【課題】高強度で反りが適正に調整された窒化珪素基板及びその製造方法並びにそれを使用した窒化珪素回路基板及び半導体モジュールを提供する。
【解決手段】窒化珪素原料粉に、酸化マグネシウムを３〜４重量％、少なくとも１種の希土類元素の酸化物を２〜５重量％を合計５〜８ｗｔ％になるように配合し、シート成形体とし、焼結した後、複数枚重ねた状態で０．５〜６．０ｋＰａの荷重を印加しながら１５５０〜１７００℃で熱処理することにより、β型窒化珪素と、イットリウム（Ｙ）と、マグネシウム（Ｍｇ）を含有し、表面におけるＭｇ量の分布を示す変動係数が０．２０以下であり、反りが２．０μｍ／ｍｍ以下の窒化珪素基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウムからなる物体の体積比抵抗を低減する方法及び静電チャックを提供する。
【解決手段】窒化アルミニウムからなる物体の体積比抵抗を、アルゴンからなる雰囲気のような、窒素が不足している雰囲気中で少なくとも約１０００℃の浸漬温度にその物体を曝すことにより低減される。物体は、多結晶質体のような緻密化された物である。静電チャックはチャック体内に電極１２を有する。電極１２の第１の面１４における、チャック体の第１の部分２０は約２３℃で約１×１０¹³ohm・cmより小さい体積比抵抗を有する。電極１２の第２の面１６における、物体の第２の部分２２は、第１の部分２０と１桁違う大きさの範囲内の体積比抵抗を有する。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶を利用した半導体歪みセンサと比較してさらに高感度の半導体歪みセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】珪素源と炭素源と触媒を含む液状混合物を容器内に供給し、容器を乾燥室内に導入し、乾燥室内で液状混合物を硬化乾燥することにより、固形物を生成し、生成された固形物を加熱炉内に導入し、加熱炉内で固形物を炭化，焼成し、炭化，焼成された固形物を粉砕することによりβ型の炭化珪素粉体を生成し、β型の炭化珪素粉体と非金属系燃結助剤を混合，造粒することにより造粒体を生成し、生成された造粒体を焼結させることにより炭化ケイ素焼結体を形成し、炭化ケイ素焼結体表面に炭化ケイ素焼結体の歪みに伴う抵抗率の変化を検出するための電極を付設する。 （もっと読む）

【課題】高気孔率でありながらも高強度であり、熱伝導率が高く耐熱衝撃性に優れ、比較的低温で焼結させることで製造可能な炭化珪素質多孔体を提供する。
【解決手段】金属珪化物を１〜３０質量％含有し、気孔率が３８〜８０％の炭化珪素質多孔体である。 （もっと読む）

本発明は、粒子を含んだガスの濾過用のハニカムタイプのガスフィルタ構造に関し、この構造は、多孔質濾過壁によって隔てられた相互に平行な軸線を有して長手方向に隣接した流路の集合体を備え、各流出路は、６つの流入壁に共通の壁を有し、各共通壁は流出路の１面を構成し、各流出路は、ほぼ六角形で規則的な断面の流路を形成するために、ほぼ同一の幅ａの６面から構成され、各流入路の少なくとも２つの隣接した面が異なる幅を有し、１つの同一の流出路と壁を共有する少なくとも２つの流入路が、その２つの流入路の間に幅ｂの共通壁を共有し、幅の比率ｂ／ａが１と同一である。
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【課題】 半導体の性能や信頼性を高く維持できる半導体製造用部品を提供する。
【解決手段】 窒化珪素結晶粒子３と粒界相とからなり、相対密度が９８％以上の窒化珪素焼結体からなる基体１に、該基体１の表層の粒界相を除去して、窒化珪素結晶粒子３が３次元的に連結した多孔質層５を設けてなるもので、多孔質層５上にシリコンウエハを載置し、搬送する場合であっても、従来の粒界相を構成する、例えば希土類元素、アルミニウム等の元素がシリコンウエハと接触することがなく、これによりシリコンウエハを汚染し、半導体の性能や信頼性を損ねたりすることがない。 （もっと読む）

【課題】亀裂の発生を抑制して靱性の高い表面硬化高強度セラミックスを提供する。
【解決手段】アルミナ、ムライト、TiO₂、ZrO₂、Si₃N₄、SiC及びAlNの群から選ばれる１種以上の無機材料からなるマトリクスに炭化物の微細粒子を１vol％以上分散させた複合焼結体又は前記炭化物単体の焼結体を、１０００〜１４００℃で１〜３００時間の範囲内で熱処理後、電子線を照射して表面を硬化してなる表面硬化高強度セラミックスである。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＮ基板の高放熱特性を活かした上で、金属薄膜との密着性や金属薄膜の形成精度等を向上させることによって、マイクロ波集積回路等の薄膜デバイスの信頼性を高めることを可能にする。
【解決手段】ＡｌＮ結晶粒の平均粒径が３〜５μｍの範囲で、かつ粒径分布の標準偏差が２μｍ以下であり、かつ常温での熱伝導率が１６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるＡｌＮ焼結体を作製する。ＡｌＮ焼結体の表面を、加工後の表面のスキューネスＲskが−１以上となるように中仕上げ加工する。中仕上げ加工されたＡｌＮ焼結体の表面を、算術平均粗さＲaが０．０５μｍ以下となるように鏡面加工し、加工表面のスキューネスＲskを０以上１以下に仕上げ加工する。ＡｌＮ基板の加工表面上に金属薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】高耐久性炭化ケイ素焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】多孔質炭化ケイ素焼結体を酸化防止液に含浸させ、多孔質炭化ケイ素焼結体の気孔に酸化防止液を充填させる工程と、酸化防止液を乾燥させ多孔質炭化ケイ素焼結体内部及び表面に熱膨張係数が炭化ケイ素に近似する酸化防止膜を形成する工程と、を含む高耐久性炭化ケイ素焼結体の製造方法。 （もっと読む）

燃料電池組立品、電解槽、又は、蓄電池の電池(1)であって、アノード(3)、カソード(4)、及び、前記カソードと前記アノードとの間の活性窒化ホウ素を含むセラミックの層(2)を含む、電池に関する。 （もっと読む）

【課題】減圧環境下で使用されるセラミックス部品において、処理物への汚染の少ないセラミックス部品の装着方法および有機物の汚染の少ない半導体製造装置用セラミックス部品の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｘ線光電子分光法で表面の深さ方向の測定をし、表面から５ｎｍ以深の深さで検出される炭素量が５ｍａｓｓ％以下である状態で半導体製造装置に装着することを特徴とする半導体製造装置用非汚染性セラミックス部品の装着方法である。 （もっと読む）

【課題】 実用的な条件によって加工変質層を除去するＳｉＣ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のＳｉＣ基板１１は、実質的に平行な第１および第２の主面１１ａ、１１ｂを有し、第２の主面１１ｂのみが鏡面仕上げされており、反りが±５０μｍ以下であるＳｉＣ基板であって、第２の主面１１ｂの表面粗度Ｒａは１ｎｍ以下であり、第１の主面１１ａの加工変質層が除去されている。 （もっと読む）

【課題】簡単な装置構成により炭化珪素を容易に純化する。
【解決手段】酸素が存在しない雰囲気下において少なくとも炭化珪素を含む処理対象物の表面をフッ化物プラズマにより洗浄することによって炭化珪素を純化する。これにより、簡単な装置構成により炭化珪素を容易に純化することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子からの４３０〜４８０ｎｍの範囲の光によって高効率で安定に発光する窒化物蛍光体および酸窒化物蛍光体、これらの蛍光体の製造方法、ならびに、高効率で特性の安定した発光装置を提供する。
【解決手段】一般式（Ａ）：Ｅｕ_aＳｉ_bＡｌ_cＯ_dＮ_eで実質的に表される、発光のピ−ク波長から可視光の長波長領域での反射率が９５％以上である２価のユーロピウム付活酸窒化物蛍光体、一般式（Ｂ）：ＭＩ_fＥｕ_gＳｉ_hＡｌ_kＯ_mＮ_nで実質的に表され、、発光のピ−ク波長から可視光の長波長領域での反射率が９５％以上である２価のユーロピウム付活酸窒化物蛍光体、または、一般式（Ｃ）：(ＭＩＩ_1-pＥｕ_p)ＭＩＩＩＳｉＮ₃で実質的に表され、発光のピ−ク波長から可視光の長波長領域での反射率が９５％以上である２価のユーロピウム付活窒化物蛍光体、これらの蛍光体の製造方法、ならびに、これらの蛍光体を用いた発光装置。 （もっと読む）

【課題】肉厚形状にしても、酸化劣化、破損等が生じ難いＳｉ−ＳｉＣ質焼結体を提供する。
【解決手段】骨材としての複数の炭化珪素（ＳｉＣ）粒子と、結合剤として前記炭化珪素粒子間の隙間に充填された珪素（Ｓｉ）とを有するＳｉ−ＳｉＣ質焼結体であって、前記炭化珪素粒子の最大粒子径が、０．５ｍｍ以上であり、前記珪素の含有率が５〜４０質量％であり、気孔率が０〜５％であるＳｉ−ＳｉＣ質焼結体。好ましくは、厚さ２０〜２００ｍｍの肉厚形状であるＳｉ−ＳｉＣ質焼結体。 （もっと読む）

【課題】気孔径のバラツキが小さく、高い強度を有するハニカム構造体を製造することができるハニカム構造体の製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも炭化ケイ素粉末とバインダと添加材とを含む原料組成物を成形することにより、多数のセルがセル壁を隔てて長手方向に並設された柱状のハニカム成形体を作製した後、上記ハニカム成形体を脱脂処理することによりハニカム脱脂体を作製し、さらに、上記ハニカム脱脂体を焼成処理することによりハニカム焼成体を作製し、ハニカム焼成体からなるハニカム構造体を製造するハニカム構造体の製造方法であって、上記添加材は、アルミナ、シリカ、チタニア、ジルコニア、マグネシア、及び、これらのいずれかを含む複合体のうちの少なくとも１種であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】焼結後の加工によって透光性が低下した窒化アルミニウム焼結体について、簡単な手段で、透光性を回復する手段を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明に係る中空形状の窒化アルミニウム焼結体は、可視光領域における光線透過率が８７％以上であることを特徴としている。このような透光性の改善された窒化アルミニウム焼結体は、通常の窒化アルミニウム焼結体を、不活性雰囲気中１３００〜１４００℃で１時間以上熱処理することで得られる。 （もっと読む）

【課題】瓦焼成中における熱変形を防止して全長を長くすることができ、また釉薬の付着が生じた場合にも平板瓦焼成用棚台全体を交換する必要がない平板瓦焼成用窯道具を提供する。
【解決手段】Ｓｉ含浸ＳｉＣまたは再結晶ＳｉＣなどの高温強度の高い耐火物からなる断面Ｕ字状の支持ビーム４の内部に、複数個に分割された平板瓦焼成用棚台１を配置した。平板瓦焼成用棚台１は、平板瓦支持板５の傾斜支持部３と、平板瓦支持板５の下端が挿入される保持溝２とを備えたものであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素焼結体の純度の向上と、炭化ケイ素焼結体の炭素濃度の低減を図る。
【解決手段】半導体製造に用いられる炭化ケイ素焼結体治具の製造方法であって、
（ａ）炭化ケイ素粉末と非金属系焼結助剤との混合物及び上記粉体混合物から調製された成形体のいずれか一方をホットプレス法により焼結して焼結体１を得る工程と、
（ｂ）上記焼結体１を加工処理して焼結体２を得る工程と、
（ｃ）上記焼結体２をアルゴン雰囲気下２０００〜２４００℃で熱処理して、上記焼結体２中の不純物を外部拡散させて不純物を取り除き焼結体３を得る工程と、
（ｄ）上記焼結体３と、二酸化ケイ素及び炭素を含む混合物とを同一環境内に配置し、アルゴン雰囲気下１６００〜１７００℃で加熱し、上記混合物から生じたガスを上記焼結体３の表面に供給して焼結体４を得る工程と、
を含む炭化ケイ素焼結体治具の製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来と比較して加工性が高く、かつ窒化アルミニウムの優れた特性を生かすことができる窒化アルミニウム含有物の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化アルミニウム含有物の製造方法は、窒素雰囲気下で、アルミニウムと窒化ホウ素を同一の容器内で加熱して前記アルミニウムを溶融することにより、窒化アルミニウムとアルミニウムを含有する塊状の窒化アルミニウム含有物を生成する工程と、前記塊状の窒化アルミニウム含有物の形状を加工する工程と、前記加工された窒化アルミニウム含有物を窒素雰囲気下で加熱処理することにより、前記窒化アルミニウム含有物が含有するアルミニウムの一部を窒化させる工程とを具備する。 （もっと読む）