【課題】ニオブ酸ナトリウムを含む配向セラミックスの製造方法およびその原料を提供する。
【解決手段】各辺の長さが０．１μｍ以上１００μｍ以下の直方体状であり、前記直方体の少なくとも１つの面が、擬立方晶表記で（１００）面であるニオブ酸ナトリウム粒子からなるニオブ酸ナトリウム粉末であり、前記ニオブ酸ナトリウム粉末がペロブスカイト単相構造であることを特徴とするニオブ酸ナトリウム粉末。 （もっと読む）

【課題】圧電性能が良好な（１−ｘ）ＮａＮｂＯ_３−ｘＢａＴｉＯ_３の配向性圧電セラミックスを提供する。また本発明は、前記（１−ｘ）ＮａＮｂＯ_３−ｘＢａＴｉＯ_３の配向性圧電セラミックスを用いた圧電素子、ならびに前記圧電素子を用いた液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表わされる金属酸化物を主成分として含み、鉛とカリウムの含有量は各々１０００ｐｐｍ以下であることを特徴とする配向性圧電セラミックス一般式（１） （１−ｘ）ＮａＮｂＯ_３−ｘＢａＴｉＯ_３（式中、 ０ ＜ ｘ ＜ ０．３）。 （もっと読む）

【課題】低温焼結が可能で、高周波領域での誘電損失が低く、共振周波数の温度係数τｆの絶対値がゼロに近いセラミックス焼結体を得ることが可能なセラミックス組成物、該組成物から得られるセラミックス焼結体、及び該焼結体を用いた電子部品を提供する。
【解決手段】ＢａＯ １０〜７０質量部、ＳｉＯ_２ ２０〜８０質量部、Ａｌ_２Ｏ_３ ０．１〜３０質量部からなり、固相反応法により合成されたＢａＯ−ＳｉＯ_２−Ａｌ_２Ｏ_３系セラミックス粉末１００質量部に対し、ＳｒＴｉＯ_３粉末を２．２〜１７．４質量部、Ｚｎ成分を酸化物換算で２．３〜８．１質量部、Ｃｕ成分を酸化物換算で０．９〜３．５質量部、Ａｇ成分を酸化物換算で０〜３．５質量部、Ｂｉ成分を酸化物換算で０〜２３．３質量部、Ｂ成分を酸化物換算で０．５〜３．３質量部含有するセラミックス組成物。該組成物を用いて、セラミックス焼結体及び電子部品を得る。 （もっと読む）

【課題】焼結後の冷却時における割れの発生を抑制することができる酸化物スパッタリングターゲット及びその製造方法並びにこれに用いる緩衝粉を提供すること。
【解決手段】焼結後の冷却時に膨張する金属酸化物粉を含む圧粉体を形成する工程と、該圧粉体を型内に配置し該型内の前記圧粉体の外周に緩衝粉を充填した状態で熱間加工して酸化物スパッタリングターゲットとなる酸化物焼結体４を作製する工程とを有し、緩衝粉３を、熱間加工時の加熱により焼結すると共に焼結後の冷却時に酸化物焼結体４の膨張により緩衝粉３による焼結体が割れる粉末とする。 （もっと読む）

【課題】異常放電やノジュールの発生が少ない、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物のスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】２θ＝７．０°〜８．４°、３０．６°〜３２．０°、３３．８°〜３５．８°、５３．５°〜５６．５°、５６．５°〜５９．５°、１４．８°〜１６．２°、２２．３°〜２４．３°、３２．２°〜３４．２°、４３．１°〜４６．１°、４６．２°〜４９．２°及び６２．７°〜６６．７°の領域Ａ〜Ｋに回折ピークを有する酸化物Ａと、ＩｎＧａＺｎＯ_４とを含有するスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】半導体材料等として有用な新規なＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎを含む酸化物であって、４つの層状構造を１ユニットとする繰り返し構造を含み、前記層状構造はそれぞれＩｎ、Ｇａ、Ｚｎのうち少なくとも１つを含む酸化物からなる酸化物。 （もっと読む）

【課題】高移動度の薄膜トランジスタ、その製造方法及びその製造に用いるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】元素Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを下記領域１、２又は３の原子比の範囲で含む酸化物を活性層とし、電界効果移動度が２５ｃｍ^２／Ｖｓ以上である薄膜トランジスタ。
領域１
０．５８≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．６８
０．１５＜Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．２９
領域２
０．４５≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）＜０．５８
０．０９≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）＜０．２０
領域３
０．４５≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）＜０．５８
０．２０≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．２７ （もっと読む）

【課題】 従来、埋め立て処分や焼却処分による破棄処分によらなければ、大量の処理をできなかった貝殻廃棄物を、多量に処理でき、かつ、処理後には有効に利用できる物質へと変換できる貝殻の有効利用方法を提供する。
【解決手段】 貝殻を粉砕し石炭灰と混合して、及び／又は、貝殻と石炭灰を混合後に粉砕して、貝殻粉末と石炭灰の混合粉末を得、これを１０００〜１４００℃の温度で焼成する、アノーサイト（ＣａＯ・Ａｌ_２Ｏ_３・２ＳｉＯ_２）を含有する焼成物とする。この際、混合粉末の化学組成が、ＳｉＯ_２を３４〜６３質量％、Ａｌ_２Ｏ_３を２２〜４２質量％、ＣａＯを１２〜２８質量％（特に含ＳｉＯ_２を４０〜５５質量％、Ａｌ_２Ｏ_３を２７〜３７質量％、ＣａＯを１５〜２３質量％）含むようにすると、焼成物中のアノーサイトの割合がいっそう高くなる。該アノーサイトを含む焼成物は、セメントの混合材や細骨材として有効に利用できる。 （もっと読む）

【課題】バーナーの小型化、少台数化、短時間の熱交換を図ることができ、しかも熱膨張、酸化、腐食等により損耗し難い蓄熱部材及び熱交換器を提供する。
【解決手段】理論密度比で９５％以上の緻密質セラミックスからなる蓄熱部材であって、
前記緻密質セラミックスが、平均結晶粒径２〜５０μｍ、平均アスペクト比４以上１０未満、純度８５質量％以上のアルミナ質セラミックスを含み、該アルミナ質セラミックスが、アルミナ以外の成分系として、それぞれ０．１〜６質量％の、マグネシア（ＭｇＯ）、シリカ（ＳｉＯ_２）、希土類酸化物（ＲＥ_２Ｏ_３及び／又はＲＥＯ_２、ＲＥ：希土類元素）、酸化鉄(Ｆｅ_３Ｏ_４及び/又はＦｅ_２Ｏ_３）、カルシア（ＣａＯ）、クロミア（Ｃｒ_２Ｏ_３）、前記以外の遷移金属酸化物、又は、これらの複合酸化物の少なくとも１種以上を含有することを特徴とする蓄熱部材。 （もっと読む）

【課題】コージェライト焼結体の耐熱衝撃性を向上させること。
【解決手段】焼結体板１は、コージェライトを主成分として含み、１．０ｗｔ％以上５．０ｗｔ％以下のＴｉＯ₂をさらに含む。このような焼結体板１は、コージェライト粉末とＴｉＯ₂粉末との混合粉を１３００℃以上１４００℃以下で焼結して得られたものであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】焼成によって正極活物質を製造する間に原料から拡散するリチウム成分に対する耐食性が高い窯道具を提供すること。
【解決手段】本発明のリチウム二次電池の正極活物質製造用の窯道具は、βスポジュメンを含むセラミック素材からなる。窯道具におけるＬｉ₂Ｏの含有割合は１〜１２質量％であり、Ａｌ₂Ｏ₃の含有割合は１５〜４０質量％であり、ＳｉＯ₂の含有割合は５５〜７５質量％であることが好適である。窯道具におけるＮａ₂Ｏの含有割合が１質量％以下であり、Ｋ₂Ｏの含有割合が２質量％以下であり、かつ両者の総和が３質量％以下であることも好適である。 （もっと読む）

【課題】 透光性が良好なＬａＡｌＯ３セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】 ＬａＡｌＯ３の粉末を４０℃／分以上の昇温速度で１６００℃以上１８００℃以下の焼結温度に加熱した後、前記焼結温度に３分以上４５分以下の時間保持して焼結する焼結工程をＬａＡｌＯ３セラミックスの製造方法。ＬａＡｌＯ３の粉末を１６００℃以上１８００℃以下の焼結温度に加熱して焼結して焼結体を得る焼結工程、前記焼結体を９００℃以上１３００℃以下の温度でアニールするアニール工程を有するＬａＡｌＯ３セラミックスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 歪みが小さい多結晶シリコン焼結体を、複数枚同時に製造することを可能とする多結晶シリコン焼結体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 シリコン粉末および成形助剤の混合粉を成形してなる複数の板状成形体を積層配置すること、前記積層配置した成形体の最上部に荷重をかけること、および前記積層配置し、荷重をかけられた成形体を、非酸化性雰囲気下もしくは還元性雰囲気下で焼成処理することを具備することを特徴とする多結晶シリコン焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】誘電層の厚みのバラツキを小さく抑える。
【解決手段】静電チャックの製法として、（ａ）成形型にセラミック粉体、溶媒、分散剤及びゲル化剤を含むセラミックスラリーを投入し、その成形型内でゲル化剤を化学反応させてスラリーをゲル化させたあと離型することにより、第１及び第２のセラミック成形体１１、１２を得る工程と、（ｂ）第１及び第２のセラミック成形体を乾燥したあと脱脂し、更に仮焼することにより、第１及び第２のセラミック仮焼体を得る工程と、（ｃ）第１及び第２のセラミック仮焼体のいずれか一方の表面に静電電極用ペースト１４を印刷して静電電極とする工程と、（ｄ）静電電極を挟み込むようにして第１及び第２のセラミック仮焼体を重ね合わせた状態でホットプレス焼成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】比抵抗値を広い範囲内で調整することができると共に、比抵抗値の温度依存性を調整することが可能な導電性セラミックス焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】非導電性セラミックスの粗大粒子、微細粒子、及び／または、加熱により非導電性セラミックスを生成する原料を含む混合原料から成形体を得る成形工程、及び、成形体を焼成する焼成工程を具備し、成形工程でドーパントを含む化合物が添加された混合原料から成形体を得ることにより、及び／または、焼成工程をドーパントが存在する雰囲気下で行うことにより、微細粒子及び／または非導電性セラミックス生成原料に由来しドーパントとしてアクセプター及びドナーを含む半導体セラミックスの第一相１０と、粗大粒子に由来する非導電性の第二相２０とを備える焼結体を製造し、第一相におけるアクセプター及びドナーの濃度により、焼結体の比抵抗値及び比抵抗値の温度依存性を変化させる。 （もっと読む）

【課題】より信頼性の高い強度特性を備えた固体酸化物形燃料電池用電解質シートを提供する。
【解決手段】本発明の固体酸化物形燃料電池用電解質シートは、少なくとも一方の面において、蛍光浸透探傷試験で検出される前記シートの表面のキズの数が、前記シートを１辺３０ｍｍ以内の区画に分割して得られる各区画で３０点以下である。本発明の固体酸化物形燃料電池用単セルは、燃料極と、空気極と、前記燃料極と前記空気極との間に配置された本発明の固体酸化物形燃料電池用電解質シートとを備える。本発明の固体酸化物形燃料電池は、本発明の固体酸化物形燃料電池用単セルを備える。 （もっと読む）

【課題】高価な繊維を使用すること無く、効率よく製造できるディスクロール及びその基材を提供する。
【解決手段】４５μｍ以上のショットが５重量％以下の、アルミナ４０重量％以上６０重量％以下とシリカ４０重量％以上６０重量％以下を含むアルミナシリケート繊維２０〜３８重量％と、木節粘土１０〜３０重量％と、ベントナイト２〜２０重量％と、マイカ２０〜４０重量％とを含むディスクロール用基材。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法を用いて酸化物半導体膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し、酸化物半導体膜を安定かつ再現性よく得ることができるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ、及びＡｌの割合が下記式（１）及び（２）の原子比となるように原料化合物を混合後、成形体とする工程、及び、前記成形体を、８００℃から焼結温度までの温度範囲を０．１℃／分〜２℃／分の昇温速度で昇温した後、１４５０℃〜１６５０℃に１０〜５０時間保持することにより焼結する工程を含むことを特徴とする焼結体の製造方法。
Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ａｌ）＝０．０１〜０．０８ （１）
Ａｌ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ａｌ）＝０．０００１〜０．０３ （２） （もっと読む）

【課題】遊色効果に加え、ピンク色ないし金赤色の色調をさらに呈する宝飾部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】規則的に三次元配列している非晶質珪酸からなる複数の球状体２と、該複数の球状体２が互いに隣接することによって形成されている間隙４に位置している金３と、を備える、宝飾部材１とその製造方法である。複数の球状体２は、単純立方構造、面心立方構造、六方最密構造、体心立方構造、およびこれらが部分的に共存している複合構造から選ばれる少なくとも１種の構造をなすように配列している。 （もっと読む）

【課題】 熱処理される原料粉末を汚染することが抑えられ、かつ耐熱衝撃性に優れたリチウムイオン電池用正極活物質用熱処理容器を提供すること。
【解決手段】 本発明のリチウムイオン電池用正極活物質用熱処理容器は、リチウムイオン電池用正極活物質の原料粉末を熱処理するときに原料粉末が配されるリチウムイオン電池用正極活物質用熱処理容器において、全体を１００ｍａｓｓ％としたときに、６０〜９５ｍａｓｓ％でアルミナと、１０〜２０ｍａｓｓ％でシリカと、を含有するとともに、ＭｇＯ，ＺｒＯ_２，Ｌｉ化合物を含まず、かつ熱膨張率が０．５８４〜０．６５９％であることを特徴とする。 （もっと読む）