【課題】比較的に高い比誘電率を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲（たとえば、２０〜３５０℃）において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】一般式ａ（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３−ｂＢａＴｉＯ_３で表される化合物を有し、前記ａ、ｂおよびｘが、ａ＋ｂ＝１、０．６２≦ａ≦０．８０、０≦ｘ≦０．５６の関係を満足することを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】高周波領域で使用するための誘電体、特に誘電体共振器、電子周波数フィルタ素子、またはアンテナ素子として特に適するガラスセラミックを提供する。
【解決手段】ガラスセラミックは、酸化物基準のモル％で、少なくとも、５〜５０％のＳｉＯ_２と、０〜２０％のＡｌ_２Ｏ_３と、０〜２５％のＢ_２Ｏ_３と、０〜２５％のＢａＯと、１０〜６０％のＴｉＯ_２と、５〜３５％のＲＥ_２Ｏ_３とを構成成分として有する。ここで、Ｂａは部分的にＳｒ、Ｃａ、Ｍｇで置換でき、ＲＥはランタニドまたはイットリウムであり、Ｔｉは部分的にＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａで置換できる。 （もっと読む）

【課題】 高温負荷寿命の向上を実現し、信頼性の高いセラミック電子部品を製造する方法を提供すること。
【解決手段】セラミック層と電極とを有するセラミック電子部品の製造方法であって、セラミック層がＡＢＯ_３（ＡはＢａ、ＣａおよびＳｒから選ばれる１つ以上、ＢはＴｉ、ＺｒおよびＨｆから選ばれる１つ以上）で表される主成分および添加成分を含む誘電体磁器組成物から構成され、主成分の原料粉体と、添加成分に含まれる金属元素のうち、少なくとも一部の金属元素のゲル状化合物スラリーまたは少なくとも一部の金属元素の溶液とを準備する工程と、主成分の原料とゲル状化合物スラリーまたは溶液とを分散して原料混合物を得る工程と、原料混合物を乾燥する工程と、乾燥後の原料混合物を熱処理する工程とを有する。ゲル状化合物スラリーまたは溶液としては、ゲル状水酸化物スラリーまたは水溶液が好ましい。 （もっと読む）

【課題】酸化物粒子のナノメートルレベルでの分布性、組成制御性に優れた複合セラミックス粉体の提供。
【解決手段】少なくともＡ_１−ｘＢ_ｘＣ_１−ｙＤ_ｙＯ_３（ＡはＬａ及びＳｍの群から選ばれる１種または２種の元素、ＢはＳｒ、Ｃａ及びＢａの群から選ばれる１種または２種以上の元素、ＣはＣｏ、Ｇａ及びＭｎの群から選ばれる１種または２種以上の元素、ＤはＦｅ、Ｍｇ及びＮｉの群から選ばれる１種または２種以上の元素であり、０．１≦ｘ≦０．５、０≦ｙ≦１．０）で表される酸化物または酸化ニッケルと、金属イオンが固溶して酸素イオン導電性が付与されたジルコニアと、を含有する複合セラミックス粉体であって、
前記Ａ_１−ｘＢ_ｘＣ_１−ｙＤ_ｙＯ_３を構成するＡ、Ｂ、Ｃ及びＤの群から選択される１種または２種以上のイオンまたはニッケルイオンと、金属イオンとを、塩基性炭酸ジルコニウム錯体と共沈させ沈殿物を２００℃以上の温度で熱処理してなる。 （もっと読む）

【課題】高電界強度の電圧が印加されても良好な誘電特性を有し、高温負荷試験の寿命特性が優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】本発明に係る誘電体セラミックは、主成分としてＡＢＯ₃（ただし、Ａは、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒのうちの少なくとも１種であり、Ｂは、Ｔｉ、ＺｒおよびＨｆのうちの少なくとも１種である。）を含み、副成分としてＣａＣｕ₃Ｔｉ₄Ｏ₁₂を含むことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】副成分の大部分が、ＢａＴｉＯ３粒子の表層に近い部分のみに存在し、粒子中央付近にはほとんど存在しない、表層が改質された構造を有し、容量温度特性が良好で、信頼性(絶縁抵抗(ＩＲ)の高温負荷寿命)に優れたセラミックコンデンサを実現することが可能なチタン酸バリウム系セラミック粉末およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＢａＴｉＯ₃粒子をエッチングすることにより、ＢａＴｉＯ₃粒子表層のＢａを溶出させて、Ｔｉ過剰のＢａＴｉＯ₃粒子とし、このＴｉ過剰のＢａＴｉＯ₃粒子に、Ｃａ，Ｓｒ，およびＭｇからなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物（副成分）を添加し、Ｔｉ過剰のＢａＴｉＯ₃粒子と反応させる。
溶解した状態の副成分をＴｉ過剰のＢａＴｉＯ₃粒子と反応（固液反応）させる。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率であり、ＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性を満足しつつ、ＤＣバイアス特性およびＤＣエージング特性に優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体層５が、チタン酸バリウムを主成分とし、カルシウムと、マグネシウムと、希土類元素とを有するとともに、主結晶粒子が、コアシェル構造の結晶粒子からなり、該結晶粒子は、カルシウムの濃度が０．３原子％より少ない第１の結晶粒子と、カルシウムの濃度が０．３原子％以上である第２の結晶粒子とを有するとともに、平均粒径が０．１５〜０．４μｍであり、コア部９ａの結晶構造が正方晶系であるとともに、前記コア部を取り囲むシェル部９ｂの結晶構造が立方晶系であり、かつＸ線回折情報を基に算出した前記シェル部９ｂの平均厚みが５〜１５ｎｍである誘電体磁器からなる。 （もっと読む）

【課題】容量温度特性の絶対値が大きい場合であっても、広い温度範囲において、容量変化率を該絶対値に対し所定の範囲にすることができる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】（Ｂａ_{１−ｘ−ｙ} Ｓｒ_ｘ Ｃａ_ｙ ）_ｍ （Ｔｉ_１−ｚ Ｚｒ_ｚ ）Ｏ_３で表される主成分と、Ｍｇ酸化物と、Ｍｎ（Ｃｒ）酸化物と、希土類酸化物と、Ｓｉを含む酸化物と、Ｂａ、ＳｒおよびＺｒを含む複合酸化物と、を有し、０.２０≦ｘ≦０．４０、０≦ｙ≦０．２０、０≦ｚ≦０．３０、かつ０．９５０≦ｍ≦１．０５０であり、−２５〜１０５℃の温度範囲において、２５℃における静電容量を基準とした容量温度特性を示す傾きａを有する直線に対して、２５℃を基準とした静電容量変化率が−１５〜＋５％の範囲内にあり、傾きａが−５５００〜−１８００ｐｐｍ／℃である誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】容量温度特性の絶対値が大きくても、広い温度範囲において容量変化率を該絶対値に対し所定範囲にある誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】（Ｂａ_{１−ｘ−ｙ}Ｓｒ_ｘＣａ_ｙ）_ｍ（Ｔｉ_１−ｚＺｒ ）Ｏ_３で表される主成分を有する誘電体磁器組成物の製造方法であり、（Ｂａ_{１−ｘ１−ｙ}Ｓｒ_ｘ１Ｃａ_ｙ）_ｍ（Ｔｉ_１−ｚＺｒ_ｚ）Ｏ_３で表される第１主成分原料と、（Ｂａ_{１−ｘ２−ｙ}Ｓｒ_ｘ２Ｃａ_ｙ）_ｍ（Ｔｉ_１−ｚＺｒ_ｚ）Ｏ_３で表される第２主成分原料とを準備する工程と、第１主成分および第２主成分の原料を混合、焼成する工程とを有し、第１主成分のモル数をａ、第２主成分のモル数をｂとし、ａ＋ｂ＝１、ａ：ｂ＝２０：８０〜８０：２０、０．２０≦ｘ≦０．４０、ｘ＝ａｘ１＋ｂｘ２、ｘ１／ｘ２≧１．０５、０≦ｙ≦０．２０、０≦ｚ≦０．３０、０．９５０≦ｍ≦１．０５０である。 （もっと読む）

【課題】 強度および破壊靱性などの機械的特性をより向上させた誘電性セラミックスを提供する。
【解決手段】 Ｌａ，Ａｌ，Ｃａ，Ｔｉを含有する多結晶体の誘電体セラミックスであって、その結晶粒界にＣａＡｌ_１２Ｏ_１９（ヒボナイト）結晶を有する。 （もっと読む）

【目的】ＰＺＴ関連系の複合圧電体のペロブスカイト単相であり、焼結助剤を使用することなく、十分低温で焼結できる仮焼粉末を１回の仮焼で得る。
【構成】ＰＺＴ系の複合圧電体の原料粉末をあらかじめ十分に微粉砕することによって、ペロブスカイト単相であり、焼結助剤を使用することなく、十分低温で焼結できる仮焼粉末を１回の仮焼で得られる。その結果、高密度で高い圧電特性を有する圧電体が低温での焼結で得られる。 （もっと読む）

【課題】広範な仮焼温度において、粒径が小さく、かつ、結晶性が高い、誘電体層の薄層化に適した誘電体セラミックス材料を製造することができる方法を提供する。
【解決手段】アルカリ土類金属化合物と二酸化チタンとを固相反応により反応させて誘電体セラミックス材料を製造する方法であって、前記アルカリ土類金属化合物の粉末及び二酸化チタン粉末を含有する混合粉末を、アンモニア化合物の共存下で粉砕混合する粉砕混合工程と、粉砕混合された前記混合粉末を焼成してチタン酸アルカリ土類金属塩の粉末を得る仮焼工程とを備えているようにした。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させつつ、良好な比誘電率や温度特性が得られる誘電体磁器組成物および該誘電体磁器組成物が適用された電子部品を提供すること。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３、（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ_３、（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ_３および（Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ）ＴｉＯ_３から選ばれる１つからなる主成分、希土類元素の酸化物、およびＢａを含む複合化合物を複合化合物換算で９〜１３モル含有する誘電体磁器組成物であって、誘電体磁器組成物が、非拡散相とＲ元素が含まれる拡散相とからなる表面拡散構造を有する表面拡散粒子を有しており、表面拡散粒子において、非拡散相が占める面積をＳ１、拡散相が占める面積をＳ２とすると、Ｓ１：Ｓ２＝２０：８０〜３０：７０（ただしＳ１＝３０およびＳ２＝７０を除く）であり、表面拡散粒子における前記Ｒ元素の平均濃度をＣとした場合、４．８≦Ｓ２×Ｃ≦５．８である。 （もっと読む）

【課題】粒径が小さく、かつ、粒径のバラツキが少ない誘電体層の薄層化に適した誘電体セラミックス材料の製造方法を提供する。
【解決手段】炭酸バリウムと二酸化チタンとを固相反応により反応させて誘電体セラミックス材料を製造する方法であって、炭酸バリウム粉末及び二酸化チタン粉末を含有する混合粉末を有機溶媒中で粉砕混合する粉砕混合工程と、粉砕混合した前記混合粉末を焼成してチタン酸バリウム系化合物の粉末を得る仮焼工程とを備えているようにした。 （もっと読む）

ジルコニア系粒子、ジルコニア系粒子を含有するゾル、該ゾル及びジルコニア系粒子を作製する方法、有機マトリックス中にジルコニア系粒子を含有する複合体、並びにジルコニア系粒子から調製される焼結体が記載される。ジルコニア系粒子は、結晶性であり、１００ナノメートル以下の一次粒子寸法を有し、ランタニド元素、又はランタニド元素及びイットリウムの両方でドープされる。 （もっと読む）

本発明は、特にセラミック焼結部品の製造のための顆粒状粉末であって、乾燥物質を基準として、重量による以下の化学組成、すなわち、Ｙ_２Ｏ_３、Ｓｃ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＣｅＯ_２、およびそれらの混合物を含む群から選択されるジルコニア安定剤であって、ジルコニアおよび安定剤の含有率の合計を基準とした安定剤の重量による含有率が２％〜２０％の間であり、ＭｇＯ＋ＣａＯの含有率が、ジルコニアおよび安定剤の含有率の合計を基準として５％未満である、安定剤；少なくとも１％の、２５℃以下のガラス転移温度を有する第１のバインダー；０〜４％の、２５℃より高いガラス転移温度を有する追加のバインダー；５〜５０％のアルミナ；第１のバインダーおよび追加のバインダーとは異なる０〜４％の一時的添加剤であって、第１のバインダー、追加のバインダー、および一時的添加剤の合計含有率が９％未満である、一時的添加剤；２％未満の不純物；および１００％となるまでのＺｒＯ_２、を有する粉末に関する。本発明によると、粉末のメジアン直径Ｄ_５０は８０〜１３０μｍの間であり、パーセンタイルＤ_９９．５は５００μｍ未満であり、顆粒の相対密度は３０％〜６０％の間である。 （もっと読む）

【課題】合金元素として多量のマンガン（Ｍｎ）を含有する高張力鋼板を搬送する場合であっても、ハースロールのロール周面に形成された部分安定化ジルコニア溶射皮膜が剥離破壊され難くする。
【解決手段】主成分である安定化ジルコニアまたは部分安定化ジルコニアからなるジルコニア（ＺｒＯ₂）粉末に対し、添加剤である酸化マンガンを二酸化マンガンＭｎＯ₂換算で１０．１質量％〜２５質量％含有する混合／複合材を溶射することにより、ロール周面にジルコニア系セラミックス皮膜を形成した。 （もっと読む）

【課題】比較的に高い比誘電率を示し、絶縁抵抗にも優れ、十分な信頼性が確保された電子部品の誘電体層を製造するのに好適な誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】一般式（Ｂａ_１−αＭ_α）_Ａ（Ｔｉ_１−βＭｎ_β）_ＢＯ_３で表され、結晶構造が六方晶であって、Ｍの有効イオン半径が、１２配位時のＢａ^２＋の有効イオン半径に対して±２０％以内であり、Ａ、Ｂ、αおよびβが、１．０００＜Ａ／Ｂ≦１．０４０、０≦α＜０．００３、０．０３≦β≦０．２の関係を満足する六方晶系チタン酸バリウムを主成分とし、該主成分１００モルに対し、副成分として、ＭｇＯ等のアルカリ土類酸化物、Ｍｎ_３Ｏ_４および／またはＣｒ_２Ｏ_３と、ＣｕＯと、Ａｌ_２Ｏ_３と、希土類元素酸化物と、ＳｉＯ_２を含むガラス成分とを特定量含んでなる誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】高い比誘電率を示し、絶縁抵抗に優れ、十分な信頼性が確保されたコンデンサ等の電子部品を製造するのに好適な誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】一般式（Ｂａ_１−αＭ_α）_Ａ（Ｔｉ_１−βＭｎ_β）_ＢＯ_３で表され、結晶構造が六方晶であって、Ｍの１２配位時の有効イオン半径が、１２配位時のＢａ^２＋の有効イオン半径に対して±２０％以内であり、Ａ、Ｂ、αおよびβが、０．９００≦（Ａ／Ｂ）≦１．０４０、０．００３≦α≦０．０５、０．０３≦β≦０．２の関係を満足する六方晶系チタン酸バリウムを主成分とし、該主成分１００モルに対し、副成分としてＭｇＯ等のアルカリ土類酸化物と、Ｍｎ_３Ｏ_４および／またはＣｒ_２Ｏ_３と、ＣｕＯと、Ａｌ_２Ｏ_３と、希土類元素酸化物と、ＳｉＯ_２を含むガラス成分とを特定量含んでなる誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率であるとともに比誘電率のばらつきが小さく、かつ低い分極電荷を示すとともに分極電荷のばらつきの小さい積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 チタン酸バリウムを主成分とし立方晶系の結晶粒子を有し、前記結晶粒子の平均粒径が０．０８〜０．２μｍであるとともにＹｂ_２ＴｉＯ_５相を有する誘電体磁器からなり、積層セラミックコンデンサを酸に溶解させて求められる元素の含有量が、バリウム１モルに対して、イットリウムがＹＯ_３／２換算で０．００５〜０．０３モル、マンガンがＭｎＯ換算で０．０２〜０．０４モル、マグネシウムがＭｇＯ換算で０．００７５〜０．０４モル、イッテルビウムがＹｂＯ_３／２換算で０．０２５〜０．１２モルであり、かつ前記誘電体層のＸ線回折分析のリートベルト法解析において、バリウム１モルに対する前記Ｙｂ_２ＴｉＯ_５の含有量が０．００２５〜０．００８０モルである。 （もっと読む）