【課題】 燃焼合成により得られ、優れた焼結体特性を有するペロブスカイト型セラミックスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ペロブスカイト型結晶構造を有するセラミックスであって、比表面積が 0.01〜2 m²/gの４族元素を含む金属粉末と、２族元素を含む元素の炭酸塩と、過塩素酸ナトリウムとを少なくとも含む反応原料をそれぞれ所定割合で配合し、断熱火炎温度が1500℃以上である燃焼合成法により得られる。また、上記４族元素は、チタンであり、上記２族元素は、ストロンチウム、バリウムおよびカルシウムから選ばれた少なくとも１つの元素である。 （もっと読む）

【課題】溝の側面が曲面で繋がり、かつ、溝の長さ方向の深さのバラツキ、ならびに溝の開口部の幅の差が少なく、前記溝を分割用として形成したとき分割性に優れ、分割工程までの工程で割れが発生せず、分割した単体の抗折強度が低下しないセラミック部材を提供する。
【解決手段】少なくとも一方の主面１ａに溝２を有し、溝２の内面２ａを、凹曲面をなす底部２ｂと、該凹曲面の両側に、前記凹曲面の曲率よりも大きな曲率の凸曲面をなす開口部２ｄを、連続的に配置させて形成してなるものであり、且つ、溝２の深さｄの最大値ｄ１と最小値ｄ２の差を６μｍ以下であることを特徴とし、溝２を分割用の溝として用いると、分割性が向上するとともに、分割した側面が滑らかな連続する曲面状であることから、分割したセラミック部材１の単体の端部のチッピングの発生を防止できるとともに、単体におけるセラミック部材１の抗折強度の低下を防止できる。 （もっと読む）

【課題】 高い耐プラズマ性を有するとともに、曲げ強度や強靱性などの機械的な性質も優れた低コスト型のセラミックス部材の提供。
【解決手段】 この発明のセラミックス部材は、例えば、平均粒径０．１〜１．０μｍのアルミナ粒子に、少なくともマグネシアを０．０１〜１重量％およびイットリウムを含む溶液をイットリアに換算して０．１〜１５重量％が添加配合された原料粉を作製する工程と、前記原料粉を成形し、その成形体に仮焼処理を施す工程と、前記仮焼処理した成形体に、水素ガスを含む雰囲気中で加熱処理を施して、イットリウムアルミニウムガーネットを生成させ、かつ表面へ浸出させ成膜化するとともに成形体を燒結する工程とを有する方法によって製造され、アルミナ焼結体の表面に２μｍ以上の厚さのＹＡＧ層が形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】稠密で高い硬度を有し、優れた電磁気的特性を備えたフェライト／二酸化珪素複合体を製造するための方法を提供する。
【解決手段】（ａ）ボールミル装置を準備するステップと、（ｂ）ボールミル装置のポットに、フェライト微粒子の所定量と、平均粒径がフェライト微粒子よりも小さい二酸化珪素微粒子の所定量をボールとともに封入し、ポットを自転運動、または公転運動および自転運動させてフェライト微粒子および二酸化珪素微粒子を混合することにより、フェライト微粒子のそれぞれが、その表面を被覆する二酸化珪素微粒子によって互いに分離した状態にするステップと、（ｃ）ステップ（ｂ）で得られた混合物を加圧成形するステップと、（ｄ）ステップ（ｃ）で得られた成形体を焼成することにより、フェライト／二酸化珪素複合体を形成するステップを有する。 （もっと読む）

【課題】大気中の酸素による損傷の発生を防止することにより高い信頼性を有すると共に、低コストな被処理物保持体、この被処理物保持体を有する半導体製造装置用サセプタおよびこの被処理物保持体を備える処理装置を提供する。
【解決手段】保持体１は、電極４、ヒータ回路５を有し、被処理物を保持するためのセラミックス基体２と、セラミックス基体２に接続される一方端部を有する筒状部材６と、筒状部材６の内周側に位置し、一方端部側と、一方端部とは筒状部材６において反対側に位置する他方端部側とを隔離する封止部材１１と、筒状部材６の内周側において、封止部材１１を貫通して他方端部側から一方端部側にまで延在するとともに、電極４、ヒータ回路５に電気的に接続された端子側電極線８とを備える。 （もっと読む）

【課題】 少なくともＮａ及びＮｂを含むペロブスカイト型化合物の多結晶体からなり、擬立方｛１００｝面が高い配向度で配向し、高い相対密度を有し、しかも、その組成制御が比較的容易な結晶配向セラミックス及びその製造方法、並びに、これに用いられる異方形状粉末及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 少なくともＮａ及びＮｂを含む第２のペロブスカイト型化合物を主相とし、その発達面が擬立方｛１００｝面からなり、かつ、その厚さ（ｔ_ａ）に対する前記発達面の最大長さ（ｗ_ａ）のアスペクト比（Ｗ_ａ／ｔ_ａ）が２以上である異方形状粉末。少なくともＮａ及びＮｂを含む第１のペロブスカイト型化合物を主相とする多結晶体からなり、該多結晶体を構成する各結晶粒の擬立方｛１００｝面が配向している結晶配向セラミックス。 （もっと読む）

【課題】別途のミーリング工程なしでセラミック粉末粒子を満遍なく分散させセラミック粉末らを満遍なく分散させるために必要な多くの工程を画期的に改善することができ、セラミックスラリー製造において粉砕工程が要らなくなるので、セラミック粉末の結晶性に損傷なしに、セラミック粉末粒子を均一に分散させることができ、高品質のセラミックスラリーを製造することができる。
【解決手段】洗浄されたセラミック粉末表面に親核性作用基を形成させる段階、及び上記親核性作用基が形成されたセラミック粉末表面にアジリジン同等体を連鎖重合反応させ末端にアミン基を有するポリマー層でコーティングする段階、とを含むことを特徴とするセラミック粉末コーティング方法、上記セラミック粉末を分散溶媒に酸と一緒に添加して正電荷を形成させ分散性を向上させる方法、上記方法により製造されたセラミック粉末及びセラミックスラリーを提供する。 （もっと読む）

【課題】酸化処理後の拡散可能時間を更に延長させたホウ素拡散材を提供するる。
【解決手段】本発明は、Ａｌ２Ｏ３成分とＳiＯ２成分とＢＮ成分とを含み、Ａｌ２Ｏ３成分とＳiＯ２成分の合計含有率が２０〜８０質量％、ＢＮ成分の含有率が２０〜８０質量％であり、しかもＡｌ２Ｏ３／ＳiＯ２のモル比が1.０〜２．４、開気孔率が１３〜４３％のセラミックス焼結体で構成されてなることを特徴とするホウ素拡散材である。また、本発明は、Ａｌ２Ｏ３／ＳiＯ２のモル比が２.４〜1.０である、Ａｌ２Ｏ３成分とＳiＯ２成分とを含む混合物及び／又は化合物を２０〜８０質量％と、窒化ホウ素を２０質量％〜８０質量％とを含む混合粉末をＣＩＰ成型した後、非酸化雰囲気で焼結することを特徴とする上記ホウ素拡散材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】発光効率に優れた発光素子などの半導体素子製造用基板として使用され、窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムを主成分とする単結晶薄膜基板を提供する。
【解決手段】セラミック材料を主成分とする焼結体、特に光透過性の焼結体を用いることにより、窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムのうちから選ばれた少なくとも１種以上を主成分とする結晶性の高い単結晶薄膜が形成される。該単結晶薄膜と焼結体との接合体を用いて、電子素子および電子部品を製造する。 （もっと読む）

【課題】
酸化物熱電変換材料で、性能指数の値（Ｚ）がより大きい材料を提供することにある。
【解決手段】
Ｍ¹、Ｍ²（Ｍ¹は１種以上の元素であり、Ｃａ、Ｓｒ、ＢａおよびＭｇからなる群より選ばれる１種以上の元素を必須の元素とし、さらにＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、ＢｉおよびＰｂからなる群より選ばれる１種以上の元素を含んでいてもよい。Ｍ²は１種以上の元素であり、Ｃｕを必須の元素とし、さらにＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、ＣｏおよびＮｉからなる群より選ばれる１種以上の元素を含んでいてもよい。）および酸素を含有する化合物であって、Ｍ²とＭ¹とのモル比（Ｍ²／Ｍ¹）が１．２以上２．２以下である化合物を含有することを特徴とする熱電変換材料。 （もっと読む）

【課題】 少ないガラス量で低温焼成できる磁器組成物及びその製法並びに電子部品を提供する。
【解決手段】 本組成物は、フィラー及びガラスを含有し、フィラーは組成式［ｘＣａＯ・ｙＭ^１Ｏ・ｚＳｉＯ_２］（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００モル％）で表した場合に条件（１）及び（２）を満たすフィラーを主成分とし、且つ、ガラスは、少なくともＢａ、Ｚｎ、Ｂ及びＳｉを含有し、各元素の酸化物換算合計で、Ｂａを２５〜５５質量％、Ｚｎを５〜３０質量％、Ｂを１５〜３５質量％、Ｓｉを５〜３０質量％含有する。条件（１）；Ｍ^１はＭｇ及びＺｎのうちの少なくとも１種。条件（２）；ｘ、ｙ及びｚは三角図を用いて表した場合に図１における辺ＡＢ、辺ＢＣ、辺ＣＤ及び辺ＤＡの領域内（各辺は全て含む）にある。本電子部品は、本組成物からなる誘電体磁器部と、その表面及び／又は内部に配設され且つ同時焼成された導体部を備える。 （もっと読む）

【課題】 小型化、薄型化、軽量化しても、高い強度と優れた寸法精度を持つセラミックス焼結体を得ることが可能なセラミックス顆粒を提供すること。
【解決手段】 累積粒度分布の微粒側から累積１０％、累積５０％、累積９０％の粒径をＤ１０、Ｄ５０、Ｄ９０としたとき、Ｄ５０が６０〜１００μｍ、Ｄ９０が６０μｍ以上、Ｄ９０／Ｄ１０が１．５以下、Ｄ９０／Ｄ５０が１．３以下、Ｄ５０／Ｄ１０が１．３以下の粒度分布を有する、セラミックス顆粒。
（もっと読む）

【課題】 組成、構造の異なるセラミックスが積層した構造を有するか、あるいは組成、構造の異なるセラミックスが分子レベルで混合してハイブリッド化されている、厚みが１０〜１０００nmのハイブリッドセラミックスナノシートとその製造方法を提供する。
【解決手段】 プロセスの制御を厳密に行う流動界面ゾル−ゲル法により得られるセラミックスナノシートに、組成、構造の異なるセラミックスが積層した構造をもたせるか、あるいは組成、構造の異なるセラミックスを分子レベルで混合してハイブリッド化させる方法により表面物性を制御し、さらに表面と端面の構造が異なるハイブリッドセラミックスナノシートを、膜厚を１０〜１０００ｎｍで厳密に制御して製造する。 （もっと読む）

【課題】銀を主成分とする電極の消失を抑制しながら低温で良好な焼結性を有し、高周波特性に優れたセラミック多層基板およびそれを用いたパワーアンプモジュールを提供する。
【解決手段】セラミックスを主成分とする無機酸化物層と銀を主成分とする電極層を交互に積層し、９４０℃以下の温度で一体焼成することにより作製されたセラミック多層基板において、前記無機酸化物層はセラミック組成物からなる主成分と、少なくとも酸化銅と酸化銀あるいは酸化銅と銀を含み、且つ酸化物換算で酸化銀の含有重量が酸化銅の含有重量以上とした副成分より構成する。 （もっと読む）

【課題】 大電流に対応しつつ小型化を図った場合であっても、クラックやデラミネーションの発生が少ない電子部品を簡便に製造し得るセラミックグリーンシートを提供すること。
【解決手段】 好適な実施形態のセラミックグリーンシートは、セラミック粉末と、バインダー樹脂と、溶剤と、アミン価が１５以上である酸性化合物とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】緻密な誘電体セラミック層を有し、しかも反りが殆どない電子部品を得ることができる電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の製造方法は、金属層１１，３１と誘電体セラミック層２１とを積層してなる電子部品１０の製造方法に関する。まず被焼成層配置工程を実施する。この工程では、未焼結誘電体セラミック層２２を含む被焼成層３０を、第１拘束層１２と第２拘束層４２との間に挟み込むようにして配置する。第１拘束層１２は金属箔からなる。第２拘束層４２は、未焼結誘電体セラミック層２２に比べて焼結しにくいセラミックを母材とする。次に、未焼結誘電体セラミック層２２を実質的に固相焼結させる拘束焼成工程を行う。 （もっと読む）

本発明は、機能的コロイドを製造するための方法に関する。粒子が、改質剤の存在する分散剤において機械により反応により粉々にされ、それで改質剤は、粉砕されたコロイド粒子と少なくとも部分的に化学的に結合する。 （もっと読む）

Ｌｉ_y［Ｎｉ_xＣｏ_1-2xＭｎ_x］Ｏ₂（式中、０．０２５≦ｘ≦０．５、および０．９≦ｙ≦１．３である）を製造する方法。本方法は、［Ｎｉ_xＣｏ_1-2xＭｎ_x］ＯＨ₂を、ＬｉＯＨまたはＬｉ₂ＣＯ₃、並びに、アルカリ金属フッ化物およびホウ素化合物の一方または両方、好ましくはＬｉＦおよびＢ₂Ｏ₃の一方または両方と混合することを含む。この混合物は、リチウムイオン電池カソードに使用するのに十分な密度をもったＬｉ_y［Ｎｉ_xＣｏ_1-2xＭｎ_x］Ｏ₂の組成物を得るのに十分に加熱される。こうして緻密化した組成物は、Ｗｈ／Ｌで評価して式［１８３３−３３３ｘ］によって特徴付けられる最小可逆体積エネルギーを示す。 （もっと読む）

【課題】 Ａｌ_２Ｓ_３、ＢａＳ、ＥｕＳからなり、結晶性の良い硫化物蛍光体膜をスパッタリング法で形成するための硫化物ターゲット、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 Ａｌ_２Ｓ_３、ＢａＳ、ＥｕＳの各硫化物粉末を真空若しくは不活性ガス雰囲気中で調整し、得られた混合粉末を０.１Ｐａより良い真空雰囲気中において５０〜１５０℃で３０分以上保持した後、不活性ガス雰囲気中にて９００〜１１００℃の温度で焼結する。得られる硫化物ターゲットは、含有酸素濃度が２重量％未満である。 （もっと読む）

【課題】 多くの種類の金属化合物を安定かつ均一に溶解することができる混合液体を提供すること。また、当該混合液体を用い、従来よりも微粒子であり、かつ有機物の残渣が少ないセラミックス微粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 少なくとも１種のカルボン酸と少なくとも１種の尿素又は尿素誘導体とを含み、かつ、実質的に水分を含まないことを特徴とする混合液体。当該混合液体に金属化合物を加え、これを熱分解する工程を有することを特徴とするセラミックス微粒子の製造方法。 （もっと読む）