【課題】 外形加工や切断の処理工程において、表面にクラックあるいは脱粒に起因する欠陥の発生し難いガラスセラミック焼結体とそれを用いた反射部材および発光素子搭載用基板ならびに発光装置を提供する。
【解決手段】 ガラスセラミック焼結体１は、ガラス相中に、アノーサイト相と、石英相と、カルシウム・ジルコニウム・シリケート相と、ジルコニア相とを有する。また、発光素子搭載用基板は、発光素子を搭載するための搭載部１１を備えた絶縁基体１３と、該絶縁基体１３の上面において、前記搭載部１１を囲うように設けられた反射部材１９とを有し、前記絶縁基体１３および前記反射部材１９のうち少なくとも一方が上記のガラスセラミック焼結体からなる。 （もっと読む）

【課題】 セラミック積層基板と導体の焼収縮差により焼成後に導体との間に生じていた空隙形成を防ぐことにより、セラミック積層基板と導体双方の密着性を高めることができるセラミック積層回路基板の製造を可能とすることを目的とする。
【解決手段】 ガラス粒子およびアルミナ粒子からなるセラミックス原料粉末、焼結助剤、可塑剤等を溶剤によりスラリー化してグリーンシートを形成するセラミックス回路基板の製造方法であって、低融点ガラスと、有機物からなるフィラーを添加することを特徴とする。前記フィラーは、例えばアクリル樹脂またはメラミン樹脂とする。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性と圧電性が良好で、鉛とカリウムを含まない圧電材料、前記圧電材料を用いた圧電素子または積層圧電素子を提供する。
【解決手段】 下記一般式（１）で表わされるペロブスカイト型金属酸化物からなる圧電材料。
一般式（１）
（１−ｘ）｛（Ｎａ_ｙＢａ_１−ｚ）（Ｎｂ_ｚＴｉ_１−ｚ）Ｏ_３｝−ｘＢｉＦｅＯ_３（式中、ｘ、ｙ、ｚは、０＜ｘ≦０．０１５、０．８０≦ｙ≦０．９５、０．８５≦ｚ≦０．９５を表す。）上記の圧電材料と、前記圧電材料に接して設けられた一対の電極とを少なくとも有する圧電素子。上記の圧電材料からなる圧電材料層と、内部電極を含む電極とが交互に積層された積層圧電素子。 （もっと読む）

【課題】絶縁基体と、この絶縁基体内に埋設された発熱抵抗体とを備え、耐久性の良好なセラミックヒータの製造方法、及びこのようなセラミックヒータを有するグロープラグの製造方法を提供する。
【解決手段】焼成により絶縁基体１０の一部となる第１成形体３０及び焼成により発熱抵抗体１１となる未焼成発熱抵抗体３３を有する半成形体３４を成形する半成形体成形工程と、焼成により絶縁基体１０の残部となる第２成形体３５を、半成形体３４と一体に成形する第２成形体成形工程とを備え、未焼成発熱抵抗体３３の未焼成曲げ返し部３２は、一部が第１成形体３０中に埋められる一方、残部が第１成形体３０から突出しており、半成形体成形工程は、未焼成曲げ返し部３２と成形体内側部５２とがなす内側角θｉと未焼成曲げ返し部３２と成形体外側部５５とがなす外側角θｏの少なくともいずれかが、９０度よりも大きい形態に、半成形体３４を成形する。 （もっと読む）

【課題】費用が安く純度の高いα−アルミナを得るための手段を提供する。
【解決手段】α−アルミナ焼成体を生産する方法のフロー１は、ベーマイトに加水するステップ１０１、混練するステップ１０２、脱気するステップ１０３、押出成形するステップ１０４、および焼くステップ１０５を備えている。前記ステップ１０３およびステップ１０４において、ベーマイトを脱気し、高圧で押出成形することによりベーマイト内部の気体を排除することができるので、ステップ１０５において、１回の焼成のみでサファイア単結晶の原料として要求される高い嵩密度を備えたα−アルミナ焼成体を生産することができる。 （もっと読む）

【課題】透光性配線基板において、熱サイクル印加後に配線パターンの透光性アルミナ基板への接着を維持し、かつ配線基板の透光性が得られるようにする。
【解決手段】透光性配線基板８は、透光性アルミナ基板１と、透光性アルミナ基板１上に形成されている配線パターン２とを備える。透光性アルミナ基板１を構成する透光性アルミナにおけるＳｉＯ_２の含有量が１５０〜３００質量ｐｐｍであり、ＭｇＯの含有量が１００〜２５０質量ｐｐｍであり、ＳｉＯ_２の含有量がＭｇＯの含有量より多く、ＳｉＯ_２およびＭｇＯを除くアルミナ純度が９９．９質量％以上であり、結晶粒子径が２０μｍ以上である。透光性アルミナ基板１の配線パターン２以外の部分の前方全透過率が５０％以上である。 （もっと読む）

【課題】セラミック積層基板のような焼結構造体を製造する際に、生積層体を焼成する過程において、セラミックグリーンシートが１５〜３０％程度収縮するため、焼結構造体の寸法精度を高めることが難しいという課題があった。
【解決手段】本発明の一態様に係る焼結構造体の製造方法は、板状体および基体を準備する準備工程と、板状体および基体を焼成一体化する焼成工程と、個片に分割する分割工程とを有しており、板状体に含まれる第１焼結材料と同じ焼成条件における焼結収縮率が第１焼結材料よりも小さい第２焼結材料を含み、複数の開口部を２次元配列して設けているとともに隣接する開口部間の隔壁の厚さを等しくした基体を用いることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】耐電圧特性に優れた絶縁材料及びこれを用いた点火プラグを提供すること。
【解決手段】アルミナ結晶を主相とし、該アルミナ結晶を構成する結晶粒１１の粒界に非晶質の粒界相１２を有するアルミナ質焼結体１からなる絶縁材料である。アルミナ質焼結体１において、粒界相１２は、ＳｉＯ₂にＣａＯ及び／又はＭｇＯが添加されたガラス成分中に、特定成分として希土類元素の酸化物及び／又は周期律表第４族元素の酸化物を含有する。アルミナ質焼結体１の断面においては、アルミナ結晶の結晶粒１１の平均結晶粒径が２μｍ以下であり、粒界相１２の外周形の円形度の平均が０．４〜０．６である。また、アルミナ質焼結体１からなる絶縁材料を絶縁碍子として用いた点火プラグである。 （もっと読む）

【課題】電気特性の向上及び加工容易性の向上を図ることができるアルミナ質焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】主原料であるＡｌ_２Ｏ_３、第１副原料としてのＴｉ化合物及び第Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇ及びＢａのうち少なくとも１種を複合させた、第１副原料とは異なる２副原料が混合されることにより原料が調製される。各副原料の添加量が、ｐ₁＝０．０５〜１．５０及びｐ₂＝０．０５〜２．５０により定義される「第１添加量範囲」又はｐ₁＝０．０５〜０．６０及びｐ₂＝０．０５〜１．２０により定義される「第２添加量範囲」に含まれるように調節される。 （もっと読む）

【課題】環境汚染がなく、且つ低融点低抵抗金属と同時焼成可能で基板の反りが少なく、白色性が強い無鉛ガラスセラミックス組成物を提供すること。
【解決手段】本発明は40〜55重量%のガラス粉末と45〜60重量%の無機フィラーを配合・焼成されてなり、該ガラス粉末のガラス組成が、重量%でSiO₂を55〜60%、Al₂O₃を11〜12%、CaOを16〜18%、ZnOを0〜4%含有しており、且つ実質的にPbO、MgOおよびAs₂O₃、Sb₂O₃を含有しないことを特徴とする無鉛白色ガラスセラミックス組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】セラミック立体リソグラフィ法を利用してセラミック物品を生産する方法において、寸法的に正確なセラミック立体リソグラフィ物品を製造するためセラミック物品の異方性収縮を補償する方法を提供する。
【解決手段】三次元座標系に関連して物品４５をその寸法を含めて表示する工程にして、該物品はセラミック粒子を含む光重合性材料５０，５１，５２，５３から立体リソグラフィ装置５００において生のセラミック物品として形成されるよう適合された、工程と、該生のセラミック物品を焼結した時の、該座標系の軸と関連した該生のセラミック物品の異方性収縮を補償するため、少なくとも２つの等しくない倍率を該寸法に適用する工程と、前記適用する工程の後、該立体リソグラフィ装置において該生のセラミック物品を組立てる工程と、該寸法と実質的に一致する焼結セラミック物品を形成するため該生のセラミック物品を加熱する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】高誘電強度で、高濃度で、光の通過を可能にする光学的性質を有する点火プラグ絶縁体を提供する。
【解決手段】点火プラグは、密度が約３．９５ｇ／ｃｍ³以上の絶縁体を備え、絶縁体は、少なくとも９９．５％のＡｌ₂Ｏ₃および、各々が約１０〜１０００ｐｐｍである、Ｙ₂Ｏ₃、ＭｇＯ、Ｌａ₂Ｏ₃遷移金属酸化物およびランタン系列の酸化物からなるグループから選択される少なくとも２つの材料を含み、前記絶縁体の多孔度は０．３％以下である。 （もっと読む）

【課題】低温焼結が可能で、高周波領域での誘電損失が低く、共振周波数の温度係数τｆの絶対値がゼロに近いセラミックス焼結体を得ることが可能なセラミックス組成物、該組成物から得られるセラミックス焼結体、及び該焼結体を用いた電子部品を提供する。
【解決手段】ＢａＯ １０〜７０質量部、ＳｉＯ_２ ２０〜８０質量部、Ａｌ_２Ｏ_３ ０．１〜３０質量部からなり、固相反応法により合成されたＢａＯ−ＳｉＯ_２−Ａｌ_２Ｏ_３系セラミックス粉末１００質量部に対し、ＳｒＴｉＯ_３粉末を２．２〜１７．４質量部、Ｚｎ成分を酸化物換算で２．３〜８．１質量部、Ｃｕ成分を酸化物換算で０．９〜３．５質量部、Ａｇ成分を酸化物換算で０〜３．５質量部、Ｂｉ成分を酸化物換算で０〜２３．３質量部、Ｂ成分を酸化物換算で０．５〜３．３質量部含有するセラミックス組成物。該組成物を用いて、セラミックス焼結体及び電子部品を得る。 （もっと読む）

【課題】発光素子搭載基板の抗折強度を低下させずにサーマルビアの凸状高さを低くした発光装置を提供する。
【解決手段】モル百分率表示で、ＳｉＯ_２を５７〜６５％、Ｂ_２Ｏ_３を１４〜１８％、 ＣａＯを９〜２３％、Ａｌ_２Ｏ_３を３〜８％、Ｋ_２ＯおよびＮａ_２Ｏの少なくともいずれか一方を合計で３〜６％でかつＮａ_２Ｏを２％以上含有し、鉛酸化物を含有しないガラス粉末とセラミックスフィラーとを含有する発光素子搭載基板用ガラスセラミックス組成物。 （もっと読む）

【課題】誘電層の厚みのバラツキを小さく抑える。
【解決手段】静電チャックの製法として、（ａ）成形型にセラミック粉体、溶媒、分散剤及びゲル化剤を含むセラミックスラリーを投入し、その成形型内でゲル化剤を化学反応させてスラリーをゲル化させたあと離型することにより、第１及び第２のセラミック成形体１１、１２を得る工程と、（ｂ）第１及び第２のセラミック成形体を乾燥したあと脱脂し、更に仮焼することにより、第１及び第２のセラミック仮焼体を得る工程と、（ｃ）第１及び第２のセラミック仮焼体のいずれか一方の表面に静電電極用ペースト１４を印刷して静電電極とする工程と、（ｄ）静電電極を挟み込むようにして第１及び第２のセラミック仮焼体を重ね合わせた状態でホットプレス焼成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムが均一に分散した酸化マグネシウム前駆体から作製することにより、十分に焼結密度が高い、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、及びアルミニウムを含む酸化マグネシウム焼結体を製造することが可能な製造方法を提供する。
【解決手段】酸化マグネシウム、酸化カルシウム、及びアルミニウムを含む酸化マグネシウム焼結体を製造する方法において、まず、アルミニウムを含む水酸化マグネシウムスラリーを調製し、前記水酸化マグネシウムスラリーを水熱処理した後、濾過、水洗、及び乾燥させて、水酸化マグネシウム粒子を得、これを焼成して、酸化マグネシウム粒子を得る。次に、前記酸化マグネシウム粒子、カルシウム化合物粒子、及びバインダーを混合、造粒して得た造粒粉末を型内で成形して成形体を形成し、前記成形体を焼結することで、前記焼結体を製造する。 （もっと読む）

【課題】セラミック基板上の金属膜（第１の金属層、第２の金属層）のエッチング工程の歩留まりを向上させることのできるセラミック基板を提供する。
【解決手段】セラミック部２と、セラミック部２の少なくとも１面に、ビスマス（Ｂｉ）、カドミウム（Ｃｄ）、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）から選択された少なくとも１つの金属が拡散されためっき抑制層３と、から構成されるセラミック基板としたので、第１の金属層７を形成する際に、これらビスマス（Ｂｉ）、カドミウム（Ｃｄ）、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）から選択された少なくとも１つの金属が触媒毒として働き、第１の金属層７の成分がセラミック部２の表面深くから成長するのを抑制できるため、容易に金属膜（特に第１の金属膜７）をエッチングによって除去でき、その結果として、セラミック基板上の金属膜（第１の金属層７、第２の金属層８）のエッチング工程の歩留まりを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が高く、効率のよい放熱性を達成でき、電子機器等の発熱部位における冷却用途に利用でき、しかも機械的強度や耐熱衝撃性にも優れる、アルミナ焼結体である熱放射部材用セラミックスの製造方法、および上記の機能が発揮できる結晶粒の成長を抑えたアルミナ焼結体である熱放射部材用セラミックスの提供。
【解決手段】アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）の含有量が９９．５質量％以上で、かつ、平均粒子径が０．２〜１μｍであるアルミナ粉末を原料として用い、該粉末を５０〜１００μｍの顆粒状にする顆粒化工程と、該顆粒化工程で得られた顆粒状のアルミナを含む原料を加圧成形する成形工程と、該成形工程で得られた成形体を大気雰囲気中で加熱して、１，４８０〜１，６００℃の焼成温度で焼成して焼結体を得る焼成工程とを有する熱放射部材用セラミックスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットであって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能であり、特に、直流スパッタリング法で製造しても長時間安定して放電することが可能な直流放電安定性に優れた酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化スズと；Ａｌ、Ｈｆ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｉｎ、およびＴａよりなる群から選択される少なくとも１種の金属（Ｍ金属）の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、面内方向および深さ方向の比抵抗をガウス分布で近似したとき、上記比抵抗の分散係数σが０．０２以下である。 （もっと読む）