【課題】金属板とセラミック板との間の界面剥離を防止することができ、更に、製造コストの低減を図ることができる積層材を提供する。
【解決手段】積層材１は、複数枚の金属板2,3と１枚のセラミック板４とが、金属板２とセラミック板４とが隣接するように積層されるとともに、隣り合う金属板2とセラミック板４とが放電プラズマ焼結法により接合されたものである。セラミック板４と隣接する全ての金属板2,3の融点の差が１４０℃以内である。セラミック板４における金属板２と接合された側の面4aの外周縁4zよりも内側に、金属板２のセラミック板４との接合面2aが位置している。 （もっと読む）

【課題】金属板とセラミック板との間の界面剥離を防止することができるし、製造コストの低減を図ることができ、更に、放熱特性を向上させることができる積層材を提供する。
【解決手段】積層材１は、セラミック板4の一方の片面4aにＣｕまたはＣｕ合金からなるＣｕ板2が、セラミック板4の他方の片面4aにＡｌまたはＡｌ合金からなるＡｌ板3が、放電プラズマ焼結法によりそれぞれ接合されている。 （もっと読む）

【課題】 接合強度が高い、金属層付きセラミックス部材を提供する。
【解決手段】 ＡｌおよびＯを含むとともに、第３遷移元素（Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ）および第４遷移元素（Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ）から選ばれた少なくとも１種以上の特定遷移元素の酸化物を含むセラミックス体と、前記セラミックス体の表面に設けられた金属層と、を備える金属層付きセラミックス部材であって、前記金属層が、前記セラミックス体表面に接合した、前記特定遷移元素を主成分として含む第１の層と、前記第１の層と接合した、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｖ、Ｈｆ、Ｖのうち少なくとも１種と前記特定遷移元素とを含む第２の層と、を有し、前記第１の層における前記特定遷移元素の含有割合（質量％）は、前記第２の層における前記特定元素の含有割合（質量％）に比べて高いことを特徴とする金属層付きセラミックス部材を提供する。 （もっと読む）

【課題】表面粗さに関係なく、金属又は金属化合物の基板同士の接合を可能とする方法を提供すること。
【解決手段】金属又は金属化合物の基板とシリコンを主とする基板を接合して接合体を製造するに際し、あるいは、金属又は金属化合物の基板同士を接合して接合体を製造するに際し、金属又は金属化合物の基板の表面にシリコン化合物を形成する金属を被覆し、該被覆面に他方の基板を接触配置して熱処理する、好ましくは、接触面を局所的に加熱することからなる接合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】容易に、かつ、低コストで、金属板とセラミックス基板とが確実に接合された熱サイクル信頼性の高いパワーモジュール用基板を得ることができるパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板の接合面及び金属板の接合面のうち少なくとも一方にＳｉとＣｕを固着させるＳｉ及びＣｕ固着工程Ｓ１と、固着したＳｉ及びＣｕを介してセラミックス基板と金属板とを積層する積層工程Ｓ２と、積層方向に加圧するとともに加熱して溶融金属領域を形成する加熱工程Ｓ３と、この溶融金属領域を凝固させる凝固工程Ｓ４と、を有し、Ｓｉ及びＣｕ固着工程Ｓ１において、セラミックス基板と金属板との界面に、Ｓｉ；０．００２ｍｇ／ｃｍ^２以上１．２ｍｇ／ｃｍ^２以下、Ｃｕ；０．０８ｍｇ／ｃｍ^２以上２．７ｍｇ／ｃｍ^２以下を介在させ、加熱工程Ｓ３において、Ｓｉ及びＣｕを金属板側に拡散させることにより溶融金属領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】金属板とセラミックス基板とが確実に接合され、熱サイクル信頼性の高いパワーモジュール用基板、このパワーモジュール用基板を備えたパワーモジュール及びこのパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＡｌＮ又はＳｉ_３Ｎ_４からなるセラミックス基板１１の表面に純アルミニウムからなる金属板１２、１３が接合されたパワーモジュール用基板であって、金属板１２、１３とセラミックス基板１１との接合界面には、Ｃｕ濃度が金属板１２、１３中のＣｕ濃度の２倍以上とされたＣｕ高濃度部３２が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】接合強度に優れたセラミックス接合体を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム焼結体同士のセラミックス接合体であって、ＹＡＧと酸化アルミニウムを含む接合層を有し、前記接合層のイットリウム成分が島型に拡散した拡散層を備えることを特徴とするセラミックス接合体。前記拡散層における島型形状の最大径は１００μｍ以下である。酸化アルミニウム６２．５〜９９ｍｏｌ％と酸化イットリウム１〜３７．５ｍｏｌ％、好ましくは、酸化アルミニウム７７〜８２ｍｏｌ％と酸化イットリウム１８〜２３ｍｏｌ％、を含む接合材を用意し、２つの窒化アルミニウム焼結体間に、前記接合材を挟み込み、１８００℃以上、荷重１ＭＰａ以上で熱処理する製造方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】 高温・高真空下で分解が生じ難い多孔質体、その製造方法、およびこれを用いた接合体を提供する。
【解決手段】 多孔質窒化珪素から成る基材１２の表面２２にポリシラザン由来の窒化珪素から成る被膜１４が設けられていることから、その基材１２の耐熱性が高められ、1400(℃)、0.1(Pa)の高温・高真空下で熱処理する際にも分解が抑制される。そのため、Si-Al合金ロウ材を用いてエンドキャップと接合する際に、基材１２の分解が抑制されるので、その後に分離膜として機能する多孔質膜を容易に形成できる。しかも、被膜１４は基材１２の細孔を閉塞しないので、被膜１４を設けない場合に遜色ない通気性が保たれる利点がある。 （もっと読む）

【課題】本発明は、十分に軽量で高精度なＣ／ＳｉＣハニカム複合体及びその製造方法を得ることを目的とするものである。
【解決手段】Ｃ／ＳｉＣハニカム複合体は、ハニカム構造部１と、ハニカム構造部１の一側に固定されたプレート部２とを有している。ハニカム構造部１は、炭素短繊維と黒鉛粉末と粉末樹脂とを含む混合原料を成形し炭素化してなるＣ／ＣハニカムコアをＣ／ＳｉＣ化してなっている。プレート部２は、Ｃ／Ｃハニカムコアと同一の混合原料を成形し炭素化してなるＣ／ＣプレートをＣ／ＳｉＣ化してなっている。ハニカム構造部１とプレート部２とは、Ｃ／ＣハニカムコアとＣ／Ｃプレートとにシリコンを含浸してＣ／ＳｉＣ化することにより一体化されている。 （もっと読む）

セラミックの表面にアルミニウム又はアルミニウム合金薄膜を形成する方法であって、前記セラミックの金属被覆される表面をアルミニウム又はアルミニウム合金溶融液に含漬する工程と、前記表面を前記溶融液に対して移動させ、又は前記溶融液の中で静止させて、前記アルミニウム又はアルミニウム合金の溶融液を前記セラミックの金属被覆表面に付着させる工程と、前記セラミックの金属被覆表面を前記溶融液から移動させながら取り出し、前記表面に付着したアルミニウム又はアルミニウム合金液膜を自然冷却させて、前記表面にアルミニウム又はアルミニウム合金薄膜が接合されたセラミックを得る工程と、を含むことを特徴とする方法。本発明のセラミックの表面にアルミ薄膜及びアルミ合金薄膜を接合する方法によって、セラミックの表面に厚さ数μｍ〜数十μｍのアルミ又はアルミ合金膜を形成できる。この薄膜は、その内部に酸化膜不純物及び気泡などの微視的欠陥は存在しないため、純アルミの良好な物理と力学性能を持つ。この表面金属被覆層を用いて、セラミック同士及びセラミックとアルミとのろう接が可能となる。セラミックと金属を接合する方法及び装置もまた提供される。 （もっと読む）

【課題】接合ボイドの発生が少なく且つ耐ヒートサイクル性に優れた金属−セラミックス接合基板およびその金属−セラミックス接合基板に使用するろう材を提供する。
【解決手段】５〜３０質量％のＣｕと、０．５〜３．０質量％の活性金属と、０．０５〜０．３５質量％のＢｉ系ガラス（好ましくは６５質量％以上のＢｉ_２Ｏ_３を含むガラス）と、残部としてＡｇを含む粉体をビヒクルに添加して混練することによって作製したペースト状ろう材をセラミックス基板に塗布した後、ろう材の上に金属板を配置して加熱することによって、ろう材を介して金属板をセラミックス基板に接合して金属−セラミックス接合基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】高温で動作する半導体チップの使用温度に耐える耐熱性を有するとともに接合温度を低くできるろう材の接合方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るろう材の接合方法は、回路板１１と半導体チップ１３との間にＡｇ−Ａｌのろう材１２を配置し、前記ろう材１２を２００℃〜５００℃の温度に加熱することにより、回路板１１と半導体チップ１３を接合するろう材の接合方法であって、前記ろう材１２の金属成分は、Ａｌ粉末が５〜６５ｍａｓｓ％含有され、残部に平均粒子径が５０ｎｍ以下のＡｇ粉末が含有されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】銅板表面にムラが発生することを防止できる金属セラミックス接合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】金属セラミックス接合基板の製造方法は、セラミックス基板１０上にろう材１２を形成する工程と、前記ろう材の上に、無酸素銅板表面のＸ線回折積分強度比Ｉ（２２０）／Ｉ（２００）が０．５以下である前記無酸素銅板１４を配置する工程と、前記無酸素銅板、前記ろう材及び前記セラミックス基板を加熱することにより、前記セラミックス基板１０に前記無酸素銅板１４を接合する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】ろう材の形成工程のコストを低減できる金属セラミックス接合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の金属セラミックス接合基板の製造方法は、セラミックス基板１上にコールドスプレー法によりろう材２を形成する工程と、前記ろう材の上に金属板３を配置する工程と、前記金属板、前記ろう材及び前記セラミックス基板を加熱することにより、前記セラミックス基板に前記金属板を接合する工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ケイ素含有セラミック物品、特に炭化ケイ素と遊離のケイ素を両方とも含有するセラミック物品及びＣＭＣ物品を接合する方法を提供する。
【解決手段】反応性金属を含有するろう材２０を物品１２間に設け、その後ろう材２０と物品１２を加熱して物品１２内のケイ素と反応性金属とを反応させて、反応性金属のケイ化物相を含有するろう付け部を形成することを伴う。次いで、ろう付け部と物品１２を冷却して、２つの物品１２及びケイ化物相を含有するろう付け部を含む部品を生成させる。本方法は、物品１２の構成成分を熱的に劣化させる温度より低い温度で実施するのが好ましく、ケイ素の融点より低いとより好ましい。 （もっと読む）

【課題】水蒸気の電気分解で発生した水素を貯蔵した上で発電に利用する水素電力貯蔵システムにおいて、発電時に発生する熱を有効に利用して総合効率を向上させる。
【解決手段】水素電力貯蔵システム３０は、水素と酸化剤ガスとを用いて発電する発電部および水蒸気を電気分解する電解部（電力／水素変換装置１１）を具備する。水素電力貯蔵システム３０は、電気分解により生成された水素を貯蔵し、当該水素を発電時に発電部に供給する水素貯蔵部１２と、発電に伴って発生する高温の熱を貯蔵し、当該熱を電気分解時に電解部に供給する高温蓄熱部１３と、高温蓄熱部１３で熱交換された後の低温の熱を貯蔵し、当該熱で電解部に供給する水蒸気を発生させる低温蓄熱部３１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】接合強度及び気密性が高く、空洞部を有する場合でも空洞部の形状精度に優れたＳｉＣ接合体を提供する。
【解決手段】接合層にＳｉとＳｉＣを含むＳｉＣ接合体であって、前記接合層のＳｉＣの含有割合であるＳｉＣ／（Ｓｉ＋ＳｉＣ）が前記接合層の中央部と外周部において、中央部＞外周部の関係を有することを特徴とするＳｉＣ接合体。前記接合層のＳｉＣの含有割合が前記中央部で０．１〜０．５、前記外周部で０〜０．１である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、大型の加圧装置を用いることなく容易に接合でき、実用に耐える接合強度が得られるＡｌ合金-セラミックス複合材料用の接合材を提供する。
【解決手段】Ａｌ合金をマトリックスとし、強化材にセラミックスを用いたＡｌ合金-セラミックス複合材料同士を接合するための接合材であって、芯を構成する芯材と、表層を構成する表層材と、前記芯材と前記表層材との間に形成された中間層と、を含むことを特徴とするＡｌ合金-セラミックス複合材料用の接合材。前記芯材の主成分がＺｎであり、前記表層材の主成分がＡｌである。 （もっと読む）

【課題】接合強度及び気密性が高く、中空部の寸法精度に優れた接合体を提供する。
【解決手段】第一の炭化珪素焼結体１１と第二の炭化珪素焼結体１２とが金属珪素及び炭化珪素からなる接合層１４１、１４２を介して接合された炭化珪素接合体であって、その断面において、複数の前記接合層１４１、１４２の間に気密性中空部１５を有し、前記第一および第二の炭化珪素焼結体の前記気密性中空部１５に面した表面の表面粗さＲｚが２．５μｍ以上であることを特徴とする炭化珪素接合体。 （もっと読む）