【課題】接合体の機械的強度を向上させることができると共に、接合されるＳｉＣ多孔体内部へのＳｉ浸透長さを制御し、ＳｉＣ多孔体表面における余剰Ｓｉの析出を抑制したＳｉＣ多孔体の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ多孔体１と、ＳｉＣ基材にＳｉが含浸されたＳｉＣ−Ｓｉ複合体２のいずれかあるいは両方に、ＳｉＣ粉体及びバインダー成分からなる粘着性ペースト３を塗布し、これらを密着させる工程と、前記ペースト３の揮発成分を蒸発させることで、前記ＳｉＣ多孔質体とＳｉＣ−Ｓｉ複合体の間に多孔質ＳｉＣからなる接着層３を形成させる工程と、前記工程の後、熱処理により、ＳｉＣ−Ｓｉ複合体中のＳｉを前記接着層３に浸透させることで、前記接着層３を緻密化する工程とを含む。 （もっと読む）

活性鑞材（３２）によってセラミック基板（１２）に直接接合されたビード（２６）の形態の熱接点即ち測定接点を有する熱電対（１６）を備えたセラミック加熱器（１０）が提供される。別法としては、セラミック基板（１２）上に金属化層（４２）が形成され、通常の鑞材によって熱電対のビード（２６）が金属化層（４２）に直接接合される。セラミック基板にビードが直接接合されるため、ビードの温度はセラミック加熱器の温度をほぼ瞬時に反映し、したがって熱電対はセラミック加熱器の温度をより正確に測定することができる。
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【課題】半導体デバイスの製造装置の処理室内を高真空に保つことができる基板載置台を提供する。
【解決手段】基板載置台１は、一つの面が基板載置面１１ａである板状のセラミックス基体１１と、基板載置面１１ａとは反対の面で接合材２２を介してセラミックス基体１１と接合され、多孔質セラミックスの気孔内に金属が充填された気孔率が０％を超え５％未満の板状の複合材料基体２１と、複合材料基体２１の、セラミックス基体１１と接合される面とは反対の面で接合材３２を介して複合材料基体２１と接合される金属板３１とを備えている。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で、所定の形状のタンタルと炭素を固相拡散接合を可能とし更に、タンタルと炭素を固相拡散接合を行う場所以外のタンタ表面に炭化物を形成することを可能とする。
【解決手段】タンタル若しくはタンタル合金と炭素基板とを真空熱処理炉内に設置し、前記タンタル若しくはタンタル合金表面に形成されている自然酸化膜であるＴａ₂Ｏ₅が昇華する条件下で熱処理を行い、前記Ｔａ₂Ｏ₅を除去した後、前記真空熱処理炉内に炭素源を導入して熱処理を行い、前記タンタル若しくはタンタル合金表面と炭素基板表面を固相拡散接合させると同時に、タンタルと炭素を固相拡散接合を行う場所以外のタンタル表面に炭化物を形成する。 （もっと読む）

本発明は、放電プラズマ焼結法によって少なくとも二つの耐火セラミック部品（各部品は放電プラズマ焼結法によってアセンブリされる少なくとも一つの表面を有する）をアセンブリするための方法に関し、以下の段階を備える。即ち、その間に何も追加せずにアセンブリされる部品の表面同士を接触させる段階と、１から２００ＭＰａの間のアセンブリ圧を部品に印加する段階と、少なくとも１３００℃のアセンブリ温度に部品の温度を上昇させるように５００から８０００Ａの強度のパルス電流を部品に印加する段階と、電流及び圧力を同時に除去して部品を冷却する段階と、アセンブリされた部品を回収する段階とを備える。 （もっと読む）

【課題】セラミックス層にクラック等の欠陥が発生せず、接合強度が良好で耐久性および信頼性に優れたセラミックス−金属接合部品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス体２ａと金属体３ａとの間に熱膨張差による残留応力の発生を抑制するための軟質材料から成る中間層４ａを介してセラミックス体２ａと金属体３ａとを一体に接合したセラミックス−金属接合部品１ａであり、上記セラミックス体２ａと金属体３ａとの接合領域のうち、接合外周縁から内側に３ｍｍ以内の領域を少なくとも含む接合領域において、上記中間層４ａの厚さが、上記接合領域の中央部から接合外周縁に向かって厚く形成されていることを特徴とするセラミックス−金属接合部品１ａである。 （もっと読む）

異なる性質を有する二以上の同心層を備えた管状物は、主に焼結時の収縮によって発生する圧縮力および摩擦力により、そして場合によっては機械的な連結により、製造時に互いに接合される。同心管は、強力な結合を実現するのに、互いに接着、化学結合または焼結結合される必要がない。このことは、例えばセラミックと金属のような異なる材料同士の接合を容易にする。
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【課題】焼結体の割れ及び未接合部分がなく、確実に炭化珪素焼結体の接合を行うことができる炭化珪素焼結体の接合方法を提供する。
【解決手段】本炭化珪素焼結体の接合方法は、第１の炭化珪素焼結体１の遊嵌凹部１ａに第２の炭化珪素焼結体２を遊嵌して形成される空隙ｇに介在する溶融Ｓｉを凝固させて、両炭化珪素焼結体１、２を接合するとともに、空隙ｇに水平方向空隙ｇ_ｈと垂直方向空隙ｇ_ｖを形成し、この垂直方向空隙ｇ_ｖを０．１ｍｍ以上０．２ｍｍ以下にし、第１及び第２の炭化珪素焼結体１、２を水平方向と垂直方向を同時に接合する。 （もっと読む）

【課題】多くの不純物酸素を含む低品位のケイ素粉末を出発原料として用いることができ、従来の成形、焼成プロセスを用いて、優れた機械特性と高熱伝導性を併せ持つ窒化ケイ素焼結体を製造し、パワーモジュール用基板に適した高熱伝導窒化ケイ素基板を提供する。
【解決手段】ケイ素粉末に、ケイ素を窒化ケイ素に換算した際の比率において、０．５〜７ｍｏｌ％の希土類元素の酸化物と、１〜７ｍｏｌ％のマグネシウム混合物とを、上記ケイ素粉末に含まれる不純物酸素とマグネシウム化合物からの酸素との総量が０．１〜１．８質量％となるように混合し、該混合物を成形して窒化し、得られた窒化体を０．１ＭＰａ以上の窒素中で加熱して相対密度が９５％以上になるように緻密化し、得られた板状の窒化ケイ素焼結体の少なくとも一方の面に、マグネシウム、チタン、ジルコニウムのうち少なくとも一種の金属元素を含むろう材を用いて金属板を接合する。 （もっと読む）

【課題】焼成したアルミナセラミックス部品同士を直接接合することにより、クラックの発生のない、しかも形状寸法に優れたアルミナセラミックス物品の製造方法を提供する。
【解決手段】所定の形状を有するアルミナ成形体を作製する工程と、前記アルミナ成形体を１２５０℃〜１７００℃で焼成し、アルミナ焼成体からなる部品を作製する工程と、前記アルミナ焼成体からなる複数の部品を組み合わせて、１３．３Ｐａ〜１．３×１０^-2Ｐａの真空状態で、部品の接合面に対して、０．１ＭＰａ〜１．５ＭＰａの圧力を加えると共に１３５０℃〜１６５０℃で加熱することにより、複数の部品を一体になす工程と、を含むことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 珪素系セラミックスを高い耐熱性を以て相互に接合できる接合材料、および高い耐熱性を有する珪素系セラミック接合体並びにその接合体の製造方法を提供する。
【解決手段】 封着材５６の主成分である珪素は窒化珪素の主構成元素であることから、この封着材５６を用いて窒化珪素から成る多孔質円筒１２およびエンドキャップ１８を相互に接合するに際して、その相互間に介在させられた封着材５６は、珪素および窒素の相互拡散によって、被接合体と一体化する。しかも、珪素は融点が高いことから、単独で接合材料として用いることは困難であるが、それよりも低融点であって珪素と固溶するゲルマニウムと共に用いると、封着材５６の融点がその混合割合に応じて低下する。この結果、窒化珪素から成る両部材が高い気密性を以て接合される。 （もっと読む）

【課題】 熱膨張係数差に起因する熱応力が相対的に小さく、高い強度及び優れた耐久性を示し、高温酸化雰囲気下で使用した場合であっても、長期間に渡って高い耐熱性、耐酸化性を示す金属電極／セラミックス接合体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 セラミックスと、該セラミックスの少なくとも一方の表面に接合された金属電極とを備え、前記金属電極は、連続体であり、かつ、複数個の凹部を有している金属電極／セラミックス接合体。このような金属電極／セラミックス接合体は、所定の凹凸構造を有する金属シートとセラミックスとを重ね合わせ、金属シートとセラミックスとを所定の条件下で加熱処理及び／又は電圧印加することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】セラミックスと金属とのろう付け接合において、セラミックス表面のろう材反応性を阻害することなく、ろう付け後における接合部の残留応力を大幅に低減することができ、接合部の厚さが薄く、しかも製造安定性及び耐ガスリーク性に優れ、繰り返し熱衝撃に強いセラミックスと金属のろう付け構造体を提供する。
【解決手段】セラミックスと金属のろう付け構造体におけるろう付け接合層にＮｉ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｉｎ及びＳｎから成る群より選ばれた少なくとも１種の添加元素を添加し、このような添加元素の含有量のピーク位置が接合層の中心よりも金属側となるようにする。 （もっと読む）

【課題】 金属−セラミックス接合基板に金属ベース板を固定した後に、セラミックス基板にクラックが生じるのを防止することができる、金属−セラミックス接合基板を提供する。
【解決手段】 セラミックス基板１０、１１０の一方の面に、接合面の面積が８０ｍｍ^２以上の大きい銅板１４、１１４と、各々の接合面の面積が８０ｍｍ^２未満であり且つ互いに１ｍｍ以下の間隔で離間して配置された複数の小さい銅板１４、１１４とがろう材１２、１１２を介して接合するとともに、大きい銅板の周縁部に段差が設けられて薄肉部が形成され、あるいは、大きい銅板の周縁からろう材がはみ出してフィレット部が形成されている。また、セラミックス基板の他方の面に接合した銅板の周縁部に段差が設けられて薄肉部が形成され、あるいはセラミック基板の他方の面に接合した銅板の周縁からろう材がはみ出してフィレット部が形成されている。 （もっと読む）

【課題】多孔質セラミックスの特性である通気性を損なうことなく、高気孔率の多孔質セラミックスと緻密質セラミックスを強固に接合できるセラミックス接合体を提供する。
【解決手段】本セラミックス接合体は、気孔が連通した連球状開気孔を有する多孔質焼結セラミックス基材の平均気孔径１０μｍ以上１５０μｍ以下であり、最大気孔径が２３０μｍで、かつ気孔全体の９５％以上が２００μｍ以下である多孔質セラミックス同士もしくは前記セラミックスと緻密質セラミックスとをろう材によって接合する。 （もっと読む）

接合部材の少なくとも１つがセラミックを含んだ（即ち、セラミックまたはサーメット）気密性のある強力な接合部を製造するのに利用することができるＣＴＥ改良ロウ組成物。ロウ組成物は、セラミック接合部材とロウまたは他の接合部材との間の熱膨張係数の不適合による熱応力を低下させるような配合になっている。ロウ組成物は、熱膨張係数が低い（即ち、６ｐｐｍ／Ｋ以下）か、あるいは負である一以上の粒状または繊維状充填材を混合した粉末、ペーストまたはバルク形態のロウ合金を含む。ロウ組成物は、少なくとも１つがセラミックを含んだ部材を接合するのに使用することができるほか、二以上の部材を接合することにより製造される複合部材に使用することができる。
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本発明は、高品質の力学抵抗を有し、異なる物理的性質を有する材料間の熱伝導能力を有する接合を、詳しくは、異なる熱伝導率が接合工程中並びにその産業上の適用中に界面の中に著しい応力を必然的に伴う、セラミック／金属接合又はセラミック／金属複合物を得るために有用な方法に言及する。この提案された方法によって解決された問題は、結合しようとする表面を濡らすことの金属の困難性、及びセラミック又はセラミック合成物の引張り応力に対する総体的に低い力学抵抗である。第１の問題は、表面レベルでセラミックと組み合わせることによって金属で表面を濡らすことができるようにするチタンベースの合金の適用によって解決される。第２の問題は、セラミック又は合成物を機械加工し、長ピッチ多条ねじ山を通じてこの比表面積を増加することによって解決される。
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【課題】 接合強度の強い、接合界面近傍にＧｅ濃化領域を有す接合部を介して接合された、シリコン系セラミックスを有する複合材を提供する。
【解決手段】 シリコン系セラミックス部材と接合相手部材が、アルミニウムを主成分としゲルマニウムを０．１重量％〜５０重量％含む接合部で接合された複合材であって、前記接合部は、前記シリコン系セラミックス部材との接合界面近傍に、第１のゲルマニウム濃化領域が形成されていることを特徴とする複合材を提供する。 （もっと読む）

【課題】反応焼結法による炭化ケイ素部品ユニットの接合において、ずれなどを生じず均一な信頼性のある接合部を得ることができ、炭化ケイ素接合構造体の大型化、複雑形状化を図ることができる炭化ケイ素系接合構造体、炭化ケイ素系接合構造体の製造方法および炭化ケイ素系接合構造体の製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】一方の炭化ケイ素系形成体１０の凹形接合面１１に、他方の炭化ケイ素系形成体１０の凸形接合面１２を、接着剤を介して接着させる。これによって、凹形接合面１１と凸形接合面１２とが対応した嵌め合い構造となっているので、位置決めを容易に行うことができる。 （もっと読む）

ダイヤモンドと拡散接合又は拡散型接合を形成することのできる材料の層であって、ダイヤモンド要素に接合される層を有する接合構造体を製造する方法。その方法は、ダイヤモンドと前記の材料の層との間の、又は前記の材料の層と金属要素の表面若しくは金属構造体の表面との間の複数の接触表面の局所領域に電子ビーム加熱を施用して、その領域における前記複数の接触表面の少なくとも一部分を接合する工程を含む。その方法は、ダイヤモンドの層をフレーム又は取り付け台に接合する工程に関して独特の適用を有する。 （もっと読む）