【課題】元来の出発原料を用いた場合と同程度の熱伝導率、強度、気孔率等の特性を有するとともに、歩留まりの向上とコスト削減が可能である炭化珪素ハニカム構造体の製造方法及び炭化珪素ハニカム構造体を提供する。
【解決手段】炭化珪素質ハニカム構造体の製造過程で発生した当該ハニカム構造体の出発原料に由来する回収物から再生された再生原料を、出発原料の一部として用いたハニカム構造体の製造方法であって、再生原料が、出発原料を焼成した後の工程における前記炭素珪素ハニカム構造体を構成する材料から回収されるものである。そして、その再生原料の平均粒子径を５〜１００μｍとした後に、出発原料の一部として出発原料全体に占める割合が５０質量％以下となるように添加し、これを用いて炭化珪素ハニカム構造体を製造する。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム焼結体の表面に、高い密着強度及び高い反射率を有する酸化層が形成された窒化アルミニウム基板を提供することを目的とする。
【解決手段】窒化アルミニウム焼結体２の表面に窒化アルミニウムの酸化層３が形成された窒化アルミニウム基板１において、酸化層３は、酸化アルミニウムのマトリックス５中に窒化アルミニウム結晶粒子４が含有され、窒化アルミニウム結晶粒子４の含有率が酸化層３の表層側から焼結体２側へ近づくにつれて増加する構成である。酸化層３中の酸化アルミニウムのみからなる仮想の層の厚みが５〜２０μｍであり、焼結体２中の希土類元素の酸化物換算での含有量が３〜６質量％であり、カルシウムの含有量が０．００３質量％以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の放熱部材に適した複合部材、その製造方法、放熱部材、半導体装置を提供する。
【解決手段】この複合部材は、マグネシウム又はマグネシウム合金とSiCといった非金属無機材料とが複合されたものであり、上記SiCを70体積％超含有し、熱膨張係数が4ppm/K以上8ppm/K以下であり、熱伝導率が180W/m・K以上である。この複合部材は、半導体素子との熱膨張係数の整合性に優れる上に、放熱性にも優れるため、半導体素子の放熱部材に好適に利用できる。上記非金属無機材料は、上記非金属無機材料同士を結合するネットワーク部を有する焼結体などの成形体を利用することで、複合部材中の非金属無機材料の含有量を容易に高められる上に、複合部材中に上記ネットワーク部が存在することで熱特性に優れる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の放熱部材に適した複合部材、その製造方法、放熱部材、半導体装置を提供する。
【解決手段】この複合部材は、マグネシウム又はマグネシウム合金とSiCといった非金属無機材料とが複合されたものであり、ＳｉＣ粉末成形体を形成し、前記成形体を焼結して、ＳｉＣ同士を結合するネットワーク部を有するＳｉＣ集合体を形成し、鋳型に収納された前記ＳｉＣ集合体に溶融したマグネシウム又はマグネシウム合金を大気圧以下の雰囲気で含浸させることによる、ＳｉＣ５０体積％以上含有する複合部材。 （もっと読む）

【課題】表面のパーティクルや、微少凹凸を高い除去率で取り除くことができる炭化ケイ素部材の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る炭化ケイ素部材の製造方法では、炭化ケイ素を含む炭化ケイ素部材１を、酸素含有雰囲気中で８００〜１２００℃の温度範囲で加熱することにより、前記炭化ケイ素部材１の表面２に酸化被膜６を形成する酸化処理工程と、前記炭化ケイ素部材１を酸洗浄することにより、前記酸化被膜６および炭化ケイ素部材１の表面２の少なくとも一部を除去する酸洗浄工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】
炭化処理された成形体に一酸化珪素ガスを反応させて、炭化珪素成形体を製造する方法において、気孔率の値が制御された炭化珪素成形体、特に気孔率が１５〜５０％である炭化珪素成形体を再現性良く製造する技術を提供する。
【解決手段】
成形体に含浸される熱硬化性樹脂の含浸量を変えて、炭化珪素成形体の気孔率を制御することにより、所望の気孔率を有する炭化珪素成形体を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】加圧浸透法により金属−セラミックス複合材料を得るための高強度の多孔体を提供し、クラックやメタルリッチ層、浸透不良が生じず、低コストで剛性の高い金属−セラミックス複合材料の作製を可能とする。
【解決手段】加圧浸透法によりアルミニウムまたはアルミニウム合金を浸透させて金属−セラミックス複合材料を得るためのＳｉＣを主成分とする多孔体であって、Ｓｉとカーボンが反応してなる反応焼結ＳｉＣを１〜１０質量％含み、ＳｉＣの充填率が５０体積％以上であり、カーボン含有率が０．１質量％未満、Ｓｉ含有率が０．５質量％未満であることを特徴とする多孔体。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム焼結体の表面に、高い密着強度を有する酸化層が形成された窒化アルミニウム基板を提供することを目的とする。
【解決手段】窒化アルミニウム層２の表面に酸化層３が形成されており、酸化層３は窒化アルミニウム結晶粒子４を含有し、酸化層３中の酸化アルミニウム成分の総含有量に基づいて、酸化アルミニウムのみからなる仮想の層の厚みを算出したときの厚みが５〜１００μｍになる酸化層を有する窒化アルミニウム基板。 （もっと読む）

【課題】サマリウムを含有していない窒化アルミニウム焼結体であって、サマリウムを含有する窒化アルミニウム焼結体と同等の性能を持つものを提供する。
【解決手段】本発明の窒化アルミニウム焼結体の製法は、（ａ）ＡｌＮと、ＡｌＮ１００重量部に対して２〜１０重量部のＥｕ₂Ｏ₃と、Ｅｕ₂Ｏ₃に対してモル比で２〜１０のＡｌ₂Ｏ₃と、Ａｌ₂Ｏ₃に対してモル比で０．０５〜１．２のＴｉＯ₂とを含み、Ｓｍを含まない混合粉末を調製する工程と、（ｂ）混合粉末を用いて成形体を作製する工程と、（ｃ）該成形体を焼成するにあたり、真空又は不活性雰囲気下でホットプレス焼成を行う工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高気孔率でありながらも高強度であり、熱伝導率が高く耐熱衝撃性に優れ、比較的低温で焼結させることで製造可能な炭化珪素質多孔体を提供する。
【解決手段】金属珪化物を１〜３５質量％含有し、気孔率が３８〜８０％であり、気孔径が１０〜６０μｍである炭化珪素質多孔体。 （もっと読む）

【課題】加圧浸透法により金属−セラミックス複合材料を得るための高強度の多孔体を提供し、クラックやメタルリッチ層、浸透不良が生じず、低コストで剛性の高い金属-セラミックス複合材料の作製を可能とする。
【解決手段】加圧浸透法によりアルミニウムまたはアルミニウム合金を浸透させて金属−セラミックス複合材料を得るための炭化ケイ素を主成分とする多孔体であって、炭化ケイ素の充填率が６０％以上であり、Ｓｉとカーボンが反応してなる反応焼結炭化ケイ素が、炭化ケイ素全体の５〜１０質量％を占めることを特徴とする多孔体。 （もっと読む）

本明細書において、窒化アルミニウム製バッフルに関する方法及び装置が提供される。幾つかの実施形態において、半導体プロセス・チャンバで用いるためのバッフルが、窒化アルミニウムと金属酸化物結合剤とを含む本体を含むことができ、本体の表面上における金属酸化物に対する窒化アルミニウムの比は、該本体内における該比より大きいか又はこれと等しい。幾つかの実施形態において、本体は、中央ステムと、該中央ステムの下部に結合され、そこから半径方向外方に延びる外側環とを有することができる。幾つかの実施形態において、バッフルを製造する方法は、アルミニウム、窒素、及び金属酸化物結合剤を焼結して、その表面上に過剰な金属酸化物結合剤が配置されたバッフルの本体を形成し、表面から過剰な金属酸化物結合剤のバルクを除去するステップを含むことができる。 （もっと読む）

【課題】セラミックスの曲げ強度及び接触強度を向上できる技術の提供。
【解決手段】ＳｉＣ微粒子１２を１０〜３０ｗｔ％含有するセラミックス焼結体１あるいはＳｉＣ製のセラミックス焼結体にショットピーニング処理によって圧縮残留応力を導入するとともに前記セラミックス焼結体１に亀裂２を形成した後、酸素含有雰囲気下で、前記ショットピーニング処理にて導入した圧縮残留応力を全て除去できる加熱温度よりも低い温度での熱処理によってＳｉＣを酸化させＳｉＯ_２を生成する熱処理工程を行うことを特徴とするセラミックス製品の製造方法、セラミックス製品５を提供する。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュール用ベース板として好適なアルミニウム−炭化珪素質複合体を提供すること。
【解決手段】アルミニウム７７〜９４．５質量％、珪素５〜２０質量％及びマグネシウム０．５〜３質量％を含有する金属粉末２０〜４０体積％と、平均粒子径が５０〜３００μｍの炭化珪素粉末６０〜８０体積％を混合した後、離型処理を施した金型に充填し、温度６００〜７５０℃に加熱して、圧力１０ＭＰａ以上で加熱プレス成形することを特徴とする、板厚２〜６ｍｍの板状アルミニウム−炭化珪素質複合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素を用いた半導体装置等では、理論値通りの特性が得られないことが多いため、本発明では、その原因を究明して炭化珪素の改善を図る。
【解決手段】炭化珪素表面における金属不純物濃度が高いこと、その表面金属不純物濃度を１×１０^１１（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２）以下にすることにより、実質的に特性の劣化を防止できることを見出した。このような高い清浄度の表面を有する炭化珪素は硫酸と過酸化水素水を含む水溶液を用いて洗浄することによって得られる。 （もっと読む）

【課題】ディーゼルパティキュレートフィルタの基体として用いられる炭化ケイ素質多孔体であって、捕集効率が高く圧力損失の上昇が抑制されていると共に、使用の初期段階におけるＰＭの捕集漏れを低減することができる炭化ケイ素質多孔体を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素質多孔体は、画像解析法によって円面積相当径として測定された気孔直径に対する気孔個数分布のモード径が８±１μｍであり、気孔直径が４０μｍ〜５０μｍの気孔の合計体積が、全気孔体積の１０％以上を占めることを特徴とする。また、気孔直径が４０μｍ〜５０μｍの大径の気孔が、前記気孔直径が５μｍ〜２０μｍの小径の気孔によって連結されたアリの巣状の気孔構造を有する。 （もっと読む）

【課題】少ない工程数で簡易に、フィルタに適した大きさの気孔を形成できると共に、炭化ケイ素の粒子間に強固なネックを形成させて強度を高めることができる、炭化ケイ素質多孔体の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素質多孔体の製造方法は、骨材としての炭化ケイ素粉末６５〜９５質量％に、ケイ素及び炭素のモル比（Ｓｉ／Ｃ）が０．５〜１．５である窒化ケイ素粉末及び炭素質固体粉末を混合し成形する成形工程と、成形工程で得られた成形体を１８００〜２２００℃の非酸化性雰囲気で一度のみ焼成する焼成工程とを具備し、炭素質固体粉末は、平均粒子径が１０〜５０μｍであり、焼成工程で反応生成させる炭化ケイ素の炭素源であると共に、焼成工程で気孔を形成させる造孔剤として用いられる。 （もっと読む）

【課題】平均粒子径が２００ｎｍ以下であり、かつ、任意の粒子径の炭化ケイ素粉末を工業的規模で安価に製造することが可能な炭化ケイ素粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素粉末の製造方法は、炭化ケイ素微細粒子または炭化ケイ素前駆体を熱処理する、炭化ケイ素粉末の製造方法であって、前記熱処理を、還元性ガスを含む雰囲気で行なうとともに、前記雰囲気中における熱処理温度を１５００℃以上かつ１９００℃以下とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体の性能や信頼性を高く維持できる半導体製造用部品およびその製法を提供する。
【解決手段】 窒化珪素結晶粒子３と粒界相とからなり、相対密度が９８％以上の窒化珪素焼結体からなる基体１に、該基体１の表層の粒界相を除去して、窒化珪素結晶粒子３が３次元的に連結した多孔質層５を設け、該多孔質層５の表面に、実質的に窒化珪素からなる緻密な高純度窒化珪素層６を設けてなるもので、緻密な高純度窒化珪素層６上にシリコンウエハを載置し、搬送する場合であっても、従来の粒界相を構成する、例えば希土類元素、アルミニウム等の元素がシリコンウエハと接触することがなく、これによりシリコンウエハを汚染し、半導体の性能や信頼性を損ねたりすることがない。 （もっと読む）

【課題】マトリックス部をより均一に反応させ、強度特性に優れる炭素繊維強化炭化ケイ素複合材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】（ｉ）樹脂、充填材及び有機繊維を混合する工程、
（ｉｉ）（ｉ）の工程でられた混合物と炭素繊維を混合する工程、
（ｉｉｉ）（ｉｉ）の工程で得られた混合物を所定の形状に成形する工程、
（ｉｖ）（ｉｉｉ）の工程で得られた成形体を炭素化（焼成）する工程、並びに
（ｖ）（ｉｖ）の工程で得られた焼成体にシリコンを溶融含浸する工程を含むことを特徴とする炭素繊維強化炭化ケイ素複合材の製造方法及びこの製造方法より得られる炭素繊維強化炭化ケイ素複合材。 （もっと読む）