接着剤組成物は、組立体を形成するために、セラミックハニカム上に表皮を形成するため、より小さなハニカムを他のハニカム、又は他の材料へ接着するために使用される。接着剤組成物は、無機充填剤、及びコロイド状シリカ、コロイド状アルミナ、又はその両方を含有する。無機充填剤及びコロイド材料は、個別又は集合的にケイ素及びアルミニウム原子を供給する。接着剤組成物は、フッ素源の存在下で焼成される。好ましいフッ素源は、針状ムライトハニカム中に含有される残留フッ素である。残留フッ素は、焼成する工程中に放出され、接着剤組成物内でそれが焼成されるにつれてムライトの生成を促進する。
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【課題】ステータを腐食環境から保護するシール組立体を含む電子デバイスを提供する。
【解決手段】本明細書で開示されるのは、ロータ（３０）と、ステータ（４０）と、少なくとも１つの継手及びモノシリック・セラミックセパレータ（１１０）を有するシール組立体（１００）と、を備えるモータ２０を含むシステム（１０）である。シール組立体（１００）の各継手は化学結合継手であり、モノシリック・セラミックセパレータ（１１０）が、モータ（２０）のロータ（３０）とステータ（４０）の間のギャップ（５０）に配置され、シール組立体（１００）がロータ（３０）とステータ（４０）を気密分離する。 （もっと読む）

【課題】低コストで耐熱衝撃性などに優れた信頼性の高いセラミックス回路基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１２の一方および他方の表面に金属回路板１４および金属板１６がそれぞれ接合されたセラミックス回路基板１０において、セラミックス回路基板１０が金属回路板１４側に凹状に反っているときのセラミックス回路基板１０の反り量を正（＋）の反り量とすると、セラミックス回路基板の初期の反り量が＋０．０７８〜＋０．２２５ｍｍ、セラミックス回路基板１０の３５０℃に加熱したときの反り量が＋０．０１５〜＋０．０４８ｍｍであり、その後に室温に戻したときの反り量が＋０．１７６〜＋０．４０５ｍｍである。 （もっと読む）

【課題】カーボン材料、窒化ケイ素、炭化ケイ素及び石英のような耐熱材及び耐熱セラミックス用の接着剤及びコーティングを提供する。
【解決手段】本発明は、耐熱材及び耐熱セラミックスとの接着用の熱硬化性接着剤又はコーティングに関する。該接着剤又はコーティングは、２５ないし５０質量％のシリコン粉末、５ないし２０質量％のＳｉＣ粉末、２０ないし６０質量％のホルムアルデヒド樹脂又はポリフルフリルアルコール及び１０ないし３０質量％の有機溶媒を含有する。 （もっと読む）

【課題】低エネルギーで製造可能であるとともに、反り、ろう付け不良の発生を最小限に抑えることが可能なヒートシンク付きパワーモジュール用基板及びこれを備えたパワーモジュール、並びに、ヒートシンク付きパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１と、セラミックス基板の表面及び裏面にそれぞれ接合されたアルミニウムからなる第一の金属板１２及び第二の金属板１３と、第二の金属板に接合されたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるヒートシンク４とを備え、第一の金属板及び第二の金属板のそれぞれとセラミックス基板とがＳｉを含有するろう材を用いて接合されるとともに、接合界面にＣｕが添加されており、各金属板にはＳｉ及びＣｕが固溶しており、それぞれの前記接合界面から５０μｍの範囲におけるＳｉ濃度が０．０５〜１ｗｔ％，Ｃｕ濃度が０．０５〜４ｗｔ％の範囲内に設定されている。 （もっと読む）

セラミックの表面にアルミニウム又はアルミニウム合金薄膜を形成する方法であって、前記セラミックの金属被覆される表面をアルミニウム又はアルミニウム合金溶融液に含漬する工程と、前記表面を前記溶融液に対して移動させ、又は前記溶融液の中で静止させて、前記アルミニウム又はアルミニウム合金の溶融液を前記セラミックの金属被覆表面に付着させる工程と、前記セラミックの金属被覆表面を前記溶融液から移動させながら取り出し、前記表面に付着したアルミニウム又はアルミニウム合金液膜を自然冷却させて、前記表面にアルミニウム又はアルミニウム合金薄膜が接合されたセラミックを得る工程と、を含むことを特徴とする方法。本発明のセラミックの表面にアルミ薄膜及びアルミ合金薄膜を接合する方法によって、セラミックの表面に厚さ数μｍ〜数十μｍのアルミ又はアルミ合金膜を形成できる。この薄膜は、その内部に酸化膜不純物及び気泡などの微視的欠陥は存在しないため、純アルミの良好な物理と力学性能を持つ。この表面金属被覆層を用いて、セラミック同士及びセラミックとアルミとのろう接が可能となる。セラミックと金属を接合する方法及び装置もまた提供される。 （もっと読む）

【課題】金属部材とセラミッ部材との信頼性の高い接合が可能で、かつセラミック部材にクラックが発生することのない接合構造体、及びそのような接合構造体を備えた高信頼性の半導体素子収納用パッケージを提供する。
【解決手段】金属からなる第１の部材１１と、この第１の部材１１に接合される、表面に金属層１２ａを有するセラミックからなる第２の部材１２と、第１の部材１１上から第２の部材１２の金属層１２ａ上に跨って配置される金属からなる第３の部材１３と、第１の部材１１および第２の部材１２の金属層１２ａと、第３の部材１３との間に配置されるろう材１４と、第３の部材１３の周囲にろう材１４により形成されるフィレット１５，１６とを具備し、第３の部材１３は、第１の部材１２と対向する部分にのみろう材１４の溜まり部となる面取部１７を備える接合構造体、及びこのような接合構造体を有する半導体素子収納用パッケージ。 （もっと読む）

【課題】水蒸気の電気分解で発生した水素を貯蔵した上で発電に利用する水素電力貯蔵システムにおいて、発電時に発生する熱を有効に利用して総合効率を向上させる。
【解決手段】水素電力貯蔵システム３０は、水素と酸化剤ガスとを用いて発電する発電部および水蒸気を電気分解する電解部（電力／水素変換装置１１）を具備する。水素電力貯蔵システム３０は、電気分解により生成された水素を貯蔵し、当該水素を発電時に発電部に供給する水素貯蔵部１２と、発電に伴って発生する高温の熱を貯蔵し、当該熱を電気分解時に電解部に供給する高温蓄熱部１３と、高温蓄熱部１３で熱交換された後の低温の熱を貯蔵し、当該熱で電解部に供給する水蒸気を発生させる低温蓄熱部３１とを具備する。 （もっと読む）

多層構造の平板状のセラミック材料と、セラミック材料の少なくとも１つの表面上に具備された金属被覆を備えた金属セラミック基板であって、その金属被覆がセラミック材料とダイレクトボンディング（ＤＣＢ法）または活性はんだによって接合され、そのセラミック材料が少なくとも１つの内側層または窒化シリコンセラミックベース層から成り、およびその際少なくとも１つの金属被覆を備えたセラミック材料表面が少なくとも１つのベース層上に施された酸化セラミック中間層を形成する金属セラミック基板。 （もっと読む）

【課題】本発明は、大型の加圧装置を用いることなく容易に接合でき、実用に耐える接合強度が得られるＡｌ合金-セラミックス複合材料用の接合材を提供する。
【解決手段】Ａｌ合金をマトリックスとし、強化材にセラミックスを用いたＡｌ合金-セラミックス複合材料同士を接合するための接合材であって、芯を構成する芯材と、表層を構成する表層材と、前記芯材と前記表層材との間に形成された中間層と、を含むことを特徴とするＡｌ合金-セラミックス複合材料用の接合材。前記芯材の主成分がＺｎであり、前記表層材の主成分がＡｌである。 （もっと読む）

【課題】金属板とセラミックス基板とを確実に接合でき、回路面へのろう材の付着を防止しながら、セラミックス基板を破損せずに余剰のろう材の除去が可能であるパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ろう材４２を介在させて前記セラミックス基板４１と前記金属板４３，４４とを積層した積層体４０を、前記セラミックス基板４１よりも大面積であってこのセラミックス基板４１および前記金属板４３，４４全面を覆う２枚の加圧板４５間で加熱しながら厚さ方向に加圧する接合工程において、前記セラミックス基板４１の辺部に対して前記金属板４３，４４の角部４３ｂ，４４ｂの先端部がほぼ一致するように、これらセラミックス基板４１および金属板４３，４４が配置される。 （もっと読む）

【課題】 窒化珪素質焼結体からなる一対の板状の基体の主面同士を接合したとしても基体の有する機械的特性を低下させることの少ないセラミック接合体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 窒化珪素質焼結体からなる一対の板状の基体２の主面４同士が、アルミニウム，シリコン，イットリウムおよびルテチウムを含むガラス５を主成分とし、ルテチウム化合物の結晶６を含む接合層３を介して接合されているセラミック接合体１とすることにより、接合層３に含まれるルテチウムおよびルテチウム化合物の結晶６は、高い熱伝導率を有し、融点が高く耐熱性に優れているため、基体２同士を接合したセラミック接合体１の機械的特性を基体２の有する機械的特性とほぼ同等にすることができる。 （もっと読む）

【課題】接合部分の欠陥が有意に抑制されるとともに、比較的均質な接合体を得ることが可能な窒化珪素系セラミックス部材の接合方法。
【解決手段】本発明による方法は、（ａ）シリコン粒子を含む第１の原料を調製するステップと、（ｂ）第１の原料から成形体を形成するステップと、（ｃ）窒素雰囲気下、１１００℃〜１４５０℃の範囲のいずれかの温度に前記成形体を保持し、該成形体中のシリコン粒子を反応焼結処理するステップと、（ｄ）第１の原料と同様の第２の原料を調製するステップと、（ｅ）第２の原料からスラリーを調製するステップと、（ｆ）後に接合材が形成される前記被接合部材同士の隙間に、前記スラリーを注入して、接合材を形成させるステップと、（ｇ）ステップ（ｃ）と同様の反応焼結処理により、前記接合材中のシリコン粒子を反応焼結処理するステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】焼結体単体と同程度の曲げ強度及び剛性を有し、経時的な寸法変化が小さい低熱膨張セラミックス接合体を提供する。
【解決手段】低熱膨張セラミックスからなる焼結体同士を、介在物を配せずに接合してなる低熱膨張セラミックス接合体であって、前記焼結体を構成する材料が、リチウムアルミノシリケートと、炭化珪素および／または窒化珪素とからなり、２０〜３０℃における平均の熱膨張係数が−１×１０^−６〜１×１０^−６／℃であることを特徴とする低熱膨張セラミックス接合体。 （もっと読む）

本発明は複合材料に関し、その複合材料は少なくとも１つのセラミック層又は少なくとも１つのセラミック基板、及び少なくとも１つのセラミック基板の所定の表面の上に金属層で形成された金属皮膜から構成される。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉを含有してなるセラミックス基板と金属部材とを接合させた際に充分な接合強度が得られ、熱サイクル時における接合信頼性が高められるセラミックス基板の製造方法及びパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉを含有するセラミックス母材を焼結する工程Ｓ１０と、前記セラミックス母材の表面にフッ化物イオンを含むガスを用いてドライエッチングを施す表面処理工程Ｓ２０と、前記セラミックス母材の表面の酸化シリコン及びシリコンの複合酸化物の濃度を電子プローブマイクロアナライザを用いた表面測定で２．７Ａｔｏｍ％以下とする工程Ｓ３０と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】回路基板用窒化珪素セラミックス基板に適切な表面状態を付与することにより密着性、放熱性、耐圧性能（部分放電特性含む）を改善した窒化珪素回路基板を提供する。
【解決手段】窒化珪素基板に金属回路板をろう付け接合した窒化珪素回路基板であって、窒化珪素基板の接合面は算術平均粗さＲａが、Ｒａ＜１μｍ、最大高さＲｙが、Ｒｙ＜１０μｍ、粗さ曲線から求めたスキューネスＲｓｋが、１＞Ｒｓｋ＞０であり、ろう付け接合界面のボイドの面積率が３％以下である窒化珪素回路基板。 （もっと読む）

【課題】熱膨張係数の異なる材質からなる二種の部材を、簡易な方法によってろう付接合して熱伝達効率の高い接合体を形成する方法およびその接合体を用いた静電チャック装置を提供する。
【解決手段】本発明によれば、第１の部材１と、前記第１の部材１と熱膨張係数が異なる第２の部材２との間に、ヤング率が１５０ＧＰａ以下でありかつ融点が１５００Ｋ以下である第３の部材３を、金属ろう材５を介して配設してろう付接合することを特徴とする異材接合体の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】最終製品だけでなく、レジスト膜印刷時にも反りのない状態とする、あるいは、必要に応じて若干の反りを生じさせるなどの反りを制御する。
【解決手段】セラミックス基板２の表裏両面に金属板６，７がろう付け接合されるとともに、その表面側の金属板６に回路パターンが形成されてなるパワーモジュール用基板３であって、両金属板６，７のうちの少なくとも表面側の金属板６の表面に、内部応力を圧縮応力とした反り制御用めっき被膜８が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 セラミック表面に形成される凹凸が、結晶粒径より小さい、超微細なものであると、Ｗ等の高融点金属ペーストまたはＣｕやＡｇ−Ｃｕ等にＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ等の活性金属を添加したメタライズ組成物のペーストを塗布した後、加熱してもこのセラミック表面では十分なアンカー効果が得られず、メタライズ層はセラミック基板に対して高い密着力を得ることができない。
【解決手段】 平均結晶粒径より大きな凹凸を有する窪みおよび／または平均結晶粒径より大きな凹凸を有する突起を複数備えているセラミック基体１とする。 （もっと読む）