【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と、酸化スズと、酸化インジウムの各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であり、前記酸化物焼結体に対してＥＰＭＡによる面内組成マッピングを行なったとき、測定面積中に占める、Ｓｎ濃度が１０〜５０質量％の領域の比率が７０面積％以上である。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットであって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能であり、特に、直流スパッタリング法で製造してもノジュールが発生し難く、長時間安定して放電することが可能な直流放電安定性に優れた酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化スズと；Ａｌ、Ｈｆ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｉｎ、およびＴａよりなる群から選択される少なくとも１種の金属（Ｍ金属）の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、ビッカース硬度が４００Ｈｖ以上である。 （もっと読む）

【課題】比抵抗値を広い範囲内で調整することができると共に、比抵抗値の温度依存性を調整することが可能な導電性セラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】導電性セラミックス焼結体は、ドーパントを含む半導体セラミックスの第一相１０と、非導電性セラミックスの第二相２０とを具備し、第二相が第一相に取り囲まれて散在している海島構造を有する。上記構成において、第一相は、第一相全体におけるドーパントの平均濃度よりドーパントの濃度が高く、第二相を被覆しているＤ高濃度相１１と、第一相全体におけるドーパントの平均濃度よりドーパントの濃度が低いＤ低濃度相１２とからなるものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ特性の均一性、ＴＦＴ特性の再現性及びＴＦＴの歩留りが良好なＴＦＴパネルが得られる複合酸化物焼結体、及びそれからなるスパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】Ｉｎ、Ｚｎ及びＳｎを含み、焼結体密度が相対密度で９０％以上であり、平均結晶粒径が１０μｍ以下であり、バルク抵抗が３０ｍΩｃｍ以下であり、直径１０μｍ以上の酸化スズの凝集粒子数が、１．００ｍｍ^２あたり２．５個以下である複合酸化物焼結体。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と、酸化スズと、酸化インジウムの各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であり、前記酸化物焼結体をＸ線回折し、２θ＝３４°近傍のＸＲＤピークの強度をＡ、２θ＝３１°近傍のＸＲＤピークの強度をＢ、２θ＝３５°近傍のＸＲＤピークの強度をＣ、２θ＝２６．５°近傍のＸＲＤピークの強度をＤで表したとき、下記式（１）を満足する。
７０＞［Ａ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ）］×１００≧１０ ・・・ （１） （もっと読む）

【課題】 規則化温度の低い膜を成膜することができると共にパーティクルの発生が抑制可能な磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットが、一般式：｛（Ｆｅ_ｘＰｔ_{１００−ｘ}）_{（１００−ｙ）}Ａ_ｙ｝_{（１００−ｚ）}Ｃ_ｚ、ここでＡがＡｕおよびＣｕの少なくとも一方からなる金属であり、原子比により３０≦ｘ≦８０、１≦ｙ≦３０、３≦ｚ≦６３で表される組成を有した焼結体からなる。また、このスパッタリングターゲットの製造方法は、ＡｕＰｔ合金粉およびＣｕＰｔ合金粉の少なくとも一方と、ＡｇＰｔ合金粉と、ＦｅＰｔ合金粉と、Ｐｔ粉と、グラファイト粉またはカーボンブラック粉と、の混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程を有している。 （もっと読む）

【課題】六方晶系窒化ホウ素を快削性付与剤として含み、比較的低温で、かつ、無加圧下でも製造が可能な快削性セラミックス及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の快削性セラミックスは、快削性付与剤としての六方晶系窒化ホウ素粉体と、焼結助剤としてのアルミノケイ酸塩粉体と、基材としてのセラミックス粉体（ただし六方晶系窒化ホウ素及びアルミノケイ酸塩は除く）との混合物の焼結体からなり、前記六方晶系窒化ホウ素粉体の粒子には表面のみならず内部にも酸素が含まれていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】環境に優しく、各種圧電特性がバランス良く優れた圧電材料を提供する
【解決手段】一般式｛（Ｋ_１-aＮａ_ａ）_１−ｂＬｉ_ｂ｝（Ｎｂ_{１−ｃ−ｄ}Ｔａ_ｃＳｂ_ｄ）Ｏ_３＋ｘｍｏｌ％Ｂａ_ｎＴｉＯ_３＋ｙｍｏｌ％ＣｕＯで表される圧電材料であって、０＜ａ≦０．９、０＜ｂ≦０．３、０＜ｃ≦０．５、０＜ｄ≦０．１、０．５≦ｘ＜１０．０、０．９≦ｎ≦１．２、０．１≦ｙ≦８．０であることを特徴とする。より好適には、電気機械結合係数Ｋｐ、比誘電率εｒ、機械品質係数Ｑｍがそれぞれ、Ｋｐ≧２５％、εｒ≧５００、Ｑｍ≧５００である圧電材料とすることである。 （もっと読む）

【課題】 熱膨張係数が小さくかつ誘電正接の小さいムライト質焼結体とこれを絶縁層とする多層配線基板ならびにプローブカードを提供する。
【解決手段】 ムライト質焼結体がムライトを主結晶相とし、チタン酸アルミニウムマグネシウムを含有してなるものであり、また、このムライト質焼結体を多層配線基板やプローブカードの絶縁層として適用する。 （もっと読む）

【課題】低抵抗な透明導電膜を得ることが可能で、耐異常放電性を有する焼結密度の高いＺｎＯ系焼結ターゲットを提供すること。
【解決手段】
Ｇａ_２Ｏ_３及び／又はＡｌ_２Ｏ_３を含むＺｎＯ系粉体に、Ｂ_２Ｏ_３を０．４ｗｔ％以下を添加したことを特徴とするＺｎＯ系ターゲット。Ｇａ_２Ｏ_３及び／又はＡｌ_２Ｏ_３を含むＺｎＯ粉体にＢ_２Ｏ_３粉体を混合した後、７００〜１０００℃で仮焼結し、仮焼結体を粉砕後プレス成形した後、１２００℃超の温度で焼結することを特徴とするＺｎＯ系焼結ターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、熱伝導性に優れた窒化ホウ素粒子及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】
ホウ酸メラミンと、粉末X線回折法による黒鉛化指数（ＧＩ）２．０以下、平均粒子径５〜４０μmの鱗片状窒化ホウ素粉末からなり、平均粒子径が４０〜３００μmである複合粒子。有機バインダーを０．０５〜１．０質量％含有した水溶液１００質量部に対し、ホウ酸メラミン１００質量部に対して鱗片状窒化ホウ素が１．０〜２０質量部の混合物１０〜５０質量部含有するスラリーを用いて、噴霧造粒する複合粒子の製造方法。複合粒子を、非酸化性雰囲気下６００〜１３００℃で焼成後、非酸化性雰囲気下１６００〜２２００℃で焼成する窒化ホウ素粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】加熱効率のよいマイクロ波加熱用断熱材を提供する。
【解決手段】無機酸化物を基材とするマイクロ波加熱用の断熱材であって、微細なカーボン粒子を断熱材に分散させたことにある。カーボンの割合は、０.００１〜６ｗｔ％であることが好ましい。また、断熱材の密度を２〜６ｇ／cm³とすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】予備スパッタ工程に要する時間を短縮化し、そのばらつきも小さくなるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】スパッタリングターゲットは、酸化亜鉛を主成分とする焼結体からなり、焼結体の表面の水との接触角が８０°以下である。これは、アセトン又はアルコールを用いて表面が洗浄されることによる。そして、この洗浄後、湿度が４０〜８０％、温度が室温から１００℃以下の環境化で１時間以上静置されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】１０００℃以下で焼成可能で、低抵抗金属を含有する配線層を同時焼成にて形成することができ、実装信頼性の高い配線基板を提供する。
【解決手段】 必須成分として、ＳｉＯ_２４０〜６５質量％、Ｂ_２Ｏ_３５〜２０質量％、Ａｌ_２Ｏ_３１０〜２０質量％、アルカリ土類金属酸化物のうち少なくとも１種をその合量で１０〜４５質量％含有し、かつ１０００℃以下の熱処理を施した際においても結晶化しない非晶質ガラス粉末４０〜７０質量％と、コーディエライト、ムライト、石英ガラスの群から選ばれる少なくとも１種のフィラー粉末３０〜６０質量％とを含有することを特徴とするガラスセラミック組成物。 （もっと読む）

【課題】焼結性を向上させることができると共に耐還元性を付与することができ、しかも比誘電率を高めることができる積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ１は、積層された複数の誘電体セラミック層２と、これらの誘電体セラミック層間に配置された内部電極３Ａ３Ｂと、これらの内部電極に電気的に接続された外部電極４Ａ４Ｂと、を備え、上記誘電体セラミック層は、組成式（Ｋ_１−ｙＮａ_ｙ）Ｓｒ_２Ｎｂ_５Ｏ_１５（但し、０≦ｙ＜０．２）で表されるタングステンブロンズ型複合酸化物を主成分として含む誘電体セラミック組成物によって形成されていると共に、上記組成式中のＮｂの２０モル％以下が副成分で置換されており、上記副成分として、Ｍｎが含まれると共にＣｒ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｓｉから選択される少なくとも一種が含まれることがある。 （もっと読む）

【課題】光学特性が材料中で連続的に変化している透光性多結晶材料を製造する。
【解決手段】磁場内に置くと力を受ける単結晶粒子群を含むスラリーを磁束密度が空間に対して変化している磁場内で固定化してから焼結する。例えば、Ｅｒを添加したＹＡＧの単結晶粒子群と希土類を添加しないＹＡＧの単結晶粒子群を含むスラリーを、磁場強度が不均一に分布している磁場内で固定化すると、強磁場の位置では、Ｅｒを添加したＹＡＧがリッチで結晶方向が揃っているレーザ発振領域となり、弱磁場の位置では、希土類が添加されていないＹＡＧがリッチで光を透光する領域となる。レーザ発振するコアと、コアの周辺にあって励起光をコアに導くガイドを併せ持った多結晶材料を同時に製造できる。 （もっと読む）

【課題】Ｋ_ｘＮａ_{（１−ｘ）}Ｎｂ０_３を母材として、環境に優しく、圧電特性に優れる圧電材料をより安価に提供する。
【解決手段】一般式Ｋ_ｘＮａ_{（１−ｘ）}Ｎｂ０_３で表される化合物を主成分として含んだ圧電材料であって、０．１≦ｘ≦０．７であるとともに、Ｃｕ酸化物が１０ｍｏｌ％以下、ＢａＴｉＯ_３が、１．０ｍｏｌ％以上、２０ｍｏｌ％以下添加されている圧電材料とした。また。さらに、ガラスが０．１ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下添加されている圧電材料とすればより好ましい。 （もっと読む）

【課題】六方晶系窒化ホウ素を快削性付与剤として含み、より低温で焼成可能であって、かつ、無加圧下で製造が可能な快削性セラミックス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】粒子の表面のみならず内部にも酸素が含まれている快削性付与剤としての六方晶系窒化ホウ素粉体と、基材としてのセラミックス粉体（ただし六方晶系窒化ホウ素は除く）とを混合して焼結用混合粉とし（混合工程）、該焼結用混合粉を圧力成形してプレ成形体とし（プレ成形工程）、プレ成形体を非酸化性ガス雰囲気下又は真空中において焼結する（焼結工程）。 （もっと読む）

【課題】環境に優しく、実用に耐える圧電特性を維持しつつ生産性に優れたＫ_ｘＮａ_{（１−ｘ）}Ｎｂ０_３を母材とした圧電材料を提供する。
【解決手段】焼結体からなる圧電材料であって、一般式Ｋ_ｘＮａ_{（１−ｘ）}Ｎｂ０_３で表されるとともに０．０２≦ｘ≦０．５である化合物に、ＺｎＯを最も多く含むＺｎ系ガラスと、Ｆｅ_２Ｏ_３とが添加されてなる圧電材料とした。より好ましくは、前記Ｚｎ系ガラスと前記Ｆｅ_２Ｏ_３が、ともに０ｗｔ％よりも多く、１．０ｗｔ％以下の質量比で添加されている圧電材料とすることである。 （もっと読む）

【課題】クラック、断線、短絡等の発生が防止された、信頼性の高い導体パターンを備えた信頼性の高い配線基板を効率よく製造することのできる製造方法を提供すること。
【解決手段】セラミックス材料とバインダーとを含む材料で構成され、少なくとも表面付近の一部に酸または塩基を含むシート状のセラミックス成形体１５を用意するセラミックス成形体用意工程と、前記セラミックス成形体１５の酸または塩基を含む領域に、金属粒子と有機成分とを含む導体パターン形成用インク２００を液滴吐出法により吐出して、導体パターン前駆体１０を形成する導体パターン前駆体形成工程と、複数の前記セラミックス成形体１５を積層して積層体１７を得る積層工程と、前記積層体１７を焼結して、導体パターン２０およびセラミックス基板３１とを有する配線基板３２を得る焼成工程とを有する。 （もっと読む）