【課題】本発明は、大型の加圧装置を用いることなく容易に接合でき、実用に耐える接合強度が得られるＡｌ合金-セラミックス複合材料用の接合材を提供する。
【解決手段】Ａｌ合金をマトリックスとし、強化材にセラミックスを用いたＡｌ合金-セラミックス複合材料同士を接合するための接合材であって、芯を構成する芯材と、表層を構成する表層材と、前記芯材と前記表層材との間に形成された中間層と、を含むことを特徴とするＡｌ合金-セラミックス複合材料用の接合材。前記芯材の主成分がＺｎであり、前記表層材の主成分がＡｌである。 （もっと読む）

【課題】高信頼性のセラミックス／金属の接合技術を提供する。
【解決手段】接合部材は、金属製の第１の円筒部１９と、第１の円筒部１９と同軸に軸端面同士で接合され、第１の円筒部１９を形成する金属よりも熱膨張率が小さいセラミックスで形成された第２の円筒部１１と、を有する。第１の円筒部１９と第２の円筒部１１とが互いに接合される各軸端面は、第１の円筒部１９が第２の円筒部１１の外側になるようにテーパ角度θ＝５３〜７０度の傾斜をもったテーパ面である。両円筒部の内径および外径はそれぞれ等しい。両円筒部の接合は、ガラス封着、ロウ付け、接着剤接合のいずれかによる。第１の円筒部は、フェライト系ステンレス鋼、クロム基合金、ニッケル基合金のいずれかであり、第２の円筒部はジルコニア主相の層を含んだ材質の異なる多層構造体である。 （もっと読む）

【課題】複数の炭化ケイ素部材を接合することによって、所定形状の炭化ケイ素部材を製造する場合において、製造コストを削減する。
【解決手段】炭化ケイ素部材の製造方法は、少なくとも一つの金属元素含む金属層が第１部材と第２部材との間に配置され、金属層が第１部材と第２部材とで挟まれる配置ステップと、不活性雰囲気下において、金属元素の融点未満且つ金属元素とケイ素との間で金属シリサイドが形成される温度で、第１部材、第２部材及び金属層が加熱される加熱ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】熱膨張係数の異なる材質からなる二種の部材を、簡易な方法によってろう付接合して熱伝達効率の高い接合体を形成する方法およびその接合体を用いた静電チャック装置を提供する。
【解決手段】本発明によれば、第１の部材１と、前記第１の部材１と熱膨張係数が異なる第２の部材２との間に、ヤング率が１５０ＧＰａ以下でありかつ融点が１５００Ｋ以下である第３の部材３を、金属ろう材５を介して配設してろう付接合することを特徴とする異材接合体の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】最終製品だけでなく、レジスト膜印刷時にも反りのない状態とする、あるいは、必要に応じて若干の反りを生じさせるなどの反りを制御する。
【解決手段】セラミックス基板２の表裏両面に金属板６，７がろう付け接合されるとともに、その表面側の金属板６に回路パターンが形成されてなるパワーモジュール用基板３であって、両金属板６，７のうちの少なくとも表面側の金属板６の表面に、内部応力を圧縮応力とした反り制御用めっき被膜８が形成されている。 （もっと読む）

【課題】過酷な熱サイクル環境の下でも割れ等の発生のないパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板２の上に回路層用金属板７をろう付け接合してなるパワーモジュール用基板の製造方法であって、セラミックス粉末をガス中に分散してエアロゾル化し、そのエアロゾルをセラミックス基板２に噴射することにより、該セラミックス基板２の表面にセラミックス被膜６を形成し、その後、該セラミックス被膜６の上に回路層用金属板７をろう付け接合する。 （もっと読む）

【課題】気体のリークを防止できるほど良好な気密性を有し、かつ、接合部の強度が高いＡｌ合金-セラミックス複合材料接合体を提供する。
【解決手段】Ｍｇを０．５〜５質量％含んだＡｌ合金をマトリックスとしたＡｌ合金-セラミックス複合材料同士が、その組成がＡｌ、Ｚｎおよび、その他不純物成分からなり、ＡｌとＺｎの質量比Ａｌ／Ｚｎが０．８５〜２．３３である接合材を用いてなる接合層を介して接合された接合体であって、前記接合層に接したＡｌ合金−セラミックス複合材料のマトリックスのＡｌ合金中に前記接合材のＺｎが拡散した拡散層を有する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素を用いた部材の簡便かつ低コストな製造方法を提供する。
【解決手段】この発明に従った炭化珪素を用いた部材の製造方法では、少なくとも表面層が炭化珪素からなる１の部材を準備するＳｉＣ部材準備工程（Ｓ１０）を実施する。珪素の融点以上の融点を示す材料からなる他の部材を準備する他の部材準備工程（Ｓ２０）を実施する。１の部材と他の部材とを、珪素を主成分とする層を介して接触させた状態で、珪素の融点以上の温度に加熱することにより、１の部材と他の部材とを接合する接着工程（Ｓ４０）を実施する。 （もっと読む）

【課題】気孔径が大きく、気孔率が高い大型の多孔体を用いた場合であっても、多孔体の機能を確保しつつ十分な気密性を有する接合体を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ多孔体と、該ＳｉＣ多孔体に金属シリコンが浸透した浸透層と、該浸透層に接したシリコン合金からなる接合層とを含む接合体であって、前記シリコン合金のアルミニウム含有量は１〜２０ｗｔ％であることを特徴とする接合体。前記浸透層の金属シリコンは、前記シリコン合金のアルミニウム含有量以下のアルミニウムを含有することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１種類のセラミック材料と少なくとも１種類の超硬材料とを含有するセラミック複合材料部品を、少なくとも１つの他の部品に接合する方法において、該セラミック複合材料部品の１つ以上の接合表面を処理する工程、及び該処理された１つ以上の表面又は該表面の一部の上に、該セラミック複合材料部品に対してだけでなく少なくとも１つの他の部品に対しても、十分な熱を加えることによって、結合させることのできる材料を配置する工程と、を含む、上記方法に関する。本発明は、セラミック材料と少なくとも１種類の超硬材料とを含有するセラミック複合材料部品であって、少なくとも１つの他の部品に結合されたセラミック複合材料部品を有する物品において、該セラミック複合材料部品と該他の部品との間の境界面に含まれる、付着層、ろう付け可能な層、及び耐酸化性（ろう付け適合性）層から選ばれた少なくとも１つの層、又はそれらの組合せを有する、上記物品に及ぶ。 （もっと読む）

【課題】接合時にＳｉＣ多孔体の内部に接合材が侵入し難く、適切な接合を行なう。
【解決手段】ＳｉＣで構成される多孔体と、接合材とを接合させる接合方法であって、アルミニウムまたはホウ素の窒化物を前記多孔体内に浸透させる工程と、前記多孔体の接合面にカーボンを塗布する工程と、前記接合面において、前記多孔体と前記接合材とを接合させる工程と、を少なくとも含む。これにより、接合材がＳｉＣ多孔体内部へ過剰に侵入することを防ぎ、ＳｉＣ多孔体と接合材との反応を阻害することが可能となる。その結果、ＳｉＣ多孔体と接合材とを適切に接合させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】切削中に、ロウ材が液相を生成する温度を越える高温となっても、接合層の接合強度が低下することのない、高速切削やＣＶＤコーティング処理等に適した切削工具として好適な接合体を提供する。
【解決手段】相互に異なる材料からなる複数の被接合材１，３が、１０００℃未満では液相を生成しない接合層により接合る。この場合通電加圧によって、被接合材よりも優先的に発熱すると共に、変形を伴う接合材２を用いて、前記複数の被接合材が通電加圧接合により接合される。さらに前記接合材が、内部に空間を有しており、前記複数の被接合材の少なくとも一方よりも、大きな電気抵抗を有していることが好ましい。 （もっと読む）

常に比較的高い電圧領域における出力電子機器の広まりによって、高い絶縁電圧と、高い部分放電耐性に関する要求は厳しくなっている。したがって、セラミックボディ（２）がメタライジング部（５，６；１１）によってセラミックボディ（２）の表面（３，４）の少なくとも１つの領域においてカバーされており、セラミックボディ（２）が立体的に構造化されていて、同種又は種々異なる材料から成るメタライジング部（５，６）の少なくとも２つの層の間、及びメタライジング部の層（５；１１）とセラミックスとの間の部分放電耐性が２０ｐＣより小さい、セラミックボディ（２）を備えた構成部材（１）を提案する。
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少なくとも１つの箇所でその表面がメタライズ部で覆われているセラミックボディを有するコンポーネントの場合、金属被覆部の耐久性および接着強度の問題が起こり得る。従って本発明により、セラミックボディの表面上の材料がメタライズ部の箇所で面全体または面の一部分で化学的プロセスまたは物理的プロセスによって化学的および／または結晶学的および／または物理的に、適した反応物質の添加によりまたは添加なしに変質されており、かつセラミックボディと接合される少なくとも０．００１ナノメートルの同じまたは同じでない厚さを有する少なくとも１つの緻密な層または多孔性の層を形成し、前記層は少なくとも１つの均質なまたは不均質な新規の材料から成ることが提案される。
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【課題】応力の発生ないし部分的集中が抑制された、各部材の接合強度が高い接合構造体の提供する。
【解決手段】第１部材と、第２部材と、この第１部材と第２部材との間に介在した中間部材とからなり、これらの各部材が接合材によって接合された接合構造体であって、前記中間部材が空間を形成する複数の孔もしくは溝を有することを特徴とする、接合構造体。 （もっと読む）

活性鑞材（３２）によってセラミック基板（１２）に直接接合されたビード（２６）の形態の熱接点即ち測定接点を有する熱電対（１６）を備えたセラミック加熱器（１０）が提供される。別法としては、セラミック基板（１２）上に金属化層（４２）が形成され、通常の鑞材によって熱電対のビード（２６）が金属化層（４２）に直接接合される。セラミック基板にビードが直接接合されるため、ビードの温度はセラミック加熱器の温度をほぼ瞬時に反映し、したがって熱電対はセラミック加熱器の温度をより正確に測定することができる。
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【課題】半導体デバイスの製造装置の処理室内を高真空に保つことができる基板載置台を提供する。
【解決手段】基板載置台１は、一つの面が基板載置面１１ａである板状のセラミックス基体１１と、基板載置面１１ａとは反対の面で接合材２２を介してセラミックス基体１１と接合され、多孔質セラミックスの気孔内に金属が充填された気孔率が０％を超え５％未満の板状の複合材料基体２１と、複合材料基体２１の、セラミックス基体１１と接合される面とは反対の面で接合材３２を介して複合材料基体２１と接合される金属板３１とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ろう材箔をその全域にわたって均等な温度に加熱することが可能になるとともに、加熱開始後ろう付けが完了するまでの時間を短縮することができ、しかも装置の小型化および低コスト化を図ることができる。
【解決手段】パワーモジュール用基板１１の製造方法であって、接合工程は、積層体１５における回路層１３の表面に黒体板２６ａ、２６ｂを圧接させつつ積層体１５を積層方向に加圧した状態で、黒体板２６ａ、２６ｂをその側方から第１ハロゲンヒータ２７で加熱し、この熱を、黒体板２６ａ、２６ｂおよび回路層１３の各内部を伝導させることによりろう材箔を溶融し、セラミックス板１２の表面に回路層１３をろう付けしてパワーモジュール用基板１１を形成する。 （もっと読む）

【課題】銀の融点より低温で接合でき、熱サイクルに対して優れた耐久性を備える接合層を得られる熱膨張係数が異なる部材の接合方法を提供する。
【解決手段】平均粒子径５０ｎｍ以下の銀粒子３と、銀箔４または銀よりも縦弾性係数の小さい金属箔４とを、少なくとも一方は銀よりも熱膨張係数が小さい２種の部材１，２間に配置して加熱し、両部材１，２を接合する。平均粒子径５０ｎｍ以下の銀粒子と、平均粒子径２０μｍ以上の銀粒子または銀よりも縦弾性係数の小さい金属粒子とからなる混合粉末であり、且つ該銀粒子または金属粒子を該混合粉末全体の１０〜４０％の範囲の体積分率で含むろう材３を、両部材１，２間に配置して加熱し、両部材１，２を接合する。金属箔４、前記金属粒子は、表面に銀被覆層を備える。一方の部材１がＳｉまたはＳｉＣからなり、他方の部材２がＡｌまたはＣｕからなる。 （もっと読む）

【課題】セラミックス層にクラック等の欠陥が発生せず、接合強度が良好で耐久性および信頼性に優れたセラミックス−金属接合部品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス体２ａと金属体３ａとの間に熱膨張差による残留応力の発生を抑制するための軟質材料から成る中間層４ａを介してセラミックス体２ａと金属体３ａとを一体に接合したセラミックス−金属接合部品１ａであり、上記セラミックス体２ａと金属体３ａとの接合領域のうち、接合外周縁から内側に３ｍｍ以内の領域を少なくとも含む接合領域において、上記中間層４ａの厚さが、上記接合領域の中央部から接合外周縁に向かって厚く形成されていることを特徴とするセラミックス−金属接合部品１ａである。 （もっと読む）