【課題】 高誘電率であり、ＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性を満足しつつ、ＤＣバイアス特性およびＤＣエージング特性に優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体層５が、チタン酸バリウムを主成分とし、カルシウムと、マグネシウムと、希土類元素とを有するとともに、主結晶粒子が、コアシェル構造の結晶粒子からなり、該結晶粒子は、カルシウムの濃度が０．３原子％より少ない第１の結晶粒子と、カルシウムの濃度が０．３原子％以上である第２の結晶粒子とを有するとともに、平均粒径が０．１５〜０．４μｍであり、コア部９ａの結晶構造が正方晶系であるとともに、前記コア部を取り囲むシェル部９ｂの結晶構造が立方晶系であり、かつＸ線回折情報を基に算出した前記シェル部９ｂの平均厚みが５〜１５ｎｍである誘電体磁器からなる。 （もっと読む）

【課題】セラミックコンデンサなどの電子部品の誘電体層に用いられ、高周波数領域において誘電損失を低くすることができ、しかも誘電率温度特性に優れ、高い比誘電率を有する誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】酸化ストロンチウムをＳｒＴｉＯ_３換算で２９．３４〜４４．７０重量％、酸化ビスマスをＢｉ_２Ｏ_３換算で２２．５６〜２８．４８重量％、酸化チタンをＴｉＯ_２換算で２６．３６〜３０．２７重量％、酸化マグネシウムをＭｇＯ換算で３．６１〜５．５６重量％、酸化ネオジムを、Ｎｄ_２Ｏ_３換算で、１．８６〜３．４２重量％、酸化マンガンをＭｎＯ換算で０．２１〜０．９９重量％、酸化ケイ素をＳｉＯ_２換算で０．０６〜０．５０重量％含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、耐食性に優れ、強度の低下を抑制したセラミック製刃物、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 主成分であるジルコニア（ＺｒＯ_２）の結晶からなる結晶相と、Ｙ元素およびＳｉ元素を含む非晶質相を有するジルコニア質焼結体からなり、前記非晶質相中にはイットリア（Ｙ_２Ｏ_３）の結晶からなる結晶相を有していること。 （もっと読む）

【課題】 高周波領域での電気特性に優れ製造が容易な高周波用誘電体磁器およびその製造方法を提供する。また、そのような高周波用誘電体磁器を構成部材として用いた電気特性に優れた高周波回路素子を提供する
【解決手段】 組成式
ａ（Ｓｎ，Ｔｉ）Ｏ_２−ｂＭｇ_２ＳｉＯ_４−ｃＭｇＴｉ_２Ｏ_５−ｄＭｇＳｉＯ_３
で表され、前記組成式におけるａ、ｂ、ｃ、及びｄ（ただし、ａ、ｂ、ｃ、及びｄはモル％である）がそれぞれ４≦ａ≦３７、３４≦ｂ≦９２、２≦ｃ≦１５、及び２≦ｄ≦１５の範囲内にあり、ここでａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００である主成分と、ＺｒＯ_２からなる添加成分とを含んでなり、該添加成分は前記主成分１００重量部に対して３．０〜１２．０重量部添加されていることを特徴とする高周波用誘電体磁器ならびに、それを構成部材とする高周波回路素子 （もっと読む）

【課題】容量温度特性の絶対値が大きくても、広い温度範囲において容量変化率を該絶対値に対し所定範囲にある誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】（Ｂａ_{１−ｘ−ｙ}Ｓｒ_ｘＣａ_ｙ）_ｍ（Ｔｉ_１−ｚＺｒ ）Ｏ_３で表される主成分を有する誘電体磁器組成物の製造方法であり、（Ｂａ_{１−ｘ１−ｙ}Ｓｒ_ｘ１Ｃａ_ｙ）_ｍ（Ｔｉ_１−ｚＺｒ_ｚ）Ｏ_３で表される第１主成分原料と、（Ｂａ_{１−ｘ２−ｙ}Ｓｒ_ｘ２Ｃａ_ｙ）_ｍ（Ｔｉ_１−ｚＺｒ_ｚ）Ｏ_３で表される第２主成分原料とを準備する工程と、第１主成分および第２主成分の原料を混合、焼成する工程とを有し、第１主成分のモル数をａ、第２主成分のモル数をｂとし、ａ＋ｂ＝１、ａ：ｂ＝２０：８０〜８０：２０、０．２０≦ｘ≦０．４０、ｘ＝ａｘ１＋ｂｘ２、ｘ１／ｘ２≧１．０５、０≦ｙ≦０．２０、０≦ｚ≦０．３０、０．９５０≦ｍ≦１．０５０である。 （もっと読む）

【課題】 少なくともＣａ及びＴｉを含むペロブスカイト型化合物の多結晶体からなり、擬立方｛１００｝面が高い配向度で配向し、高い相対密度を有し、しかも、その組成制御が比較的容易な結晶配向セラミックス及びその製造方法、並びに、これに用いられる異方形状粉末及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 少なくともＣａ及びＴｉを含む第２のペロブスカイト型化合物を主相とし、その発達面が擬立方｛１００｝面からなり、かつ、その厚さ（ｔ_ａ）に対する前記発達面の最大長さ（ｗ_ａ）のアスペクト比（Ｗ_ａ／ｔ_ａ）が２以上である異方形状粉末。少なくともＣａ及びＴｉを含む第１のペロブスカイト型化合物を主相とする多結晶体からなり、該多結晶体を構成する各結晶粒の擬立方｛１００｝面が配向している結晶配向セラミックス。 （もっと読む）

【課題】ＡＢＯ_３（Ａは、Ｂａを必ず含み、さらにＣａおよびＳｒの少なくとも一方を含むことがある。Ｂは、Ｔｉを必ず含み、さらにＺｒおよびＨｆの少なくとも一方を含むことがある。）を主成分とし、副成分として、Ｒｅ（Ｒｅは、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｓｃ、Ｙ、Ｇｄ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｂ、ＴｍおよびＬｕのうちの少なくとも１種）を含む、誘電体セラミックについて、その誘電率を高める。
【解決手段】誘電体セラミック１１は、ＡＢＯ_３系の主成分からなる主相粒子１２と、主相粒子１２とは異なる組成を有する二次相粒子１３とを含む。この誘電体セラミック１１中のＲｅの全含有量に対する、二次相粒子１３中のＲｅ含有量の割合を５０％以上とし、Ｒｅの分布を二次相粒子１３により多く集中させる。二次相粒子中のＲｅ含有量は３０モル％以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】容量温度特性の絶対値が大きい場合であっても、広い温度範囲において、容量変化率を該絶対値に対し所定の範囲にすることができる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】（Ｂａ_{１−ｘ−ｙ} Ｓｒ_ｘ Ｃａ_ｙ ）_ｍ （Ｔｉ_１−ｚ Ｚｒ_ｚ ）Ｏ_３で表される主成分と、Ｍｇ酸化物と、Ｍｎ（Ｃｒ）酸化物と、希土類酸化物と、Ｓｉを含む酸化物と、Ｂａ、ＳｒおよびＺｒを含む複合酸化物と、を有し、０.２０≦ｘ≦０．４０、０≦ｙ≦０．２０、０≦ｚ≦０．３０、かつ０．９５０≦ｍ≦１．０５０であり、−２５〜１０５℃の温度範囲において、２５℃における静電容量を基準とした容量温度特性を示す傾きａを有する直線に対して、２５℃を基準とした静電容量変化率が−１５〜＋５％の範囲内にあり、傾きａが−５５００〜−１８００ｐｐｍ／℃である誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 圧電特性を損なうことなく、低温焼成が可能なチタン酸バリウム系の圧電セラミックス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 平均粒径が０．０５μｍ以上０．１０μｍ以下のチタン酸バリウム粉末に、第一副成分としてリチウム酸化物粉末、第二副成分として酸化アルミニウム粉末を、前記チタン酸バリウムの粉末１００質量％として、前記リチウム酸化物粉末を酸化リチウムに換算してｘ質量％、前記酸化アルミニウム粉末を酸化アルミニウムに換算してｙ質量％ で表したとき、０．０３≦ｘ≦０．０８、０．０１≦ｙ≦０．１０を添加して、１０００℃以上１２００℃以下の温度範囲で焼成する。 （もっと読む）

【課題】ｐ型の導電膜及びｐ型の透明導電膜としての酸化物膜の高性能化を図る。
【解決手段】
本発明の１つの酸化物膜は、チタン（Ｔｉ）とアンチモン（Ｓｂ）とからなる酸化物の膜（不可避不純物を含み得る）である。また、この酸化物膜は、前述のチタン（Ｔｉ）に対する前述のアンチモン（Ｓｂ）の原子数比が、そのチタン（Ｔｉ）の原子数を１とした場合にそのアンチモン（Ｓｂ）の原子数が０．０８以上０．１８以下である。さらに、この酸化物膜は、微結晶の集合体、微結晶を含むアモルファス状、又はアモルファス状であるとともにｐ型の導電性を有する。 （もっと読む）

【課題】従来技術に比べて良好な変位を生じさせながらも損失電力が小さい点で優れているＣｕ内部電極を備えた多層素子に適用するための圧電素子を提供する。
【解決手段】モノリシック多層構造の圧電素子には、上下に配置されたセラミックス層と該セラミックス層の間に配置された少なくとも２つの電極層から成る積層体が設けられており、電極層には元素状の銅が含まれており、セラミックス層には、ニオブのドーピングされたジルコン酸チタン酸鉛が含まれている。 （もっと読む）

【目的】ＰＺＴ関連系の複合圧電体のペロブスカイト単相であり、焼結助剤を使用することなく、十分低温で焼結できる仮焼粉末を１回の仮焼で得る。
【構成】ＰＺＴ系の複合圧電体の原料粉末をあらかじめ十分に微粉砕することによって、ペロブスカイト単相であり、焼結助剤を使用することなく、十分低温で焼結できる仮焼粉末を１回の仮焼で得られる。その結果、高密度で高い圧電特性を有する圧電体が低温での焼結で得られる。 （もっと読む）

【課題】熱による体積変化が小さいチタン酸アルミニウム系セラミックスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】銅元素を含むチタン酸アルミニウム系セラミックス、および、チタニウム源粉末と、アルミニウム源粉末と、銅源とを含む原料混合物を焼成する工程を備えるチタン酸アルミニウム系セラミックスの製造方法である。銅源としては、金属銅粉末などを用いることができる。チタン酸アルミニウム系セラミックスは、マグネシウム元素やケイ素元素を含んでいてもよい。 （もっと読む）

【課題】 強度および破壊靱性などの機械的特性をより向上させた誘電性セラミックスを提供する。
【解決手段】 Ｌａ，Ａｌ，Ｃａ，Ｔｉを含有する多結晶体の誘電体セラミックスであって、その結晶粒界にＣａＡｌ_１２Ｏ_１９（ヒボナイト）結晶を有する。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン系腐食性ガス及びそのプラズマ中で用いられ、十分な吸着力を有する静電チャック、低電圧駆動が可能で試料載置面を構成する絶縁性誘導体材料の厚さを厚くし得る静電チャック装置を提供する。
【解決手段】特定の複合酸化物焼結体を有する静電チャックであって、焼結体が、ＪＩＳ Ｚ ８７２９−１９９４に規定されるＣＩＥＬ^*ａ^*ｂ^*表色系において、Ｃ光源及び２°視野条件で測定される反射色調のＬ^*値が１０以上５０以下である静電チャック、及び（Ａ）試料を静電吸着するための試料載置面を有する板状体と、その背面に設けられた静電吸着用内部電極層と、絶縁性材料層とを有する静電チャック部材を備えてなる静電チャック装置であって、（Ａ）静電チャック部材における板状体の少なくとも試料載置面が、上記静電チャックを構成する複合酸化物焼結体からなる静電チャック装置である。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させつつ、良好な比誘電率や温度特性が得られる誘電体磁器組成物および該誘電体磁器組成物が適用された電子部品を提供すること。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３、（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ_３、（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ_３および（Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ）ＴｉＯ_３から選ばれる１つからなる主成分、希土類元素の酸化物、およびＢａを含む複合化合物を複合化合物換算で９〜１３モル含有する誘電体磁器組成物であって、誘電体磁器組成物が、非拡散相とＲ元素が含まれる拡散相とからなる表面拡散構造を有する表面拡散粒子を有しており、表面拡散粒子において、非拡散相が占める面積をＳ１、拡散相が占める面積をＳ２とすると、Ｓ１：Ｓ２＝２０：８０〜３０：７０（ただしＳ１＝３０およびＳ２＝７０を除く）であり、表面拡散粒子における前記Ｒ元素の平均濃度をＣとした場合、４．８≦Ｓ２×Ｃ≦５．８である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、誘電体磁器組成物及びそれを含む積層セラミックキャパシタに関する。
【解決手段】本発明による誘電体磁器組成物は、Ｂａ_ｍ（Ｔｉ_１−ｘＺｒ_ｘ）Ｏ_３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０，０＜ｘ≦０．１０）で表される母材粉末と第１副成分〜第５副成分を含む。本発明による誘電体磁器組成物を含む積層セラミックキャパシタは、高誘電率及び優れた高温信頼性を有する。 （もっと読む）

【課題】優れた強度信頼性を有するジルコニア−アルミナ複合セラミック材料の製造方法を提供する。
【解決手段】１０〜１２モル％のセリアを含み、９０体積％以上の正方晶ジルコニアで構成され、平均粒径が０．１〜１μｍであるジルコニア粒子でなる第１相。平均粒径が０．１〜０．５μｍのアルミナ粒子でなる第２相。アルミナ粒子内にジルコニア粒子が分散されると共にジルコニア粒子内にアルミナ粒子が分散されたコンポジット構造を有する。第１粉末と第２粉末とを含有するスラリーをその粘度が１．５ｍＰａ・ｓ以下となるように調製する。スラリー中に粒子径が５μｍより大きな粉体が無くなるように粉砕混合する。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率であり、ＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性を満足しつつ、ＤＣバイアス特性およびＤＣエージング特性に優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体層５が、チタン酸バリウム１００モルに対して、バナジウムを０〜０．１モル、マグネシウムを０．５〜１．２モル、イットリウム，ジスプロシウム，ホルミウム，テルビウムおよびイッテルビウムから選ばれる少なくとも１種の希土類元素を０．５〜１．０モルおよびマンガンを０〜０．２モル含有する誘電体磁器からなるとともに、結晶構造が正方晶系のコア部９ａと、該コア部９ａを取り囲み前記バナジウム、前記マグネシウム、前記希土類元素および前記マンガンのうち少なくとも１種の添加成分が固溶しており結晶構造が立方晶系のシェル部９ｂとからなり、該シェル部９ｂの平均厚みｔが５〜１５ｎｍであるとともに、前記結晶粒子の平均粒径が０．１５〜０．４μｍである。 （もっと読む）

【課題】接触部分酸化反応用の触媒などの触媒担体として好適な、高い耐熱性を有し、長期間に渡って安定な触媒担体用多孔質セラミックス成形体を提供する。
【解決手段】アルミニウム源粉末、チタニウム源粉末、マグネシウム源粉末およびケイ素源粉末を含む原料混合物の成形体を焼成する工程を備え、該原料混合物中におけるＡｌ₂Ｏ₃換算でのアルミニウム源粉末とＴｉＯ₂換算でのチタニウム源粉末との含有量比がモル比で３５：６５〜４５：５５の範囲内であり、Ａｌ₂Ｏ₃換算でのアルミニウム源粉末とＴｉＯ₂換算でのチタニウム源粉末との合計量に対するＭｇＯ換算でのマグネシウム源粉末の含有量がモル比で０．０３〜０．１５の範囲内であり、ケイ素源粉末の含有量は、原料混合物に含まれる無機成分中５質量％以下である、触媒担体用多孔質セラミックス成形体の製造方法および当該製造方法により得られる触媒担体用多孔質セラミックス成形体である。 （もっと読む）