【課題】マクロサイズの内部欠陥がなく、高密度なバルク体を得ることができるリン酸リチウム焼結体の製造方法およびスパッタリングカソードを提供する。
【解決手段】本発明は、Ｌｉ₃ＰＯ₄の原材料粉を仮焼する工程と、仮焼した原材料粉を分級する工程と、分級した原材料粉を所定形状に焼結する工程とを有するリン酸リチウム焼結体の製造方法であって、原材料粉の仮焼温度を６５０℃以上８５０℃未満とすることによって、原材料粉に吸着している水分を効果的に除去し、焼結工程で得られるバルク体（焼結体）へのマクロサイズの内部欠陥の発生を抑制する。仮焼温度が６５０℃未満の場合、原材料粉の仮焼処理が不十分なため、マクロな内部欠陥の発生を効果的に抑制できない。特に、４００μｍ以下の粉砕、篩い分けを容易に行える仮焼温度として、６５０℃以上７５０℃以下が好ましい。 （もっと読む）

【課題】高熱電変換効率、高耐熱性、高化学的耐久性、低毒性、安全、安価、の条件を満たす新規熱電変換材料を提供する。
【解決手段】Ｂａ_３Ｃｏ_２Ｏ_６（ＣＯ_３）_ｘで表される複合酸化物で、３００−１１００Ｋの温度域で金属的導電性を示し、１００μＶＫ^−１以上の熱起電力を有する、擬一次元構造で結晶内にＣＯ_３基が存在することを特徴とする複合酸化物。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛系の非晶質薄膜用スパッタリングターゲットおよびこの製造方法が開示される。
【解決手段】本発明は、Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＡｌ_１−ｙＯ_３（ＺｎＯ）_Ｔ（ｘ＋ｙ＝１、ｘ：ｙ＝１：０．０１〜１００、Ｔ＝０．１〜５）である組成を有する酸化亜鉛系の非晶質薄膜用スパッタリングターゲットを提供する。これにより、バルク抵抗が２０Ω・ｃｍ以下の値を示し、ＤＣスパッタリングが可能であり、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｌ、およびＺｎの凝集体が１μｍ以下で形成され、異常放電による不良を抑制することがでる上に、成膜時の電子キャリア濃度が１０^１６〜１０^１８／ｃｍ^３の値を示し、電子移動度が１〜１０ｃｍ^２／Ｖ・ｓ値を有する酸化亜鉛系の非晶質薄膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】熱依存性を低減して、室温以上の温度領域において、最大クラスのゼーベック係数を持つ熱電変換材料を提供する。
【解決手段】熱電変換材料は、ＣａＦｅ_２Ｏ_４（カルシウム・フェライト）型構造を有し、そのＦｅがＣｏに置換されてなることを特徴とする。本物質は室温付近で大きなゼーベック係数を持ち、さらに、ゼーベック係数は、温度変化に対して、室温より少々高い温度であっても殆ど飽和しないという特長を持つ。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で信頼性の高い熱電素子を得る。
【解決手段】この熱電素子１においては、Ｎ型半導体１１、Ｐ型半導体１２とこれらの間の絶縁層１３が一体化されている。更に、Ｎ型半導体１１とＰ型半導体１２とは電極１４により一端が接続されている。特に、Ｎ型半導体１１とＰ型半導体１２、及び絶縁層１３とが一体化されて形成されている点に特徴を有する。Ｎ型半導体１１におけるＭｎ組成をＰ型半導体１２におけるＭｎ組成よりも小さくすることにより、本焼成工程において高抵抗層が形成され、この高抵抗層が絶縁層１３となる。 （もっと読む）

【課題】地球環境の保護のための省エネルギー、省資源化を目的として、金属、セラミックス、ガラス及び混合材を使用する際に、従来より高い物理・化学特性を持ちかつ長寿命な新素材を提供する。
【解決手段】優れた特性を持つカーボンナノチューブを金属材と混合し、金属のもつ濡れ性などを付加することで長寿命かつ高い導電性をもったはんだこてチップなどの素材として使用する。また、カーボンナノチューブは造粒あるいはつなぎとして活性炭や樹脂造粒炭と混合することで、窒素や酸素の吸着剤として使用する。 （もっと読む）

【課題】積層セラミック電子部品を製造するために用いられ、セラミックグリーンシートの厚みを薄層化した場合においても、シートアタックを有効に防止でき、かつ、印刷に適した粘度を保持しながら、通気性の高い余白パターン層を形成可能な電極段差吸収用印刷ペーストを提供すること。
【解決手段】積層セラミック電子部品を製造するために用いる電極段差吸収用印刷ペーストであって、ブチラール樹脂を含むセラミックグリーンシートと組み合わせて使用され、セラミック粉末と、有機バインダと、溶剤と、を少なくとも含み、前記バインダの含有量が、前記セラミック粉末１００重量部に対して、１．０〜６．０重量部であり、前記有機バインダが、エチルセルロースおよびポリビニルブチラールを含有し、かつ、前記溶剤が、グリセリン、エチレングリコールおよびブチルカルビトールから選択される少なくとも１種を含有することを特徴とする電極段差吸収用印刷ペースト。 （もっと読む）

【課題】高周波特性に優れ、高強度であり、線膨張係数の焼成温度安定性に優れた、セラミック焼結体を得ることができる、セラミック原料組成物を提供する。
【解決手段】ガラス材料とセラミック材料とを含み、ガラス材料は、ＳｉＯ_２を２０〜５０重量％、ＢａＯを３０〜６０重量％、ＭｇＯを５〜２０重量％、ＺｎＯを０〜１０重量％、Ａｌ_２Ｏ_３を０〜１０重量％、およびＢ_２Ｏ_３を０〜１０重量％含み、セラミック材料は、ＳｉＯ_２を２５〜４０重量％、ＢａＯを３０〜５５重量％、ＭｇＯを０〜３０重量％、ＺｎＯを０〜３０重量％、およびＡｌ_２Ｏ_３を０〜１５重量％含み、さらに、ＣｅＯ_２を０〜５重量％の割合で、およびＴｉＯ_２を０〜５重量％の割合でそれぞれ含む、セラミック原料組成物。このセラミック原料組成物は、基材層２と拘束層３とを備える多層セラミック基板１において、基材層２の材料として好適に用いられる。 （もっと読む）

【目的】粉砕による不定形粒子が発生せず、厚さ方向に薄い扁平形状で、かつ大きいサイズの結晶面を具備し、グリーンシートの薄型化を実現することのできるＢａＴｉＯ_３及びＢａＴｉＯ_３前駆体を、またその製造方法、更に、かかるＢａＴｉＯ_３を用いて薄膜化を実現できるグリーンシートを提供することである。
【構成】（ＮＨ_４）_２ＴｉＦ_６と、Ｂａ（ＮＯ_３）_２と、Ｈ_３ＢＯ_３とを溶解させた混合水溶液を作製し、その混合水溶液に水溶性カチオンポリマーを添加し、板状結晶形態に結晶成長させたＢａＴｉＯＦ_４からなるＢａＴｉＯ_３前駆体を製造する。混合水溶液のｐＨが１．８又はその近傍が好適であり、水溶性カチオンポリマーにポリアクリルアミドを使用する。 （もっと読む）

【課題】出力因子（α²×σ）の値が大きく、さらには性能指数（Ｚ）の値が大きい熱電変換材料とその製造方法を提供する。
【解決手段】元素Ｍ¹（Ｍ¹はＶ、ＮｂおよびＴａからなる群より選ばれる１種以上）およびＯを含有する酸化物からなる熱電変換材料であって、前記酸化物が以下の式（１）で表される熱電変換材料。 Ｍ¹Ｏ_y （１）元素Ｍ¹（Ｍ¹は前記）、元素Ｍ²（Ｍ²はＴｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｈｆ、ＭｏおよびＷからなる群より選ばれる１種以上）およびＯを含有する酸化物からなる熱電変換材料であって、前記酸化物が以下の式（２）で表される熱電変換材料。 Ｍ¹_1-xＭ²_xＯ_y （２）上記式（１）および（２）において、ｙは１．９０以上２．１０以下であり、上記式（２）において、ｘは０を超え０．５未満である。 （もっと読む）

【課題】セラミックス微粒子が３次元的に規則的に配列したセラミックス・有機物複合構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で示されるレゾルシン環状４量体からなる環状カリックスアレーンとセラミックス微粒子とを混合する混合工程と、上記混合工程で得られたセラミックス・有機物複合体をゲル化するゲル化工程と、を有することを特徴とするセラミックス・有機物複合構造体の製造方法。
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【課題】核融合ブランケットトリチウム増殖材のリチウムセラミックスの稀少で高価なリチウム資源のリサイクルを図るための方法と装置、さらに回収リチウム資源により成形したリチウムセラミックス材料を提供する。
【解決手段】使用済みリチウムセラミックスを化学的に湿式溶解し、その中の不純物を除去し、セラミックス成分元素を添加して成分調整した後、ゾルゲル法あるいは溶融液滴凝固法でリチウムセラミックス微小球を製造することによって、再利用可能な核融合ブランケットトリチウム増殖材リチウムセラミックスを得る。 （もっと読む）

【課題】高線速記録に適した感度の高い追記型光記録媒体、及び該光記録媒体の実現に適したスパッタリングターゲット、特に生産性の向上のため製膜速度の向上が可能で、製膜時の強度の高い、充填密度を高めたスパッタリングターゲットとその製造方法の提供。
【解決手段】（１）基板上に少なくとも記録層を形成した光記録媒体であって、記録層の構成元素の主成分がＢｉ及びＯ（酸素）であり、Ｂを含有し、更にＧｅ、Ｌｉ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｐｄ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｎｄ、Ｍｎ、Ｎｉから選択される少なくとも一種の元素Ｘを含有する光記録媒体。
（２）Ｂｉ、Ｂを含有し、更にＧｅ、Ｌｉ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｐｄ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｎｄ、Ｍｎ、Ｎｉから選択される少なくとも一種の元素Ｘを含有するスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】ゼーベック係数の大きな熱電変換材料として優れた新規材料の提供。
【解決手段】α相のＣｅ₂ Ｓ₃ 粉末、または該粉末をβ単相化した粉末原料の焼結体であって、結晶構造がβとγの混合相からなり、ゼーベック係数が６０℃で１０００（μＶ／Ｋ）以上の値を有する硫化セリウム焼結体。酸素濃度が０．９〜１．７質量％、炭素不純物濃度が０．１質量％以下のα相のＣｅ₂ Ｓ₃ 粉末原料、または該粉末を真空加熱によりβ単相化した粉末原料を内面に六方晶層状型窒化ホウ素（ｈ−ＢＮ）を被覆した炭素製型に入れ、真空中で１６００〜２０００Ｋで、β相が消滅しない処理時間内で加圧焼結してβとγの混合相を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化インジウム粉末の飛散を抑えることができ、作業環境濃度を良好に維持し、分散性にも優れた新たな酸化インジウム粉末を提供する。
【解決手段】このような新たな酸化インジウム粉末として、個数平均粒子径０．０１μｍ〜１μｍの酸化インジウム一次粒子が凝集してなる酸化インジウム凝集粒子を主成分粒子として含有する酸化インジウム粉末であって、酸化インジウム凝集粒子の個数平均粒子径が３０μｍ〜３０００μｍであり、好ましく１０５℃雰囲気下に３時間置いた時の加熱減量が０．０３質量％〜２質量％である酸化インジウム粉末を提案する。 （もっと読む）

【課題】生産性が高く、緻密で密着性のよいガスバリア膜を成膜できるイオンプレーティング用蒸発源材料の原料粉末等を提供する。また、イオンプレーティング法に適した蒸発源材料及びその製造方法、並びにガスバリア性シート及びその製造方法を提供する。
【解決手段】平均粒径が５μｍ以下の二酸化ケイ素粉末と、平均粒径が５μｍ以下の炭化ケイ素粉末及び／又は一酸化ケイ素粉末からなるケイ素化合物粉末とを有する原料粉末により、上記課題を解決する。この原料粉末は、二酸化ケイ素粉末の比表面積が６００ｍ^２／ｇ以上であることが好ましく、ケイ素化合物粉末が二酸化ケイ素粉末１００重量部に対して１０重量部以上５０重量部以下で添加されていることが好ましい。本発明のイオンプレーティング用蒸発源材料は、前記原料粉末を焼結又は造粒させて平均粒径が２ｍｍ以上の塊状粒子又は塊状物に加工したものである。 （もっと読む）

【課題】 本願発明が解決しようとする課題は、アークイオンプレーティング法、マグネトロンスパッタ法に用いるターゲット材であって、ドロップレットの生成が抑制され、品質の高い皮膜を形成するのために好適なターゲット材を提供することである。
【解決手段】 本願発明は、Ｂ元素とＭ成分、但し、Ｍ成分は周期律表４ａ、５ａ、６ａ族金属元素、Ｓｉ、Ｓから選択される１種以上の元素を有するターゲット材において、該ターゲット材は、Ｍ成分の窒化物又は炭窒化物を、モル％で５％以上、３０％以下含有し、該窒化物又は該炭窒化物がＢ元素を含む化合物に隣接する組織を有することを特徴とする窒化物含有ターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＺＯスパッタリングターゲットの有する特性を保持したまま、バルク抵抗が低く、密度が高く、粒径がより均一で微細化した組織を持ち、抗折強度が高いスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）の酸化物を含有するスパッタリングターゲットであって、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍは１〜２０の整数）で表されるホモロガス構造化合物及びＺｎＧａ_２Ｏ_４で表されるスピネル構造化合物を含むスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 本願発明は、ＡＩＰ法、ＭＳ法で用いるターゲット材であって、機械的強度が改善されるとともに、ドロップレットの生成が著しく抑制される、品質の高い皮膜を形成するために好適なターゲット材を提供することである。
【解決手段】 本願発明は、ＳｉとＭ成分、但し、Ｍ成分は周期律表４ａ、５ａ、６ａ族金属、Ｂ、Ｓから選択される１種以上の元素を有するターゲット材において、該ターゲット材は、ＳｉとＭ成分及びＳｉの窒化物を有していることを特徴とする窒化物含有ターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、積層セラミックコンデンサなどの積層型電子部品の製造時において、導電ペースト中の有機溶剤により溶解されにくいポリビニルアセタール樹脂を提供する。
【解決手段】 本発明のポリビニルアセタール樹脂は、ケン化度が８０モル％以上で且つ数平均重合度が１０００〜４０００のポリビニルアルコールをアセタール化して得られるポリビニルアセタール樹脂であって、アセタール化度が６０〜７５モル％で、且つ、アセトアルデヒドによりアセタール化された部分とブチルアルデヒドによりアセタール化された部分との比（ブチルアルデヒドによりアセタール化されて消失した水酸基のモル数／アセトアルデヒドによりアセタール化されて消失した水酸基のモル数）が０．１〜２であることを特徴とする。 （もっと読む）