板を提供する。
【解決手段】レーザトリミングにより機能調整を行う回路基板において、表面に配線３０が設けられた基板１０と、配線３０と電気的に接続して基板１０に搭載されたチップ４０と、基板１０及び配線３０上でチップ４０の真下部に配置され、レーザトリミングに用いるレーザ光に対して遮光性を有する第１遮光膜２０と、基板１０及び配線３０上でチップ４０の周辺部に配置され、レーザトリミングに用いるレーザ光に対して遮光性を有する第２遮光膜２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】セラミック、ガラス、樹脂などの素体に対し、金属膜を接合形成する際、簡便さと接合信頼性とを両立させることが問題となっていた。
【解決手段】多数の孔部を有する多孔質金属めっき膜と、前記孔部に充填されたガラス成分と、を備える金属膜を用意し、これを素体に加熱接着すればよい。 （もっと読む）

【課題】 脱バインダー不良および焼結挙動の不整合による貫通導体の絶縁基体表面からの突出が抑制された配線基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、３層以上のガラスセラミック絶縁層からなる絶縁基体１と、絶縁基体１の表面および内部に形成された配線層２と、内層を構成するガラスセラミック絶縁層１ｂ〜１ｈに形成された第１の貫通導体３１と、表層を構成するガラスセラミック絶縁層１ａ、１ｉに形成され第１の貫通導体３１に直に接続された第２の貫通導体３２とを備えた配線基板であって、第１の貫通導体３１および第２の貫通導体３２は同じ金属を主成分として含むとともに、第１の貫通導体３１はさらにガラスを含みガラスからの析出結晶を実質的に含んでおらず、第２の貫通導体３２はさらにガラスおよびガラスからの析出結晶を有していることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】 脱バインダー不良および焼結挙動の不整合による貫通導体の絶縁基体表面からの突出が抑制された配線基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、複数のガラスセラミック絶縁層を積層してなる絶縁基体１と、絶縁基体１の表面および内部に形成された配線層２と、内層を構成するガラスセラミック絶縁層１ｂ〜１ｈに形成された第１の貫通導体３１と、表層を構成するガラスセラミック絶縁層１ａ、１ｉに形成され第１の貫通導体３１に直に接続された第２の貫通導体３２とを備えた配線基板であって、第１の貫通導体３１および第２の貫通導体３２は、同じ金属を主成分として含むとともにガラスおよび析出結晶を含んでおり、第２の貫通導体３２に含まれる析出結晶の量が第１の貫通導体３１に含まれる析出結晶の量よりも多いことを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】絶縁部とメタライズ部との接合強度に優れながら、高い気密性を発揮することができるセラミック配線基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミック配線基板１ａは、アルミナ基セラミックスからなる絶縁部１０と、その表面及び／又は内部に配設され同時焼成されたモリブデン基導電材からなるメタライズ部２０と、を備え、アルミナ基セラミックスは、ＭｎのＭｎＯ_２換算含有量Ｃ１_Ｍｎは０．５質量ｘ％≦Ｃ１_Ｍｎ≦１０質量％であり、モリブデン基導電材は、ＮｉのＮｉＯ換算含有量Ｃ２_Ｎｉ、ＭｎのＭｎＯ_２換算含有量Ｃ２_Ｍｎ、ＡｌのＡｌ_２Ｏ_３換算含有量Ｃ２_Ａｌは、０．２質量％≦Ｃ２_Ｎｉ≦５質量％、０．１質量％≦Ｃ２_Ｍｎ≦１０質量％、且つ１０質量％<Ｃ２_Ａｌ≦３０質量％である。また、その製造方法。 （もっと読む）

【課題】配線基板に設けられたビア導体周りに生じる欠陥によって生じるクラックや剥離を低減することを提供すること。
【解決手段】配線基板のランドは、ビア導体１の表面中央部に位置する第１領域に形成される第１活性金属層５ａと、第１領域と離れているとともに、ビア導体１の外周部からセラミック基板の表面にかけて位置する第２領域に形成された第２活性金属層５ｂの表面に形成されている。第１領域と第２領域とに分けてランドを形成することで、ビア導体１の端部に加わる熱応力を小さくでき、微小欠陥の成長を防ぐことが出来る。 （もっと読む）

【課題】配線導体とビア導体との接続信頼性が高く、ランドの表面が平坦な配線基板を提供すること。
【解決手段】配線基板は、セラミック基板１の表面のビア開口２の周囲に薄膜金属層４が形成され、薄膜金属層４および前記ビア導体３表面を覆うように配線導体５が形成されている。薄膜金属層４をビア開口２から離間させておくことによって、ランドの表面を平坦なものとできる。 （もっと読む）

【課題】導体パターン層および基体の接合強度を向上させるとともに、ビアホールに生じるガスによる影響を低減させること。
【解決手段】基板は、基体、ビア導体１２および第１のメッキ層１４を有している。基板は、導体パターン層１７をさらに有している。基体は、セラミック材料を含んでおり、ビアホールが設けられた表面を有している。ビア導体１２は、ビアホール内に設けられている。第１のメッキ層１４は、ビア導体１２上に形成されている。導体パターン層１７は、活性金属を含んでいる。導体パターン層１７は、第１のメッキ層１４上に部分的に配置されているとともに、基体の表面上に形成されている。 （もっと読む）