【課題】 気密性に優れた中空構造を有するセラミックス接合体を提供する。
【解決手段】 セラミックス部材の接合面同士が、該セラミックス部材よりも溶融温度の低いセラミックス接合材からなる接合層を介して接合されてなる中空構造を有するセラミックス接合体であって、前記接合層は、接合面に垂直な方向に０．０１〜０．２ｍｍの厚みｔを有し、一方の接合面に隣接する側壁面と他方の接合面に隣接する平面で形成される角隅部が凹状曲面の接合材メニスカスにより被覆されており、前記側壁面の角縁部から接合材メニスカス面上の最短部までの距離δと接合材厚みｔの比δ／ｔが０．５以上１０以下となっている。 （もっと読む）

【課題】大型で断熱性に優れ、かつ軽量で耐食性に優れた中空セラミック部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】中空セラミック構造体であって、（１）中空構造を有する三次元の複雑形状を持つ複数個のユニット同士が組み合わされ接合されて、一体化されている、（２）それにより、全体の部材形状が形成されている、（３）壁面の内部に空洞部が形成されている、ことを特徴とする中空セラミック構造体、及びその製造方法。
【効果】射出成形で高精度に成形した基本ユニットを組み立てる方式と反応焼結の手法を利用することで、大型セラミック部材の壁面内部に空洞部を設けることができ、従来技術では製造することが困難であった、軽量で、高い断熱性や難濡れ性等の機能を有する大型セラミック部材を低コストで製造し、提供することが可能である。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性、接合強度、信頼性および熱伝導性を向上し、長期間にわたって優れた耐久性と放熱性を実現するセラミック回路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 セラミック回路基板１は、非酸化物セラミックスで構成される基板２の厚み方向一方側表面に、ＲＥ−Ｓｉ−Ｏ系酸化物およびＲＥ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系酸化物の少なくとも一方を含む結晶質相で構成される中間層３が設けられ、この中間層３の厚み方向一方側表面に、所定のパターン形状を有する金属層４が接合されている。半導体素子１１は、金属層４に電気的に接続されている。 （もっと読む）

この発明はペルチェ素子生成法に関し、各ペルチェ素子は少なくとも二つの基板間に配置の幾つかのペルチェ要素を含む。この基板は少なくともペルチェ要素に面する側が電気絶縁材でできているが、該表面に接触領域を備える。ペルチェ要素が生成プロセスで端末面を用いて結合される接触領域を金属領域で形成する。 （もっと読む）

【課題】接合層の弾性率が低く、熱衝撃に強い接合層を形成するための組成物、該組成物を作製されるセラミックス接合層および該接合層を有するセラミックス接合体の提供。
【解決手段】セラミックス粒子を３〜５５体積％、無機バインダーを１〜２５体積％および液状媒体を含有するセラミックス接合用組成物であって、中空粒子を含むことを特徴とするセラミックス接合用組成物。また、該組成物がセラミックス成形体の接合面上に塗布、加熱されて形成されたセラミックス接合層を有するセラミックス接合体。 （もっと読む）

【課題】 金属部材とセラミック部材との結合を改良したシャフトアッセンブリを提供する。
【解決手段】シャフトアッセンブリは、金属シャフト１４およびセラミックシャフト１２を含む。一実施例においては、セラミックシャフト１２は、略円錐部分２０およびその端部２２を有し、金属シャフト１４の端部の略円錐状のリセス３０は、セラミックシャフト１２の略円錐部分２０を少なくとも部分的に受ける。このリセス３０は、第１の部分３２および第２の部分４０を有し、第１の部分の内側表面は、セラミックシャフト１２の略円錐部分２０の外側表面に対応している。リセス３０の第２の部分は、セラミックシャフト１２の対応する部分４２から半径方向に間隔を隔ており、ロウ付け用合金４４が保持される制御可能な隙間を提供する。 （もっと読む）

【課題】多くの不純物酸素を含む低品位のケイ素粉末を出発原料として用いることができ、従来の成形、焼成プロセスを用いて、優れた機械特性と高熱伝導性を併せ持つ窒化ケイ素焼結体を製造し、パワーモジュール用基板に適した高熱伝導窒化ケイ素基板を提供する。
【解決手段】ケイ素粉末に、ケイ素を窒化ケイ素に換算した際の比率において、０．５〜７ｍｏｌ％の希土類元素の酸化物と、１〜７ｍｏｌ％のマグネシウム混合物とを、上記ケイ素粉末に含まれる不純物酸素とマグネシウム化合物からの酸素との総量が０．１〜１．８質量％となるように混合し、該混合物を成形して窒化し、得られた窒化体を０．１ＭＰａ以上の窒素中で加熱して相対密度が９５％以上になるように緻密化し、得られた板状の窒化ケイ素焼結体の少なくとも一方の面に、マグネシウム、チタン、ジルコニウムのうち少なくとも一種の金属元素を含むろう材を用いて金属板を接合する。 （もっと読む）

【課題】基板に対向して設けられ、金属ベースと導体板とで構成されるプラズマ生成用の電極において、導体板の破壊のおそれがなく、金属ベースと導体板とが電気導通及び熱伝達について面内均一性の高い接合状態を確保すること。
【解決手段】多孔質セラミックスからなる母材例えば炭化珪素に金属例えばシリコンを含浸させ、少なくとも基板の被処理面の全面と対向する接合面を備えた金属基複合材と、この金属基複合材の接合面に金属により溶湯接合された耐プラズマ性の材質からなる導体板例えばＣＶＤ−炭化珪素とにより電極を構成する。この場合、前記母材に金属を含浸するときに当該金属により導体板が金属基複合材に溶湯接合させることができる。 （もっと読む）

【課題】液晶パネル等の大型化に対応するため、その製造に必要とされるステージ等として有用な、大型で高い比剛性率（ヤング率／密度の比）を有するセラミックス構造部材及びその製造技術を提供する。
【解決手段】最終構造体を分割した形状でなるユニット体を組み立て、焼成して一体化するセラミックス部材の製造方法であって、多孔質のユニット同士の結合部分をはめ合い構造にし、組み立て工程において、結合部分にセラミックススラリーを介在させ、多孔質中にスラリーの一部を浸透させながら前記結合部分の接合面を密着させ、これを焼結して接合面を強固に結合させるとともに一体化させることを特徴とするセラミックス構造体の製造方法、そのセラミックス構造体、及び該セラミックス構造体からなるセラミックス部材。 （もっと読む）

【課題】セラミックス材同士またはセラミックス材と金属材とを容易にかつ簡便に接合し得るセラミックス接合方法及び接合装置を提供する。
【解決手段】セラミックス接合装置１０は、一対の被接合材４１，４１を押圧すると共に一対の被接合材４１，４１の間に挟む金属箔４２に電流を流すための一対の電極２１を備えた接合台２０と、一対の電極間に金属箔を気化させるのに必要な電気エネルギーを供給する回路３０とを備える。この回路３０は、一対の電極２１，２１に並列接続する充放電用コンデンサー３１と、充放電用コンデンサー３１と一対の電極２１，２１との間に直列接続される放電用スイッチ３２と、充放電用コンデンサー３１を充電するための電源回路３３とを備える。充放電用コンデンサー３１は、金属箔４２を気化させるのに必要なエネルギーを蓄積し、充電電圧が数百Ｖオーダーになるよう選定される。 （もっと読む）

【課題】 珪素系セラミックスを高い耐熱性を以て相互に接合できる接合材料、および高い耐熱性を有する珪素系セラミック接合体並びにその接合体の製造方法を提供する。
【解決手段】 封着材５６の主成分である珪素は窒化珪素の主構成元素であることから、この封着材５６を用いて窒化珪素から成る多孔質円筒１２およびエンドキャップ１８を相互に接合するに際して、その相互間に介在させられた封着材５６は、珪素および窒素の相互拡散によって、被接合体と一体化する。しかも、珪素は融点が高いことから、単独で接合材料として用いることは困難であるが、それよりも低融点であって珪素と固溶するゲルマニウムと共に用いると、封着材５６の融点がその混合割合に応じて低下する。この結果、窒化珪素から成る両部材が高い気密性を以て接合される。 （もっと読む）

【課題】ネジ止め等のためにセラミックス基板に貫通孔が形成されると共に、この貫通孔を保護するために補強部材が設けられたセラミックス回路基板を製造するための製造方法を提供すること。
【解決手段】表裏両主面を貫通する貫通孔２を有する板厚が０．８ｍｍ以下のセラミックス基板１と、前記セラミックス基板の主面上に設けられた回路板と、前記貫通孔の前記主面側の端部に設けられた補強部材３とを具備するセラミックス回路基板の製造方法であって、前記貫通孔を有するセラミックス基板の少なくとも前記回路板が設けられる部分に金属板４を接合すると共に、前記補強部材が設けられる部分に金属板を接合した後、前記回路板が設けられる部分に接合された金属板および前記補強部材が設けられる部分に接合された金属板をエッチングすることにより前記回路板および前記補強部材とするもの。 （もっと読む）

【課題】機械的特性がすぐれ、実装信頼性が優れたセラミックス基板およびセラミックス回路基板の提供。
【解決手段】セラミックス基板にスクライブ加工を施す工程、スクライブラインまたはスクライブドットに沿ってセラミックス基板を分割する工程、分割したセラミックス基板の側面に研磨加工を施しＲａ０．３〜０．７μｍかつＲｍａｘ３．０〜７．０μｍにする工程を具備するセラミックス基板の製造方法、およびこのセラミックス基板の両面に金属板を接合するセラミックス回路基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 各種の電気部品や電子部品等に用いられる接合部材を接合する際に、二つの接合部材の接合面に垂直な方向と共に、接合面に平行な方向に対しても十分に高い接合強度が得られる接合構造を提供する。
【解決手段】 二つの接合部材１１、１２は、それぞれ連続する複数の面を接合面として、その接合面間に接合剤３が介在することにより互いに接合されている。二つの接合部材１１、１２の間、及びこれら接合部材１１、１２と接合剤３の間における熱膨張係数差は、５.０×１０^−６／℃以下である。また、接合部材はＷやＣｕ−Ｗ等の金属、あるいはＡｌＮやＳｉ_３Ｎ_４等のセラミックスであり、接合剤にはガラス又は金属ロウ材を用いる。 （もっと読む）

シート型の多層のセラミック材料、およびセラミック材料の１つの表面側に備えられ、ダイレクトボンディングまたは活性はんだ付けによりセラミック材料に連結される少なくとも１つの金属被覆によるメタルセラミック基板の場合、セラミック材料は少なくとも１つの窒化シリコンセラミックの中間層またはベース層を含む。少なくとも１つの金属被覆を備えているセラミック材料の表面の側は、ベース層に適用された酸化セラミックの中間層によって形成される。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュール等の大電力電子部品の実装に好適な耐ヒートサイクル性に優れた金属セラミック回路基板及びこの基板を用いたパワーモジュールを提供する。
【解決手段】半導体実装用絶縁基板においてはセラミックス基板の少なくとも一部の面にアルミニウムを主とするシリコン、銅、亜鉛またはニッケルを含有する金属層を形成し、金属層のビッカース硬度が25以上、40未満とする。セラミックス基板はアルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素から選ばれる一種とする。セラミックス基板の他面に半導体チップを設けパワーモジュールとする。 （もっと読む）

【課題】小型で、貫通孔を高密度に有する構造体を高い寸法精度で、容易かつ効率よく製造することが可能なセラミックス構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス原料粉末により、一側縁から他の側縁に連続する凹溝の形成された板状の溝付き成形体を形成する工程と、前記溝付き成形体の複数個を、一つの溝付き成形体の溝形成面が他の溝付き成形体の溝形成面の裏面側に当接されるように、前記セラミックス原料粉末とガラス形成物質粉末とバインダーとを含有する接着剤を介して積層する工程と、複数個積層された前記溝付き成形体の積層物を焼結する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】銅製放熱部材に代表される廉価で熱伝導率が高く、高熱膨張率の金属製放熱部材（ヒートシンク）を使用したとしても、はんだクラックを抑制し得るセラミック基板、セラミック回路基板およびそれを用いた電力制御部品を提供すること。
【解決手段】セラミック板１の両主面に金属板３を接合してなるセラミック基板において、少なくとも一主面上の金属板３のセラミック板と対向する面に、セラミック板１との非接合部分Ｂを有することを特徴とするセラミック基板。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、高温で靭性が増強されるように設計された材料に関する。
【解決手段】 材料は、複数の構造要素（１００）を含む。構造要素（１００）は、一連の増大する構造要素サイズ階級で構成される。一連のサイズ階級は、基本単位サイズ階級（１０２）と少なくとも１つのモジュラーサイズ階級（１０４）とを有し、モジュラーサイズ階級（１０４）の１つの要素は、一連のサイズ階級において次に小さなサイズ階級の複数の要素を含む。基本単位サイズ階級（１０２）の構造要素は、少なくとも１つのバルク相（１０３）を含み、これらの構造要素（１００）は、界面部（１１２）において互いに結合される。モジュラーサイズ階級構造要素（１０４）内で始まる機械的損傷（２１２）は、モジュラーサイズ階級構造要素（１０４）内に含まれる複数の構造要素間に分散されて伝播することがエネルギー的に好ましい。 （もっと読む）

【課題】セラミックスと金属とのろう付け接合において、セラミックス表面のろう材反応性を阻害することなく、ろう付け後における接合部の残留応力を大幅に低減することができ、接合部の厚さが薄く、しかも製造安定性及び耐ガスリーク性に優れ、繰り返し熱衝撃に強いセラミックスと金属のろう付け構造体を提供する。
【解決手段】セラミックスと金属のろう付け構造体におけるろう付け接合層にＮｉ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｉｎ及びＳｎから成る群より選ばれた少なくとも１種の添加元素を添加し、このような添加元素の含有量のピーク位置が接合層の中心よりも金属側となるようにする。 （もっと読む）