【課題】メタルベイン等の欠陥のないＳｉＣ／Ｓｉ複合材料を提供する
【解決手段】ＳｉＣ粉末と、該ＳｉＣ粉末間を相互に結合する熱硬化性樹脂とからなる三次元骨格構造を備え、開気孔率が２〜２５％である多孔質ＳｉＣ成形体。細孔径１〜３０μｍの細孔が全細孔の７０％以上であり、閉気孔率が５％以下である。この多孔質ＳｉＣ成形体を非酸化雰囲気中で脱脂して得られたプリフォ−ムに、Ｓｉを浸透させることによりＳｉＣ／Ｓｉ複合材料を得る。 （もっと読む）

【課題】初期捕集効率を上昇させると共に、圧力損失の上昇を、より抑えることができるフィルターを提供する。
【解決手段】柱状結晶が集合した結晶塊を多数有すると共に、それら多数の結晶塊同士が結合したものから構成され、前記多数の結晶塊間に大径孔が多数存在すると共に、前記結晶塊を構成する多数の前記柱状結晶間に小径孔が存在するように成形してあるセラミックフィルター。 （もっと読む）

【課題】
ＨｆＣ（炭化ハフニウム）からなる陰極チップの寿命の向上を図ることができるプラズマ電極の製造方法及びプラズマ電極を提供する。
【解決手段】
銅又は銅合金からなる電極ブランク材１０の先端面に設けられた嵌合凹部２０（被挿入部）内に炭化ハフニウム焼結体からなる陰極チップ３０を挿入して銀ろう付けする。この結果、低熱伝導率の陰極チップは、銀ろうを介して熱伝導率の高い銅又は銅合金からなる電極ブランク材１０に密接するため、寿命を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】
炭化処理された成形体に一酸化珪素ガスを反応させて、炭化珪素成形体を製造する方法において、気孔率の値が制御された炭化珪素成形体、特に気孔率が１５〜５０％である炭化珪素成形体を再現性良く製造する技術を提供する。
【解決手段】
成形体に含浸される熱硬化性樹脂の含浸量を変えて、炭化珪素成形体の気孔率を制御することにより、所望の気孔率を有する炭化珪素成形体を得ることができる。 （もっと読む）

少なくとも１つのセラミック成形部品を作成するための方法および装置であって、少なくとも１つの雌型と少なくとも１つの雄型との間に空洞を設けることと、Ｓｉ含有粉末組成物を空洞にもたらすことと、Ｓｉ粉末組成物を反応ガス雰囲気中で反応によって境界付けられたセラミック成形部品が得られる温度へと加熱することとを含んでいる方法および装置、ならびにその使用。
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【課題】作業性および精度を向上させると共に、適用範囲を拡大する。
【解決手段】原料微粉を被成形微粉として、加圧成形した後、焼結させて形成したスリーブおよびコアを備えた熱間加圧成形用の型であり、原料微粉として、炭化チタンの微粉、炭化バナジウムの微粉、炭化クロムの微粉、炭化ジルコニウムの微粉、炭化ニオブの微粉、炭化モリブデンの微粉、炭化ハフニウムの微粉、炭化タンタルの微粉、炭化タングステンの微粉および炭化珪素の微粉の中から１種選択し、或いは２種以上を選択して混合し、スリーブおよびコアの被成形微粉の配合を各々個別に調製することにより、コアの熱膨張係数をスリーブの熱膨張係数より大きくすると共に、両熱膨張係数の値およびその差を所望の値に調製して、冷間時のスリーブとコアとの間のクリアランスを大きく確保すると共に、熱間時にスリーブとコアを密着させる。 （もっと読む）

【課題】匣鉢内に蓋や囲い等を設置することなく、仮焼及び本焼成の両者に対応可能なＳｉ結合ＳｉＣセラミックスの焼成方法を提供する。
【解決手段】溝６が、匣鉢２における対向する一対の枠板５にのみ形成されており、少なくとも本焼成において、それぞれの匣鉢２の溝形成枠板５ａと、隣接する匣鉢２の溝形成枠板５ａとが向かい合い、それぞれの溝形成枠板５ａが焼成炉８の幅方向と平行となるよう配置された、複数の匣鉢２の積載された耐火容器を、互いに接しない程度の間隔を保持しつつ、連続的に焼成炉８へと導入し、焼成を行う、Ｓｉ結合ＳｉＣセラミックスの焼成方法。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素質焼結体のクラックやメタルベインを解消し、欠陥のない緻密な炭化珪素質焼結体を提供できる。
【解決手段】金属珪素を含む炭化珪素質焼結体であって、該炭化珪素焼結体は珪素スポットを有し、前記炭化珪素質焼結体の断面より求めた前記珪素スポットの平均等価円直径Ｄ１と炭化珪素粒子の平均粒子間距離Ｄ２との比Ｄ１／Ｄ２が４以上であることを特徴とする炭化珪素質焼結体。前記珪素スポットは、真円度０．６〜１．０である。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素質焼結体のクラックやメタルベインを解消し、欠陥のない緻密な炭化珪素質焼結体を提供できる。
【解決手段】炭化珪素、または炭化珪素と炭素からなる多孔体中に、非酸化雰囲気下で、珪素の融点以上の温度で珪素を含浸させてなる炭化珪素質焼結体において、前記多孔体は、気孔径分布のピーク値に対し、４倍以上の径を有する気孔の体積割合が全気孔の体積に対して２〜２０％である炭化珪素質焼結体。前記多孔体の気孔径分布のピーク値は、０．４〜５０μｍである。 （もっと読む）

【課題】本発明の態様は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、炭化硼素の有する高い比剛性率を持ちながら、炭化硼素とシリコンを反応させ表層部の状態を変化させることで研削性に優れた構造部材の作製を可能とした複合材料を提供する。
【解決手段】炭化硼素、炭化珪素、シリコンを主成分とする複合材料であって、前記炭化硼素の粒子にシリコンを含んでいることを特徴とする炭化硼素・炭化珪素・シリコン複合材料が提供される。 （もっと読む）

【課題】加圧浸透法により金属−セラミックス複合材料を得るための高強度の多孔体を提供し、クラックやメタルリッチ層、浸透不良が生じず、低コストで剛性の高い金属-セラミックス複合材料の作製を可能とする。
【解決手段】加圧浸透法によりアルミニウムまたはアルミニウム合金を浸透させて金属−セラミックス複合材料を得るための炭化ケイ素を主成分とする多孔体であって、炭化ケイ素の充填率が６０％以上であり、Ｓｉとカーボンが反応してなる反応焼結炭化ケイ素が、炭化ケイ素全体の５〜１０質量％を占めることを特徴とする多孔体。 （もっと読む）

【課題】気孔径が５００μｍ未満で、かつ気孔径の大きさおよび分布が比較的均一な炭化ケイ素系セラミックス多孔質材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ポリウレタン、ポリエチレンまたはゴムからなるスポンジを一軸圧縮成形されてなり、かつ上記スポンジに、樹脂類およびシリコン粉末を含むスラリー、または樹脂類、シリコン粉末および炭化ケイ素粉末を含むスラリーが含浸されてなるスポンジ状多孔質体を焼成および炭素化して形成される炭素化多孔質体に、シリコンを反応焼結させ、あるいはシリコンを反応焼結させた後にシリコンを溶融含浸させて形成されており、気孔径が０．１μｍ以上、５００μｍ未満の範囲内である連続気孔を有している。 （もっと読む）

【課題】 転動体と軌道輪との接触部における滑り摩耗およびフレッティング損傷が抑制され、軸受の軽量化を図ることができる旋回軸受を提供する。
【解決手段】 内輪１と、外輪２と、これら内外輪１，２の各軌道面１ａ，１ｂ，２ａ，２ｂ間で転動自在な複数の転動体３とを備える。転動体３は耐衝撃性に強いセラミックス製である。セラミックスは、βサイアロンを主成分とし、残部不純物からなる焼結体、またはβサイアロンを主成分とし、残部焼結助剤および不純物からなる焼結体から構成されている。 （もっと読む）

【課題】 バラツキが小さく、所望の大きさの気孔径を有する多孔質炭化ケイ素焼結体を製造する。
【解決手段】バラツキが小さく、所望の大きさの気孔径を有する多孔質炭化ケイ素焼結体を製造する方法を提供することを目的とし、本発明の多孔質炭化ケイ素焼結体の製造方法は、少なくとも炭化ケイ素粉末とケイ素粉末とバインダとを含む原料組成物を用いて炭化ケイ素成形体を作製する成形工程と、
上記炭化ケイ素成形体に脱脂処理を施して、炭化ケイ素脱脂体を作製する脱脂工程と、
上記炭化ケイ素脱脂体に焼成処理を施して、多孔質炭化ケイ素焼結体を作製する焼成工程とを含む多孔質炭化ケイ素焼結体の製造方法であって、
上記原料組成物において、上記ケイ素粉末の含有量は、上記炭化ケイ素粉末と上記ケイ素粉末との合計量の１〜３重量％であり、
上記焼成工程において、炭化ケイ素粉末同士が相互拡散により粒子間ネックを形成しうる温度で焼成処理を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】平均粒子径が２００ｎｍ以下であり、かつ、任意の粒子径の炭化ケイ素粉末を工業的規模で安価に製造することが可能な炭化ケイ素粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素粉末の製造方法は、炭化ケイ素微細粒子または炭化ケイ素前駆体を熱処理する、炭化ケイ素粉末の製造方法であって、前記熱処理を、還元性ガスを含む雰囲気で行なうとともに、前記雰囲気中における熱処理温度を１５００℃以上かつ１９００℃以下とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 炭化硼素の持つ高い比剛性を利用した高比剛性複合材料でありながら研削性が優れた複合材料の製造方法を提供すること。
【解決手段】 炭化硼素・炭化珪素・炭素源を主成分とする原料を成形して充填率が６０−８０％の成形体を製造する成形工程と、該成形体に熔融シリコンを含浸させることにより炭素を炭化珪素に転換させる反応焼結工程を備えたことを特徴とする、炭化硼素・炭化珪素・シリコンを主成分とする複合材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性が高く、かつ耐欠損性を改善した窒化珪素質焼結体を提供する。
【解決手段】窒化珪素を主体として、ＲＥ元素化合物（ただし、ＲＥはイットリウムまたは希土類元素の少なくとも一方の元素）とマグネシウム化合物とを含む窒化珪素質焼結体の表面に、前記ＲＥ元素の含有比率は前記窒化珪素質焼結体の内部における含有比率に対して５％の範囲内で一定であり、かつ前記マグネシウム元素の含有比率は前記窒化珪素質焼結体の内部における含有比率に対して５％よりも少ない表面領域が存在する窒化珪素質焼結体である。 （もっと読む）

【課題】高強度で反りが適正に調整された窒化珪素基板及びその製造方法並びにそれを使用した窒化珪素回路基板及び半導体モジュールを提供する。
【解決手段】窒化珪素原料粉に、酸化マグネシウムを３〜４重量％、少なくとも１種の希土類元素の酸化物を２〜５重量％を合計５〜８ｗｔ％になるように配合し、シート成形体とし、焼結した後、複数枚重ねた状態で０．５〜６．０ｋＰａの荷重を印加しながら１５５０〜１７００℃で熱処理することにより、β型窒化珪素と、イットリウム（Ｙ）と、マグネシウム（Ｍｇ）を含有し、表面におけるＭｇ量の分布を示す変動係数が０．２０以下であり、反りが２．０μｍ／ｍｍ以下の窒化珪素基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】 高熱伝導性で、優れた精密加工性を持ち、シリコンに近い熱膨張を示す半導体素子の検査に用いるプローブ案内部材を提供する。
【解決手段】 窒化ホウ素３７〜４４質量％、窒化アルミニウム５４〜６０質量％、イットリアを含む焼結助剤１〜４質量％かつ相対密度９２％以上のＢＮ−ＡlＮ複合焼結体を用いるプローブ案内部材。熱伝導率７０Ｗ／ｍＫ以上、熱膨張係数２．５〜３．５ｐｐｍ／Ｋ、ショア硬度４５〜５８であるプローブ案内部材。 最大粒径１０μｍ以下の窒化アルミニウム、ＧＩ値３〜１０の窒化ホウ素、イットリア１〜３質量％及びアルミナ３質量％以下（０質量％を含む）の原料を用いて、圧力１０〜３０ＭＰａ、温度１，７５０〜１，９００℃、保持時間１〜３時間のホットプレス焼成を用いるプローブ案内部材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】銃弾，砲弾等の飛翔体の貫通性能が飛躍的に高くなっているが、それらに対して、十分に防護できる防護部材を提供する。
【解決手段】受衝部２をセラミックスで構成し、受衝部２の裏面側に位置する基部３を受衝部２より熱膨張係数の低い材質で構成した防護部材１とすることにより、基部３には圧縮力がかかった状態が維持されるため、着弾した銃弾や砲弾の貫通を阻止する性能が向上する。また、受衝面２ａで発生したクラックの進行は、基部３との境界で止められるため、前記両材質の特性が十分に発揮され、相乗効果により防護性能を高くすることができる。 （もっと読む）