【課題】接合強度の高い単結晶ダイヤモンド工具を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンド工具は、台金１０と、台金１０上に設けられる第一ロウ材層４１と、第一ロウ材層４１上に設けられる金属層３０と、金属層３０上に設けられる第二ロウ材層４２と、第二ロウ材層４２上に設けられる単結晶ダイヤモンド層２０とを備える。金属層３０は、銅を５０質量％以上含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸化物の接合に対して優れた接合強度および気密封止性を達成できる、低融点の酸化物接合用はんだ合金ならびにこれを用いた酸化物接合体を提供する。
【解決手段】本発明は、Ｍｇを０．００５ｗｔ％以上２．０ｗｔ％以下とＹを０．０００５ｗｔ％以上１．０ｗｔ％以下をそれぞれ含み残部実質的にＳｎからなる酸化物接合用はんだ合金であり、好ましい組成は、Ｍｇが０．０３〜０．２ｗｔ％、Ｙが０．００１〜０．０５ｗｔ％、残部が実質的にＳｎである。本発明は、ガラス同士等といった酸化物の接合に用いることができ、安価な酸化物接合体を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】セラミックス材と金属材との接合において、大きな接合面積、および高温環境下においても、接合界面の剥離を防止する。
【解決手段】セラミックス材１１と金属材１２との間に配置された三次元網目状の金属多孔質材からなる中間層１３を備え、この中間層１３に、セラミックス材１１との接合面１３ａまたは金属材１２との接合面１３ｂに対して略垂直方向に延びるスリット１３ｃが設けられているセラミックス材と金属材との接合体１０。 （もっと読む）

【課題】金属板とセラミックス基板とが確実に接合され、熱サイクル信頼性の高いパワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、このパワーモジュール用基板を備えたパワーモジュール及びこのパワーモジュール用基板の製造方法、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の表面に、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属板１２，１３が積層されて接合されたパワーモジュール用基板１０であって、金属板１２，１３には、Ｚｎ，Ｇｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｇａ及びＬｉから選択される１種又は２種以上の添加元素が固溶されており、金属板１２，１３のうちセラミックス基板１１との界面近傍における前記添加元素の濃度の合計が０．０１質量％以上５質量％以下の範囲内に設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】互いに積層状に配置された金属板とセラミック板とを備えた積層材であって、最外側にＮｉを主成分とする金属板がＮｉ層として配置された積層材を安価に製造することができる積層材を提供する。
【解決手段】積層材1は、複数枚の金属板2,3,31と少なくとも１枚のセラミック板4とが、金属板2,3,31とセラミック板4とが隣接するように、且つ、少なくとも２枚の金属板3,31が互いに隣接するように積層されるとともに、隣り合う金属板3,31どうし、および、隣り合う金属板2,3とセラミック板4とが放電プラズマ焼結法により接合されている。前記少なくとも２枚の金属板のうち最外側に配置された金属板31が、Ｎｉを主成分とするＮｉ板である。 （もっと読む）

【課題】熱サイクル負荷時において、回路層の表面にうねりやシワが発生することを抑制でき、かつ、セラミックス基板と回路層との接合界面に熱応力が作用することを抑制でき、熱サイクル信頼性に優れたパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の一面に、アルミニウムからなる回路層１２が配設されたパワーモジュール用基板１０であって、回路層１２は、本体層１２Ｂと、前記一方の面側に露呈するように配置された表面硬化層１２Ａと、を有しており、回路層１２の前記一方の面におけるインデンテーション硬度Ｈｓが５０ｍｇｆ／μｍ^２以上２００ｍｇｆ／μｍ^２以下の範囲内に設定され、このインデンテーション硬度Ｈｓの８０％以上の領域が表面硬化層１２Ａとされており、本体層１２Ｂのインデンテーション硬度Ｈｂが、前記インデンテーション硬度Ｈｓの８０％未満とされている。 （もっと読む）

【課題】約１１００℃以下のろう付け温度で加工でき、かつろう付け工程の終了後に約９００℃までの作動温度で使用できる高温度用ガラスソルダーを提供する。
【解決手段】２０℃〜３００℃の温度範囲での線熱膨張α_(20-300)を８×１０^-6Ｋ^-1〜１１×１０^-6Ｋ^-1の範囲で有し、質量％で１０〜４５％未満のＢａＯ、０〜２５％のＳｒＯ（２０〜６５％のＢａＯ＋ＳｒＯ）、１０〜３１％のＳｉＯ_２、２％未満のＡｌ_２Ｏ_３、０〜１０％のＣｓ_２Ｏ、０〜３０％のＲＯ、０〜３０％のＲ_２Ｏ_３、０〜２０％のＲ_２Ｏからなるガラスソルダー。（ＲＯはアルカリ土類金属酸化物、Ｒ_２Ｏ_３はＢ_２Ｏ_３等からなる酸化物、Ｒ_２ＯはＴｉ_２Ｏ等の酸化物からなる。） （もっと読む）

【課題】高精度に導体が内蔵された薄型のセラミックス接合体を提供する。
【解決手段】相対密度９９％以上の第１及び第２のセラミックス焼結体１１，１２、並びに空隙を有する導体１３を用意する工程と、第１及び第２のセラミックス焼結体１１，１２の間に導体１３を挟み込み、ホットプレスすることにより、少なくとも一方のセラミックス焼結体がクリープして空隙が埋まり、他方のセラミックス焼結体と接合する工程とを含む。第１及び第２のセラミックス焼結体１１，１２は、互いに共通する成分を主成分とし、少なくとも一方のセラミックス焼結体の平均粒径を７μｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】打ち抜き加工により形成された導体パターン部材をセラミックス基板に確実に接合するとともに、ろう材がパターン面に付着するのを防止する。
【解決手段】セラミックス基板１１の表面に、金属板の打ち抜き加工により形成された導体パターン部材１２の裏面１２ａがろう付けされてなるパワーモジュール用基板１０であって、導体パターン部材１２の表面１２ｂと側面１２ｃとの稜線部に、側面１２ｃから表面１２ｂに沿う方向に突出するフランジ状突起１５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】
本発明の課題は、混合伝導性アルカリ土類置換コバルト酸塩で作られたセラミック部材の高温耐性結合を創り出すことができる方法を特定することであり、前記結合は、漏れることの無いメンブレン部材が用いられる際にはガス気密でなければならない。
【解決手段】
本発明は、混合伝導性酸化物セラミックスで作られた、酸化物セラミック化合物の高温耐性結合又は接合方法に関連しており、前記課題は、接合表面の少なくとも一つにCuを含有する添加剤を施し、次に荷重負荷下でセラミック部材の通常の焼結温度よりも低い２５０Kまで加熱し、当該温度で０．５〜１０時間保持する、ドーピング補助拡散反応性焼結による、アルカリ土類置換コバルト酸塩基体酸素透過性酸化物セラミックスの高温耐性結合方法によって成し遂げられる。 （もっと読む）

【課題】容易に、かつ、低コストで、金属板とセラミックス基板とが確実に接合された熱サイクル信頼性の高いパワーモジュール用基板を得ることができるパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板の接合面及び金属板の接合面のうち少なくとも一方にＳｉとＣｕを固着させるＳｉ及びＣｕ固着工程Ｓ１と、固着したＳｉ及びＣｕを介してセラミックス基板と金属板とを積層する積層工程Ｓ２と、積層方向に加圧するとともに加熱して溶融金属領域を形成する加熱工程Ｓ３と、この溶融金属領域を凝固させる凝固工程Ｓ４と、を有し、Ｓｉ及びＣｕ固着工程Ｓ１において、セラミックス基板と金属板との界面に、Ｓｉ；０．００２ｍｇ／ｃｍ^２以上１．２ｍｇ／ｃｍ^２以下、Ｃｕ；０．０８ｍｇ／ｃｍ^２以上２．７ｍｇ／ｃｍ^２以下を介在させ、加熱工程Ｓ３において、Ｓｉ及びＣｕを金属板側に拡散させることにより溶融金属領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】金属板とセラミックス基板とが確実に接合され、熱サイクル信頼性の高いパワーモジュール用基板、このパワーモジュール用基板を備えたパワーモジュール及びこのパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＡｌＮ又はＳｉ_３Ｎ_４からなるセラミックス基板１１の表面に純アルミニウムからなる金属板１２、１３が接合されたパワーモジュール用基板であって、金属板１２、１３とセラミックス基板１１との接合界面には、Ｃｕ濃度が金属板１２、１３中のＣｕ濃度の２倍以上とされたＣｕ高濃度部３２が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電磁波照射による材料接合部の局部的加熱を利用して、複雑形状材であっても、省エネルギー、高効率かつ短時間で接合を行う。
【解決手段】接合面近傍に被接合材料よりも電磁波吸収特性の大きな自己発熱材料を配置して自己発熱材料により加熱する方法であって、自己発熱材料がその配置において固相の粉粒体あるいは塊状体の集合状態にあり、集合状態全体としては流動性を有しているものとする。 （もっと読む）

基材１３０と、該基材１３０に結合したＰＣＤ構造体１２０と、該ＰＣＤ構造体１２０を該基材１３０に結合させる結合層１４０の形態の結合材料と、を含んでなる多結晶ダイヤモンド（ＰＣＤ）複合成形体部材１００であって、該ＰＣＤ構造体１２０は熱的に安定であり、少なくとも約８００ＧＰａの平均ヤング率を有し、該ＰＣＤ構造体１２０は、少なくとも約０．０５ミクロンで多くとも約１．５ミクロンの隙間平均自由行程を有し、該平均自由行程の標準偏差は、少なくとも約０．０５ミクロンで多くとも約１．５ミクロンである。該ＰＣＤ複合成形体部材の実施形態は、切断、フライス削り、粉砕、掘削、地面穿孔、削岩、または金属の切断および機械加工のような他の研磨用途用の手段であってもよい。
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【課題】低エネルギーで製造可能であるとともに、反り、ろう付け不良の発生を最小限に抑えることが可能なヒートシンク付きパワーモジュール用基板及びこれを備えたパワーモジュール、並びに、ヒートシンク付きパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１と、セラミックス基板の表面及び裏面にそれぞれ接合されたアルミニウムからなる第一の金属板１２及び第二の金属板１３と、第二の金属板に接合されたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるヒートシンク４とを備え、第一の金属板及び第二の金属板のそれぞれとセラミックス基板とがＳｉを含有するろう材を用いて接合されるとともに、接合界面にＣｕが添加されており、各金属板にはＳｉ及びＣｕが固溶しており、それぞれの前記接合界面から５０μｍの範囲におけるＳｉ濃度が０．０５〜１ｗｔ％，Ｃｕ濃度が０．０５〜４ｗｔ％の範囲内に設定されている。 （もっと読む）

セラミックの表面にアルミニウム又はアルミニウム合金薄膜を形成する方法であって、前記セラミックの金属被覆される表面をアルミニウム又はアルミニウム合金溶融液に含漬する工程と、前記表面を前記溶融液に対して移動させ、又は前記溶融液の中で静止させて、前記アルミニウム又はアルミニウム合金の溶融液を前記セラミックの金属被覆表面に付着させる工程と、前記セラミックの金属被覆表面を前記溶融液から移動させながら取り出し、前記表面に付着したアルミニウム又はアルミニウム合金液膜を自然冷却させて、前記表面にアルミニウム又はアルミニウム合金薄膜が接合されたセラミックを得る工程と、を含むことを特徴とする方法。本発明のセラミックの表面にアルミ薄膜及びアルミ合金薄膜を接合する方法によって、セラミックの表面に厚さ数μｍ〜数十μｍのアルミ又はアルミ合金膜を形成できる。この薄膜は、その内部に酸化膜不純物及び気泡などの微視的欠陥は存在しないため、純アルミの良好な物理と力学性能を持つ。この表面金属被覆層を用いて、セラミック同士及びセラミックとアルミとのろう接が可能となる。セラミックと金属を接合する方法及び装置もまた提供される。 （もっと読む）

【課題】拘束力が緩むことなく、セラミック基板と金属板とを確実に接合することができる回路基板接合治具及び回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】積層構造体Ｗを挟持する第１挟持板１１及び第２挟持板１２と、一端側が第２挟持板１２に固定されるとともに、他端側が第１挟持部材１１を貫通する複数の支柱部材１４と、第１挟持板１１よりも支柱部材１４の他端側に固定される固定部材１３と、第１挟持板１１の固定部材１３側を向く面に配置された膨張部材１６と、固定部材１３と膨張部材１６との間に介装されたコイルバネ１７とから回路基板接合治具１１を構成し、コイルバネ１７をカーボンコンポジットから構成するとともに、膨張部材１６をカーボンコンポジットよりも線膨張係数の高い材料から構成する。 （もっと読む）

【課題】ケイ素含有セラミック物品、特に炭化ケイ素と遊離のケイ素を両方とも含有するセラミック物品及びＣＭＣ物品を接合する方法を提供する。
【解決手段】反応性金属を含有するろう材２０を物品１２間に設け、その後ろう材２０と物品１２を加熱して物品１２内のケイ素と反応性金属とを反応させて、反応性金属のケイ化物相を含有するろう付け部を形成することを伴う。次いで、ろう付け部と物品１２を冷却して、２つの物品１２及びケイ化物相を含有するろう付け部を含む部品を生成させる。本方法は、物品１２の構成成分を熱的に劣化させる温度より低い温度で実施するのが好ましく、ケイ素の融点より低いとより好ましい。 （もっと読む）

本発明は、キャリア金属層（１）とグラファイト層（３）との間の接合部（５）の製造法に関する。本発明によれば、該方法は以下の工程を有する：キャリア金属層（１）を準備する工程；該キャリア金属層と接合されるグラファイト層（３）を準備する工程；少なくとも１種の金属（４）を含有する接着層（２）を、該キャリア金属層（１）と該グラファイト層（３）との間に配置する工程；該キャリア金属層（１）を該グラファイト層（３）と接合する工程、その際、該接合工程は拡散工程を包含し、該拡散工程において金属（４）は、少なくとも部分的に該グラファイト層（３）及び／又は該キャリア金属層（１）の中に導入されるよう促され、その際、該金属は本質的に固相のままである。
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本発明は、セラミックの表面（２）を金属の表面（１）に素材結合式に結合するための複ろう部材（３ａ，４ａ）において、Ｓｉ、Ｂ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｇｅからなる群より選択される融点を下げる少なくとも１つの成分を含む、少なくとも５０質量％のＮｉ含有量を有するＮｉをベースとするろうからなる少なくとも１つの第１の層（３ａ）と、合計で１〜１５質量％のＴｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｖからなる群より選択される活性な元素の含有量を有する活性ろう材料からなる少なくとも１つの第２の層（４ａ）とを備える、セラミックの表面（２）を金属の表面（１）に素材結合式に結合するための複ろう部材（３ａ，４ａ）に関する。さらに本発明は、このような複ろう部材を製造する方法及びこのような複ろう部材の使用に関する。
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