【課題】接合後の位置ズレが小さく、また、接合強度及び気密性が高く、中空部を有する場合でも中空部の寸法精度に優れた接合体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第一の炭化珪素焼結体１１と第二の炭化珪素焼結体１２とが金属珪素及び炭化珪素からなる接合層１４を介して接合された炭化珪素接合体であって、前記第一の炭化珪素焼結体１１は、炭化珪素含有金属珪素層１３が形成される接合面１１ａを有し、前記第二の炭化珪素焼結体１２は、前記炭化珪素含有金属珪素層１３と当接する接合面１２ａを有し、第二の炭化珪素焼結体１２の接合面１２ａは、表面粗さＲａ０．６μｍ以下であって、前記炭化珪素含有金属珪素層１３が熱処理されてなる接合層１４を介して接合されたことを特徴とする炭化珪素接合体。 （もっと読む）

【課題】ＨＩＰなどの大掛かりな設備を利用することなく、簡易な工程で実現可能なセラミック基板への白金箔の直接接合方法を提供する。
【解決手段】２枚のセラミック基板１０１，１０２間に白金箔１１１を挟み、２枚のセラミック基板１０１，１０２及び白金箔１１１の厚さ方向に押圧力を加えると共に、真空雰囲気中で９００℃〜１２００℃にて加熱することにより、セラミック基板１０１，１０２と白金箔１１１を接合するようになったセラミック基板への白金箔の直接接合方法である。 （もっと読む）

【課題】
セラミックス基材の中に高融点金属電極層を内蔵した従来のセラミックサセプターでは、内蔵電極層とＮｉ電極棒の接合部で破断、折損等が起こり易い。折損、剥離、破断すると修復不能で、高価なサセプターでも廃棄されるのが常である。本発明は耐酸化性、機密性に優れ、破断、折損し難い新しい構造のセラミックスサセプター（通電部材）を提供する。
【解決方法】
セラミックス基材の中に、該基材と共に同時焼成された高融点金属からなる通電体を内蔵し、該通電体の電極端子との接合部露出面が該セラミックス部材の空所の中に位置してなると共に、該空所に電極端子が埋め込まれて該端子と該通電体露出面および該端子と該セラミックス基材の隙間をＳｉ基合金の層で埋めてなる構造の通電体を内蔵するセラミック部材において、該Ｓｉ合金の層が、該層と接する該通電体露出面および該セラミックス基材面に融着してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 セラミック表面に形成される凹凸が、結晶粒径より小さい、超微細なものであると、Ｗ等の高融点金属ペーストまたはＣｕやＡｇ−Ｃｕ等にＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ等の活性金属を添加したメタライズ組成物のペーストを塗布した後、加熱してもこのセラミック表面では十分なアンカー効果が得られず、メタライズ層はセラミック基板に対して高い密着力を得ることができない。
【解決手段】 平均結晶粒径より大きな凹凸を有する窪みおよび／または平均結晶粒径より大きな凹凸を有する突起を複数備えているセラミック基体１とする。 （もっと読む）

【課題】 少ない工程で金属回路の周縁部に所望のフィレットを形成して低コストで高信頼性の金属−セラミックス接合基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】 セラミックス基板１０に活性金属含有ろう材１２を塗布して金属部材１４を接合した後に、金属部材１４の表面の所定の部分にレジスト１６を塗布して不要部分をエッチングし、レジスト１６を除去した後、活性金属含有ろう材１２の活性金属以外の金属により形成された金属層１２ｂの不要部分を薬剤によりエッチングして除去し、金属部材１４のエッチングと金属層１２ｂのエッチングを抑制し且つ活性金属含有ろう材１２の活性金属およびその化合物により形成された活性金属層１２ａを選択的にエッチングする薬剤により、不要な活性金属層１２ａを選択的にエッチングして除去してセラミックス基板１０上に金属回路を形成し、この金属回路を化学研磨して金属回路の周縁部にフィレットを形成する。 （もっと読む）

【課題】接合後の位置ズレが小さく、また、接合強度及び気密性が高く、中空部を有する場合でも中空部の寸法精度に優れた接合体が得られる炭化珪素焼結体の接合方法を提供する。
【解決手段】ザグリ部を有する炭化珪素焼結体からなる第一部材と、前記ザグリ部に挿入される炭化珪素焼結体からなる第二部材とを金属珪素により接合する方法であって、前記ザグリ部に金属珪素を充填した後に加熱して前記ザグリ部において金属珪素を溶融させる溶融工程と、溶融した金属珪素を冷却固化させた後、前記ザグリ部に形成された金属珪素層を研削して厚さを調整する加工工程と、第二部材を前記ザグリ部に挿入し加熱する接合工程と、を含む炭化珪素焼結体の接合方法。 （もっと読む）

【課題】気体のリークを防止できるほど良好な気密性を有し、かつ、接合部の強度が高いＡｌ合金-セラミックス複合材料接合体を提供する。
【解決手段】Ｍｇの含有量が０．５質量％よりも少ないＡｌ合金をマトリックスとしたＡｌ合金-セラミックス複合材料同士が、その組成がＡｌ、Ｚｎ、Ｍｇおよび、その他不純物成分からなり、ＡｌとＺｎの質量比Ａｌ／Ｚｎが０．８５〜２．３３、Ｍｇ含有量が０．５〜５．０質量％である接合材を用いてなる接合層を介して接合された接合体であって、前記接合層に接したＡｌ合金−セラミックス複合材料のマトリックスのＡｌ合金中に前記接合材のＺｎが拡散した拡散層を有する。 （もっと読む）

【課題】気体のリークを防止できるほど良好な気密性を有し、かつ、接合部の強度が高いＡｌ合金-セラミックス複合材料接合体を提供する。
【解決手段】Ｍｇを０．５〜５質量％含んだＡｌ合金をマトリックスとしたＡｌ合金-セラミックス複合材料同士が、その組成がＡｌ、Ｚｎおよび、その他不純物成分からなり、ＡｌとＺｎの質量比Ａｌ／Ｚｎが０．８５〜２．３３である接合材を用いてなる接合層を介して接合された接合体であって、前記接合層に接したＡｌ合金−セラミックス複合材料のマトリックスのＡｌ合金中に前記接合材のＺｎが拡散した拡散層を有する。 （もっと読む）

【課題】予備混練の作業効率を向上させて、耐熱衝撃性に優れた金属−セラミックス接合基板を効率的に製造することができる、金属−セラミックス接合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ろう材の金属成分を溶剤に加えて容器に入れ、この容器内で羽根を自転させながら公転させてろう材の金属成分と溶剤とを混練する予備混練を行った後、この予備混練によって得られた予備混練物を、３本のロールが隣接して平行に配置された３本ロールミルのロール間を通過させて混練する本混練を行ってペースト状のろう材を作製し、このろう材をセラミックス基板上に塗布し、その上に金属板を配置し、加熱してセラミックス基板に金属板を接合する。 （もっと読む）

【課題】比較的高温で熱処理した後であっても、熱処理前の接合強度に対する劣化が比較的小さいメタライズ基板、およびアルミニウムとセラミックとの接合体を提供する。
【解決手段】
セラミック基板の主面に、Ａｇと、Ｔｉと、Ａｌと、を少なくとも含む金属膜が設けられており、前記金属膜と前記セラミック基板との境界部分に、ＡｌとＯとをそれぞれ１０質量％以上、かつＡｌとＯとを合計５０質量％以上含む接合層が形成されていることを特徴とするメタライズ基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】高温酸化雰囲気下で使用される金属／セラミック接合体において、金属材料の耐熱性及び／又は耐酸化性、並びに、耐久性を向上させること。
【解決手段】セラミック材料と、該セラミック材料の表面に接合された金属薄層と、該金属薄層の表面に形成された表面層とを備え、前記表面層は、前記金属薄層への酸素の拡散を抑制する機能を有する第２の酸化膜を形成可能な第２の酸化膜形成元素の含有量が前記金属薄層より多い層からなる金属／セラミック接合体及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】半田流れによる回路の短絡や部品の接合不良が少なく動作信頼性に優れ、高い製造歩留りで容易に量産することが可能なセラミックス回路基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板の表面に厚さが０．１〜０．５ｍｍである複数の金属回路板３を接合し、上記金属回路板３の表面に半田層７を介して半導体素子８などの部品を一体に接合したセラミックス回路基板１の製造方法において、上記部品を半田接合する金属回路板３，３の少なくとも他の金属回路板３，３と隣接する周縁部に半田流れを防止する突起９、９ａを形成する工程と、この突起９、９ａの高さが５〜５０μｍの範囲であり、突起９、９ａの幅が０．１〜０．５ｍｍの範囲に調整する工程とを備え、上記突起９，９ａとして、金属板素材をプレス成形により打ち抜いて所定の金属回路板とする際に、回路板周縁に形成されるばりをそのまま突起として利用することを特徴とするセラミックス回路基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】はみ出し部を持ったセラミックス回路基板のクラック防止、曲げ強度向上、短絡防止等を図る。
【解決手段】セラミックス基板の少なくとも一方の面に複数の回路パターンに沿ったろう材層を形成し、当該ろう材層はＡｇ−Ｃｕ―Ｉｎ−Ｔｉ系のろう材からなり、このろう材を介して金属板を接合し、当該金属板の不要部分をエッチング処理することにより前記金属板からなる回路パターンを形成すると共に、前記金属板の外縁からはみ出した前記ろう材層によるはみ出し部を形成したセラミックス回路基板において、前記はみ出し部の最大面粗さＲｍａｘが５〜５０μｍであり、前記セラミックス基板と金属板の接合強度（ピール強度）が２０ｋＮ／ｍ以上であるセラミックス回路基板である。 （もっと読む）

【課題】直接接合法を用いて、両面を金属被膜化した金属−セラミック基板を製造するための方法を提供する。
【解決手段】直接接合法により、第一および第二金属層と該金属層の間に位置するセラミック層４とを含む少なくとも１つのＤＣＢ積層構造が、直接接合温度にまで加熱することで支持体の分離層２上に形成される。接合処理中、金属層の少なくとも１つが分離層２と当接し、該分離層２はムライト、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_３、ＺｒＯ_２、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＣａＣＯ_２および該材料の少なくとも２つの混合物から成る群から選択した分離層材料から成る多孔性層またはコーティングから構成される。 （もっと読む）

【課題】細孔や溝等を有する複雑な形状の炭化ケイ素セラミックス材であっても、前記細孔や溝等を接合材により閉塞させることなく、接合体を得ることができる炭化ケイ素セラミックス材の接合方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素セラミックス材同士を、シリコンを含むロウ材を用いて接合させる際、前記炭化ケイ素セラミックス材の非接合面に、予め、熱酸化法、ＣＶＤ法またはプラズマ酸化法により、酸化膜を形成しておき、接合面間にロウ材を介在させて接合させる。 （もっと読む）

【課題】気孔径が大きく、気孔率が高い大型の多孔体を用いた場合であっても、多孔体の機能を確保しつつ十分な気密性を有する接合体を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ多孔体と、該ＳｉＣ多孔体に金属シリコンが浸透した浸透層と、該浸透層に接したシリコン合金からなる接合層とを含む接合体であって、前記シリコン合金のアルミニウム含有量は１〜２０ｗｔ％であることを特徴とする接合体。前記浸透層の金属シリコンは、前記シリコン合金のアルミニウム含有量以下のアルミニウムを含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】使用温度が高いセラミックス部材と金属部材との接合に際して、接合工程温度を低く抑えて接合時にセラミックス部材側に割れが生じるのを回避可能なセラミックス部材と金属部材との接合方法及び燃料電池スタック構造体の製造方法並びに燃料電池スタック構造体を提供する。
【解決手段】単セル６が設置される金属製セル板２の形成工程と、周縁部がセル板２の周縁部に接合される金属製セパレータ板３の形成工程と、セル板２に単セル６を設置する工程と、セル板２及びセパレータ板３の各周縁部同士を接合する固体電解質型燃料電池ユニット１の形成工程と、隣接する固体電解質型燃料電池ユニット１の各中心部分同士の接合工程を有する燃料電池スタック構造体１１の製造方法において、セル板２に単セル６を接合する際に、単セル６に金属ガラス接合層１７を成膜した後、金属ガラス接合層１７にセル板２を接触させてその過冷却液体域で押圧して接合する。 （もっと読む）

【課題】切削中に、ロウ材が液相を生成する温度を越える高温となっても、接合層の接合強度が低下することのない、高速切削やＣＶＤコーティング処理等に適した切削工具として好適な接合体を提供する。
【解決手段】相互に異なる材料からなる複数の被接合材１，３が、１０００℃未満では液相を生成しない接合層により接合る。この場合通電加圧によって、被接合材よりも優先的に発熱すると共に、変形を伴う接合材２を用いて、前記複数の被接合材が通電加圧接合により接合される。さらに前記接合材が、内部に空間を有しており、前記複数の被接合材の少なくとも一方よりも、大きな電気抵抗を有していることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】シリコン−炭化ケイ素複合材料を利用して複数のセラミックス部材間を連結するにあたって、連結部の強度等の機械的特性を再現性よく高めることを可能にする。
【解決手段】セラミックス複合部材は、第１のセラミックス部材と第２のセラミックス部材とを、連結部４を介して一体化した構造を有する。連結部４は、平均粒径が0.1μm以上0.1mm以下の範囲の炭化ケイ素粒子５の隙間に、平均径が0.05μm以上10μm以下のシリコン相６を網目状に連続して存在させた組織を有する。 （もっと読む）

【課題】セラミックス材料などの基材と炭素材料との接合体とその接合方法を提供することを目的とする。
【解決手段】炭素材料１と炭素材料１との接合面に炭素を構成元素の一つとする炭化物系セラミックス材料２とを、炭化物系セラミックス材料２と同じ化合物を生成する化学反応を誘起させることにより接合した構造である。その工程は、炭素材料１と炭化物系セラミックス材料２の接合面１ａ，２ａの少なくとも一方に、中間材となる前記炭化物系セラミックス材料の炭素以外の構成元素３を成膜してから積層し、これを接合装置５のチャンバー６にセットして内部を真空引きし、積層した炭素材料１と炭化物系セラミックス材料２の接合面に圧力を付与し、チャンバー６を昇温して接合する。 （もっと読む）