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Fターム[4G026BA17]の内容

セラミックスの接合 (5,845) | セラミック基体 (1,102) | セラミックス (1,023) | 非酸化物系 (532) | 窒化物 (278) | 珪素窒化物 (126)

Fターム[4G026BA17]に分類される特許

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【課題】窒化珪素を母材としたセラミックス基板へのアルミニウム板の接合性を向上させたパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】窒化珪素を母材とするセラミックス基板2の上に回路層用アルミニウム板7をろう付け接合してなるパワーモジュール用基板の製造方法であって、窒化アルミニウム又はアルミナのうちのいずれか又はこれらの混合物からなるセラミックス粉末をガス中に分散してエアロゾル化し、そのエアロゾルをセラミックス基板2に噴射することにより、該セラミックス基板2の表面にセラミックス被膜6を形成し、その後、該セラミックス被膜6の上に回路層用アルミニウム板7をろう付け接合する。 (もっと読む)


【課題】高温酸化雰囲気下で使用される金属/セラミック接合体において、金属材料の耐熱性及び/又は耐酸化性、並びに、耐久性を向上させること。
【解決手段】セラミック材料と、該セラミック材料の表面に接合された金属薄層と、該金属薄層の表面に形成された表面層とを備え、前記表面層は、前記金属薄層への酸素の拡散を抑制する機能を有する第2の酸化膜を形成可能な第2の酸化膜形成元素の含有量が前記金属薄層より多い層からなる金属/セラミック接合体及びその製造方法。 (もっと読む)


【課題】半田流れによる回路の短絡や部品の接合不良が少なく動作信頼性に優れ、高い製造歩留りで容易に量産することが可能なセラミックス回路基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板の表面に厚さが0.1〜0.5mmである複数の金属回路板3を接合し、上記金属回路板3の表面に半田層7を介して半導体素子8などの部品を一体に接合したセラミックス回路基板1の製造方法において、上記部品を半田接合する金属回路板3,3の少なくとも他の金属回路板3,3と隣接する周縁部に半田流れを防止する突起9、9aを形成する工程と、この突起9、9aの高さが5〜50μmの範囲であり、突起9、9aの幅が0.1〜0.5mmの範囲に調整する工程とを備え、上記突起9,9aとして、金属板素材をプレス成形により打ち抜いて所定の金属回路板とする際に、回路板周縁に形成されるばりをそのまま突起として利用することを特徴とするセラミックス回路基板の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】はみ出し部を持ったセラミックス回路基板のクラック防止、曲げ強度向上、短絡防止等を図る。
【解決手段】セラミックス基板の少なくとも一方の面に複数の回路パターンに沿ったろう材層を形成し、当該ろう材層はAg−Cu―In−Ti系のろう材からなり、このろう材を介して金属板を接合し、当該金属板の不要部分をエッチング処理することにより前記金属板からなる回路パターンを形成すると共に、前記金属板の外縁からはみ出した前記ろう材層によるはみ出し部を形成したセラミックス回路基板において、前記はみ出し部の最大面粗さRmaxが5〜50μmであり、前記セラミックス基板と金属板の接合強度(ピール強度)が20kN/m以上であるセラミックス回路基板である。 (もっと読む)


【課題】窒化けい素セラミックス基板を用いて各種パワーモジュールを構成した際にリーク電流の発生を効果的に抑制することができ、大電力化および大容量化したパワーモジュールにおいても絶縁性および動作の信頼性を大幅に向上させることが可能な半導体モジュールおよびそれを用いた電子機器を提供する。
【解決手段】気孔率が容量比で2.5%以下であり、粒界相中の最大気孔径が0.3μm以下であり、厚さが1.5mm以下である窒化けい素焼結体から成り、温度25℃,湿度70%の条件下で上記窒化けい素焼結体の表裏間に1.5Kv−100Hzの交流電圧を印加したときの電流リーク値が1000nA以下であり、熱伝導率が50W/m・K以上、3点曲げ強度が500MPa以上である窒化けい素セラミックス基板2と、この窒化けい素セラミックス基板2に接合された金属回路板3と、この金属回路板上に搭載された半導体素子と、を備えることを特徴とする半導体モジュールである。 (もっと読む)


【課題】捕集されたPMを燃焼させる際における排ガス浄化フィルタの過昇温を抑制し、溶損や割れ等の熱損傷を防止することができる排ガス浄化フィルタ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】排ガス浄化フィルタ1において、セル4は、下流端202を栓部6によって閉塞してなり、排ガスGを流入させる流入側セル41と、上流端201を栓部6によって閉塞してなり、排ガスGを排出させる排出側セル42と、下流端202を栓部6によって閉塞してなり、栓部6より上流側の部分に高熱容量粉体を充填して焼成により焼結させると共に基材2に対して溶着させて形成してなる熱緩和層431を設けた熱緩和セル43とを有する。熱緩和層431の熱容量は流入側セル41及び排出側セル42の熱容量よりも大きく、かつ熱緩和層431と基材2との熱膨張係数の差は2×10-6/℃以下である。 (もっと読む)


【課題】 溶湯に浸漬していない保護管の上部では、保護管表面から空気中への放熱や、炉に設けられた保護管を固定するための被固定部材への放熱を抑えることができる。また、溶湯に浸漬される保護管の下部では、加熱エネルギーを高出力できる加熱体の熱効率に優れる加熱体保護管を提供する。
【解決手段】 炉内の溶湯に浸漬させて溶湯を加熱する加熱体の保護管が、溶湯に浸漬され閉塞した底部を有する下部管体と、下部管体の上部に配置され中空管状の上部管体とを焼結により接合してなり、下部管体および上部管体はセラミックスから形成され、下部管体の熱伝導率が上部管体の熱伝導率より大きいことを特徴とする。 (もっと読む)


常に比較的高い電圧領域における出力電子機器の広まりによって、高い絶縁電圧と、高い部分放電耐性に関する要求は厳しくなっている。したがって、セラミックボディ(2)がメタライジング部(5,6;11)によってセラミックボディ(2)の表面(3,4)の少なくとも1つの領域においてカバーされており、セラミックボディ(2)が立体的に構造化されていて、同種又は種々異なる材料から成るメタライジング部(5,6)の少なくとも2つの層の間、及びメタライジング部の層(5;11)とセラミックスとの間の部分放電耐性が20pCより小さい、セラミックボディ(2)を備えた構成部材(1)を提案する。
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少なくとも1つの箇所でその表面がメタライズ部で覆われているセラミックボディを有するコンポーネントの場合、金属被覆部の耐久性および接着強度の問題が起こり得る。従って本発明により、セラミックボディの表面上の材料がメタライズ部の箇所で面全体または面の一部分で化学的プロセスまたは物理的プロセスによって化学的および/または結晶学的および/または物理的に、適した反応物質の添加によりまたは添加なしに変質されており、かつセラミックボディと接合される少なくとも0.001ナノメートルの同じまたは同じでない厚さを有する少なくとも1つの緻密な層または多孔性の層を形成し、前記層は少なくとも1つの均質なまたは不均質な新規の材料から成ることが提案される。
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【課題】セラミック接合体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化ケイ素を主成分とし、接合部を有するセラミック接合体であって、向かい合う接合面が共に嵌め合いとなる形状を有しており、かつ前記接合面間の空隙が反応焼結を含む工程を経て合成された窒化ケイ素基材料により充填され、それらが強固に結合されていることを特徴とするセラミック接合体、及びその製造方法。
【効果】各工程中における接合面間の距離を維持したまま、成形体及び充填部を窒化、焼結・緻密化、そして結合を同時に行うことにより、安定した接合部を有するセラミック接合体を作製できる。 (もっと読む)


【課題】フィレットの幅を自由に変更することができ、繰り返しヒートサイクルに対してより高い信頼性の金属−セラミックス接合体の製造方法を提供する。
【解決手段】活性金属含有ろう材12を介して接合されたセラミックス基板10と金属板16とからなる金属−セラミックス接合体の製造方法において、セラミックス基板上の所定の領域に活性金属含有ろう材を塗布し、セラミックス基板上の活性金属含有ろう材を取り囲む領域に、セラミックス基板と反応しない非活性ペースト材14を塗布した後に、活性金属含有ろう材よび非活性ペースト材の上に金属板を配置して、セラミックス基板と金属板とを接合し、その後、金属板上における活性金属含有ろう材に対応する領域にレジスト18を塗布して、金属板の不要部分を除去することにより、セラミックス基板上に金属回路を形成する。 (もっと読む)


【課題】シリコン−炭化ケイ素複合材料を利用して複数のセラミックス部材間を連結するにあたって、連結部の強度等の機械的特性を再現性よく高めることを可能にする。
【解決手段】セラミックス複合部材は、第1のセラミックス部材と第2のセラミックス部材とを、連結部4を介して一体化した構造を有する。連結部4は、平均粒径が0.1μm以上0.1mm以下の範囲の炭化ケイ素粒子5の隙間に、平均径が0.05μm以上10μm以下のシリコン相6を網目状に連続して存在させた組織を有する。 (もっと読む)


活性鑞材(32)によってセラミック基板(12)に直接接合されたビード(26)の形態の熱接点即ち測定接点を有する熱電対(16)を備えたセラミック加熱器(10)が提供される。別法としては、セラミック基板(12)上に金属化層(42)が形成され、通常の鑞材によって熱電対のビード(26)が金属化層(42)に直接接合される。セラミック基板にビードが直接接合されるため、ビードの温度はセラミック加熱器の温度をほぼ瞬時に反映し、したがって熱電対はセラミック加熱器の温度をより正確に測定することができる。
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【課題】パターン搭載法における位置ズレを防ぎ、安価なセラミックス回路基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】
セラミックス回路基板の製造において、(1)セラミックス基板の一主面に、パターン化された金属板を接合するため、接合用ろう材を塗布する工程、(2)前工程でろう材を塗布したセラミックス基板上に、パターン化された金属板をシアノアクリレート又はポリイソブチルメタクリレート系接着剤により接着固定する工程、(3)前工程でパターン化された金属板を接着固定したセラミックス基板を、500℃以上に加熱処理することにより、セラミックス基板とパターン化された金属板をろう材を介して接合する工程、を経ることを特徴とするセラミックス回路基板の製造方法。
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【課題】ろう材箔をその全域にわたって均等な温度に加熱することが可能になるとともに、加熱開始後ろう付けが完了するまでの時間を短縮することができ、しかも装置の小型化および低コスト化を図ることができる。
【解決手段】パワーモジュール用基板11の製造方法であって、接合工程は、積層体15における回路層13の表面に黒体板26a、26bを圧接させつつ積層体15を積層方向に加圧した状態で、黒体板26a、26bをその側方から第1ハロゲンヒータ27で加熱し、この熱を、黒体板26a、26bおよび回路層13の各内部を伝導させることによりろう材箔を溶融し、セラミックス板12の表面に回路層13をろう付けしてパワーモジュール用基板11を形成する。 (もっと読む)


【課題】セラミックス層にクラック等の欠陥が発生せず、接合強度が良好で耐久性および信頼性に優れたセラミックス−金属接合部品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス体2aと金属体3aとの間に熱膨張差による残留応力の発生を抑制するための軟質材料から成る中間層4aを介してセラミックス体2aと金属体3aとを一体に接合したセラミックス−金属接合部品1aであり、上記セラミックス体2aと金属体3aとの接合領域のうち、接合外周縁から内側に3mm以内の領域を少なくとも含む接合領域において、上記中間層4aの厚さが、上記接合領域の中央部から接合外周縁に向かって厚く形成されていることを特徴とするセラミックス−金属接合部品1aである。 (もっと読む)


【課題】捕集フィルタ等のセラミックスハニカム構造体の製造に用いることができるSiC系接合材を提供する。
【解決手段】SiC系接合材は、SiC粒子と、ケイ酸カルシウム粒子と、を有することを特徴とする。また、該SiC系接合材は、SiC粒子と、針状結晶粒子および/または短冊状結晶粒子と、を有することを特徴とする。本発明のSiC系接合材は、ケイ酸カルシウム粒子や針状結晶粒子および/または短冊状結晶粒子が分散性にすぐれており、これにより被接合材を強い接着強度で接合することができた。 (もっと読む)


本発明は、窒化物結合シリコン窒化物(NBSN)から作られる半導体グレードのシリコンのインゴットの製造用の再利用可能な坩堝に関する。この坩堝は、シリコン窒化物粉末をシリコン粉末と混合し、坩堝のグリーン体を形成し、次いで、窒素を含有する雰囲気において前記グリーン体を加熱し、前記シリコン粉末が窒化されてNBSN坩堝を形成することによって形成されてもよい。前記坩堝は、正方形の断面の坩堝の下部(1)及び壁(3、5)であるNBSN材料のプレート要素によって組み立てられてもよく、及び、シリコン粉末及び任意にシリコン窒化物粒子を含むペーストを付け、続いて窒素雰囲気で第2の熱処理を行うことによって任意に固定部を密閉することによって組み立てられてもよい。
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【課題】 400℃以上の高温の酸化雰囲気でも長時間の使用に耐え、セラミック部材と金属部材との接合強度を維持させることが可能なセラミック部材と金属部材の接合体を提供すること。
【解決手段】 本発明のセラミック部材と金属部材の接合体は、表面にメタライズ層2が形成されたセラミック部材1と、メタライズ層2にろう材5を介して接合された金属部材4とから成り、メタライズ層2とろう材5とをガラスを含む被覆材6で気密に覆ったものである。メタライズ層2とろう材5とが被覆材6により保護され、400℃以上の高温の酸化雰囲気でもメタライズ層2とろう材5とが酸化されて劣化するのを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】半導体製造装置用部材として、より熱膨張係数の低い、高強度な窒化珪素製中空接合体の要求が高まっていた。
【解決手段】窒化珪素を主成分とし、酸化エルビウム(Er)およびアルミナ(Al)を含む窒化珪素質焼結体からなる一対の基体1,4がガラスを主成分として、窒化珪素から成る微細結晶およびEr成分とを含む接合層を介して接合されていることから、部材の熱膨張を極力抑え、加熱による部材の形状変化が起こることを防止することが可能となる。 (もっと読む)


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